JP5469178B2 - 導電性基板をめっきするためのシステム、およびそのめっきの間に導電性基板を保持するための基板ホルダー - Google Patents
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Description
−前側に接触領域を有することは、そうでなければめっきされるパターンに使用されることができない多くの空間を占める。
−できるだけ少ない空間を占めるように、接触領域はワークピースの周辺に制限される。
−めっきプロセスは、電極に近接して加速的速度で行われ、不均一のメタライゼーションを生じる。ワークピースのいずれかの部分が接触さ得る場合、めっきの不均一は改良される。
−接触領域に付与される電極子は、腐食剤、プロセスの間の電解質の環境などに曝され損傷を受けて、電極を劣化させる。
−耐久性のある電極を構築することは、複雑な設計および高価な材料を必要とする。
Claims (31)
- 導電性基板をめっきするためのシステムであって、前記システムは、
(i)第1の導電性側と、第2の導電性側とを備え、導電性基板の前記第1の側がめっきされる、導電性基板と、
(ii)基板ホルダーであって、前記基板ホルダーは、
前記導電性基板を前記基板ホルダーに結合することによって、前記基板ホルダーの第1の面が、前記導電性基板の前記第2の側に面する、結合手段と、
前記基板ホルダーの前記第1の面に結合される弾性接触手段であって、前記弾性接触手段は、第1の外部電位に接続可能である、弾性手段と、
を備える、基板ホルダーと、
を備えるシステムであって、前記導電性基板の前記第2の側の第1の部分は、絶縁体が設けられ、前記導電性基板の前記第2の側の第2の部分は、少なくとも1つの接触領域を形成し、前記弾性接触手段は、前記少なくとも1つの接触領域において少なくとも1つの接触点で接触し、
前記導電性基板の前記第2の側の前記第1の部分および前記第2の部分は、前記絶縁体が少なくとも1つのキャビティを形成し、前記少なくとも1つの接触領域が前記キャビティに設けられるように配置される、システム。 - 少なくとも1つの電気絶縁体の少なくとも1つの層を備える端部絶縁層(103C)が、前記導電性基板の端部を覆う、請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの接触領域は、前記第2の側の少なくとも50%を覆う、請求項1に記載のシステム。
- 前記弾性接触手段は、前記導電性基板の中心から前記導電性基板の周囲端部までの距離に沿った少なくとも2つの接触点において前記接触領域と接触する、請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの接触領域は、前記導電性基板の中心に設けられる、請求項1〜4のいずれかに記載のシステム。
- 前記導電性基板は、前記基板ホルダーに密閉して結合され、それによって、電解質溶液が前記導電性基板の前記第2の側と接触するのを防止する、請求項1に記載のシステム。
- 前記絶縁体はパターン形成され、それによって、複数の接触領域が前記第2の導電性側に設けられる、請求項1に記載のシステム。
- 前記パターンは、同心円または円弧の形状である、請求項7に記載のシステム。
- 前記接触手段の配置がパターン形成され、それによって、複数の接触点が前記第2の導電性側に設けられる、請求項1に記載のシステム。
- 前記結合手段は、前記基板ホルダー(101)の周囲に沿って締め付けリングもしくは端部グリッパー、または圧力付与手段および気密シールを備え、前記気密シールは前記基板ホルダー(101)の周囲に沿って配置される、請求項1に記載のシステム。
- 前記締め付けリング(302)または前記端部グリッパーおよび前記基板ホルダー(101)は、ガイド要素(501)によって互いに連結され、前記基板ホルダー(101)の周囲に沿って離間しており、前記ガイド要素(501)はアクチュエータに接続され、前記アクチュエータは、ロード/アンロード位置まで低下、および/または処理位置まで上昇するように適合される、請求項10に記載のシステム。
- 少なくとも2つの接触手段を備え、第1の弾性接触手段が前記第1の外部電位に接続可能であり、第2の弾性接触手段が第2の外部電位に接続可能である、請求項1に記載のシステム。
- 導電性基板をめっきする間、該導電性基板を保持するための基板ホルダーであって、
前記導電性基板を前記基板ホルダーに結合し、それによって、前記基板ホルダーの第1の面が、前記導電性基板の第2の側に面する、結合手段と、
前記基板ホルダーの前記第1の面に結合され、少なくとも1つの外部電位に接続可能である、弾性接触手段と、
前記基板ホルダー(101)の前記第1の面に設けられ、前記導電性基板の第2の側に対抗する面に接触要素(1401A)を有する弾性層(1402)と、
を備え、
前記接触要素(1401A)は、前記弾性層(1402)と前記導電性基板とが所定の距離を保つ程度の厚さを有し且つ柔軟性を有する導電性箔であって、
前記接触手段の配置はパターン形成され、それによって、複数の接触点が、前記導電性基板の前記第2の側に設けられる、基板ホルダー。 - 前記接触手段は、前記基板ホルダーの前記第1の面に分配され、弾性接触要素(701A)と相互接続する、相互接続構造(701B)を備える、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 前記相互接続構造(701B)の分配は、星形、同心円の形状、または同心円の形状と星形との組み合わせからなる群より選択される形状である、請求項14に記載の基板ホルダー。
- 前記接触要素(701A)は、前記相互接続構造(701B)を介して共通の電位ノード(702)に互いに並列に電気接続される、請求項14に記載の基板ホルダー。
- 前記接触要素(701A)は、前記第1の面に垂直な方向において柔軟性及び弾性がある、請求項14に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(304)に、または前記基板ホルダー(101)と前記導電性基板との間の空間に、または前記接触手段と前記基板ホルダー(101)との間の空間に、過圧または低圧を供給する少なくとも1つのダクト(111)を備える、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 前記接触手段(304)は、前記接触手段のベローズに供給されるガス圧によって前記第1の面に垂直な方向において可動である、請求項18に記載の基板ホルダー。
- 前記少なくとも1つのダクトに接続される圧力アクチュエータ(502A、502B)を備え、前記圧力アクチュエータは、低圧によって前記導電性基板を保持でき、前記圧力アクチュエータは、前記導電性基板が前記基板ホルダーの前記第1の面に近接するように、または前記基板ホルダーの前記第1の面から離れるように伸縮可能である、請求項18に記載の基板ホルダー。
- 前記基板ホルダー(101)の大部分に設けられ、前記ダクトに接続される加圧チャンバを備え、前記加圧チャンバは、前記接触手段(304)または前記基板ホルダー(101)と前記導電性基板との間の空間または前記接触手段と前記基板ホルダー(101)との間の空間と連通する、請求項18に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(304)は、リニアモーター、ステッピング・モーター、または回転モーターによって作動される部材に取り付けられ、それによって、前記接触手段(304)は、前記第1の面に垂直な方向に可動である、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(304)は、フック、ループ、またはチューブを備え、前記第1の面に垂直な方向において弾性がある、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(304)は、前記基板ホルダー(101)内の少なくとも1つの一体化された導線を用いて前記基板ホルダー(101)の前記第1の面に結合されることができ、前記少なくとも1つの導線は前記接触手段および少なくとも1つの外部電位に接続する、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(1201)は、前記基板ホルダー(101)の前記第1の面に結合される柔軟性のある弾性層(1202)に取り付けられる接触要素(1201A)を備える、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 前記接触要素(1201A)の弾性層(1202)に近接する側と反対側に且つ弾性層(1202)から所定の距離を保つ位置に配置される、柔軟性のある導電性フィルム(1203)を備える、請求項25に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(1301A)に近接する剛性の導電層(1302)を備え、前記剛性の導電層(1302)は、前記基板ホルダー(101)と電気接続され、前記接触手段(1301A)は前記導電層(1302)と前記導電性基板とが所定の距離を保つ程度の厚さを有して突出する導電性接触構造(1303)を備える導電性箔である、請求項13に記載の基板ホルダー。
- 接触手段(1501A)は、気密シールによって前記基板ホルダー(101)の周囲に沿って前記基板ホルダー(101)の前記第1の面に固定される、薄い導電性箔であり、前記薄い導電性箔は、前記基板ホルダーの前記第1の面と前記薄い導電性箔との間の容積を規定し、前記容積は少なくとも1つの第1のダクトに接続される、請求項18に記載の基板ホルダー。
- 前記接触手段(1501)は、互いから電気絶縁される同心円に分割される、請求項28に記載の基板ホルダー。
- 円弧の間に形成されるトレンチ(1503)が、該トレンチに配置されるバルブ(1502)を備え、前記バルブは少なくとも1つの第2のダクトに接続される、請求項29に記載の基板ホルダー。
- 前記相互接続構造(701B、901B、1101B)に少なくとも1つのレジスタが設けられる、請求項14に記載の基板ホルダー。
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JP2014080645A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | I Plant:Kk | 基板保持装置 |
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US20150147883A1 (en) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post-CMP Cleaning and Apparatus for Performing the Same |
CN104975338B (zh) * | 2014-04-02 | 2018-09-07 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 电化学抛光的金属阳极及其密封结构 |
EP3156523B1 (en) * | 2014-06-11 | 2019-03-27 | Shanghai Meishan Iron & steel Co., Ltd. | Continuous electroplating test device simulating different linear speeds of band steel |
EP3034657B1 (en) * | 2014-12-19 | 2019-02-27 | ATOTECH Deutschland GmbH | Substrate holder for vertical galvanic metal deposition |
TWI570280B (zh) * | 2015-12-16 | 2017-02-11 | 茂迪股份有限公司 | 太陽能電池電鍍陰極治具及應用其之電鍍裝置 |
JP6596372B2 (ja) | 2016-03-22 | 2019-10-23 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP6713863B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2020-06-24 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 |
JP6621721B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-12-18 | 株式会社多加良製作所 | 平板治具、樹脂成形装置および樹脂成形方法 |
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US6322678B1 (en) * | 1998-07-11 | 2001-11-27 | Semitool, Inc. | Electroplating reactor including back-side electrical contact apparatus |
US6106680A (en) * | 1999-01-26 | 2000-08-22 | Amd | Apparatus for forming a copper interconnect |
JP2001316870A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
SE523309E (sv) * | 2001-06-15 | 2010-03-02 | Replisaurus Technologies Ab | Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt |
JP2003268594A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-25 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 基板上への電解めっき方法および装置並びに基板 |
US7067045B2 (en) * | 2002-10-18 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for sealing electrical contacts during an electrochemical deposition process |
JP2005133113A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Fujitsu Ltd | めっき装置 |
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