JP5456276B2 - 半導体素子および金属−半導体コンタクトを製造する方法 - Google Patents
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Description
12 第2の層
14 第2の中間層
15a 導電性のコンタクト
16 第1の中間層
18 共融混合物
Claims (40)
- 半導体からなる第1の層(10)と、この第1の層の上側に設けられ、第1の層全体に渡って延びている第2の層(12)と、前記第1の層と前記第2の層の間に延びておりかつ前記第1の層および前記第2の層の材料により夫々形成され、第1並びに第2の中間層を含んだ少なくとも2つの中間層(14,16)とを有する半導体素子であって、
前記第2の層(12)側に位置する前記第1の中間層(16)は、前記第1の層および前記第2の層の複数の材料からなる共融混合物(18)と、前記第1の層との導電性接続を形成しかつ前記第2の層から出てまたはこの第2の層を貫通する導電性のコンタクト(15,15a,15b)とを含んでいる、半導体素子であって、
前記導電性のコンタクト(15,15a,15b)は、前記第2の層(12)の中で合金化されており、または前記第2の層の前記材料と混合物を形成する半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料で形成されていることを特徴とする半導体素子。 - 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料は、導電性のコンタクト(15,15a,15b)として、前記第2の層(12)から出て、前記第2の中間層(14)中に浸透して合金化されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の層(10)と、前記第1の中間層(16)との間に、前記第2の層の材料がドープされている前記第2の中間層(14)が延びており、この第2の中間層まで、前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を含む前記導電性のコンタクト(15,15a,15b)が延びていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体素子。
- 前記第2の層(12)は、Al,In,Ga,Bのグループの少なくとも1つの基礎コンタクト材料またはこのグループの複数の材料の混合物であり、あるいはこの基礎コンタクト材料または混合物を含むことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1に記載の半導体素子。
- 前記導電性のコンタクト(15,15a,15b)の前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料は、Sn,Pb,In,Ga,Cd,Fe,Ag,Au,Ti,Hf,Zn,Mg,Ca,Baのグループの少なくとも1つの材料、半田材料または前記グループの複数の材料の混合物であり、あるいは前記材料、半田材料または混合物を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1に記載の半導体素子。
- 前記第2の層(12)は、少なくとも部分的に、Alおよび前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料の混合物からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1に記載の半導体素子。
- 前記第2の層(12)は、Alおよび前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料の混合物から製造されている材料からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1に記載の半導体素子。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料は、前記第2の層(12)の形成後に、この第2の層の中に浸透して合金化されていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1に記載の半導体素子。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料は、裏面電界を形成しており、かつ、前記第2の層(12)の基礎コンタクト材料と合金化される半導体からなる前記第2の中間層(14)の中に浸透して合金化されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第1の層(10)から形成される前記第2の中間層(14)には、前記第2の層(12)の基礎コンタクト材料と、前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料とが溶解されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第2の層(12)は、0.01重量%ないし99.9重量%の半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料、を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記第2の層(12)は、10重量%ないし50重量%の半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料は、スズまたはスズ合金を含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体素子。
- 半導体材料からなる第1の層(10)と、この層の上側に第1の層全体に渡って延びるように形成されており、かつ金属からなりまたは金属を含む基礎コンタクト材料からなる第2の層(12)と、を有する半導体素子の金属-半導体コンタクト(15,15a,15b)を製造する方法において、
前記第2の層(12)の形成後に、この層の上に、半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料(20)を形成し、あるいは、前記第2の層(12)の形成のために、前記第1の層(10)の上に、第2の材料および半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料からなる混合物を塗布すること、および前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料の機械的な処理および/または熱処理および/または熱噴霧によって、半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を、前記第2の層(12)の中で合金化し、あるいは、この第2の層の中におよび前記半導体素子の製造中に前記第1のおよび第2の層の間に形成される少なくとも1つの中間層(14,16,18)の中に浸透させて合金化することを特徴とする方法。 - 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を、前記製造される半導体素子の熱処理によってのみまたはほぼ熱処理によってのみ、前記第2の層(12)の形成中におよび/または形成後に、前記第2の層の中に、あるいはこの第2の層(12)および前記少なくとも1つの中間層(14,16,18)の中に浸透させて合金化することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を、音波振動処理によって、前記第2の層(12)の中に、あるいは、この第2の層(12)および前記少なくとも1つの中間層(14,16,18)の中に浸透させて合金化することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記熱処理を温度Tで行ない、但し、150℃≦T≦800℃であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記熱処理を温度Tで行ない、但し、230℃≦T≦600℃であることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料を、前記製造される半導体素子に超音波を加えることによって、前記第2の層の形成中におよび/または形成後に、前記第2の層(12)の中に、あるいは、この第2の層(12)および前記少なくとも1つの中間層(14,16,18)の中に浸透させて合金化することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 超音波を周波数fで加え、但し、10kHZ≦f≦100kHzであることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 超音波を周波数fで加え、但し、20kHZ≦f≦80kHzであることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 超音波を20kHZまたは40kHzの周波数で加えたことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 超音波を加える最中に、前記製造される半導体素子を温度Tに晒し、但し、0℃≦T≦1000℃であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 超音波を加える最中に、前記製造される半導体素子を温度Tに晒し、但し、20℃≦T≦600℃であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記半田づけ可能な材料を、熱噴霧によって、前記第2の層(12)へ塗布することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記半田づけ可能な材料を、速度vで塗布し、但し、10m/s≦v≦3000m/s、であることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記半田づけ可能な材料を、速度vで塗布し、但し、v≒300m/sであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記熱噴霧中に、前記製造される半導体素子を、温度Tに晒し、但し、0℃≦T≦500℃であることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記熱噴霧中に、前記製造される半導体素子を、温度Tに晒し、但し、20℃≦T≦600℃であることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記熱噴霧中に、前記製造される半導体素子に、周波数fの超音波を加え、但し、10kHZ≦f≦100kHzであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記熱噴霧中に、前記製造される半導体素子に、周波数fの超音波を加え、但し、20kHZ≦f≦80kHzであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記熱噴霧中に、前記製造される半導体素子に、20kHZまたは40kHzの周波数の超音波を加えることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記第1の層(10)へ、前記第2の層(12)の基礎コンタクト材料および前記半田づけ可能な材料からなる混合物、あるいは、この半田づけ可能な材料を含む合金を塗布し、次に、前記第2の層(12)を形成することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記基礎コンタクト材料は、Alペーストであることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 混合物としては、前記半田づけ可能な材料および/またはこの半田づけ可能な材料を含む合金の割合xを有する混合物を用い、但し、0重量%<x≦50重量%または50重量%≦x<100重量%であることを特徴とする請求項33に記載の方法。
- 前記半田づけ可能な材料を、前記第2の層(12)に点状に温度を加えることによって、特に半田づけによって、前記少なくとも1つの中間層まで浸透させて合金化する請求項14に記載の方法。
- 前記第2の層(12)のための基礎コンタクト材料として、Al,In,Ga,Bのグループの少なくとも1つの材料、またはこのグループの複数の材料からなる混合物であり、あるいは、前記材料または混合物を含む材料を用いることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料として、Sn,In,Pb,Ga,Ag,Au,Cd,Fe,Ti,Hf,Zn,Mg,Ca,Baのグループの少なくとも1つの材料、または前記グループの複数の材料の混合物であり、あるいは前記材料または混合物を含む材料を用いることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記半田づけ可能なまたは金属との濡れ性のある材料として、Sn合金であるかSn合金を含む材料を用いることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記第1の層(10)と前記第2の層(12)との間に、前記第2の層の、前記第1の層の材料と合金化されかつ前記第2の層に形成された層である第1の中間層(16)と、前記第2の層の材料と合金化されかつ前記第1の層に形成された層である第2の中間層(14)と、前記第1の中間層と前記第2の中間層の間に延びている共融混合物(18)と、を形成することを特徴とする請求項14に記載の方法。
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