JP5444334B2 - Interference defect detection and classification - Google Patents

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Description

本特許明細書は、共通光路干渉法に関するものである。更に詳細には、本特許明細書は、半導体装置及び集積回路などのマイクロリソグラフィ装置における欠陥及びフォトリソグラフィレチクルにおける欠陥を検知し且つ分類する場合に使用する高分解能共通光路干渉法イメージングに関するものである。   This patent specification relates to common optical path interferometry. More particularly, this patent specification relates to high resolution common optical path interferometry imaging for use in detecting and classifying defects in microlithographic apparatus such as semiconductor devices and integrated circuits and defects in photolithography reticles. .

光学的欠陥検知技術は、更に一層小さなトランジスタを製造するための我々の能力を制限する重要な技術の内の一つであった。それは、現在まで、電子ビーム顕微鏡などの他の技術が提供することが不可能であった高い性能及び高い処理能力の両方を提供していた。しかしながら、ICチップにおいて使用される幾何学的形状が継続して減少するに従い、信頼性をもって欠陥を検知することが一層困難なものとなっている。将来の世代のICチップの設計基準は非常に小さく、従って、現在の光学的欠陥検知技術のどれもが役に立たない実際的な可能性が存在している。従って、光学的検査技術の寿命を将来の装置世代へ延長させるために、光学的欠陥検知技術の主要なオーバーホールが必要とされている。   Optical defect detection technology has been one of the key technologies limiting our ability to produce even smaller transistors. To date, it has provided both high performance and high throughput that other technologies such as electron beam microscopes could not provide. However, as the geometric shapes used in IC chips continue to decrease, it becomes more difficult to detect defects reliably. The design criteria for future generations of IC chips are very small, so there is a practical possibility that none of the current optical defect detection technologies will help. Therefore, a major overhaul of optical defect detection technology is needed to extend the lifetime of optical inspection technology to future device generations.

今日使用されている光学的欠陥検知システムは、ブライト(bright)フィールドシステム及びダーク(dark)フィールドシステムの両方を包含している。ブライトフィールドシステムと異なり、ダークフィールドシステムは、画像からの散乱されていない照明ビームを排除しようとするものである。しかしながら、現在のダークフィールド及びブライトフィールド欠陥検知システムの限界が存在しており、その限界は欠陥を信頼性をもって検知することを困難なものとさせており、特に設計基準が漸進的に減少するに従いそうである。別光路干渉技術が提案されており、それによれば、2個のビーム、プローブ、及び参照ビームがビームスプリッタを使用して発生され且つ異なる光路又はサブシステムを介してイメージセンサーへもたらされる。例えば、欠陥検知用に設計された別光路システムは、米国特許第7,061,625号、第7,095,507号、第7,209,239号及び第7,259,869号に説明されている。本特許明細書において同定されるこれら及びその他の特許、及び本特許明細書において同定される全ての非特許文献は、ここに、引用よって取り込むこととする。高分解能表面プロファイリングのために設計されている別の別光路システムはLinnik干渉計である(M. Francon著「光学的干渉法(Optical Interferometry)」、アカデミックプレス、ニューヨーク及びロンドン、1966年、289頁参照)。これらの別光路干渉システムは、原理的には、欠陥信号を増幅すること、又は欠陥信号の振幅及び位相の両方を測定すること、が可能なものである。しかしながら、これらのシステムは、複雑で且つ高価なものであるばかりか、深刻な欠点を有しており、即ち、ホトンノイズ及びサンプルパターンノイズが過剰なものとなる場合があり、且つ又、該システムは、プローブと参照ビームとが取る2つの異なる光路に起因して不安定なものである。床振動、音響的擾乱、温度勾配などの小さな環境的変動が容易に該システムを不安定なものとさせる場合がある。その結果、産業的環境においてこの種の別光路干渉システムを使用することは困難である。   Optical defect detection systems in use today include both bright field systems and dark field systems. Unlike the bright field system, the dark field system attempts to eliminate unscattered illumination beams from the image. However, there are limitations in current dark field and bright field defect detection systems that make it difficult to detect defects reliably, especially as design criteria progressively decrease. That's right. Another optical path interference technique has been proposed, whereby two beams, a probe, and a reference beam are generated using a beam splitter and brought to the image sensor via different optical paths or subsystems. For example, another optical path system designed for defect detection is described in US Pat. Nos. 7,061,625, 7,095,507, 7,209,239, and 7,259,869. ing. These and other patents identified in this patent specification, and all non-patent literature identified in this patent specification, are hereby incorporated by reference. Another optical path system designed for high resolution surface profiling is the Linnik interferometer ("Optical Interferometry" by M. Francon, Academic Press, New York and London, 1966, p. 289). reference). These alternative optical path interference systems can in principle amplify the defect signal or measure both the amplitude and phase of the defect signal. However, these systems are not only complex and expensive, but also have serious drawbacks: photon noise and sample pattern noise can be excessive, and the system is also Are unstable due to two different optical paths taken by the probe and the reference beam. Small environmental fluctuations such as floor vibrations, acoustic disturbances, temperature gradients, etc. can easily make the system unstable. As a result, it is difficult to use this type of optical path interference system in an industrial environment.

従来の位相差顕微鏡(phase contrast microscope)は、通常π/2又は−π/2である固定した量の位相制御を鏡面成分(specular component)に与える構成とされている。これらのシステムは、通常、アークランプ又はハロゲンランプ等の分散光源を使用する。それは、通常、生物学的サンプルを観察するのに適したものであるが、従来の位相差顕微鏡は、通常、半導体ウエハ及び/又はレチクルに存在する多様な欠陥を検知するのに適したものではない。   A conventional phase contrast microscope is configured to provide a specular component with a fixed amount of phase control, typically π / 2 or −π / 2. These systems typically use a distributed light source such as an arc lamp or a halogen lamp. While it is usually suitable for observing biological samples, conventional phase contrast microscopes are not usually suitable for detecting various defects present on semiconductor wafers and / or reticles. Absent.

米国特許第7,365,858号及び米国特許出願公開第2005/0105097A1号は、生物学的サンプルをイメージングするためのシステムを説明している。2つの動作モードについて説明されており、即ち、「位相モード」と「振幅モード」である。説明されている振幅モードにおける目標は、高いコントラストの生の画像を得ることである。位相モードにおいては、説明されている技術は位相情報のみを抽出せんとするものである。該説明では、液晶空間光変調について言及しており、それは、ビームスプリッタ及び付加的レンズグループの使用を介しての瞳共役(pupil conjugate)で実施され、そのことは照明パワー損失を生じる傾向がある。   U.S. Patent No. 7,365,858 and U.S. Patent Application Publication No. 2005/0105097 A1 describe systems for imaging biological samples. Two modes of operation have been described: “phase mode” and “amplitude mode”. The goal in the described amplitude mode is to obtain a high contrast raw image. In phase mode, the described technique is intended to extract only phase information. The description refers to liquid crystal spatial light modulation, which is implemented with a pupil conjugate through the use of a beam splitter and an additional lens group, which tends to cause illumination power loss. .

米国特許第6,674,522号及び米国出願公開第2008/0226157A1号は、リソグラフィマスク用の欠陥検知システム及び方法を記載している。それらは、欠陥を検知するためにデフォーカス(defocus)、又はゼルニケ(Zernike)点ひろがり関数を使用する。それらの方法は、複雑であり且つ大量の計算資源を必要とするばかりか、小さな欠陥の検知に適したものではない。   US Pat. No. 6,674,522 and US Published Application No. 2008/0226157 A1 describe defect detection systems and methods for lithographic masks. They use a defocus or Zernike point spread function to detect defects. These methods are complex and require a large amount of computational resources and are not suitable for detecting small defects.

米国特許第7,061,625号US Pat. No. 7,061,625 米国特許第7,095,507号US Pat. No. 7,095,507 米国特許第7,209,239号US Patent No. 7,209,239 米国特許第7,259,869号US Pat. No. 7,259,869 米国特許第7,295,303号US Pat. No. 7,295,303 米国特許第7,265,858号US Pat. No. 7,265,858 米国特許第6,674,522号US Pat. No. 6,674,522 米国出願公開第2005/0105097A1号US Application Publication No. 2005/0105097 A1 米国出願公開第2008/0226157A1号US Application Publication No. 2008 / 0226157A1

M. Francon著「光学的干渉法(Optical Interferometry)」、アカデミックプレス、ニューヨーク及びロンドン、1966年、289頁"Optical Interferometry" by M. Francon, Academic Press, New York and London, 1966, p. 289

共通光路干渉イメージングシステム及び方法が提供される。   A common optical path interference imaging system and method are provided.

幾つかの実施例によれば、サンプルにおける欠陥の検知及び分類のための共通光路干渉イメージングシステム(common-path interferometric imaging system)が提供される。本システムは、EUV(13.5nm)程度の短い波長及び遠赤外における10ミクロン程度の長い波長を包含しており、サンプルに向けて指向される光を発生する照明源と、該サンプルによって大部分が散乱される該光の散乱成分及び該サンプルによって大部分が分散(回折)されず、又は鏡面反射されるか又は透過される該光の鏡面成分を包含している該サンプルからの該光の一部を回収する光学的イメージングシステムと、該散乱成分及び該鏡面成分の相対的な位相を調節する可変位相制御システムと、結合した散乱成分及び鏡面成分の強度を測定する検知システムと、該サンプル上の点が欠陥を包含する可能性があるか否かを該検知システムの出力から決定する処理システムと、を有している。   According to some embodiments, a common-path interferometric imaging system for detection and classification of defects in a sample is provided. The system includes a wavelength as short as EUV (13.5 nm) and a wavelength as long as 10 microns in the far infrared, and an illumination source that generates light directed towards the sample, The light from the sample that contains the scattering component of the light that is partially scattered and the specular component of the light that is largely not scattered (diffracted) by the sample, or specularly reflected or transmitted An optical imaging system that recovers a portion of the image, a variable phase control system that adjusts a relative phase of the scattering component and the specular component, a detection system that measures the intensity of the combined scattering component and specular component, And a processing system that determines from the output of the detection system whether a point on the sample may contain a defect.

正確な位置決めシステムが、コンピュータによって、該サンプル上の各点からの強度信号をその点に対する参照信号と正確に参照させ且つ比較させることを可能とさせる。その差が所定の正及び負のスレッシュホールドを超える場合には、該サンプル上のその位置が、該サンプルのレベル及びその位置に対応する参照信号と共に、可能性のある欠陥位置として記録され且つ表示される。   An accurate positioning system allows the computer to have the intensity signal from each point on the sample accurately referenced and compared with the reference signal for that point. If the difference exceeds a predetermined positive and negative threshold, its position on the sample is recorded and displayed as a possible defect position, along with the level of the sample and a reference signal corresponding to that position. Is done.

幾つかの条件下において、与えられた位相シフト設定で欠陥がミスされる可能性があり、従ってこのプロセスは異なる位相シフト設定で繰り返すことが可能である。異なる位相シフトでの2番目のスキャンは、1番目のスキャン期間中にミスした全ての欠陥を検知することの可能性が非常に高いが、2つのスキャンはその欠陥を正確に特性付けるために必要な付加的な情報を与えるものではない。しかしながら、3番目の位相シフトでの3番目のスキャンは、該欠陥の位相及び振幅を特性付けるために十分なデータを与え、且つこのデータは、回路要素に関してのそれらの位置と共に、類似した欠陥をグループ化する上で、且つそれらが補正されなかった場合に製品歩留まりに与える可能性のある影響を決定する上で、有用なものである。   Under some conditions, defects may be missed at a given phase shift setting, and thus this process can be repeated with different phase shift settings. A second scan with a different phase shift is very likely to detect all defects missed during the first scan, but the two scans are necessary to accurately characterize the defect It does not give any additional information. However, the third scan with the third phase shift gives enough data to characterize the phase and amplitude of the defect, and this data, along with their position with respect to the circuit elements, It is useful for grouping and for determining the possible impact on product yield if they are not corrected.

該サンプルからの信号が比較される参照信号は、その欠陥が存在しないものと仮定して、該サンプル上に予測されるパターン画像からコンピュータにより発生させることが可能である。該パターンの複数のコピーが使用可能であり且つ幾つかが欠陥が無いものであることが既知である場合、又は欠陥はランダムに分布されていることが既知である場合には、同じウエハ上の1個又はそれ以上の隣のダイ上の対応する位置、又は同様のウエハ上の1個又はそれ以上のダイ上の対応する位置をスキャンするために同一の位相シフト及び波長を使用して同様の共通光路干渉イメージングシステムによって参照信号を発生させることが可能である。   The reference signal to which the signal from the sample is compared can be generated by a computer from a pattern image predicted on the sample, assuming that the defect does not exist. If multiple copies of the pattern are available and some are known to be defect-free, or if it is known that the defects are randomly distributed on the same wafer Similar using the same phase shift and wavelength to scan corresponding positions on one or more adjacent dies, or corresponding positions on one or more dies on similar wafers A reference signal can be generated by a common optical path interference imaging system.

幾つかの実施例に基く干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system based on some embodiments. (a)及び(b)は幾つかの実施例に基く位相制御器及び減衰器の1例を示した各概略図。(A) And (b) is each schematic which showed one example of the phase controller and attenuator based on some Examples. 幾つかの実施例に基く干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system based on some embodiments. (a)及び(b)は幾つかの実施例に基いて光路長を変化させる1例を示した各概略図。(A) And (b) is each schematic which showed one example which changes an optical path length based on some Examples. 幾つかの実施例に基いて光路長を変化させるために使用される可動ミラーの1例を示した概略図。Schematic showing an example of a movable mirror used to change the optical path length based on some embodiments. 幾つかの実施例に基いて可動ミラー位相制御器を使用する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system that uses a movable mirror phase controller in accordance with some embodiments. FIG. (a)乃至(c)は幾つかの実施例に基いて干渉欠陥検知システムと共に使用するフーリエフィルターストリップを具備する補償プレートの1例を示した各概略図。(A)-(c) is a schematic diagram illustrating one example of a compensation plate with a Fourier filter strip for use with an interference defect detection system according to some embodiments. 幾つかの実施例に基いて照明光用のフォールディングプリズムの配置の1例を示した概略図。Schematic which showed one example of arrangement | positioning of the folding prism for illumination light based on some Examples. 幾つかの実施例に基く偏光回転子と結合された位相制御器を示した概略図。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a phase controller coupled with a polarization rotator according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く偏光制御器の1例を示した概略図。Schematic showing an example of a polarization controller based on some embodiments. 幾つかの実施例に基く偏光を使用する連続的に可変な減衰器の1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of a continuously variable attenuator that uses polarized light according to some embodiments. FIG. 図11に示した減衰器のタイプを使用するシステムの例示的実現例を示した概略図。FIG. 12 is a schematic diagram illustrating an example implementation of a system that uses the type of attenuator shown in FIG. 11. (a)乃至(c)は幾つかの実施例に基く瞳、即ち開口絞りの近傍における本システムの更なる詳細を示した各概略図。(A) to (c) are schematic views showing further details of the system in the vicinity of the pupil, i.e. the aperture stop, according to some embodiments. 幾つかの実施例に基くλ/2プレート及びλ/4プレートの両方を具備する減衰器の1例を示した概略図。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of an attenuator having both a λ / 2 plate and a λ / 4 plate according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く高入射角度照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incident angle illumination according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く高入射角度照明及び可変減衰器を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incident angle illumination and a variable attenuator according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く低フレア高入射角度照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with low flare and high incident angle illumination according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く低フレア高入射角度照明及び可変減衰器を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system comprising low flare high incident angle illumination and a variable attenuator according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く方位方向に回転可能な高入射角度照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incidence angle illumination that can be rotated in an azimuth direction according to some embodiments. FIG. 幾つかの実施例に基く鏡面成分用の可変減衰器を具備する方位方向に回転可能な高入射角度照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incidence angle illumination that can rotate in an azimuth direction with a variable attenuator for specular components according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く方位方向に回転可能な高入射角度照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incidence angle illumination that can be rotated in an azimuth direction according to some embodiments. FIG. 幾つかの実施例に基く鏡面成分用の可変減衰器を具備する方位方向に回転可能な高入射角度照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incidence angle illumination that can rotate in an azimuth direction with a variable attenuator for specular components according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く透過性サンプルを介しての照明を具備する干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with illumination through a transmissive sample according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く反射モードと透過モードの両方を組み込んだサンプルインスペクションシステムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of a sample inspection system that incorporates both a reflection mode and a transmission mode according to some embodiments. 幾つかの実施例に基いて逐次的マルチ波長モードにある検知システムの動作において使用するウエーブプレートの1例を示した概略図。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of a wave plate used in operation of a sensing system in a sequential multi-wavelength mode according to some embodiments. 幾つかの実施例に基いて逐次的マルチ波長モードにある検知システムの動作において使用するウエーブプレートの別の1例を示した概略図。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating another example of a wave plate for use in operation of a sensing system in a sequential multi-wavelength mode according to some embodiments. 幾つかの実施例に基いて逐次的マルチ波長モードにある検知システムの動作において使用するウエーブプレートの更に別の1例を示した概略図。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating yet another example of a wave plate for use in operation of a sensing system in a sequential multi-wavelength mode according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く2個の波長に対する例示的なシステム形態を示した概略図。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an exemplary system configuration for two wavelengths according to some embodiments. 幾つかの実施例に基く分散光源を具備する低入射角度照明を持った干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with low incident angle illumination that includes a distributed light source according to some embodiments. FIG. 幾つかの実施例に基く分散光源を具備する高入射角度照明を持った干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system with high incident angle illumination that includes a distributed light source according to some embodiments. FIG. 幾つかの実施例に基く散乱光の光路内に分散光源及び位相制御を具備する高入射角度照明を持った干渉欠陥検知システムの1例を示した概略図。1 is a schematic diagram illustrating an example of an interference defect detection system having a high incident angle illumination with a distributed light source and phase control in the optical path of scattered light according to some embodiments. (a)及び(b)はここでの数値シミュレーションに使用される欠陥の形状を示した各概略図。(A) And (b) is each schematic which showed the shape of the defect used for the numerical simulation here. 数値シミュレーションの結果を示したグラフ。The graph which showed the result of numerical simulation. 数値シミュレーションの結果を示したグラフ。The graph which showed the result of numerical simulation. 数値シミュレーションの結果を示したグラフ。The graph which showed the result of numerical simulation. 数値シミュレーションの結果を示したグラフ。The graph which showed the result of numerical simulation. 鏡面成分の強度を96%だけ減衰させた場合の40nm欠陥の画像のシミュレーションした向上されたコントラストのプロットを示したグラフ。FIG. 6 is a graph showing a simulated improved contrast plot of an image of a 40 nm defect with the specular component intensity attenuated by 96%. 鏡面成分の強度を99.9%だけ減衰させた場合の20nm欠陥の画像のシミュレーションした向上されたコントラストのプロットを示したグラフ。FIG. 5 is a graph showing a simulated improved contrast plot of an image of a 20 nm defect when the intensity of the specular component is attenuated by 99.9%. 1例として20nm欠陥の位相及びシミュレーションした信号強度のプロットを示したグラフ。The graph which showed the plot of 20 nm defect phase and the simulated signal strength as an example. 20nm粒子及び20nmボイドからの欠陥信号のシミュレーションした位相のプロットを示したグラフ。FIG. 5 is a graph showing simulated phase plots of defect signals from 20 nm particles and 20 nm voids. 欠陥信号成分の空間的周波数帯域のプロットを示したグラフ。The graph which showed the plot of the spatial frequency band of a defect signal component. サンプルスキャンの数を減少させるためのシステム形態の1例を示した概略図。Schematic showing an example of a system configuration for reducing the number of sample scans. 異なる欠陥寸法及びサンプル反射率に対する干渉項の大きさとダークフィールド項の大きさとの比較を示したグラフ。FIG. 5 is a graph showing a comparison of interference term magnitude and dark field term magnitude for different defect sizes and sample reflectivity. FIG. 異なる欠陥寸法及びサンプル反射率に対する干渉項の大きさとダークフィールド項の大きさとの比較を示したグラフ。FIG. 5 is a graph showing a comparison of interference term magnitude and dark field term magnitude for different defect sizes and sample reflectivity. FIG. 異なる欠陥寸法及びサンプル反射率に対する干渉項の大きさとダークフィールド項の大きさとの比較を示したグラフ。FIG. 5 is a graph showing a comparison of interference term magnitude and dark field term magnitude for different defect sizes and sample reflectivity. FIG. カタジオプトリック(catadioptric)イメージングシステムの構成例を示した概略図。Schematic showing an example configuration of a catadioptric imaging system. カタジオプトリック(catadioptric)イメージングシステムの構成例を示した概略図。Schematic showing an example configuration of a catadioptric imaging system. コヒーラント(可干渉性)一様照明器構成を示した概略図。Schematic showing a coherent (coherent) uniform illuminator configuration. コヒーラント一様照明器構成を示した概略図。Schematic showing the coherent uniform illuminator configuration. コヒーラント一様照明器構成を示した概略図。Schematic showing the coherent uniform illuminator configuration. コヒーラント一様照明器構成を示した概略図。Schematic showing the coherent uniform illuminator configuration. コヒーラント一様照明器構成を示した概略図。Schematic showing the coherent uniform illuminator configuration. コヒーラント一様照明器構成を示した概略図。Schematic showing the coherent uniform illuminator configuration. 自動焦点システム構成を示した概略図。Schematic showing the autofocus system configuration. 自動焦点システム構成を示した概略図。Schematic showing the autofocus system configuration. 自動焦点システム構成を示した概略図。Schematic showing the autofocus system configuration. 自動焦点システム構成を示した概略図。Schematic showing the autofocus system configuration. 自動焦点システム構成を示した概略図。Schematic showing the autofocus system configuration. 自動焦点システム構成を示した概略図。Schematic showing the autofocus system configuration. 鋸歯状アパーチャ及びその性能を示した概略図。Schematic showing the serrated aperture and its performance. 鋸歯状アパーチャ及びその性能を示した概略図。Schematic showing the serrated aperture and its performance. 鋸歯状アパーチャ及びその性能を示した概略図。Schematic showing the serrated aperture and its performance. 鋸歯状アパーチャ及びその性能を示した概略図。Schematic showing the serrated aperture and its performance. 鋸歯状アパーチャ及びその性能を示した概略図。Schematic showing the serrated aperture and its performance.

本発明の詳細な説明を以下に与える。幾つかの実施例について説明するが、本発明はいずれか一つの実施例に制限されるものではなく、その代わりに、多数の代替例、修正例、及び均等例のみならす異なる実施例からの特徴の結合を包含するものであることを理解すべきである。更に、本発明の完全なる理解を与えるために、以下の説明においては多数の特定の詳細について記載するが、幾つかの実施例はこれらの詳細の全て又は幾つか無しで実施することが可能なものである。更に、説明の便宜上、関連技術において既知である或る技術的事項については本発明を不必要にぼかすことを回避するために詳細に説明していない。「レチクル」及び「マスク」という用語は、ここでは、交換可能に使用されており且つ他のパターン形成した物体を作成するためのマスターとして使用されるパターン形成した物体のことを意味している。   A detailed description of the invention is given below. Although several embodiments are described, the invention is not limited to any one embodiment, but instead features from different embodiments consisting only of a number of alternatives, modifications, and equivalents. It should be understood that the above-mentioned combination is included. Furthermore, in the following description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention, although some embodiments may be practiced without all or some of these details. Is. Further, for the convenience of explanation, certain technical matters known in the related art have not been described in detail in order to avoid unnecessarily blurring the present invention. The terms “reticle” and “mask” are used herein to refer to a patterned object that is used interchangeably and is used as a master for creating other patterned objects.

光学的フィールドは複素振幅で記述することが可能である。複素振幅は、カーテシアンにおいて又は極座標系において便利に表示することが可能である。それは、カーテシアン座標系においては実部と虚部とによって表され、且つ極座標系においては振幅と位相とによって表される。従って、「複素振幅」、「実部及び虚部」、「振幅及び位相」という用語は、ここにおいて使用される場合には互いに均等であり、且つこれらの3つの用語は均等的に取り扱われ且つ互いに交換することが可能である。   The optical field can be described by a complex amplitude. The complex amplitude can be conveniently displayed in Cartesian or in a polar coordinate system. It is represented by the real part and the imaginary part in the Cartesian coordinate system and by the amplitude and phase in the polar coordinate system. Thus, the terms “complex amplitude”, “real and imaginary part”, “amplitude and phase” as used herein are equivalent to each other, and these three terms are treated equally and It is possible to exchange each other.

又、「光」という単語は、以下に説明するように、可能な波長の比較的広い範囲を持った電磁放射に対する省略形として使用されている。更に、反射の鏡面成分(specular component)は実際上「実質的に鏡面反射的(substantially specular)」であり、それは鏡面反射された光を包含するのみならず比較的少量の散乱光をも包含することを意味している。   Also, the word “light” is used as an abbreviation for electromagnetic radiation with a relatively wide range of possible wavelengths, as described below. Furthermore, the specular component of reflection is actually “substantially specular”, which includes not only specularly reflected light but also a relatively small amount of scattered light. It means that.

I.欠陥信号式
第1原理から開始して、狭いテンポラル周波数帯域幅を具備する光線がウエハなどのサンプルに当たる場合に、その光の殆どは吸収されるか又は鏡面反射(即ち、分散されること無しに)され、且つ該光の小さな部分が該ウエハ内の回路パターン及び欠陥の両方によって散乱(即ち分散)される。該光線は幾つかの電界成分に分解される場合がある。該光線の各電界成分は以下の如くに定義される。
I. Starting from the first principle of the defect signal equation, when a light beam having a narrow temporal frequency bandwidth hits a sample such as a wafer, most of the light is absorbed or specularly reflected (ie, not dispersed). And a small portion of the light is scattered (ie, dispersed) by both circuit patterns and defects in the wafer. The light beam may be decomposed into several electric field components. Each electric field component of the light beam is defined as follows.

b≡|b|exp(iφ)
鏡面成分の複素振幅であり、尚φは該信号式の一般性を失うこと無しにゼロに設定することが可能な鏡面成分の位相である。
b≡ | b | exp (iφ b )
The complex amplitude of the specular component, where φ b is the phase of the specular component that can be set to zero without losing the generality of the signal equation.

a≡|a|exp(i(φa))≡(ax+iay)exp(iφ)
その極性がbの極性と同じである回路パターンによって散乱された光線の部分の複素振幅であり、且つφはbの位相と相対的なaの位相であり、且つa及びaは、夫々、実部軸がbの方向に向いている場合の、aの実部成分及び虚部成分である。
a≡ | a | exp (i (φ a + φ b )) ≡ (a x + ia y ) exp (iφ b )
Is the complex amplitude of the portion of the ray scattered by the circuit pattern whose polarity is the same as that of b, and φ a is the phase of a relative to the phase of b, and a x and a y are These are the real part component and the imaginary part component of a when the real part axis is oriented in the direction of b, respectively.

s≡|s|exp(i(φs))≡(sx+isy)exp(iφ)
その極性が、信号とも呼称される、bの極性と同じである欠陥によって散乱された光線の部分の複素振幅であり、且つφはbの位相と相対的なsの位相であり、且つs及びsは、夫々、実部軸がbの方向に向いている場合の、sの実部成分及び虚部成分である。
s≡ | s | exp (i (φ s + φ b )) ≡ (s x + is y ) exp (iφ b )
The polarity of which is also referred to as the signal, the complex amplitude of the portion of the light scattered by the defect that is the same as the polarity of b, and φ s is the phase of s relative to the phase of b, and s x and s y are a real part component and an imaginary part component of s when the real part axis is oriented in the direction of b, respectively.

a+s=|a|exp(i(φa))+|s|exp(i(φs))
=((ax+sx)+i(ay+sy))exp(iφ)
qa≡|qa|exp(i(φqa))
その極性がbの極性と直交する回路パターンによって散乱された光線の部分の複素振幅である。
a + s = | a | exp (i (φ a + φ b )) + | s | exp (i (φ s + φ b ))
= ((a x + s x ) + i (a y + s y )) exp (iφ b )
q a ≡ | q a | exp (i (φ qa + φ b ))
This is the complex amplitude of the portion of the light beam scattered by the circuit pattern whose polarity is orthogonal to the polarity of b.

qs≡|qs|exp(i(φqs))
その極性がbの極性と直交する欠陥によって散乱された光線の部分の複素振幅である。
q s ≡ | q s | exp (i (φ qs + φ b ))
This is the complex amplitude of the portion of the light beam scattered by the defect whose polarity is orthogonal to the polarity of b.

g≡|g|exp(i(φg))
任意の存在する迷光の複素振幅である。迷光は不所望なイメージを形成することの無い光であり、それはレンズ表面及び機械的部品からの不所望な反射によって発生される。
g≡ | g | exp (i (φ g + φ b ))
The complex amplitude of any existing stray light. Stray light is light that does not form an unwanted image, which is generated by unwanted reflections from the lens surface and mechanical components.

イメージセンサーが検知する光強度は以下の如くに表すことが可能である。注意すべきことであるが、イメージングにおいて、狭いテンポラルな周波数帯域幅の光は同一の強度を有する単一のテンポラルな周波数の光のように取り扱うことが可能である。このことは直感的に正しいことばかりではなく、数学的に容易に立証することも可能である。   The light intensity detected by the image sensor can be expressed as follows. It should be noted that in imaging, light with a narrow temporal frequency bandwidth can be treated like light with a single temporal frequency having the same intensity. This is not only intuitively correct, but can be easily verified mathematically.

画像面において検知器要素によって検知される光強度Iは、鏡面成分と、散乱成分と、迷光成分に対する電界振幅の平方の和であり、次式によって与えられる。   The light intensity I detected by the detector element in the image plane is the sum of the square of the electric field amplitude with respect to the specular component, the scattered component, and the stray light component, and is given by:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

尚、b、a及びsは、夫々、b、a及びsの複素共役である。 Note that b * , a *, and s * are complex conjugates of b, a, and s, respectively.

鏡面成分bは式(1a)内において分離されているが、その理由は、それは瞳面における他の画像強度成分から物理的に分離することが可能だからである。注意すべきことであるが、全ての複素振幅はサンプル上の位置の関数である。更に、異なる成分間の相対的位相のみが重要である。従って、鏡面成分φの絶対的位相は何ら役割を果たすものではなく且つ一般性を失うこと無しにゼロに設定することが可能である。又注意すべきことであるが、φがゼロに設定されると、鏡面成分の複素振幅はここで使用される複素面座標系の実部軸の方向を定義する。 The specular component b is separated in equation (1a) because it can be physically separated from other image intensity components in the pupil plane. Note that all complex amplitudes are a function of position on the sample. Furthermore, only the relative phase between the different components is important. Therefore, it is possible to set to zero without losing absolute phase and generality not serve any of the specular component phi b. It should also be noted that when φ b is set to zero, the complex amplitude of the specular component defines the direction of the real axis of the complex plane coordinate system used here.

鏡面成分に関する迷光の光路長差は、照明光のコヒーレンス長よりも一層大きいものと仮定される。従って、式(1)において、その相対的な位相を考慮すること無しに、迷光はばらばらに加算される。   It is assumed that the optical path length difference of the stray light with respect to the specular component is much larger than the coherence length of the illumination light. Therefore, stray light is added separately in Formula (1) without considering the relative phase.

式(1c)は、画像が欠陥信号sのみならず多くのその他の不所望の成分を有していることを示している。欠陥を見つけ出すために、欠陥信号ではない成分は可能な限り除去することが必要である。このことは、例えば、現在のダイの画像から隣のダイの画像のダイ対ダイ減算によって通常行われる。注意すべきことであるが、一般的に、欠陥信号を正しく識別するためには、例えば、[(現在のダイの画像)−(左側のダイの画像)]及び[(現在のダイの画像)−(右側のダイの画像)]のような少なくとも二つのダイ対ダイ減算が必要とされる。両方の差分画像内に表れる欠陥は現在のダイに属している。該二つの差分画像の内の一つのみに表れる欠陥は隣のダイに属している。従って、二つの差分画像を比較することによって、どの欠陥がどのダイに属しているかを明確に告げることが可能である。メモリエリアインスペクションの場合に、ウエハパターンからノイズを最小化させるために、ダイ対ダイ画像減算ではなくセル対セル画像減算が実施される。この方法は効果的に動作する。何故ならば、2個の異なるダイ内の同じ位置に欠陥を有する可能性は無視可能な程度に小さいからである。ダイ対ダイ減算後の画像強度差は以下の如くに表すことが可能である。   Equation (1c) shows that the image has not only the defect signal s but also many other unwanted components. In order to find defects, it is necessary to remove components that are not defect signals as much as possible. This is typically done, for example, by die-to-die subtraction of the next die image from the current die image. It should be noted that in general, for example, [(current die image)-(left die image)] and [(current die image) may be used to correctly identify the defect signal. At least two die-to-die subtractions are required, such as-(right die image)]. The defects that appear in both difference images belong to the current die. A defect that appears in only one of the two difference images belongs to the adjacent die. Therefore, by comparing the two difference images, it is possible to clearly tell which defect belongs to which die. In the case of memory area inspection, cell-to-cell image subtraction rather than die-to-die image subtraction is performed to minimize noise from the wafer pattern. This method works effectively. This is because the possibility of having a defect at the same location in two different dies is negligibly small. The image intensity difference after die-to-die subtraction can be expressed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(2c)は一般的な欠陥信号式である。注意すべきことであるが、ここでの欠陥の定義は、関心の或る欠陥のみならず殆ど又はまったく関心の無い欠陥をも包含している。殆ど関心の無い欠陥の良い例はサンプルパターンノイズである。サンプルパターンノイズは、実際には、ノイズではなく、この用語がここで使用されているように欠陥である。即ち、欠陥信号sは、サンプルパターンノイズと、興味の或る欠陥信号とを包含している。サンプルパターンノイズに関する詳細な説明は後述する。式(2c)は、欠陥がある場合及び無い場合の2つの信号の比較は異なる信号成分の寄せ集めである、ことを示している。最初の4つの項は、ダークフィールド信号を構成している。何故ならば、それらは鏡面成分をフィルタ除去した場合であっても存在するからである(ここでは、それらは時折「ダークフィールド項」と呼称される)。ダークフィールドシステムは該信号のこの部分を検知する。注意すべきことであるが、生のダークフィールド信号、即ち式(1b)中の最初の4つの項は、常に正である。しかし、このことは関心の或る部分ではない。むしろ、欠陥を見つけ出すために使用されるのは差信号である式(2c)である。欠陥信号のダークフィールド部分、即ち式(2c)内の最初の4つの項は、正の項と負の項の両方の結合であり、それらの項の大きさは欠陥パターンのみならず欠陥周りの回路パターンにも依存する。従って、欠陥信号のダークフィールド部分は、欠陥周りの回路パターンに依存して、正であるか、負であるか、又はゼロのいずれかとなることが可能である。このことは、ダークフィールドシステムは一貫性をもって欠陥を検知することができないことを意味している。   Equation (2c) is a general defect signal equation. It should be noted that the definition of defects here includes defects of interest as well as defects of little or no interest. A good example of a defect of little interest is sample pattern noise. Sample pattern noise is not actually noise but is a defect as the term is used here. That is, the defect signal s includes sample pattern noise and a defect signal of interest. Detailed description regarding the sample pattern noise will be described later. Equation (2c) shows that the comparison of the two signals with and without defects is a compilation of different signal components. The first four terms constitute a dark field signal. This is because they exist even when the specular component is filtered out (here they are sometimes referred to as “dark field terms”). The dark field system detects this part of the signal. It should be noted that the raw dark field signal, ie the first four terms in equation (1b), is always positive. But this is not an interesting part. Rather, it is equation (2c) that is the difference signal that is used to find the defect. The dark field part of the defect signal, ie the first four terms in equation (2c), is a combination of both positive and negative terms, and the magnitude of these terms is not only the defect pattern but also around the defect. It also depends on the circuit pattern. Thus, the dark field portion of the defect signal can be either positive, negative, or zero, depending on the circuit pattern around the defect. This means that dark field systems cannot detect defects consistently.

更に、欠陥寸法が波長よりもかなり一層小さくなると、ダークフィールド信号の大きさは、ノイズによって容易に飲み込まれることが可能なほどに小さくなる。信号式内の最後の項は、干渉項である(ここでは、それは時折「干渉部分」と呼称される)。即ち、この最後の項は、欠陥信号振幅と鏡面成分との間の干渉から発生している。該干渉項の符号及び大きさは、鏡面成分の強度のみならず、欠陥信号振幅と鏡面成分との間の相対的位相にも依存する。欠陥信号と鏡面成分との間の位相差が±90゜である場合には、欠陥信号は検知されない場合がある。   Furthermore, as the defect size becomes much smaller than the wavelength, the magnitude of the dark field signal becomes so small that it can be easily swallowed by noise. The last term in the signal equation is the interference term (here it is sometimes referred to as the “interference part”). That is, this last term arises from interference between the defect signal amplitude and the specular component. The sign and magnitude of the interference term depends not only on the intensity of the specular component, but also on the relative phase between the defect signal amplitude and the specular component. If the phase difference between the defect signal and the specular component is ± 90 °, the defect signal may not be detected.

現在のブライトフィールドシステムは、欠陥信号振幅と鏡面成分との間の相対的位相を制御すること無しに、ダークフィールド項と干渉項の両方を同時的に検知する。この場合に、欠陥信号は低いことがあるばかりか、ダークフィールド項及び干渉項は、欠陥自身及び周りの回路パターンの性質に依存して、互いに強めるか又は相殺する場合がある。このことは、現在のブライトフィールドシステムは一貫性のある欠陥検知性能を提供することができないことを意味している。   Current bright field systems detect both dark field terms and interference terms simultaneously without controlling the relative phase between the defect signal amplitude and the specular component. In this case, the defect signal may not only be low, but the dark field term and the interference term may intensify or cancel each other depending on the nature of the defect itself and the surrounding circuit pattern. This means that current brightfield systems are unable to provide consistent defect detection performance.

従って、現在のダークフィールド及びブライトフィールドシステムの両方は厳しく不利な立場に立たされている。更なる信号解析は、ブライトフィールドシステムは幾つかのタイプの欠陥に対して致命的に盲目的である場合があることを示している。このことは、高感度モードを説明する場合に後述する。   Thus, both current dark field and bright field systems are severely disadvantaged. Further signal analysis shows that the bright field system may be fatally blind to some types of defects. This will be described later when the high sensitivity mode is described.

ここで説明する解決法は少なくとも理論的には信号式(2c)に関連して説明することが可能であるが、理論的な説明はこの特許明細書において開示される実施例の動作の実際的な側面を制限すべきものではない理想的な環境に関するものであることを理解すべきである。該信号式は、一貫性のある性能のためには、欠陥信号振幅と鏡面成分との間の相対的位相を制御することの重要性を示している。相対的位相を制御することにより、干渉項の符号及び大きさの両方を制御することが可能である。例えば、相対的位相をゼロに設定すると、干渉項の大きさは正の最大を取る。相対的位相を180°に設定すると、干渉項の大きさは最小(又は負の最大)を取る。従って、鏡面成分と散乱成分の間の相対的位相を制御することは、干渉項の大きさを最大化させるために使用することが可能であり、且つその符号を変化させるために使用することが可能である。理解すべきことであるが、この特許明細書において最大化に対する言及は、或るパラメータを望ましくは増加させることを意味しているが、必ずしもその実際的な最大のことではなく、且つ最小化に対する言及は、或るパラメータを望ましくは減少させることを意味しているが、必ずしもその実際的な最小のことではない。   The solution described here can be explained at least theoretically in relation to the signal equation (2c), but the theoretical explanation is a practical example of the operation of the embodiment disclosed in this patent specification. It should be understood that it relates to an ideal environment that should not limit the critical aspects. The signal equation shows the importance of controlling the relative phase between the defect signal amplitude and the specular component for consistent performance. By controlling the relative phase, it is possible to control both the sign and magnitude of the interference term. For example, when the relative phase is set to zero, the magnitude of the interference term takes a positive maximum. When the relative phase is set to 180 °, the magnitude of the interference term takes the minimum (or negative maximum). Therefore, controlling the relative phase between the specular and scattered components can be used to maximize the magnitude of the interference term and can be used to change its sign. Is possible. It should be understood that reference to maximization in this patent specification means that a certain parameter is desirably increased, but not necessarily its practical maximum, and to minimization. Reference refers to desirably reducing certain parameters, but not necessarily their practical minimum.

相対的位相シフトを変えることにより符号を変化させる能力のために、干渉項の符号とダークフィールド項の符号とを常にマッチ即ち一致させることが可能である。干渉項の符号とダークフィールド項の符号が同じである場合には、それらは互いに強めあう。欠陥信号振幅と鏡面成分との間の相対的位相の制御を介して欠陥信号を最大化させることにより一貫性の或るシステム性能が得られる。式(2c)が示している別の重要な特徴は、各サンプルスキャンに対して異なる相対的位相値でサンプルを複数回スキャニングすることによって干渉項の振幅と位相の両方を決定することの可能性である。   Due to the ability to change the sign by changing the relative phase shift, it is possible to always match the sign of the interference term and the dark field term. If the sign of the interference term and the dark field term are the same, they strengthen each other. Consistent system performance is obtained by maximizing the defect signal through control of the relative phase between the defect signal amplitude and the specular component. Another important feature shown by equation (2c) is the possibility of determining both the amplitude and phase of the interference term by scanning the sample multiple times with different relative phase values for each sample scan. It is.

干渉項の振幅と位相の両方の決定は、高い欠陥検知感度のみならず、一層より正確な欠陥分類をも容易化させる。例えば、欠陥寸法は、振幅情報から推測することが可能であり、且つ欠陥タイプは位相情報から決定することが可能である。注意すべきことであるが、欠陥の光学的信号振幅は欠陥の物理的寸法を直接的に与えるものではない。そうではなく、それは欠陥の「光学的寸法」を与えるに過ぎない。物理的寸法と光学的寸法との間の関係は複雑なものである場合があり、光学的信号振幅のみから正確に欠陥の物理的寸法を推測することを困難なものとさせる。しかしながら、実験又はシミュレーションを介して物理的寸法と光学的寸法との間の一般的な相関を確立することが可能である。次いで、欠陥の物理的寸法をその相関から近似的に推測することが可能である。蓋然性のある欠陥組成データ、レチクルパターンデータ等のその他のデータが付加的に使用される場合には、欠陥のより一層正確な特性付けが可能である。   Determination of both the amplitude and phase of the interference term facilitates not only high defect detection sensitivity, but also more accurate defect classification. For example, the defect size can be inferred from the amplitude information, and the defect type can be determined from the phase information. It should be noted that the optical signal amplitude of the defect does not directly give the physical dimensions of the defect. Rather, it only gives the “optical dimension” of the defect. The relationship between physical dimensions and optical dimensions can be complex, making it difficult to accurately estimate the physical dimensions of the defect from only the optical signal amplitude. However, it is possible to establish a general correlation between physical and optical dimensions through experimentation or simulation. It is then possible to approximately infer the physical dimensions of the defect from its correlation. If other data such as probable defect composition data, reticle pattern data, etc. is additionally used, a more accurate characterization of the defect is possible.

欠陥のより一層正確な特性付けは、修復を必要とする蓋然性があるか否かについての一層正確な判別を行うことを可能とする。この可能性は、キャッチオールモード(Catch-all Mode)の後の部分において検討する。正確な欠陥の分類は、通常、信頼性のある欠陥の検知と同じく重要である。何故ならば、それは、半導体製造におけるより高価なプロセスの内の一つである欠陥レビュープロセスにおける時間を節約することが可能であるからである。   A more accurate characterization of the defect allows a more accurate determination as to whether there is a probability of requiring repair. This possibility will be examined later in the catch-all mode. Accurate defect classification is usually as important as reliable defect detection. This is because it is possible to save time in the defect review process, one of the more expensive processes in semiconductor manufacturing.

該相対的位相は、鏡面成分の位相か又は散乱成分の位相のいずれかを制御することによって制御することが可能である。しかしながら、それは、通常、鏡面成分の位相を制御することが一層容易である。何故ならば、鏡面成分のエテンデュー(etendue)は散乱成分のエテンデューよりもかなり一層小さいからである。散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相の制御は、ここに開示する干渉欠陥検知及び分類技術の重要な特徴の内の一つである。その重要性は後に例を挙げて示す。   The relative phase can be controlled by controlling either the phase of the specular component or the phase of the scattering component. However, it is usually easier to control the phase of the specular component. This is because the etendue of the specular component is much smaller than the etendue of the scattering component. Controlling the relative phase between the scattering and specular components is one of the important features of the interference defect detection and classification techniques disclosed herein. The importance of this will be shown later with examples.

該信号式は別の重要な事実を表しており、それは、干渉項、即ち2|b||s|cos(φ)が、実際には、鏡面成分bによって増幅されている欠陥信号であるということである。即ち、たとえオリジナルの欠陥信号が小さいものであったとしても、それは大きな量だけ鏡面成分によって増幅させることが可能である。何故ならば、鏡面成分は、通常、非常に強いからである。更に、この増幅プロセスは、ノイズレスとなる。この点については、Philip C. D. Hobbs、「電気光学システムの構築;全部動作するようにさせる(Building Electro-Optical Systems; Making it all work)」、ジョンワイリーアンドサンズ、インコーポレイテッド、2000年、30〜32頁及び123頁を参照するとよく、尚、これを引用によりここに取り込む。この信号増幅プロセスは非常に理想的なものであって、それは信号対雑音比を劣化させるものではなくむしろそれを維持する。この種類の増幅は、「ノイズレスパラメトリック増幅(noiseless parametric amplification)」と呼ばれ、尚|b|は増幅パラメータである。このノイズレス増幅に対する基本的な理論的説明は以下の如くである。干渉項の大きさ及びホトンノイズの両方が|b|に比例する。従って、信号対雑音比、即ち該2つの量の間の比は、|b|とは独立的である。干渉項における係数「2」は、互いにコヒーレントに動作する実際には2つの信号増幅器が存在するという事実からのものである。一方の増幅器はbsによって表され、且つ他方の増幅器はbsによって表される。それらは相互にコヒーレントであるが、欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相に依存して、相互に建設的であるか又は破壊的であるかのいずれかとなる場合がある。 The signal equation represents another important fact, which is a defect signal whose interference term, ie 2 | b || s | cos (φ s ), is actually amplified by the specular component b. That's what it means. That is, even if the original defect signal is small, it can be amplified by a specular component by a large amount. This is because the specular component is usually very strong. Furthermore, this amplification process is noiseless. In this regard, Philip CD Hobbs, “Building Electro-Optical Systems; Making it all work”, John Wiley and Sons, Inc., 2000, 30-32. See pages 123 and 123, which are incorporated herein by reference. This signal amplification process is very ideal and it does not degrade the signal-to-noise ratio but rather maintains it. This type of amplification is referred to as “noiseless parametric amplification” where | b | is the amplification parameter. The basic theoretical explanation for this noiseless amplification is as follows. Both the magnitude of the interference term and photon noise are proportional to | b |. Thus, the signal to noise ratio, ie the ratio between the two quantities, is independent of | b |. The factor “2” in the interference term comes from the fact that there are actually two signal amplifiers operating coherently with each other. One amplifier is represented by bs * and the other amplifier is represented by b * s. They are mutually coherent, but can be either mutually constructive or destructive depending on the relative phase between the defect signal and the specular component.

欠陥信号の振幅を最大とさせるために、該2個の増幅器は、欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相を制御することにより相互に建設的な態様で動作する形態とさせることが必要である。相互に建設的であることは、相対的位相が0°又は180°のいずれかに設定された場合に最大となる。相対的位相が±90°である場合には完全なる相互に破壊的なものとなる。ノイズの場合には、話は別である。式(1b)から分かるように、該式中における|b|によって表されるただ1個のノイズ増幅器が存在しており且つそれが主要なホトンノイズ源である。このことは、鏡面成分は信号ノイズよりも2倍該信号を増幅することが可能であることを意味している。 In order to maximize the amplitude of the defect signal, the two amplifiers must be configured to operate in a mutually constructive manner by controlling the relative phase between the defect signal and the specular component. It is. Mutual constructivity is maximized when the relative phase is set to either 0 ° or 180 °. When the relative phase is ± 90 °, they are completely destructive. In the case of noise, the story is different. As can be seen from equation (1b), there is only one noise amplifier represented by | b | 2 in the equation and it is the main photon noise source. This means that the specular component can amplify the signal twice as much as the signal noise.

その結果、鏡面成分は、イメージセンサーのダイナミックレンジが十分に大きい場合には、信号自身に本来存在する内在的な信号対雑音比の最大で2倍まで該信号の信号対雑音比を増加させることが可能である。係数「2」に対して払われる犠牲は、増幅を最大とさせるために散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相が制御されねばならないということである。従って、信号対雑音比を増加させることは位相制御を必要とする。位相制御は、該信号に対して更なる情報を付加するために相対的位相についての知識を必要とする。従って、信号対雑音比における増加は、情報保存法則を犯すものではない。   As a result, the specular component can increase the signal-to-noise ratio of the signal up to twice the intrinsic signal-to-noise ratio inherent in the signal itself, if the dynamic range of the image sensor is sufficiently large. Is possible. The sacrifice paid for the factor “2” is that the relative phase between the scattering and specular components must be controlled in order to maximize the amplification. Thus, increasing the signal to noise ratio requires phase control. Phase control requires knowledge of the relative phase to add more information to the signal. Thus, an increase in the signal to noise ratio does not violate the information conservation law.

該内在的な信号対雑音比は、信号と信号雑音との間の比であり、該雑音は該信号自身に包含されている。信号雑音は内在的雑音とも呼称される。検知器のダイナミックレンジは、該検知器の最大信号範囲と通常該検知器の雑音レベルであると仮定される最小検知可能信号との間の比である。ダイナミックレンジは、通常、該検知器が与えることが可能なグレイレベルの総数として定義され、即ち最大信号範囲を雑音レベルで割り算したものである。   The intrinsic signal-to-noise ratio is the ratio between signal and signal noise, which is contained in the signal itself. Signal noise is also referred to as intrinsic noise. The dynamic range of the detector is the ratio between the maximum signal range of the detector and the minimum detectable signal that is usually assumed to be the noise level of the detector. The dynamic range is usually defined as the total number of gray levels that the detector can provide, i.e. the maximum signal range divided by the noise level.

光電子増倍管内部のダイノード(dynode)等の最もクリーンな電子増幅器をも含めてどの電子増幅器も信号対雑音比を増加させることが可能なものではない。それらは信号対雑音比を減少させるに過ぎない。鏡面成分によるノイズレス増幅は、実際に信号対雑音比を増加させることが可能であるという点において特別である。それはこれまで知られているものの中で最良の増幅器である。それは、小さな欠陥からの信号などの弱い信号に対して最も適切な増幅器であり、且つそれは性能において全ての電子増幅器に勝るものである。   None of the electronic amplifiers, including the cleanest electronic amplifiers such as dynodes inside photomultiplier tubes, can increase the signal-to-noise ratio. They only reduce the signal to noise ratio. Noiseless amplification with specular components is special in that it can actually increase the signal-to-noise ratio. It is the best amplifier ever known. It is the most suitable amplifier for weak signals, such as signals from small defects, and it outperforms all electronic amplifiers in performance.

ここに開示されるシステム及び方法は、小さな欠陥を信頼性を持って検知するために、鏡面成分によるノイズレス増幅の力を完全に利用するものである。ここにおける干渉検知は、2個の干渉ビームが同じテンポラル(temporal)周波数を持っているホモダイン検知の一つのバージョンである。   The systems and methods disclosed herein fully utilize the power of noiseless amplification due to specular components in order to reliably detect small defects. Interference detection here is one version of homodyne detection in which the two interference beams have the same temporal frequency.

注意すべきことであるが、鏡面成分は両刃の剣である。それがその位相を適切に制御することにより増幅器として使用される場合には、その利点は巨大なものとなる場合がある。しかしながら、それが使用されない場合には、それは中立状態には止まらずにそれが主要なホトンノイズ源となる場合があるという点において有害なものとなる。この付加的なノイズは、或る場合においては、ブライトフィールドインスペクションシステムはダークフィールドインスペクションシステムよりも一層悪い性能となる場合があることを示している。これは、既存のブライトフィールドシステムは一貫性をもって動作するものではない理由の一つである。ここに記載する主要な思想の内の一つは、鏡面成分を最も有益的な態様で利用していることである。   It should be noted that the specular component is a double-edged sword. The advantage can be enormous if it is used as an amplifier by properly controlling its phase. However, if it is not used, it is detrimental in that it does not stop in the neutral state and it can be the main source of photon noise. This additional noise indicates that, in some cases, the bright field inspection system may perform worse than the dark field inspection system. This is one reason why existing brightfield systems do not operate consistently. One of the main ideas described here is the use of the specular component in the most beneficial manner.

以下の表に示した例は、ノイズレス増幅のパワーを示している。例は将来におけるハイエンド欠陥検知の実世界を表すべく選択されている。これらの例において、鏡面成分と散乱成分との間の相対的位相は、ノイズレス増幅を最大とさせるために0°又は180°に設定されている。科学グレードCCD,TDICCD(時間遅延及び積分CCD)などの典型的なハイエンドイメージセンサーの単一のピクセルにおける欠陥信号レベルを検討する。検知器ノイズは、加算的であり且つ信号レベルとは独立的であると仮定される。光強度は、光ビーム中のホトンではなく、検知器内の光によって発生された電子の単位で表される。何故ならば、究極的に関心があることは検知器において発生される電子数だからである。   The example shown in the table below shows the power of noiseless amplification. Examples are chosen to represent the real world of high-end defect detection in the future. In these examples, the relative phase between the specular component and the scattering component is set to 0 ° or 180 ° to maximize noiseless amplification. Consider the defect signal level in a single pixel of a typical high-end image sensor such as a scientific grade CCD, TDICCD (time delay and integration CCD). Detector noise is assumed to be additive and independent of signal level. Light intensity is expressed in units of electrons generated by light in the detector, not in photons in the light beam. Because the ultimate interest is the number of electrons generated in the detector.

1番目の表に示されている例において、検知信号は検知器雑音(ノイズ)と比較して非常に弱いが、内在的雑音と比較して未だにかなり強いものである。以下の1番目の表は、従来の欠陥検知システムに対して検知不可能な程度に弱い欠陥信号がどのようにして、強い鏡面成分及び大きなイメージセンサーダイナミックレンジによって与えられる大型でノイズレスの増幅を介して容易に検知可能な信号となることが可能であるかを示している。この例においては、信号対雑音比は、ノイズレス増幅プロセスによって、0.25から12.0へ増加されている。   In the example shown in the first table, the detection signal is very weak compared to the detector noise (noise) but is still quite strong compared to the intrinsic noise. The first table below shows how a defect signal that is weak enough to be undetectable compared to a conventional defect detection system, via a large, noiseless amplification given by a strong specular component and a large image sensor dynamic range. This indicates whether the signal can be easily detected. In this example, the signal to noise ratio is increased from 0.25 to 12.0 by a noiseless amplification process.

Figure 0005444334
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以下の2番目の表は、強い鏡面成分及びイメージセンサーの大きなダイナミックレンジによって与えられる大きなノイズレス増幅を介して、どのようにして小さな欠陥からの極めて弱い信号でさえも検知可能な信号となることが可能であるかを示している。注意すべきことであるが、この場合には、該信号はその内在的な雑音との比較でさえも小さいものである。しかしながら、その信号対雑音比は、ノイズレス増幅によって、0.005からかなりの大きさの1.69へ増加している。それは、単一ホトン信号であっても比較的信頼性をもって検知することの可能性を示している。   The second table below shows how even a very weak signal from a small defect can be detected through a strong specular component and a large noiseless amplification given by the large dynamic range of the image sensor. It shows what is possible. It should be noted that in this case the signal is small even compared to its intrinsic noise. However, its signal-to-noise ratio has increased from 0.005 to a fairly large 1.69 due to noiseless amplification. It shows the possibility of detecting even a single photon signal with relative reliability.

Figure 0005444334
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両方の場合において、増幅された信号の信号対雑音比は、信号自身の内在的な信号対雑音比よりも一層大きい。これは、本発明者の知る限り以前に認識されておらず又予測されていなかったことであり、ここに開示する技術の驚くべき力の内の一つである。該信号対雑音比は、未だに、該信号の制限された増幅に起因する内在的な信号対雑音比の2倍未満である。これらの表は、将来において、小さな又は微小な欠陥の検知のために鏡面成分による信号のノイズレス増幅の重要性を示している。ノイズレス増幅は、該信号の内在的な信号対雑音比が妥当な程度に高いものである限り、雑音性のイメージセンサーであっても非常に弱い欠陥信号を信頼性をもって検知することを可能とする。欠陥信号のノイズレス増幅無しでこのように小さな欠陥を検知することはまことに希望の無いものとなる。   In both cases, the signal-to-noise ratio of the amplified signal is much larger than the intrinsic signal-to-noise ratio of the signal itself. This has been previously unrecognized and unforeseen to the best of the inventors' knowledge and is one of the surprising powers of the technology disclosed herein. The signal to noise ratio is still less than twice the intrinsic signal to noise ratio due to limited amplification of the signal. These tables show the importance of noiseless amplification of signals with specular components in the future for detection of small or small defects. Noiseless amplification makes it possible to reliably detect very weak defect signals, even with noisy image sensors, as long as the signal's intrinsic signal-to-noise ratio is reasonably high. . It would be extremely undesired to detect such a small defect without noiseless amplification of the defect signal.

実世界において、特に、高処理能力欠陥検知などの高速適用例においては、欠陥信号が2番目の表に示した信号例の程度に弱いものである場合には、該信号の大量のノイズレス増幅でもってしてもその欠陥を見つけ出すことは容易でない場合がある。注意すべきことであるが、高速適用例においては、読み出しノイズ(雑音)がしばしば主要なノイズ成分となる。しかしながら、ブライトフィールド又はダークフィールド技術等の既存の技術を上回るここに開示されるシステム及び方法の相対的な利点は維持される。両方の例において、ノイズレス増幅は、大きな量だけ信号対雑音比を増加させている。基本的に、大きなノイズレス増幅は、検知器ノイズを問題のないものとさせる。内在的な信号対雑音比のみが問題である。内在的な信号対雑音比は、信号と、該信号自身に含まれる雑音である信号雑音との間の比である。鏡面成分による大量のノイズレス信号増幅は低い反射率を持ったサンプルでさえも達成することが可能であることを、「ダークフィールドモードの限界」についての後のセクションにおいて例を介して示すこととする。   In the real world, especially in high speed applications such as high throughput defect detection, if the defect signal is as weak as the signal example shown in the second table, a large amount of noiseless amplification of the signal Even so, it may not be easy to find the defect. It should be noted that in high speed applications, read noise (noise) is often the main noise component. However, the relative advantages of the systems and methods disclosed herein over existing technologies such as bright field or dark field technologies are maintained. In both examples, noiseless amplification increases the signal to noise ratio by a large amount. Basically, large noiseless amplification makes detector noise problematic. Only the intrinsic signal-to-noise ratio is a problem. The intrinsic signal-to-noise ratio is the ratio between the signal and signal noise, which is the noise contained in the signal itself. We will show through an example in a later section on “Limits of Dark Field Mode” that large amounts of noiseless signal amplification with specular components can be achieved even for samples with low reflectivity. .

信号増幅において、第1段増幅器の品質が最も重要である。鏡面成分は、ノイズレス第1段信号増幅の可能性を提供する。ここに開示するシステム及び方法は、鏡面成分の振幅を制御することにより、且つ欠陥信号振幅と鏡面成分との間の相対的位相を制御することにより、このことを利用することが可能である。該信号のこのノイズレス増幅を実現することにより、高い信号対雑音比を、たとえオリジナルの信号が弱い場合であっても、ここに開示した技術で、達成することが可能である。高い信号対雑音比とは、欠陥検知においての高い感度及び低い誤り検知率のことを意味している。鏡面成分を使用した欠陥信号のノイズレス増幅は、ここに開示する干渉欠陥検知及び分類技術の重要な特徴の内の一つである。一般的に、ノイズレス増幅が大きければ大きいほど、信号対雑音比は一層良好である。   In signal amplification, the quality of the first stage amplifier is most important. The specular component offers the possibility of noiseless first stage signal amplification. The systems and methods disclosed herein can take advantage of this by controlling the amplitude of the specular component and by controlling the relative phase between the defect signal amplitude and the specular component. By realizing this noiseless amplification of the signal, a high signal-to-noise ratio can be achieved with the techniques disclosed herein, even if the original signal is weak. High signal-to-noise ratio means high sensitivity and low error detection rate in defect detection. Noiseless amplification of defect signals using specular components is one of the important features of the interference defect detection and classification techniques disclosed herein. In general, the greater the noiseless amplification, the better the signal to noise ratio.

高いノイズレス増幅は、強い鏡面成分から利点を得る。従って、減衰されていない強い鏡面成分がここでは通常望ましいものである。これは、従来の顕微鏡とは反対のことであり、従来の顕微鏡においては、生の画像のコントラストを向上させるために、鏡面成分は阻止されるか又は厳しく減衰されるものである。ここに開示するシステム及び方法においては、鏡面成分は、イメージセンサーのダイナミックレンジがその適用例に対して制限されすぎている場合に、減衰すべきである。   High noiseless amplification benefits from strong specular components. Therefore, a strong specular component that is not attenuated is usually desirable here. This is the opposite of conventional microscopes, where the specular component is blocked or severely attenuated to improve the contrast of the raw image. In the system and method disclosed herein, the specular component should be attenuated when the dynamic range of the image sensor is too limited for its application.

位相制御器は不所望の欠陥信号のデアンプリフィケーション(deamplification)即ち減衰のために使用することも可能である。良い例はウエハパターンノイズであり、それは実際にはノイズ(雑音)ではなく不所望の欠陥信号である。殆どの欠陥検知適用例においては、ウエハパターンノイズを抑圧することが望ましい。ウエハパターンノイズの抑圧が関心の或る欠陥信号を増幅することよりも一層重要である場合には、位相制御器は、関心の或る欠陥信号を最大化させるのではなくウエハパターンノイズを最小化すべく設定することが可能である。パターンノイズに関する一層具体的な説明については後述する。「サンプルパターンノイズ」、「ウエハパターンノイズ」、「パターンノイズ」、「サンプルノイズ」及び「ウエハノイズ」等の用語は、同一の種類のノイズのことを意味しており、ここでは交換可能に使用されている。   The phase controller can also be used for deamplification of unwanted defect signals. A good example is wafer pattern noise, which is actually an unwanted defect signal, not noise. In most defect detection applications, it is desirable to suppress wafer pattern noise. If wafer pattern noise suppression is more important than amplifying the defect signal of interest, the phase controller minimizes the wafer pattern noise rather than maximizing the defect signal of interest. It is possible to set as necessary. More specific description regarding the pattern noise will be described later. The terms “sample pattern noise”, “wafer pattern noise”, “pattern noise”, “sample noise” and “wafer noise” refer to the same type of noise and are used interchangeably herein. ing.

信号式を検査することにより表れる別の重要な事実は、干渉項の空間的周波数帯域幅はダークフィールド項のものとは異なることである。干渉項の空間的周波数帯域幅は、共通光路形態におけるダークフィールド項のものよりも一層小さい。(例えば、図40を参照)。より不正確であるがより直感的に言えば、干渉項により形成される欠陥画像は、ダークフィールド項により形成される欠陥画像よりも空間的に一層幅広である。このことは、干渉項の周波数帯域幅は一層狭いものであることを暗示している。このことは有益的である場合がある。何故ならば、それは一層高い処理能力に通じるからである。一層小さな帯域幅は、サンプル画像の一層粗いサンプリングを行うことを可能とし、そのことは、同じ寸法のイメージセンサーでのイメージングシステムに対して一層大きな視野とすることを可能とする。一層高い処理能力は、通常、一層大きな視野で達成することが可能である。イメージングシステムの開口数が固定されている限り、ダークフィールド項の帯域幅は固定されており、それは鏡面成分の光線角度に依存するものではない。しかしながら、干渉項の帯域幅は、イメージングシステムの開口数のみならず、鏡面成分の光線角度にも依存する。   Another important fact that appears by examining the signal equation is that the spatial frequency bandwidth of the interference term is different from that of the dark field term. The spatial frequency bandwidth of the interference term is much smaller than that of the dark field term in the common optical path configuration. (See, for example, FIG. 40). More inaccurately but more intuitively, the defect image formed by the interference term is spatially wider than the defect image formed by the dark field term. This implies that the frequency bandwidth of the interference term is narrower. This can be beneficial. Because it leads to higher throughput. The smaller bandwidth allows a coarser sampling of the sample image, which allows a larger field of view for an imaging system with the same size image sensor. Higher throughput can usually be achieved with a larger field of view. As long as the numerical aperture of the imaging system is fixed, the bandwidth of the dark field term is fixed, and it does not depend on the ray angle of the specular component. However, the bandwidth of the interference term depends not only on the numerical aperture of the imaging system, but also on the ray angle of the specular component.

干渉項の空間的周波数帯域幅は、鏡面成分の光線角度を最小とさせることにより最小とさせることが可能である。鏡面成分の光線角度は、照明光の方向がサンプル表面に対して垂直又はほぼ垂直である場合に最小となる。従って、干渉項のみが使用されるか又は支配的なものである場合には、サンプルの垂直な又はほぼ垂直な照明は、一層高い処理能力のために選択することが可能である。垂直又はほぼ垂直な照明は、高い角度の入射での照明と比較して瞳にわたってポラリゼーション(polarization)即ち偏光を一層一様なものとさせるという点において付加的な利点を与える。瞳にわたっての一層一様な偏光は一層高い干渉項へ通じる。注意すべき別の重要な事実は、欠陥が波長よりも一層小さい場合には、干渉項の空間的形状は、単に、イメージングシステムの振幅点ひろがり関数(APSF)の形状であり、従って固定されている。鏡面成分の空間的周波数がゼロではない場合であっても、それは干渉項の形状を変えるものではない。その唯一の効果は、干渉項にゼロでないキャリア周波数を与えることである。   The spatial frequency bandwidth of the interference term can be minimized by minimizing the ray angle of the specular component. The ray angle of the specular component is minimized when the direction of the illumination light is perpendicular or nearly perpendicular to the sample surface. Thus, if only the interference term is used or is dominant, the vertical or near-vertical illumination of the sample can be selected for higher throughput. Vertical or near-vertical illumination provides an additional advantage in that the polarization or polarization is more uniform across the pupil compared to illumination at high angles of incidence. More uniform polarization across the pupil leads to higher interference terms. Another important fact to note is that if the defect is much smaller than the wavelength, the spatial shape of the interference term is simply that of the amplitude point spread function (APSF) of the imaging system and is therefore fixed. Yes. Even if the spatial frequency of the specular component is not zero, it does not change the shape of the interference term. Its only effect is to give the interference term a non-zero carrier frequency.

鏡面成分が単一の光線を有している場合には、干渉項は、振幅点広がり関数APFSとキャリア周波数項との乗算として表すことが可能である。即ち、キャリア周波数項は、常に、取り除き且つ別に取り扱うことが可能である。キャリア周波数項を別に取り扱う場合には、小さな欠陥の差分画像の形状とAPSFとの間に差異は無い。このことは、検知器アレイに帰せられる有限幅のサンプリング関数での欠陥画像の高速数値的デコンボリューション(numerical deconvolution)を可能とさせる。   If the specular component has a single ray, the interference term can be expressed as a multiplication of the amplitude point spread function APFS and the carrier frequency term. That is, the carrier frequency term can always be removed and handled separately. When handling the carrier frequency term separately, there is no difference between the shape of the difference image of small defects and the APSF. This allows for fast numerical deconvolution of the defect image with a finite width sampling function attributed to the detector array.

サンプリング関数の幅はイメージセンサーの各ピクセルにおける光感受性区域の幅である。高感度又は高ダイナミックレンジは、通常、大きな光感受性区域を必要とする。従って、アレイ内の検知器の有限の寸法は、最大信号振幅を幾分減少させるべく作用し、且つデコンボリューションは画像の拡大と等価である。従って、光学的画像拡大は、高速数値的デコンボリューションで置換することが可能である。光学的拡大を数値的デコンボリューションで置換することは光学的システムのコストを減少させる。これらの点については、空間周波数帯域幅についての後のセクションにおいてより詳細に説明する。   The width of the sampling function is the width of the light sensitive area at each pixel of the image sensor. High sensitivity or high dynamic range usually requires a large light sensitive area. Thus, the finite size of the detectors in the array acts to reduce the maximum signal amplitude somewhat, and deconvolution is equivalent to image magnification. Thus, optical image magnification can be replaced by fast numerical deconvolution. Replacing optical expansion with numerical deconvolution reduces the cost of the optical system. These points are described in more detail in later sections on spatial frequency bandwidth.

サンプル表面内への照明光の浸透深さを制御することが時折有用である。例えば、検知することが必要な欠陥がサンプル表面上又はその近くに位置している場合に、照明光の浅い浸透は、該欠陥をより信頼性をもって検知するために通常望ましいものである。検知することが必要な欠陥が深いトレンチの底部に位置している反対の場合には、照明光の深い浸透が該欠陥をより信頼性をもって検知するために通常望ましい。照明光の浸透深さは任意に制御することが可能なものではない。しかしながら、サンプル上の欠陥周りのプリントしたパターンが一つの方向に向いている場合には、照明光の浸透深さは、該照明光の偏光を制御することによってある程度制御することが可能である。例えば、該照明光の偏光方向がサンプル上のプリントしたパターンの方向と平行に設定される場合には、該照明光は最も少ない量だけ浸透する。   It is sometimes useful to control the depth of penetration of the illumination light into the sample surface. For example, when a defect that needs to be detected is located on or near the sample surface, shallow penetration of illumination light is usually desirable to detect the defect more reliably. In the opposite case where the defect that needs to be detected is located at the bottom of the deep trench, deep penetration of the illumination light is usually desirable to detect the defect more reliably. The penetration depth of the illumination light cannot be arbitrarily controlled. However, if the printed pattern around the defect on the sample is oriented in one direction, the penetration depth of the illumination light can be controlled to some extent by controlling the polarization of the illumination light. For example, if the polarization direction of the illumination light is set parallel to the direction of the printed pattern on the sample, the illumination light penetrates the least amount.

該照明光の偏光方向が該プリントしたパターンの方向に垂直に設定される場合には、該照明光は最も深くに浸透する。この様に照明光の浸透深さを制御する態様は、欠陥検知において有用な場合がある。何故ならば、プリントしたパターンの高い割合が好ましいエッジ方向を有しているからである。   When the polarization direction of the illumination light is set perpendicular to the direction of the printed pattern, the illumination light penetrates deepest. Thus, the aspect which controls the penetration depth of illumination light may be useful in defect detection. This is because a high percentage of the printed pattern has a preferred edge direction.

時折、照明光の偏光がプリントしたパターンの方向と平行に向けられていても、照明光の浸透が未だに深すぎる場合がある。この場合には、その照明に対して高い入射角度を実施することを考慮することが可能である。注意すべきことであるが、入射角度は、光線と表面に対する垂線との間の角度として定義されるものであり、表面自身ではない。   Occasionally, the penetration of the illumination light may still be too deep, even if the polarization of the illumination light is directed parallel to the direction of the printed pattern. In this case, it is possible to consider implementing a high incidence angle for the illumination. Note that the angle of incidence is defined as the angle between the ray and the normal to the surface, not the surface itself.

高い入射角度の照明は、処理能力の減少をきたす場合がある。何故ならば、それは該信号を正確に検知するためにより細かいサンプリンググリッドを必要とするからである。このことは、一層高い倍率比となるか、又は同じ検知寸法に対して一層小さな視野となるかのいずれかである。しかしながら、高い角度の照明の場合には有益的な効果が得られる場合がある。高い角度の照明がs偏光された光と結合される場合には、低入射角度照明の場合よりも一層効果的にサンプルの表面内へ照明光の浸透を減少させることが可能である。注意すべきことであるが、極めて高い入射角度は「すれすれ入射」と呼ばれている。   High incident angle illumination may reduce throughput. This is because it requires a finer sampling grid to accurately detect the signal. This either results in a higher magnification ratio or a smaller field of view for the same sensing dimensions. However, beneficial effects may be obtained with high angle illumination. When high angle illumination is combined with s-polarized light, it is possible to reduce penetration of the illumination light into the surface of the sample more effectively than with low incident angle illumination. It should be noted that the extremely high incident angle is called “grazing incidence”.

ウエハ表面内への照明光の浸透の減少は、又、所謂「ウエハパターンノイズ」を減少させることが可能である。ウエハパターンノイズは、ウエハ全体にわたっての製造プロセスにおける変動に起因してダイ毎にウエハ上のプリントしたパターンがわずかに異なる場合に、発生する。2種類のウエハパターンノイズがある。その内の一つは、軸方向又は長手方向ウエハパターンノイズと呼ばれるものであり、且つ他方のものは横方向ウエハパターンノイズと呼ばれるものである。高い角度の照明は長手方向ウエハパターンノイズを減少させることが可能である。横方向ウエハパターンノイズは、アパーチャのエッジ及び不明瞭部を良好なフーリエフィルタリング及びソフトニング処理することにより、減少させることが可能である。アパーチャのエッジ及び不明瞭部をソフトニング処理するための効果的で且つ実際的な方法は、鋸歯状アパーチャと呼ばれる後のセクションにおいて説明する。   Reduction of illumination light penetration into the wafer surface can also reduce so-called “wafer pattern noise”. Wafer pattern noise occurs when the printed pattern on the wafer differs slightly from die to die due to variations in the manufacturing process across the wafer. There are two types of wafer pattern noise. One of them is called axial or longitudinal wafer pattern noise, and the other is called lateral wafer pattern noise. High angle illumination can reduce longitudinal wafer pattern noise. Lateral wafer pattern noise can be reduced by good Fourier filtering and softening of the aperture edges and obscured portions. An effective and practical method for softening the edges and obscured portions of the aperture will be described in a later section called serrated aperture.

厳密に言えば、ウエハパターンノイズは、実際には、ノイズではない。それは、むしろ、我々の関心の無い1種の欠陥信号である。照明光浸透の減少は、ウエハの表面プロフィルが比較的平坦であるか又はウエハパターンエッジの方向が照明光のs偏光の方向と平行である傾向がある場合に、顕著である場合がある。しかしながら、ウエハがほぼ同数のx方向エッジとy方向エッジとを有している場合、又は該パターンエッジの方向が照明光のs偏光の方向と実質的に平行ではない場合には、その利点はより顕著ではない場合がある。   Strictly speaking, wafer pattern noise is not actually noise. Rather, it is a kind of defect signal that we are not interested in. The reduction in illumination light penetration may be significant if the wafer surface profile is relatively flat or if the wafer pattern edge direction tends to be parallel to the s-polarization direction of the illumination light. However, if the wafer has approximately the same number of x-direction edges and y-direction edges, or if the direction of the pattern edges is not substantially parallel to the direction of s-polarization of the illumination light, the advantage is May not be more noticeable.

高い入射角度の照明の実施は非常にコスト高となる場合がある。従って、高い入射角度の照明を使用することの決定をなす前に、コストに対する利益は注意深く分析すべきである。   Implementation of high incident angle illumination can be very costly. Therefore, the cost benefits should be carefully analyzed before making the decision to use high angle of illumination.

照明光の浸透深さ制御は、照明光の偏光制御に対する唯一の理由ではない。偏光された光と欠陥及びその周りのパターンとの間の相互作用は通常複雑なものとなり、且つ実験的測定及び/又は予測のための数値的モデリングを必要とする。実世界はしばしば直感に相対するものである。幾つかの場合において、偏光方向は欠陥検知を改善するために変化させることが可能である。高入射角度照明の後のセクションにおいて高い角度の照明及び偏光制御についての更なる説明をする。   Control of the penetration depth of illumination light is not the only reason for polarization control of illumination light. The interaction between polarized light and defects and surrounding patterns is usually complicated and requires numerical modeling for experimental measurement and / or prediction. The real world is often opposed to intuition. In some cases, the polarization direction can be changed to improve defect detection. Further discussion on high angle illumination and polarization control is provided in a later section of high incident angle illumination.

II.システムコンフィギュレーション
実施例に基く干渉欠陥検知システムは多くの異なる態様の形態とすることが可能である。多くの例は、共通光路及び欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相を制御するものを包含している。このセクションにおいては、一般的なシステムコンフィギュレーションについて説明する。具体的な構成例及びサブシステム例は他のセクションにおいて後に提示される。
II. Interference defect detection systems based on system configuration embodiments can take many different forms. Many examples include those that control the common optical path and the relative phase between the defect signal and the specular component. This section describes general system configurations. Specific configuration examples and subsystem examples are presented later in other sections.

1.システムコンフィギュレーションの例
図1は、干渉欠陥検知システム100の1例を示している。光ビーム118が、1例においてはレーザなどのコヒーレント源である照明源112によって発生される。干渉イメージングシステムの基本的なコンポーネントを構成することが可能である限り、任意の波長を使用することが可能である。使用することが可能な波長の例は、紫外線、遠紫外線、真空紫外線、超紫外線、可視光線、赤外線、遠赤外線、等を包含している。
1. Example System Configuration FIG. 1 shows an example of an interference defect detection system 100. The light beam 118 is generated by an illumination source 112, which in one example is a coherent source such as a laser. Any wavelength can be used as long as it can constitute the basic components of an interferometric imaging system. Examples of wavelengths that can be used include ultraviolet, far ultraviolet, vacuum ultraviolet, extreme ultraviolet, visible light, infrared, far infrared, and the like.

図1において、ビーム118は、サンプル110の表面へ向けて反射されており、且つ図示した如くにサンプル(試料)の表面を照明する。ビーム118は、サンプル110の表面においてイメージセンサーの視野をカバーする。サンプル110は、ウエハ、レチクル、又はその他の検査中のサンプルとすることが可能である。サンプル110は、照明ビームの一部を散乱(又は分散)させ、且つ別の部分を鏡面反射させる(及び一部が吸収される場合がある)。入射ビームの散乱された部分及び鏡面反射された部分は、夫々、ここでは「散乱成分」及び「鏡面成分」と呼称する。該散乱成分はビーム128によって表わされており、且つ鏡面成分はビーム124によって表されている。   In FIG. 1, a beam 118 is reflected towards the surface of the sample 110 and illuminates the surface of the sample as shown. Beam 118 covers the field of view of the image sensor at the surface of sample 110. The sample 110 can be a wafer, reticle, or other sample under inspection. Sample 110 scatters (or disperses) a portion of the illumination beam and specularly reflects another portion (and some may be absorbed). The scattered and specularly reflected portions of the incident beam are referred to herein as “scattering components” and “specular components”, respectively. The scattered component is represented by beam 128 and the specular component is represented by beam 124.

フロントエンドレンズシステム116及びバックエンドレンズシステム114を包含している高分解能光学的イメージングシステムが、光の散乱成分及び鏡面成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー140へ指向させるべく配置されている。該イメージングシステムにおける収差が、鏡面成分と散乱成分との間の相対的位相を一つの散乱された構成から別の散乱された光線へと変化させることが可能である。この種類の位相変化はシステム性能を劣化させる場合がある。従って、該イメージングシステムは、好適には、実質的に回折が制限されており、即ち、小さな量の収差を有するに過ぎない。理解すべきことであるが、ここでは光線光学系用語を使用するが、対応する回折光学系用語を使用することも可能であり、当業者は光学的現象の光線光学系及び回折光学系の両方の説明の均等性及び限界を理解するものである。   A high resolution optical imaging system that includes a front end lens system 116 and a back end lens system 114 is arranged to collect both the scattered and specular components of the light and direct them to the image sensor 140. . Aberrations in the imaging system can change the relative phase between the specular component and the scattered component from one scattered configuration to another scattered ray. This type of phase change can degrade system performance. Accordingly, the imaging system is preferably substantially diffraction limited, i.e., has only a small amount of aberration. It should be understood that although ray optics terms are used herein, corresponding diffractive optics terms can also be used, and those skilled in the art will understand both optical and diffractive optics of optical phenomena. To understand the equality and limitations of the explanation.

この様なイメージングシステムの構成及び製造は周知の技術である。フロントエンドレンズシステムは、通常、視野にわたっての一様な性能を達成するためにサンプル側においてテレセントリックであるように構成される。テレセントリック性は完全である必要はない。2,3度等の実質的な量のテレセントリックエラーは、通常、許容可能である。バックエンドレンズシステム114はテレセントリックである必要はない。   The configuration and manufacture of such an imaging system is a well-known technique. Front-end lens systems are typically configured to be telecentric on the sample side to achieve uniform performance across the field of view. Telecentricity need not be perfect. A substantial amount of telecentric error, such as a few degrees, is usually acceptable. The backend lens system 114 need not be telecentric.

欠陥検知を包含する殆どの適用例において、該サンプルの画像は、典型的に100倍又はそれ以上の大きな量だけ拡大させることが必要である。サンプル画像の拡大は、通常、バックエンドレンズシステム114の焦点距離をフロントエンドレンズシステム116の焦点距離よりも一層長いものとさせることにより達成される。高い性能を得るためには、該イメージングシステムの焦点は、サンプルスキャンの期間中に、正確に維持されることを必要とする。イメージングシステム焦点の正確な維持は、通常、サーボ制御型自動焦点システムを必要とする。サーボ制御型焦点システムの例は自動焦点システムと呼称する後のセクションにおいて説明する。   In most applications involving defect detection, the image of the sample needs to be magnified by a large amount, typically 100 times or more. Enlarging the sample image is typically accomplished by making the focal length of the back end lens system 114 longer than the focal length of the front end lens system 116. To obtain high performance, the focus of the imaging system needs to be accurately maintained during the sample scan. Accurate maintenance of the imaging system focus usually requires a servo-controlled autofocus system. An example of a servo-controlled focus system is described in a later section referred to as an autofocus system.

注意すべきことであるが、多くの異なる種類のイメージセンサーをシステム100のために使用することが可能である。CCD,時間遅延及び積分CCD(TDICCD)等の二次元イメージセンサーは、多くの適用例に対して適切であることが判明している。注意すべきことであるが、ここで使用される用語としての「イメージセンサー」という用語は、全体的なイメージセンス用ハードウエアシステムを意味しており、その受光部分のみではない。例えば、或る実施例においては、イメージセンサー140は、又、後に詳述する制御器142を包含している場合がある。   It should be noted that many different types of image sensors can be used for the system 100. Two-dimensional image sensors such as CCDs, time delay and integration CCDs (TDICCDs) have been found suitable for many applications. It should be noted that the term “image sensor” as used herein refers to the entire hardware system for image sensing, not just the light receiving portion. For example, in some embodiments, the image sensor 140 may also include a controller 142, described in detail below.

高感度及び高ダイナミックレンジが該イメージセンサーにおいて好適である。小さな信号を検知するためには、通常、該信号の高いノイズレス(無雑音)の増幅が望まれる。しかしながら、該信号の高いノイズレスの増幅は、イメージセンサーにおける高いダイナミックレンジを必要とする。従って、イメージセンサー又はセンサーシステムのダイナミックレンジ即ち動的範囲は、極めて小さな欠陥を検知することが必要である場合に、将来において重要な問題点となる。   High sensitivity and high dynamic range are suitable for the image sensor. In order to detect a small signal, a high noiseless (no noise) amplification of the signal is usually desired. However, high noiseless amplification of the signal requires a high dynamic range in the image sensor. Therefore, the dynamic range of an image sensor or sensor system becomes an important issue in the future when it is necessary to detect very small defects.

図1に示した如く、システム100の例示的実施例は、コンピュータ又は同様のマシンなどの制御器142を包含しており、それは該システムの種々のコンポーネントの動作を制御すべく適合されている(例えば、コンピュータ読み取り可能又はマシン読み取り可能な媒体に実現されているソフトウエア等の命令を介して)。制御器142は、システム100の動作を制御する形態とされており、且つセンサーシステム140へ電気的に接続されており且つ、後に詳述する如く、それからのデジタル化した生の電子信号を受け取り且つ処理し且つ処理済の画像信号を形成すべく適合されている処理ユニット(「プロセッサ」)152を包含している。例示的実施例においては、プロセッサ152は、生の信号を処理し且つそれを他の信号(例えば、隣接したフィールド、又はメモリユニット154内に格納されているような理想化したフィールドのデジタル画像)と比較して欠陥が存在するか否かを決定し、且つ、後に詳述する如く、その欠陥の特性付けを行う構成とされている。ここで使用されるように、「電子又は電気信号」という用語は、アナログ物理量又はその他の情報のアナログ及びデジタルの両方の表示を包含している。   As shown in FIG. 1, an exemplary embodiment of system 100 includes a controller 142, such as a computer or similar machine, that is adapted to control the operation of various components of the system ( (E.g., via instructions such as software implemented on a computer readable or machine readable medium). The controller 142 is configured to control the operation of the system 100 and is electrically connected to the sensor system 140 and receives digitized raw electronic signals therefrom and, as will be described in detail below. It includes a processing unit (“processor”) 152 adapted to process and form a processed image signal. In the exemplary embodiment, processor 152 processes the raw signal and converts it to other signals (e.g., a digital image of an adjacent field or idealized field as stored in memory unit 154). It is configured to determine whether or not a defect exists and to characterize the defect as will be described in detail later. As used herein, the term “electronic or electrical signal” encompasses both analog and digital representations of analog physical quantities or other information.

制御器142は、センサーシステム140から電子的な生の信号を受け取り且つ該信号を処理してサンプルにおけるその欠陥の特性付け又は分類を行う構成とされている。説明するように、制御器142はプロセッサ152を包含しており、それは、一連のソフトウエア命令を実行することが可能な任意のプロセッサ又は装置であるか又はそれを包含するものであって、且つ、制限無く、汎用の又は特別目的のマイクロプロセッサ、有限状態マシン、制御器、コンピュータ、中央処理ユニット(CPU)、グラフィカル処理ユニット(GPU)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、又はデジタル信号プロセッサ、を包含している。   Controller 142 is configured to receive an electronic raw signal from sensor system 140 and process the signal to characterize or classify the defect in the sample. As will be described, the controller 142 includes a processor 152, which is or includes any processor or device capable of executing a series of software instructions, and General purpose or special purpose microprocessors, finite state machines, controllers, computers, central processing units (CPUs), graphical processing units (GPUs), field programmable gate arrays (FPGAs), or digital signal processors, without limitation Is included.

メモリユニット(「メモリ」)154は、動作可能にプロセッサ152へ結合されている。ここで使用される如く、「メモリ」という用語は、任意のプロセッサ読み取り可能媒体のことを意味しており、これらに制限されるものではないが、RAM,ROM、EPROM、PROM、EEPROM、ディスク、フロッピディスク、ハードディスク、CD−ROM、DVD等、その上にプロセッサ152によって実行可能な一連の命令を格納することが可能なものを包含している。例示的実施例においては、制御器142は、CD−ROM、DVD,メモリスティック等の格納媒体のような着脱自在のプロセッサ読み取り可能媒体158を収容すべく適合されているポート又はドライブ156を包含している。   A memory unit (“memory”) 154 is operatively coupled to the processor 152. As used herein, the term “memory” means any processor-readable medium, including but not limited to RAM, ROM, EPROM, PROM, EEPROM, disk, It includes a floppy disk, a hard disk, a CD-ROM, a DVD, and the like that can store a series of instructions executable by the processor 152 thereon. In the exemplary embodiment, controller 142 includes a port or drive 156 that is adapted to receive a removable processor readable medium 158 such as a storage medium such as a CD-ROM, DVD, memory stick, and the like. ing.

ここで記載する欠陥検知及び分類方法は、制御器142をしてオペレーティングシステム100に対して該方法及び制御動作を実施させるためのマシン読み取り可能な命令(例えば、コンピュータプログラム及び/又はソフトウエアモジュール)を具備するマシン読み取り可能な媒体(例えば、メモリ154)における種々の実施例で実現することが可能である。例示的実施例においては、該コンピュータプログラムはメモリ154からプロセッサ152上で稼動し、且つ、着脱自在な媒体158上に格納されている場合には、ディスクドライブ又はポート156を介して、又は制御器142外部に格納されている場合には、ネットワーク接続又はモデム接続を介して、又はそれから読み取り且つ利用することが可能なその他のタイプのコンピュータ又はマシン読み取り可能な媒体を介して、永久的格納部からメインメモリへ転送させることが可能である。   The defect detection and classification methods described herein are machine-readable instructions (eg, computer programs and / or software modules) that cause controller 142 to cause operating system 100 to perform the methods and control operations. Can be implemented in various embodiments on a machine readable medium (eg, memory 154) comprising: In the exemplary embodiment, the computer program runs on memory 152 from processor 154 and, if stored on removable media 158, via a disk drive or port 156, or controller 142, if stored externally, from a permanent store via a network connection or modem connection, or other type of computer or machine readable medium that can be read and utilized from it It can be transferred to the main memory.

該コンピュータプログラム及び/又はソフトウエアモジュールは、本発明の種々の方法を実施するため且つシステム100内の種々のコンポーネントの動作及び機能を制御するために複数個のモジュール又はオブジェクトを具備することが可能である。そのコードのために使用されるコンピュータプログラミング言語のタイプは、手順コード型言語とオブジェクト指向型言語との間で異なる場合がある。ファイル又はオブジェクトは、プログラマーの希望に依存して、説明するモジュール又はメソッドステップに対して1対1の対応を有することは必要ではない。更に、本方法及び装置は、ソフトウエア、ハードウエア、及びファームウエアの結合を有することが可能である。ファームウエハは、本発明の種々の例示的実施例を実現するためにプロセッサ142内へダウンロードさせることが可能である。   The computer program and / or software module may comprise a plurality of modules or objects for performing the various methods of the present invention and for controlling the operation and function of various components within the system 100. It is. The type of computer programming language used for the code may differ between procedural and object-oriented languages. The file or object need not have a one-to-one correspondence to the module or method step described, depending on the programmer's wishes. In addition, the method and apparatus can have a combination of software, hardware, and firmware. The farm wafer can be downloaded into the processor 142 to implement various exemplary embodiments of the present invention.

制御器142は、又、オプションとして、多様な英文字及びグラフィカル表示を使用して情報を表示するために使用することが可能なディスプレイユニット146を包含している。例えば、ディスプレイユニット146は、生の信号又は処理済みの信号を表示するために有用である。制御器142は、又、オプションとして、キーボードなどのデータエントリ装置148を包含しており、それはシステム100のユーザがシステム100の動作を手作業により制御するために制御器142内に情報を入力することを可能とさせる。   The controller 142 also optionally includes a display unit 146 that can be used to display information using a variety of English characters and graphical displays. For example, the display unit 146 is useful for displaying raw or processed signals. The controller 142 also optionally includes a data entry device 148, such as a keyboard, that allows the user of the system 100 to enter information into the controller 142 for manually controlling the operation of the system 100. Make it possible.

例示的実施例においては、制御器142は、動作可能にセンサーシステム140へ結合されているか又はその一部である。別の例示的実施例においては、制御器142は、サンプルを位置決めするためのサンプル位置決めシステム150及び位相制御器及び減衰器122を使用して位相を調節するためのアクチュエータ144へ動作可能に接続されている。制御器142は、説明の便宜上、図1のシステム100においてのみ示されているが、それはここに記載する全ての例示的実施例内に包含させることが可能である。   In the exemplary embodiment, controller 142 is operably coupled to or part of sensor system 140. In another exemplary embodiment, controller 142 is operatively connected to sample positioning system 150 for positioning a sample and actuator 144 for adjusting phase using phase controller and attenuator 122. ing. The controller 142 is shown only in the system 100 of FIG. 1 for convenience of explanation, but it can be included in all exemplary embodiments described herein.

図1に示した如く、散乱成分128及び鏡面成分124の両方が同じ光学系を介して通過する。従って、この実施例は共通光路干渉計システムの一つのタイプである。この特徴は、システム性能の安定性のために有益的である。何故ならば、共通光路干渉計への何らかの擾乱は同じ量だけ両方の光路に影響を与える蓋然性があり、且つ散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相差が維持される蓋然性があるからである。   As shown in FIG. 1, both the scattering component 128 and the specular component 124 pass through the same optical system. This embodiment is therefore one type of common optical path interferometer system. This feature is beneficial for system performance stability. Because any disturbance to the common path interferometer is likely to affect both paths by the same amount, and the relative phase difference between the scattered and specular components is likely to be maintained. is there.

幾つかの実施例において、位相制御器及び減衰器122は鏡面成分124の光路内に据え付けられている。鏡面成分が位相制御器122を介して通過し、且つその相対的位相は、欠陥検知感度を最大とさせるか、又は各欠陥信号の位相及び振幅の両方を決定するために、調節することが可能である。散乱光ビーム128は、鏡面成分と散乱成分との間の大きな量の光路長差を補正するための補正板130を介して通過する。補正板の軸方向位置は非常に柔軟性がある。何故ならば、その光線の光路長は補正板の軸方向位置に依存するものではないからである。即ち、殆どの図が、補正板が位相制御器の一層長い光路長を補正するものであることを強調するために、補正板と位相制御器とを同一の面内に示しているが、補正板は位相制御器と同じ面内に配置させることは必要なことではない。それは、位相制御器のかなり上方又は下方に配置させることが可能である。補正板の軸方向位置における柔軟性は、補正板周りの機械的構成を容易化させる。   In some embodiments, the phase controller and attenuator 122 is installed in the optical path of the specular component 124. The specular component passes through the phase controller 122 and its relative phase can be adjusted to maximize defect detection sensitivity or to determine both the phase and amplitude of each defect signal. It is. The scattered light beam 128 passes through a correction plate 130 for correcting a large amount of optical path length difference between the specular component and the scattered component. The axial position of the correction plate is very flexible. This is because the optical path length of the light beam does not depend on the axial position of the correction plate. That is, most of the figures show the correction plate and the phase controller in the same plane to emphasize that the correction plate corrects the longer optical path length of the phase controller. It is not necessary to place the plate in the same plane as the phase controller. It can be placed significantly above or below the phase controller. The flexibility in the axial position of the correction plate facilitates the mechanical configuration around the correction plate.

位相制御は有益的な特徴であり且つ欠陥検知能力を劇的に改善するために利用することが可能であり且つ以下に更に詳細に説明する。幾つかの実施例によれば、特にイメージセンサーのダイナミックレンジがその適用例に対して小さすぎる場合に、その光路内にピンホール絞りを付加するか、又は位相制御器コンポーネントの表面の内の一つの上に反射コーティングを付加することによって、画像コントラストを改善させるために鏡面成分124を減衰させることも可能である。鏡面成分124の反射部分はビーム126で図1中に表してある。注意すべきことであるが、位相制御器及び減衰器は主要瞳面即ちアパーチャストップ(開口絞り)に位置されており、そのことは、付加的な瞳リレーシステム、ビームスプリッタ及びそうでなければ必要とされる場合のあるその他のコンポーネントに起因するパワー損失及び複雑性を有益的に回避している。   Phase control is a valuable feature and can be utilized to dramatically improve defect detection capabilities and is described in further detail below. According to some embodiments, a pinhole diaphragm is added in the optical path, or one of the surfaces of the phase controller component, particularly when the dynamic range of the image sensor is too small for the application. It is also possible to attenuate the specular component 124 to improve image contrast by adding a reflective coating on the two. The reflected portion of the specular component 124 is represented in FIG. It should be noted that the phase controller and attenuator are located at the main pupil plane or aperture stop (aperture stop), which requires additional pupil relay systems, beam splitters and otherwise This advantageously avoids power loss and complexity due to other components that may be considered.

多くの異なる種類の光源を光源118に対して使用することが可能である。ブライト(明るい)光源が多くの適用例において望ましいものである。何故ならば、ブライト光源は、光学的イメージングシステムの瞳共役面においての鏡面成分と散乱成分との明瞭な空間的分離を可能とさせるからである。ブライト光源は、又、瞳面においての鏡面成分に対する小さなフットプリント(footprint)即ち足跡のお陰でフーリエフィルタリングを非常に効果的なものとする。鏡面成分と散乱成分との明瞭な分離と、効果的なフーリエフィルタとの両方がここに開示するシステム及び方法の最善の性能に対して重要である。一般的に、光源が一層明るければ明るいほど、一層良好である。現在使用可能な最も明るい光源はレーザである。従って、多くの適用例にとって、レーザは好ましい光源である。   Many different types of light sources can be used for the light source 118. A bright light source is desirable in many applications. This is because the bright light source allows a clear spatial separation of the specular and scattered components at the pupil conjugate plane of the optical imaging system. Bright light sources also make Fourier filtering very effective due to a small footprint or footprint for specular components in the pupil plane. Both a clear separation of the specular and scattering components and an effective Fourier filter are important for the best performance of the systems and methods disclosed herein. In general, the brighter the light source, the better. The brightest light source currently available is a laser. Thus, for many applications, a laser is the preferred light source.

サンプル即ち試料はコヒーラント即ち可干渉的(coherent)又は非可干渉的(incoherent)のいずれかでレーザにより照明させることが可能である。しかしながら、レーザでの非可干渉的照明は、通常コスト高のスペクルバスター(speckle buster)を必要とするばかりか、可干渉的照明と比較してフーリエフィルタリングをより効果的ではないものとさせるという点において顕著な欠点を有している。従って、レーザ光源での可干渉的照明が望ましい。全体的なフィールドにわたり一様な照明強度を達成する方法は、可干渉的一様照明器に関する後のセクションにおいて提示する。   The sample can be illuminated by the laser, either coherent or coherent or incoherent. However, non-coherent illumination with a laser usually requires a costly speckle buster and makes Fourier filtering less effective compared to coherent illumination. It has significant drawbacks in that respect. Therefore, coherent illumination with a laser light source is desirable. A method for achieving uniform illumination intensity over the entire field is presented in a later section on coherent uniform illuminators.

多くの異なるタイプのレーザが照明光源として適している。例えば、レーザは連続波タイプか又はモードロック型又はQスイッチ型レーザ等のパルス型のタイプのいずれかとすることが可能である。レーザは複数のテンポラル(temporal)モード又は有限のテンポラル帯域幅を有することが可能である。しかしながら、可干渉的照明に対しては、通常、単一空間モードが望ましい。アークランプ、発光ダイオード(LED)等のその他の光源を使用することも可能である。しかしながら、これらの分散光源の場合には鏡面成分と散乱成分とを分離することが困難である。何故ならば、散乱成分の幾らかの部分が瞳面においても鏡面成分とオーバーラップする場合があるからである。このことは、散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相の精密な制御を困難なものとさせる。位相制御における不精密性は、通常、より拙い性能となる。更に、瞳面における鏡面成分の比較的大きなフットプリントに起因して分散光源での効果的なフーリエフィルタを実現することは困難である。   Many different types of lasers are suitable as illumination sources. For example, the laser can be either a continuous wave type or a pulsed type such as a mode-locked or Q-switched laser. The laser can have multiple temporal modes or a finite temporal bandwidth. However, for coherent illumination, a single spatial mode is usually desirable. It is also possible to use other light sources such as arc lamps, light emitting diodes (LEDs). However, in the case of these dispersed light sources, it is difficult to separate the specular component and the scattering component. This is because some part of the scattered component may overlap with the specular component even in the pupil plane. This makes it difficult to precisely control the relative phase between the scattering component and the specular component. Inaccuracies in phase control usually result in better performance. Furthermore, it is difficult to realize an effective Fourier filter with a distributed light source due to the relatively large footprint of the specular component on the pupil plane.

注意すべきことであるが、光源としてのレーザの使用は、幾つかのレンズコンポーネント上又は内に損傷性のホットスポットを形成する場合がある。この問題は、レンズ設計によって及び特別に調製されたフューズドシリカ、フッ化カルシウム、フッ化リチウム等の耐久性のあるレンズ物質の使用によって緩和させることが可能である。   It should be noted that the use of a laser as a light source may form damaging hot spots on or in some lens components. This problem can be mitigated by lens design and by using durable lens materials such as specially prepared fused silica, calcium fluoride, lithium fluoride.

位相制御器122は、明瞭な態様で散乱成分から鏡面成分を空間的に分離させ且つ全体的なイメージングフィールドにわたって一様な性能を達成することが可能であるために、瞳又は光学的イメージングシステムの瞳共役(pupil conjugate)において又はその近くに配置させるべきである。理想的には、光学系は比較的簡単なものであり、且つ光学的イメージングシステムのアパーチャストップの共役に対する必要性の無いものである。位相制御器122は、図1におけるイメージングシステムのアパーチャストップ面において又はその近くに配置されている。位相制御器を光学的イメージングシステムのアパーチャストップ面において又はその近くに配置させることは、多くの適用例に対して望ましいことである。何故ならば、それは、大きく且つコスト高であるばかりか、画像品質及びエネルギ効率を低下させる場合のある付加的な光学的部品を必要とするものではないからである。光源112としてレーザが使用され且つサンプル110が可干渉的に照明される場合には、瞳共役面における鏡面成分の寸法は小さくなり、通常1mm未満となり、その結果、位相制御器を極めて小さくすることが可能であり且つ空間をそれ程取るものではなく且つ他のシステムコンポーネントと干渉することもないことが判明している。   The phase controller 122 can spatially separate the specular component from the scattered component in a well-defined manner and achieve uniform performance over the entire imaging field, so that the pupil or optical imaging system Should be placed at or near the pupil conjugate. Ideally, the optical system is relatively simple and there is no need for the aperture stop conjugate of the optical imaging system. The phase controller 122 is located at or near the aperture stop plane of the imaging system in FIG. Placing the phase controller at or near the aperture stop surface of the optical imaging system is desirable for many applications. This is because it is not only large and costly, but it does not require additional optical components that may reduce image quality and energy efficiency. If a laser is used as the light source 112 and the sample 110 is coherently illuminated, the specular component dimension at the pupil conjugate plane will be small, typically less than 1 mm, resulting in a very small phase controller. Has been found to be possible and does not take up much space and does not interfere with other system components.

たとえその区域が狭く且つ他の部品で混雑している場合であっても、位相制御器を光学的イメージングシステムのアパーチャストップに直接的に又はその近くに配置させることの能力は、多くの適用例において実際的な利点である。この利点は、現在の且つ将来の欠陥検知システムデザインにおいて特に有用である。何故ならば、アパーチャストップをより混雑していない区域へ中継するために更なる光学的要素を付加することは困難であり且つコスト高となるからである。アパーチャストップの区域が位相制御器を許容するには狭すぎるか又は混雑している幾つかの代替的実施例においては、高品質瞳中継システムをデザイン・イン(design in)即ち組み込むことによって、アパーチャストップ面をより混雑していない区域へ中継させることが可能である。しかしながら、この構成は不所望な副作用をもたらす。高エテンデューのDUV光学系に対して適切な瞳中継システムを組み込むことは困難であり且つコスト高である。   The ability to place a phase controller directly or close to the aperture stop of an optical imaging system, even when the area is narrow and crowded with other parts, is a number of applications. Is a practical advantage. This advantage is particularly useful in current and future defect detection system designs. This is because it is difficult and expensive to add additional optical elements to relay the aperture stop to a less crowded area. In some alternative embodiments where the area of the aperture stop is too narrow or congested to allow the phase controller, the aperture can be reduced by designing in a high quality pupil relay system. It is possible to relay the stop surface to a less crowded area. However, this configuration has undesirable side effects. Incorporating a suitable pupil relay system for a high etendue DUV optical system is difficult and expensive.

2.位相制御器
図2a及び2bは位相制御器及び減衰器の1例を示している。位相制御器は、サンプルからの光の鏡面成分と散乱成分との間の相対的位相を変化させるために使用される。注意すべきことであるが、絶対的な位相は、通常、関心事ではない。むしろ、通常、散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相が関心事である。従って、位相制御器は、鏡面成分か又は散乱成分かのいずれかの光路内に据え付けることが可能である。
2. Phase Controller FIGS. 2a and 2b show an example of a phase controller and attenuator. The phase controller is used to change the relative phase between the specular and scattered components of the light from the sample. It should be noted that absolute phase is usually not a concern. Rather, the relative phase between the scattering component and the specular component is usually a concern. Thus, the phase controller can be installed in the optical path of either the specular component or the scattered component.

ここでの殆どの図は、鏡面成分の光路内に位相制御器を据え付けた場合を示しているが、幾つかの実施例においては、位相制御器は、散乱成分の光路内に据え付けることが可能である。光ビームの位相を変化させる多様な態様がある。位相を変化させる一つの技術は、ビームの光路長を変化させることである。光路長は、ビームが通過する光学的物質の厚さを変化させることにより容易に変化させることが可能である。これらの種類の位相制御器は、多くの異なる方法で構成することが可能である。一つの方法は、図2aに示した如く、2個のウエッジ型ガラスプレートをオーバーラップさせることである。位相制御器122は、上部ガラスウエッジ222及び下部ガラスウエッジ220を利用する。入ってくる光ビーム124は下部ウエッジ220に入り且つ少なくとも一部が光ビーム212として上部ウエッジ222を通過する。これらのウエッジプレートの内の一つを矢印250で示した方向に移動させることにより、通過ビームの光路長は変化される。例えば、光路長を増加させるために上部ウエッジ222を右方向へ移動させることが可能であり、且つ光路長を減少させるために左方向へ移動させることが可能である。   Most of the figures here show the case where the phase controller is installed in the optical path of the specular component, but in some embodiments the phase controller can be installed in the optical path of the scattered component It is. There are various ways to change the phase of the light beam. One technique for changing the phase is to change the optical path length of the beam. The optical path length can be easily changed by changing the thickness of the optical material through which the beam passes. These types of phase controllers can be configured in many different ways. One method is to overlap two wedge-type glass plates as shown in FIG. 2a. The phase controller 122 uses an upper glass wedge 222 and a lower glass wedge 220. The incoming light beam 124 enters the lower wedge 220 and at least partially passes through the upper wedge 222 as the light beam 212. By moving one of these wedge plates in the direction indicated by the arrow 250, the optical path length of the passing beam is changed. For example, the upper wedge 222 can be moved to the right to increase the optical path length and can be moved to the left to decrease the optical path length.

上部ウエッジと下部ウエッジとの間の空隙は鏡面成分ビームを所望の光路から立ち去らせる場合がある。このことは、鏡面成分の波面を画像面において傾斜させる場合がある。傾斜された波面はフィールドにわたり性能変化となる場合があり、特に後のセクションにおいて説明する高感度動作モードにおいてそうである。しかしながら、この問題は容易に直すことが可能である。鏡面成分ビームは、該ビームの立ち去り方向に対して反対の方向へ全体的な位相制御器ブロックを多少傾斜させることによってその所望の光路へ戻すことが可能である。必要とされる傾斜量は、画像面においての鏡面成分の波面傾斜を測定することによって決定することが可能である。この波面傾斜は、フィールドにわたっての鏡面成分の線形位相変化として表れる。従って、それは、次のパラグラフにおいて説明する位相制御器キャリブレーションプロセス期間中に測定することが可能である。該ビームをその所望の光路へ戻すために、2,3回の繰り返しの位相ブロック傾斜動作が見込まれる。   The air gap between the upper and lower wedges may cause the specular component beam to leave the desired optical path. This may incline the wavefront of the specular component in the image plane. A tilted wavefront can result in performance variations across the field, especially in the sensitive operating modes described in later sections. However, this problem can be easily corrected. The specular component beam can be returned to its desired optical path by slightly tilting the overall phase controller block in a direction opposite to the beam leaving direction. The amount of tilt required can be determined by measuring the wavefront tilt of the specular component in the image plane. This wavefront slope appears as a linear phase change of the specular component across the field. It can therefore be measured during the phase controller calibration process described in the next paragraph. In order to return the beam to its desired optical path, a few repeated phase block tilting operations are expected.

位相制御器は使用する前にキャリブレーションが必要である。このキャリブレーションは、該制御器の光学的部品の寸法及び位置を精密に測定することにより純粋に機械的に行うことが可能である。しかしながら、より良い方法は、それを光学的に行うことであり、それは難なく行うことが可能である。例えば、位相制御器は、各島状部がその周囲から小さな光路差を有している複数の島状部からなる二次元アレイからなる位相マスク等のステップ位相オブジェクトを使用してキャリブレーションを行うことが可能である。ステップ位相オブジェクトの画像は、鏡面成分の位相が90°点を通過する場合に、位相ステップ区域周りにコントラスト反転を示す。該画像コントラストは、鏡面成分の0°及び180°位相角度において極値となる。この現象及び位相制御器の機械的特性を使用して、位相制御器は正確にキャリブレーションを行うことが可能である。小さなピット、小さな島状部、幅狭の谷、幅狭のメサ等のその他のパターンをこのキャリブレーションのために使用することも可能である。このキャリブレーションプロセスは、位相基準、即ちゼロ位相シフト点も与える。   The phase controller needs to be calibrated before use. This calibration can be done purely mechanically by precisely measuring the dimensions and position of the optical components of the controller. However, a better way is to do it optically and it can be done without difficulty. For example, the phase controller calibrates using a step phase object such as a phase mask that consists of a two-dimensional array of islands with each island having a small optical path difference from its surroundings. It is possible. The image of the step phase object shows contrast inversion around the phase step area when the phase of the specular component passes through the 90 ° point. The image contrast is extreme at the 0 ° and 180 ° phase angles of the specular component. Using this phenomenon and the mechanical properties of the phase controller, the phase controller can be accurately calibrated. Other patterns such as small pits, small islands, narrow valleys, narrow mesas may be used for this calibration. This calibration process also provides a phase reference, ie a zero phase shift point.

フィールドにわたり複数の同一のパターンが配列され且つ該キャリブレーションが該フィールドにわたり同時的に実施される場合には、位相制御器のより一層正確なキャリブレーションを達成することが可能であるばかりか、フィールドにわたり位相基準を確立することが可能である。位相基準の値は、イメージングシステムが完全である場合には、全て同じであるべきである。しかしながら、実際のイメージングシステムは完全なものとすることは不可能である。フィールドにわたっての位相基準値の幾らかの変化が、位相制御器の傾斜、収差、フィールド湾曲、等に起因して存在することが予測される。フィールドにわたっての位相基準値の変化の線形部分は全体的な位相制御器ブロックを多少傾斜させることによって除去することが可能である。該変化の非線形部分はイメージングシステムにおける不完全性から発生する。   If a plurality of identical patterns are arranged over the field and the calibration is performed simultaneously over the field, it is possible not only to achieve a more accurate calibration of the phase controller, It is possible to establish a phase reference over time. The phase reference values should all be the same if the imaging system is complete. However, an actual imaging system cannot be perfect. It is expected that some change in the phase reference value across the field will exist due to phase controller tilt, aberration, field curvature, etc. The linear portion of the change in phase reference value across the field can be eliminated by slightly tilting the overall phase controller block. The nonlinear part of the change arises from imperfections in the imaging system.

イメージングシステム不完全性の一次効果は、フィールドにわたっての位相基準値の変化である。従って、フィールドにわたっての位相基準値の変化の大きさは、イメージングシステムの品質の良好なインジケータである。フィールドにわたっての位相基準値の変化は、後のセクションにおいて説明するキャッチオールモード(catch-all mode)及びダークフィールド動作モード(dark field mode of operation)に対しては重要性はより少ない。しかしながら、これは後のセクションにおいて説明する高感度動作モードに対して問題となる場合がある。何故ならば、それは高感度動作モードの性能をフィールドにわたり変化させる場合があるからである。従って、イメージングシステムの品質を高く維持することが重要である。   The primary effect of imaging system imperfections is a change in the phase reference value across the field. Thus, the magnitude of the change in the phase reference value across the field is a good indicator of the quality of the imaging system. The change in the phase reference value across the field is less important for the catch-all mode and dark field mode of operation described in later sections. However, this can be problematic for the high sensitivity mode of operation described in later sections. This is because it may change the performance of the sensitive mode of operation across the field. Therefore, it is important to keep the quality of the imaging system high.

注意すべきことであるが、キャリブレーションを必要とするGouy位相と呼ばれる別の位相がある。しかしながら、Gouy位相のキャリブレーションは、位相制御器がキャリブレーションされている限り簡単なものである。Gouy位相は可変ピンホール絞りと呼ばれる後のセクションにおいて説明する。   It should be noted that there is another phase called the Gouy phase that requires calibration. However, Gouy phase calibration is as simple as the phase controller is calibrated. The Gouy phase is described in a later section called variable pinhole aperture.

例示的実施例において、位相制御器コンポーネントの表面の一つ又はそれ以上の上に反射性コーティングを与えることによって、図2aに示した種類の位相制御器へ減衰器を付加している。例えば、図2aにおいて、反射性コーティング224が、図示した如く、下部ウエッジ220の表面に位置されている。この例によれば、入ってくるビーム124の一部はコーティング224によって反射され且つダンプビーム126によって表されているようにダンプされる。幾つかの実施例によれば、減衰量は、異なる反射率を有する幾つかのコーティングを連続して設け且つ該コンポーネントを移動可能とさせることにより、ステップ変化させることが可能である。   In the exemplary embodiment, an attenuator is added to a phase controller of the type shown in FIG. 2a by providing a reflective coating on one or more of the surfaces of the phase controller component. For example, in FIG. 2a, a reflective coating 224 is located on the surface of the lower wedge 220 as shown. According to this example, a portion of incoming beam 124 is reflected by coating 224 and dumped as represented by dump beam 126. According to some embodiments, the attenuation can be stepped by sequentially providing several coatings with different reflectivities and allowing the component to move.

図2bは、図2aのA−A’線に沿って見た場合の反射性コーティング224の1例を示している。この例において、コーティング224は、矢印240の方向に示した如くに配列されている3個の異なる反射性コーティング230,232,234から構成されている。下部ウエッジ220を移動させることにより、異なるレベルの減衰を達成することが可能である。   FIG. 2b shows an example of a reflective coating 224 when viewed along line A-A 'of FIG. 2a. In this example, coating 224 is comprised of three different reflective coatings 230, 232, 234 arranged as shown in the direction of arrow 240. By moving the lower wedge 220, different levels of attenuation can be achieved.

図3は、干渉欠陥検知システム300の別の例を示している。図3において、ビーム128によって表されている散乱成分の位相はガラスウエッジ324を使用して変化される。可干渉性光源112が照明ビーム118を発生し、それはサンプル110の表面へ向けて反射される。該反射光の散乱成分はビーム128によって表されており、且つ鏡面成分はビーム124によって表されている。下部ウエッジに対して上部ウエッジを移動させることにより、実効光路長、従って散乱成分の位相が変化される。鏡面成分124は補正ブロック326を通過して鏡面成分と散乱成分との間の光路長差を補正する。フロントエンドレンズシステム316及びバックエンドレンズシステム314はサンプル110からの光を回収し且つ該光をイメージセンサー140上にフォーカスさせる。   FIG. 3 shows another example of the interference defect detection system 300. In FIG. 3, the phase of the scattered component represented by beam 128 is changed using glass wedge 324. A coherent light source 112 generates an illumination beam 118 that is reflected toward the surface of the sample 110. The scattered component of the reflected light is represented by the beam 128 and the specular component is represented by the beam 124. By moving the upper wedge relative to the lower wedge, the effective optical path length and thus the phase of the scattering component is changed. The specular component 124 passes through the correction block 326 to correct the optical path length difference between the specular component and the scattered component. Front end lens system 316 and back end lens system 314 collect light from sample 110 and focus the light on image sensor 140.

光路長を変化させる別の方法は図4a及び4bに示してある。この例においては、図4aに示されているように、光学的に透明な液体410がリングコンデンサの電極420と422との間に注入されている。液体410の厚さはコンデンサ電極420及び422の間の電圧を変化させることによって変化される。通常の液体ではなく液晶を液体410として使用することも可能である。この場合には、光路長は、単に、液晶分子の平均配向を変化させることによって変化される。図4bはB−B’線に沿っての方向における図4aの構成の平面図を示している。上部電極420は液体410と共に示されている。   Another way of changing the optical path length is shown in FIGS. 4a and 4b. In this example, an optically clear liquid 410 is injected between the ring capacitor electrodes 420 and 422, as shown in FIG. 4a. The thickness of the liquid 410 is changed by changing the voltage between the capacitor electrodes 420 and 422. It is also possible to use liquid crystal as the liquid 410 instead of a normal liquid. In this case, the optical path length is changed simply by changing the average orientation of the liquid crystal molecules. FIG. 4b shows a plan view of the configuration of FIG. 4a in the direction along the line B-B '. Upper electrode 420 is shown with liquid 410.

可動で僅かにウエッジ型のガラスプレート又は透明なフィルムストリップも簡単な連続的に可変な位相制御器として使用することが可能である。しかしながら、この種類の位相制御器は、不可避的に、その理想的な光路から光線経路を逸らせ、その結果、システム性能に悪影響を与えることとなる。   A movable, slightly wedged glass plate or a transparent film strip can also be used as a simple continuously variable phase controller. However, this type of phase controller inevitably deviates the ray path from its ideal optical path, resulting in a negative impact on system performance.

図5は、幾つかの実施例に基く、光路長を変化させるために使用される可動ミラーの1例を示している。このシステムは反射表面を具備している可動部材530を包含している。入ってくる鏡面反射ビーム520は部材530の表面534から一部が反射される。散乱光ビーム510及び512は固定反射部材536から反射される。可動ミラータイプ位相制御器は、将来世代の欠陥検知システムにおいて使用される場合がある真空紫外線又は超紫外線のような極めて短い波長の光を使用する適用例に対して特に有用であることが判明している。何故ならば、これらの波長に対して透過性の光学的物質を見つけること又は開発することは比較的困難だからである。   FIG. 5 shows an example of a movable mirror used to change the optical path length according to some embodiments. The system includes a movable member 530 having a reflective surface. The incoming specular beam 520 is partially reflected from the surface 534 of the member 530. The scattered light beams 510 and 512 are reflected from the fixed reflecting member 536. The movable mirror type phase controller proved to be particularly useful for applications using very short wavelength light such as vacuum ultraviolet or extreme ultraviolet that may be used in future generation defect detection systems. ing. This is because it is relatively difficult to find or develop optical materials that are transparent to these wavelengths.

注意すべきことであるが、位相制御用ミラーは必ずしも高度に反射性であることは必要ではない。多くの適用例の場合に、特にイメージセンサーのダイナミックレンジが低い場合に、低い反射性が望ましい。何故ならば、鏡面成分を減衰することが適切な画像コントラストを達成するために有用だからである。例えば、何らのコーティングの無いむきだしのガラスが幾つかの場合に適切な反射率を与えることが可能であることが判明している。その他の実施例において、特に高速応答が望ましい場合に、位相制御器は電気・光学コンポーネントを使用して構成することが可能である。   It should be noted that the phase control mirror does not necessarily have to be highly reflective. For many applications, low reflectivity is desirable, especially when the dynamic range of the image sensor is low. This is because it is useful to attenuate the specular component to achieve adequate image contrast. For example, it has been found that bare glass without any coating can provide adequate reflectivity in some cases. In other embodiments, the phase controller can be constructed using electro-optic components, particularly where fast response is desired.

図6は可動ミラー位相制御器を使用する干渉欠陥検知システムの1例を示している。入ってくる光ビーム618はサンプル610の表面に向けて指向されており、該サンプルはウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。ビーム510及び512によって表されている散乱成分はレンズシステム616を通過し、反射性部材536によって反射され、レンズシステム614へ通過し、該レンズシステム614は該ビームをイメージセンサー640へ向けて指向させる。鏡面成分ビーム520は、図5に関して説明した如く、可動反射性部材530の表面から反射される。   FIG. 6 shows an example of an interference defect detection system using a movable mirror phase controller. The incoming light beam 618 is directed toward the surface of the sample 610, which can be a wafer, a reticle, or other sample under inspection. The scattered components represented by beams 510 and 512 pass through lens system 616, are reflected by reflective member 536, and pass to lens system 614, which directs the beam toward image sensor 640. . The specular component beam 520 is reflected from the surface of the movable reflective member 530 as described with respect to FIG.

注意すべきことであるが、ここで説明する実施例の多くに対して連続的に変化する位相制御器を示しているが、幾つかの実施例によれば、離散的に可変の位相制御器を使用することが可能である。例えば、位相選択の総数が4に制限されている場合には、離散的に可変の位相制御器に対する位相値の一つの選択は0°、±180°、±90°である。3個の離散的位相選択でも、後のセクションにおいて説明するキャッチオール動作モードなどの幾つかの適用例においてはうまくいく場合がある。この場合には、位相値の一つの選択は0°及び±120°である。位相選択の数を2へ減少させることは、例えば、{0
°、180°}又は{90°、―90°}、多くの適用例に対してより望ましいものではない。何故ならば、干渉項の符号を振幅型欠陥及び位相型欠陥の両方に対して、ダークフィイールド項の符号とマッチさせることができないからである。
It should be noted that although a continuously varying phase controller is shown for many of the embodiments described herein, according to some embodiments, a discretely variable phase controller is shown. Can be used. For example, if the total number of phase selections is limited to 4, one selection of phase values for the discretely variable phase controller is 0 °, ± 180 °, ± 90 °. Three discrete phase selections may work in some applications, such as the catch-all mode of operation described in a later section. In this case, one choice of phase value is 0 ° and ± 120 °. Reducing the number of phase selections to 2, for example, {0
°, 180 °} or {90 °, −90 °}, which is less desirable for many applications. This is because the sign of the interference term cannot be matched to the sign of the dark field term for both amplitude and phase defects.

離散的に可変の位相制御器は、多くの異なる方法で構成することが可能である。離散的に可変の位相制御器を製造する一つの方法は、基板上に正しい厚さの薄膜を付着させるか、又は基板を正しい深さだけエッチングするかのいずれかによる。ここで、離散的に可変の位相制御器は連続的に可変の位相制御器とは異なる物理的形状を有することが可能であっても、それらは概念的には異なる種類の位相制御器とは考えられず、連続的に可変の位相制御器のサブセットであると考えられる。何故ならば、連続的に可変の位相制御器は離散的態様で動作させることが可能だからである。   A discretely variable phase controller can be configured in many different ways. One method of manufacturing a discretely variable phase controller is by either depositing a thin film of the correct thickness on the substrate or etching the substrate to the correct depth. Here, even though discretely variable phase controllers can have different physical shapes than continuously variable phase controllers, they are conceptually different types of phase controllers. It is not considered and is considered a subset of a continuously variable phase controller. This is because a continuously variable phase controller can be operated in a discrete manner.

単一の位相制御器は複数の波長で共用させることが可能であるか、又は広帯域照明と共に使用することが可能である。しかしながら、この場合には、全ての波長に対する精密な位相制御を達成することは比較的困難である。   A single phase controller can be shared by multiple wavelengths or used with broadband illumination. However, in this case, it is relatively difficult to achieve precise phase control for all wavelengths.

位相制御器の位相を迅速に変えることが可能である場合には、システムはヘテロダインモードで動作させることが可能である。ヘテロダインモードは、かなりの量の1/fノイズが存在する場合に良好な選択である。位相制御器の位相の迅速な変化は多くの異なる方法で達成することが可能である。例えば、図2aに示した位相制御器のガラス部品の内の一つを迅速に移動させることによって達成することが可能である。位相制御器が電気・光学物質から構成されている場合には、位相制御器を電気光学的に制御することによって非常に迅速な位相変化を達成することが可能である。ヘテロダインシステムは、スキャニングシステム、特に高速スキャニングシステム、において実現することは比較的困難であるが、スタティック又はステッピングシステム等の非スキャニングシステムにおいて実現することは比較的容易である。   If the phase of the phase controller can be changed quickly, the system can be operated in heterodyne mode. Heterodyne mode is a good choice when there is a significant amount of 1 / f noise. Rapid changes in the phase of the phase controller can be achieved in many different ways. For example, this can be accomplished by quickly moving one of the glass components of the phase controller shown in FIG. 2a. When the phase controller is made of an electro / optical material, it is possible to achieve a very rapid phase change by controlling the phase controller electro-optically. Heterodyne systems are relatively difficult to implement in scanning systems, particularly high speed scanning systems, but are relatively easy to implement in non-scanning systems such as static or stepping systems.

3.フーリエフィルタリング
瞳面即ちアパーチャストップ(開口絞り)において不所望の光をブロックすることは、フーリエフィルタリング(Fourier Filtering)と呼ばれる。何故ならば、瞳面即ちアパーチャストップにおける光振幅分布は対物面における光振幅分布のフーリエ変換だからである。フーリエフィルタリングは多くの適用例において望ましい特徴である。何故ならば、それは、マンハッタン(Manhattan)マスク又はウエハパターンによって回折(分散)される検知器アレイに到達する光の量を効果的に減少させることが可能だからである。それはホトンノイズばかりでなくサンプルパターンノイズも減少させる。それは、又、光の強度をフィールドにわたりより一層一様なものとさせる。
3. Blocking unwanted light at the Fourier filtering pupil plane or aperture stop (aperture stop) is called Fourier Filtering. This is because the light amplitude distribution on the pupil plane, that is, the aperture stop, is a Fourier transform of the light amplitude distribution on the object plane. Fourier filtering is a desirable feature in many applications. This is because it is possible to effectively reduce the amount of light reaching the detector array that is diffracted (dispersed) by a Manhattan mask or wafer pattern. It reduces sample pattern noise as well as photon noise. It also makes the light intensity more uniform across the field.

一層一様な光強度は、ノイズレス信号増幅用のイメージセンサーのダイナミックレンジをより良い使用を可能とさせる。回路パターンの大部分はx又はy方向エッジから形成されており、従って、回路パターンのy及びx方向に対応して瞳において2つの狭い帯域に沿って光を散乱(即ち回折又は分散)させる。この種類の散乱光は欠陥に関してそれほど情報を持っているわけではなく、ホトンノイズ及びパターンノイズを発生し、且つイメージセンサーを飽和させる場合がある。   A more uniform light intensity allows better use of the dynamic range of an image sensor for noiseless signal amplification. Most of the circuit pattern is formed from edges in the x or y direction and thus scatters (ie diffracts or disperses) light along two narrow bands at the pupil corresponding to the y and x directions of the circuit pattern. This type of scattered light is not very informative about defects, can generate photon noise and pattern noise, and can saturate the image sensor.

従って、この種類の光をフィルタにより除去することが望ましい。図7a−7cは、ほぼ垂直な照明を有する干渉欠陥検知システムに使用する不透明なフーリエフィルタストリップを具備する補正板の1例を示している。図7aにおいて、補正板730は幅狭のフーリエフィルタストリップ部材750,752,754,756と共に示されている。鏡面ビーム近くの散乱光は不透明なブロッキングプレート732によってブロックされ、該ブロッキングプレート732は鏡面ビームを通過させるのに十分な広さである幅pのアパーチャを包含している。この例においては、x及びyウエハパターン幾何学的形状によって散乱される光は瞳面即ちアパーチャストップにおけるフィルタストリップ部材750,752,754,756上に突き当たる。この様に、この種類の不所望の光は非常に効果的にフィルタにより取り除くことが可能である。メタルなどの不透明物質からなる2,3の交差したストリップが必要とされるに過ぎない。   Therefore, it is desirable to remove this type of light with a filter. Figures 7a-7c show an example of a corrector plate with an opaque Fourier filter strip for use in an interference defect detection system with substantially vertical illumination. In FIG. 7a, the correction plate 730 is shown with narrow Fourier filter strip members 750, 752, 754, and 756. Scattered light near the specular beam is blocked by an opaque blocking plate 732 that includes an aperture of width p that is wide enough to pass the specular beam. In this example, the light scattered by the x and y wafer pattern geometry impinges on the filter strip members 750, 752, 754, 756 at the pupil plane or aperture stop. In this way, this kind of unwanted light can be filtered out very effectively. Only a few crossed strips of opaque material such as metal are required.

注意すべきことであるが、フーリエフィルタは、周期的なパターンから分散された光のみならず、フーリエフィルタストリップに対して垂直の方向に指向されている長尺ライン又はエッジなどの非周期的パターンから分散された光をもブロックする。注意すべきことであるが、ストリップ部材750,752,754,756は、欠陥信号光をあまりブロックするものではなく、マスク又はウエハ上のマンハッタンパターンによって発生される不所望の光の殆どをブロックする。不所望の光を二次元においてブロックするこの種類のフーリエフィルタは二次元フーリエフィルタと呼称される。二次元フーリエフィルタリングは、サンプル上の二次元パターンからの不所望の光をブロックする上で一次元フーリエフィルタよりも一層効果的である。このことは、又、二次元フーリエフィルタは、一次元フーリエフィルタの場合と比較して、フィールドにわたり画像の強度を一層一様にさせることを意味している。   It should be noted that a Fourier filter is not only light scattered from a periodic pattern, but also an aperiodic pattern such as a long line or edge that is oriented in a direction perpendicular to the Fourier filter strip. Also block the light dispersed from. It should be noted that the strip members 750, 752, 754, and 756 do not block the defect signal light so much, but block most of the unwanted light generated by the Manhattan pattern on the mask or wafer. . This type of Fourier filter that blocks unwanted light in two dimensions is called a two-dimensional Fourier filter. Two-dimensional Fourier filtering is more effective than a one-dimensional Fourier filter in blocking unwanted light from a two-dimensional pattern on the sample. This also means that the two-dimensional Fourier filter makes the intensity of the image more uniform across the field compared to the case of the one-dimensional Fourier filter.

一様な画像強度は、多くの適用例に対して重要である。何故ならば、それは、欠陥信号の増幅のためにイメージセンサーのダイナミックレンジを完全に利用することを可能とするからである。不所望の光は、通常、瞳面において鏡面成分の近傍において一層強い。従って、フーリエフィルタストリップは、通常、その性能を最適化させるためにテーパー形状とさせることが必要である。テーパー形状としたフーリエフィルタストリップは、中間において一層幅広であり且つ端部において一層幅狭であり、通常、信号光をぼかすことの影響を最小としながら不所望の光をブロックする上で一層効果的なものである。   Uniform image intensity is important for many applications. This is because it makes it possible to make full use of the dynamic range of the image sensor for the amplification of the defect signal. Undesirable light is usually stronger in the vicinity of the specular component in the pupil plane. Therefore, the Fourier filter strip usually needs to be tapered to optimize its performance. Tapered Fourier filter strips are wider at the middle and narrower at the edges, and are usually more effective at blocking unwanted light while minimizing the effects of blurring the signal light It is a thing.

該ストリップの位置は、照明ビーム718及びプリズム780が同じ位置に止まる限り変化させることは必要ではない。従って、フーリエフィルタは何ら駆動機構を必要とするものではなく且つ永久的な態様で設置することが可能である。   The position of the strip need not be changed as long as the illumination beam 718 and the prism 780 remain in the same position. Therefore, the Fourier filter does not require any drive mechanism and can be installed in a permanent manner.

注意すべきことであるが、フーリエフィルタはデュアル機能を有することが可能である。フーリエフィルタストリップは、その内側端部を鏡面成分が通過する領域へ延在させることによって鏡面成分に対するアパーチャストップとして使用することも可能である。アパーチャストップが可変であることが必要である場合には、フーリエフィルタストリップはその長さ方向に移動可能であるようにすべきである。移動するフーリエフィルタと固定されている補正板との間の機械的磨耗は、フーリエフィルタストリップと補正板との間に十分に大きな間隙を与えることにより容易に回避することが可能である。フーリエフィルタストリップと補正板との間に相当の大きさの間隙を与えることは、イメージングシステムの性能に影響を与えるものではない。というのは、補正板を任意の方向に移動させることはどの光線の光路長に影響を与えるものではないからである。   It should be noted that the Fourier filter can have a dual function. The Fourier filter strip can also be used as an aperture stop for the specular component by extending its inner end to a region through which the specular component passes. If the aperture stop needs to be variable, the Fourier filter strip should be movable along its length. Mechanical wear between the moving Fourier filter and the fixed correction plate can be easily avoided by providing a sufficiently large gap between the Fourier filter strip and the correction plate. Providing a substantial amount of gap between the Fourier filter strip and the correction plate does not affect the performance of the imaging system. This is because moving the correction plate in an arbitrary direction does not affect the optical path length of any light beam.

従って、二次元フーリエフィルタリングは、簡単且つ容易のみならず、信号光に対する最小の影響でもって達成される。図7aには、上部ガラスウエッジ722及び下部ガラスウエッジ720が示されている。図7bは、幾つかの実施例に基いて、C−C’線に沿っての図7aの構成の断面図を示している。補正板730は開口と共に示されており、該開口内には上部ガラスウエッジ722及び下部ガラスウエッジ720が配置されている。下部ガラスウエッジ720の上部表面は、図2a−2bに図示し且つ説明した如く、可変反射表面を持っている。   Thus, two-dimensional Fourier filtering is achieved not only with simplicity and ease, but with minimal influence on the signal light. In FIG. 7a, an upper glass wedge 722 and a lower glass wedge 720 are shown. FIG. 7b shows a cross-sectional view of the configuration of FIG. 7a along the line C-C ', according to some embodiments. The correction plate 730 is shown with an opening in which an upper glass wedge 722 and a lower glass wedge 720 are disposed. The upper surface of the lower glass wedge 720 has a variable reflective surface as shown and described in FIGS. 2a-2b.

図7cは幾つかの実施例に基くD−D’線に沿っての図7aの構成の断面図を示している。補正板730は開口と共に示されており、該開口内には上部ガラスウエッジ722及び反射表面724を具備している下部ガラスウエッジ720が配置されている。上部ガラスウエッジと下部ガラスウエッジとの間の相対的な運動は延長アーム726及びアクチュエータ770によって達成され、それらは上部ガラスウエッジ722へ接続されている。予測される如く、照明入力プリズム780の中心及び鏡面ビームに対する直径pの小さな瞳絞りは図7及び8において互いに対角線的に対向している。   FIG. 7c shows a cross-sectional view of the configuration of FIG. 7a along the line D-D 'according to some embodiments. The correction plate 730 is shown with an opening in which a lower glass wedge 720 having an upper glass wedge 722 and a reflective surface 724 is disposed. Relative motion between the upper and lower glass wedges is achieved by extension arm 726 and actuator 770, which are connected to upper glass wedge 722. As expected, the center of the illumination input prism 780 and the pupil stop with a small diameter p relative to the specular beam are diagonally opposite each other in FIGS.

注意すべきことであるが、殆どの図において、補正板及び位相制御器は、補正板が位相制御器に対する光路長を補正することを強調するために、同じか又はほぼ同じ面内に位置されている。しかしながら、このことは必要なことではない。何故ならば、補正板の軸方向位置は前に説明した如く非常に柔軟性があるからである。補正板の軸方向位置における柔軟性はフーリエフィルタ及び位相制御器についての機械的相反又は困難性を緩和させることが可能である。   It should be noted that in most figures, the correction plate and the phase controller are located in the same or nearly the same plane to emphasize that the correction plate corrects the optical path length for the phase controller. ing. However, this is not necessary. This is because the axial position of the correction plate is very flexible as previously described. The flexibility in the axial position of the correction plate can mitigate mechanical conflicts or difficulties for the Fourier filter and phase controller.

その他の実施例によれば、サンプル上のマンハッタンパターンから発生するもの以外のパターン回折(分散)を除去するためのフーリエ面ブロッカーが必要とされる場合に付加される。この種類の特別のフーリエブロッカーは、通常、カスタム設計することが必要であり且つ多くの異なる態様で実現することが可能である。例えば、付加的なメタルストリップを瞳面内に導入させることが可能である。別の態様は、ガラスプレート又はプリントしたパターンを含むペリクルを瞳面内に挿入することである。この種類の柔軟性は、殆ど全ての種類のウエハ又はマスクパターンに対するノイズを発生する光の殆ど完全なフィルタリングを可能とする。これはここに開示するシステム及び方法の別の有益的な利点である。   According to other embodiments, it is added when a Fourier plane blocker is required to remove pattern diffraction (dispersion) other than that generated from the Manhattan pattern on the sample. This type of special Fourier blocker usually requires custom design and can be implemented in many different ways. For example, additional metal strips can be introduced into the pupil plane. Another aspect is to insert a pellicle containing a glass plate or printed pattern into the pupil plane. This type of flexibility allows for almost complete filtering of light that generates noise for almost any type of wafer or mask pattern. This is another beneficial advantage of the systems and methods disclosed herein.

フーリエフィルタはノイズを発生する光のみならず欠陥信号光をブロックすることとなるので、過剰なフーリエフィルタリングは有害となる場合があることが判明している。信号光をブロックすることは、最終的な欠陥信号を2つの態様でインパクトを与える場合がある。即ち、それは信号光の全量を減少させるばかりか、欠陥の画像を回折(分散)により多少ぼやかす。通常、最適な量のフーリエフィルタリングが存在しており、それはウエハ上のパターンに依存するものである。従って、望ましいフーリエフィルタリングの量は特定の適用例に依存し且つ当業者によって不当な実験無しで決定することが可能なものである。   It has been found that excessive Fourier filtering can be detrimental because a Fourier filter will block not only noise-generating light but also defective signal light. Blocking the signal light may impact the final defect signal in two ways. That is, it not only reduces the total amount of signal light, but also slightly blurs the image of the defect due to diffraction (dispersion). There is usually an optimal amount of Fourier filtering, which depends on the pattern on the wafer. Thus, the amount of Fourier filtering desired depends on the particular application and can be determined by one skilled in the art without undue experimentation.

フーリエフィルタは、常に、メタルストリップのような不透明の物質で作ることが必要なものではない。それは、半透明物質又は誘電体膜などの完全に透明な物質でも作ることが可能である。これらの種類のフーリエフィルタは、信号即ち幾つかのパターン又は特徴の可視度を増加させる上で非常に効果的である場合がある。複雑なパターン又は特徴の観察等の幾つかの適用例の場合に、非常に洗練されたフーリエフィルタを画像の可視度を増加させるために使用することが可能である。   The Fourier filter is not always required to be made of an opaque material such as a metal strip. It can also be made of a completely transparent material such as a translucent material or a dielectric film. These types of Fourier filters can be very effective in increasing the visibility of the signal, ie some patterns or features. For some applications, such as the observation of complex patterns or features, very sophisticated Fourier filters can be used to increase the visibility of the image.

メタルのような吸収性物質から構成したフーリエフィルタは、動作期間中熱くなる場合があり、特に強力な光源が通常使用される産業的適用例の場合にそうである。熱いフーリエフィルタは機械的問題を発生させるばかりか光学的問題も引き起こす。何故ならば、それは周囲の空気を加熱する場合があり、それが信号光の波面に歪を発生させる場合があるからである。しかしながら、この種類の熱問題は、フーリエフィルタの周りにヘリウムのような高い熱伝導度のガスを流すことにより解決するか又は緩和させることが可能である。ヘリウムガスは、その屈折率が非常に低く従ってその密度に非常に敏感ではないので、特に適している。   A Fourier filter constructed from an absorptive material such as metal may become hot during operation, especially in industrial applications where a powerful light source is normally used. Hot Fourier filters cause mechanical problems as well as optical problems. This is because it may heat the surrounding air, which may cause distortion in the wavefront of the signal light. However, this type of thermal problem can be solved or alleviated by flowing a high thermal conductivity gas such as helium around the Fourier filter. Helium gas is particularly suitable because its refractive index is very low and is therefore not very sensitive to its density.

4.可変ピンホールストップ
注意すべきことであるが、ここに開示するシステム及び方法は、固定ピンホールストップで動作し、又鏡面成分の光路内に何らのピンホール又はピンホールストップが存在しない場合であっても動作する。しかしながら、多くの適用例において、鏡面成分の光路中における可変ピンホールストップはシステム性能を改善することが可能であることが判明している。
4). Variable pinhole stop It should be noted that the system and method disclosed herein operates with a fixed pinhole stop and when there is no pinhole or pinhole stop in the optical path of the specular component. Even works. However, in many applications, it has been found that a variable pinhole stop in the optical path of the specular component can improve system performance.

殆どの図、即ち、図2a、7b、7c、9,10,11,13b,13c,14はここでの位相制御器を例示しているが、位相制御器の上に鏡面ビーム用の小さなストップ即ち絞りをも示している。鏡面ビームストップに対する理想的な位置は瞳面である。何故ならば、ピンホールストップが瞳面から離れて位置される場合には、システム性能がフィールドにわたり変化する場合があるからである。主要な瞳面はテレセントリック構成の場合にはフロントエンドレンズシステムの後側焦点面である。   Most figures, ie FIGS. 2a, 7b, 7c, 9, 10, 11, 13b, 13c, 14 exemplify the phase controller here, but a small stop for the specular beam above the phase controller. That is, the aperture is also shown. The ideal position for the specular beam stop is the pupil plane. This is because if the pinhole stop is located away from the pupil plane, the system performance may vary across the field. The main pupil plane is the rear focal plane of the front-end lens system in the telecentric configuration.

「鏡面成分」という用語を精密に定義することは不可能である。何故ならば、鏡面成分と散乱成分との間に明瞭な境界があるわけではないからである。鏡面成分は有限の寸法のものでなければならず、従って幾らかの、極めて少量の散乱(又は回折又は拡散)成分を包含している。従って、鏡面成分は、実際には、非散乱(非回折又は非拡散)光と低角度散乱光との両方の結合を意味している。ここで使用される「鏡面成分」という用語は、幾らかの量の低角度散乱成分を含むことが許されている。   It is impossible to precisely define the term “specular component”. This is because there is no clear boundary between the specular component and the scattered component. The specular component must be of finite size and thus contain some very small amount of scattering (or diffraction or diffusion) components. Thus, the specular component actually means a combination of both non-scattered (non-diffracted or non-diffused) light and low angle scattered light. As used herein, the term “specular component” is allowed to include some amount of low angle scattering components.

鏡面成分は幾らかの量の低角度散乱光を含有するものであるから、鏡面成分の特性は、それが含有する低角度散乱光の量を変化させることにより、変化する場合がある。鏡面ストップの寸法を変化させることは、鏡面ビームにおける散乱光の量を変化させるために使用することが可能な最も簡単な装置の内の一つである。一層大きな鏡面ストップは、鏡面ビーム内に一層多くの散乱成分を導入させ、その逆も又真である。重要なことは、ストップ寸法が画像面における鏡面成分の空間的一様性に直接的に関連しているということである。一層大きなストップは画像面における鏡面成分のより少ない空間的一様性を与える。何故ならば、それはより多くの散乱光を通過させるからであり、その逆も又真である。換言すると、より大きな鏡面ストップは画像強度の局所的変化のよりすくないものを平均化させ、且つその逆も又真である。   Since the specular component contains some amount of low angle scattered light, the characteristics of the specular component may change by changing the amount of low angle scattered light it contains. Changing the size of the specular stop is one of the simplest devices that can be used to change the amount of scattered light in the specular beam. A larger specular stop introduces more scattering components into the specular beam, and vice versa. What is important is that the stop dimension is directly related to the spatial uniformity of the specular component in the image plane. A larger stop gives less spatial uniformity of the specular component in the image plane. Because it allows more scattered light to pass through and vice versa. In other words, a larger specular stop averages less of the local change in image intensity and vice versa.

より厳密に説明すると、一層大きな鏡面ストップは画像面において鏡面成分の複素振幅の局所的変化のより少ないものを空間的に平均化し、且つその逆も又真である。即ち、鏡面ストップは、強度即ち振幅ばかりではなく、フィールドオブビュー(field of view)即ち視野にわたっての鏡面成分の位相変化をも、空間的に平均化する。数学的に説明すれば、画像面における鏡面成分の複素振幅は、画像面における鏡面ストップの回折パターンでのサンプル反射率関数の畳み込みである。   More precisely, a larger specular stop spatially averages less of the local variation of the complex amplitude of the specular component in the image plane, and vice versa. That is, the specular stop spatially averages not only the intensity or amplitude, but also the phase change of the specular component over the field of view. Stated mathematically, the complex amplitude of the specular component at the image plane is a convolution of the sample reflectance function with the diffraction pattern of the specular stop at the image plane.

従って、イメージセンサーに到達することが可能な鏡面成分の全量のみならず、鏡面ストップの寸法を変化させることによって、画像面における鏡面成分の空間的一様性をも変化させることが可能である。可変鏡面ストップ直径の寸法を寸法「p」として図7b及び7cに示してある。鏡面成分のこの変数は欠陥検知能力を改善するために使用することが可能である。鏡面ストップも鏡面成分の減衰のために使用することが可能である。何故ならば、より小さなストップは鏡面成分のより少ないものを伝達させるからである。鏡面成分を減衰させるその他の方法は、振幅減衰と呼ばれる後のセクションにおいて説明する。   Therefore, it is possible to change not only the total amount of the specular component that can reach the image sensor, but also the spatial uniformity of the specular component on the image plane by changing the dimension of the specular stop. The dimension of the variable mirror stop diameter is shown in FIGS. 7b and 7c, with dimension “p”. This variable of specular component can be used to improve defect detection capability. A specular stop can also be used to attenuate the specular component. This is because a smaller stop transmits less of the specular component. Another method of attenuating specular components is described in a later section called amplitude attenuation.

イメージセンサーのダイナミックレンジが十分に大きくない場合には、欠陥信号は、たとえ該信号のノイズレス増幅によって検知器の全体的なダイナミックレンジが完全に利用される場合であっても、使用可能なグレイレベルの制限された数によって拙く特性付けられる場合がある。この場合には、鏡面成分の減衰の幾らかの量が生の画像における適切なコントラストを達成するために必要とされる。鏡面ストップの寸法を調節することにより、鏡面成分の適切な減衰を容易に達成することが可能である。鏡面ストップを使用しての鏡面成分の減衰は、鏡面成分をフィールドにわたり一層一様なものとさせるという偶発的な効果を有している。   If the dynamic range of the image sensor is not large enough, the defective signal will be a usable gray level even if the entire dynamic range of the detector is fully utilized by noiseless amplification of the signal. May be characterized by a limited number of. In this case, some amount of specular component attenuation is required to achieve adequate contrast in the raw image. By adjusting the size of the specular stop, appropriate attenuation of the specular component can be easily achieved. The attenuation of the specular component using a specular stop has the accidental effect of making the specular component more uniform across the field.

鏡面アパーチャでの別の有益的な特徴は、反射光は光学系から容易に除去することが可能であるので、それはゴースト画像を形成するものではないということである。良く知られているように、反射コーティングを具備する減衰器は、別の表面での2番目の反射によりゴースト画像を発生する場合がある。しかしながら、欠点も存在している。第1に、鏡面ストップは鏡面成分の適切な減衰のためには大量の光エネルギを吸収せねばならず、従って非常に高温になる場合がある。このことは機械的問題ばかりではなく光学的問題も引き起こす場合がある。何故ならば、高温のストップは周囲の空気を加熱し、加熱された空気は波面に歪を発生する場合があるからである。しかしながら、この種類の熱問題は、レンズキャビティを高い熱伝導率で且つ低い屈折率のガス、例えばヘリウム、で充填することにより緩和させることが可能である。ヘリウムガスは、その屈折率は非常に低く、従ってその密度に対して不感受性であるので良好な選択である。   Another beneficial feature in the specular aperture is that it does not form a ghost image because the reflected light can be easily removed from the optical system. As is well known, an attenuator with a reflective coating may generate a ghost image due to a second reflection at another surface. However, there are also drawbacks. First, the specular stop must absorb a large amount of light energy for proper attenuation of the specular component and can therefore be very hot. This can cause not only mechanical problems but also optical problems. This is because a hot stop heats the surrounding air, and the heated air may cause distortion in the wavefront. However, this type of thermal problem can be mitigated by filling the lens cavity with a gas of high thermal conductivity and low refractive index, such as helium. Helium gas is a good choice because its refractive index is very low and is therefore insensitive to its density.

2番目の欠点は、ピンホール寸法での鏡面成分の位相変化である。この種類の位相変化は「Gouy位相シフト」と呼ばれている。これは内在的な現象であって、容易に回避することは不可能である。しかしながら、Gouy位相シフトはスタティックであり、従ってフィールドにわたり容易にマップさせ且つ補償することが可能である。従って、鏡面ストップ寸法に関連する鏡面成分の位相変化は対処することが必要なものではあるが、致命的な問題ではない。実際に、鏡面ストップはピンホールの寸法であることとなる場合が良くある。ピンホールの反射性の対応物は入ってくる光の一部を反射する小さなミラー(ピンミラー)である。鏡面アパーチャタイプ及び形状の選択は、適用例及び光学系のデザインに依存する。透過性で且つ反射性のピンホールは同じ光学的特性を共有する。従って、透過性の鏡面ストップに関連する説明の全ては反射性の鏡面ビームストップに対して直接的に適用することが可能である。   The second drawback is the phase change of the specular component at the pinhole dimension. This type of phase change is called “Gouy phase shift”. This is an inherent phenomenon and cannot be easily avoided. However, the Gouy phase shift is static and can therefore be easily mapped and compensated across the field. Therefore, the phase change of the specular component related to the specular stop dimension needs to be dealt with, but is not a fatal problem. In practice, the mirror stop is often the size of a pinhole. The pinhole's reflective counterpart is a small mirror (pin mirror) that reflects some of the incoming light. The choice of specular aperture type and shape depends on the application and the design of the optical system. Transparent and reflective pinholes share the same optical properties. Thus, all of the description relating to a transmissive specular stop can be applied directly to a reflective specular beam stop.

殆どの図において、鏡面ビームストップ及びフーリエフィルタコンポーネントは、それらの別々の機能を強調するために別々のコンポーネントとして示してある。しかしながら、実際のシステムデザインにおいては、機械的デザインを簡単化させるため及び可能性のある機械的相反を最小化させるために、2つの別々のコンポーネントを一つに結合させることが望ましい場合がある。フーリエフィルタストリップを内側へ延在させるか、又は鏡面ビーム又はピンホールアパーチャを外側へ延在させるかのいずれかにより2つのコンポーネントを一つへ結合させることが可能である。結合された構成においては、ピンホールストップの寸法はフーリエフィルタストリップをそれらの長さ方向に沿って移動させることにより調節することが可能である。   In most of the figures, the specular beam stop and Fourier filter components are shown as separate components to highlight their separate functions. However, in actual system designs, it may be desirable to combine two separate components together to simplify the mechanical design and to minimize potential mechanical conflicts. It is possible to couple the two components together by either extending the Fourier filter strip inward or by extending the specular beam or pinhole aperture outward. In the combined configuration, the pinhole stop dimensions can be adjusted by moving the Fourier filter strips along their length.

5.アクチュエータ
可変位相制御器は何らかの種類の機械的又は電気的なアクチュエータを必要とする。アクチュエータを配置するのに最も便利な場所は位相制御器の直ぐ隣である場合がある。しかしながら、アクチュエータを位相制御器の直ぐ隣に配置させることは、信号光をあまりにもブロックしてしまう場合がある。幾つかの例においては、アクチュエータは光学的イメージングシステムの周囲に配置されるものであり、それはアクチュエータに対してより多くの空間を与えるので魅力の或る選択である。しかしながら、この選択の欠点は、アクチュエータの運動を位相制御器へ伝達するための何らかの機構が必要となることである。該運動伝達機構は瞳半径にわたるものでなければならず、且つ信号光をブロックする場合がある。しかしながら、幾つかの実施例によれば、光をブロックすることの問題は、フーリエフィルタの固定した位置を使用することにより解決される。移動する又は回転するワイヤなどの運動伝達機構をフーリエフィルタブロッキングストリップの上又は下に設置することにより、光の更なるブロッキングを回避することが可能である。
5). The actuator variable phase controller requires some kind of mechanical or electrical actuator. The most convenient place to place the actuator may be right next to the phase controller. However, placing the actuator immediately adjacent to the phase controller may block the signal light too much. In some examples, the actuator is one that is placed around the optical imaging system, which is an attractive choice because it provides more space for the actuator. However, the disadvantage of this choice is that some mechanism is required to transfer the actuator motion to the phase controller. The motion transmission mechanism must span the pupil radius and may block signal light. However, according to some embodiments, the problem of blocking light is solved by using a fixed location of the Fourier filter. By placing a motion transmission mechanism, such as a moving or rotating wire, above or below the Fourier filter blocking strip, further blocking of light can be avoided.

図7a及び7bにおいて、運動伝達部材726が設けられており、それはフーリエフィルタ部材754の経路に沿って走行している。運動伝達機構726はアクチュエータ770によって駆動され且つ可変位相シフト機構内の上部ウエッジ形状のガラス部品を移動させる。同様に、可変ピンホールストップ又はウエーブプレート(wave plate)等のその他の部品に対する運動伝達機構も付加的に光がブロックされることを最小とするために殆ど同様の態様で実現させることが可能である。運動伝達機構に対する十分な空間は容易に得ることが可能である。何故ならば、補正板の軸方向位置は非常に柔軟性があるからである。   In FIGS. 7 a and 7 b, a motion transmission member 726 is provided that runs along the path of the Fourier filter member 754. The motion transmission mechanism 726 is driven by an actuator 770 and moves the upper wedge-shaped glass part in the variable phase shift mechanism. Similarly, motion transmission mechanisms for other components such as variable pinhole stops or wave plates can be implemented in much the same way to minimize additional light blocking. is there. Sufficient space for the motion transmission mechanism can be easily obtained. This is because the axial position of the correction plate is very flexible.

6.オブスキュレーション(Obscuration)
位相制御器及びそのアクチュエータは、不可避的に、信号光の幾らかをオブスキュレーション(又はブロック)する。この種類の光のブロックは、イメージセンサーに到達することが可能な信号光の全量を減少させるばかりではなく、回折光による光学系の分解能をも減少させる。これは不所望な副作用であり、それは可及的に最大限最小とされる。このことを達成するために、位相制御器の光学的コンポーネントとアクチュエータの両方を可及的に小型に構成すべきであり、又はアクチュエータは光学的イメージングシステムの周囲に配置すべきである。
6). Obscuration
The phase controller and its actuator inevitably obscure (or block) some of the signal light. This type of light block not only reduces the total amount of signal light that can reach the image sensor, but also reduces the resolution of the optical system by diffracted light. This is an undesirable side effect that is minimized as much as possible. To achieve this, both the optical components and actuators of the phase controller should be configured as compact as possible, or the actuators should be placed around the optical imaging system.

図8は、幾つかの実施例に基く、照明光用のフォールディングプリズム(folding prism)の配置の1例を示している。補正板830が、図7aに示したものと同様の態様で、フーリエフィルタストリップ850,852,854,856と共に配置されている。図8の例においては、図示したように、照明光ビーム818用のフォールディングプリズム880をフーリエフィルタストリップ850に一致して配置させることによりオブスキュレーションの付加的な小さな減少を達成することが可能である。又、光学的イメージングシステムのアパーチャストップ及びオブスキュレーションのエッジのソフトニングは、エッジ回折の不所望の副作用を減少させることが可能である。アパーチャ及びオブスキュレーションのエッジのソフトニングの効果的で且つ実際的な方法は鋸歯状アパーチャという後のセクションにおいて説明する。   FIG. 8 shows an example of the arrangement of a folding prism for illumination light according to some embodiments. A correction plate 830 is disposed with Fourier filter strips 850, 852, 854, and 856 in a manner similar to that shown in FIG. In the example of FIG. 8, an additional small reduction in obscuration can be achieved by placing a folding prism 880 for the illumination light beam 818 in alignment with the Fourier filter strip 850, as shown. is there. Also, aperture stop and obscuration edge softening of optical imaging systems can reduce the undesirable side effects of edge diffraction. An effective and practical method of aperture and obscuration edge softening is described in a later section called serrated apertures.

注意すべきことであるが、ブロッキングプレート732によって発生されるむしろ大きなオブスキュレーションからの有益的な副作用がある。このオブスキュレーションは、ダークフィールドモードにおいてガードバンドとして働く。二次元フーリエフィルタと共にこの大きなガードバンドは、ダークフィールドモードを非常に暗いものとさせる。このことは、ダークフィールドモードは低ノイズにより特性付けられ、従ってより少ないオブスキュレーションを有するダークフィールドモードと比較して一層高い欠陥検知感度を維持することが可能である、ことを意味している。   It should be noted that there are beneficial side effects from the rather large obscuration generated by the blocking plate 732. This obscuration acts as a guard band in the dark field mode. This large guard band along with the two-dimensional Fourier filter makes the dark field mode very dark. This means that the dark field mode is characterized by low noise and therefore can maintain a higher defect detection sensitivity compared to the dark field mode with less obscuration. .

7.照明光の偏光制御
照明光の偏光方向を制御することによりサンプル内への照明光の浸透深さの制御については前に説明した。しかしながら、浸透深さ制御は照明光を偏光させるための唯一の理由ではない。幾つかのタイプの欠陥に対する検知感度は照明光の偏光に依存する。従って、照明光の偏光方向を変化させる能力は重要な要因である場合がある。照明光の偏光は、ここで説明する構成において容易に且つ精密に制御することが可能である。何故ならば、照明光ビームのエテンデューは小さいからである。既存の偏光制御装置を使用することが可能である。照明光の偏光が照明システムを介しての通過期間中に変更されると、このことは測定し且つ補正することが可能である。欠陥及びその周りのパターンが何らの螺旋構造を有するものではない限り、欠陥検知感度を最大化させるために直線偏光以外の偏光が必要とされるものではない。このことは、半導体ウエハ及びレチクルの場合に該当することが判明している。しかしながら、相互に直交する直線偏光が同時的に与えられることが必要である場合には、対角線的直線偏光又は円偏光を使用することが可能である。しかしながら、この場合には、欠陥検知感度が妥協される場合がある。
7). Control of polarization of illumination light Control of the penetration depth of illumination light into a sample by controlling the polarization direction of illumination light has been described previously. However, penetration depth control is not the only reason for polarizing illumination light. The detection sensitivity for some types of defects depends on the polarization of the illumination light. Therefore, the ability to change the polarization direction of the illumination light may be an important factor. The polarization of the illumination light can be easily and precisely controlled in the configuration described here. This is because the etendue of the illumination light beam is small. Existing polarization control devices can be used. If the polarization of the illumination light is changed during the passage through the illumination system, this can be measured and corrected. Unless the defect and the surrounding pattern have any helical structure, no polarization other than linear polarization is required to maximize defect detection sensitivity. This has been found to be the case for semiconductor wafers and reticles. However, it is possible to use diagonally linearly polarized light or circularly polarized light if it is necessary to provide linearly polarized light orthogonal to each other simultaneously. However, in this case, the defect detection sensitivity may be compromised.

8.回収光の偏光制御
信号光の偏光は鏡面成分のものと異なるものである場合がある。高い欠陥検知感度を達成するために、鏡面成分の偏光は、可及的に大きな程度、信号光の偏光と同じものとすべきである。従って、幾つかの実施例においては、鏡面成分の偏光はサンプルと検知器との間の光路において変化される。このことは、鏡面成分のエテンデューが小さいので、容易に且つ精密に行うことが可能である。
8). The polarization of the polarization control signal light of the collected light may be different from that of the specular component. In order to achieve high defect detection sensitivity, the polarization of the specular component should be the same as the polarization of the signal light as much as possible. Thus, in some embodiments, the polarization of the specular component is changed in the optical path between the sample and the detector. This can be done easily and precisely because the etendue of the specular component is small.

図9は、幾つかの実施例に適した偏光回転子(polarization rotator)と結合された位相制御器を示している。図9は、反射コーティング924を具備する下部ウエッジ型ガラスプレート920と、上部可動ウエッジ型ガラスプレート922と、可変鏡面ストップ950とを示している。回転可能なλ/2プレート960が可変ピンホールストップ950の上方に位置されている。入ってくる鏡面光ビーム916はコーティング924によって部分的に反射され、且つビーム912の一部は可動ウエッジ型ガラスプレート922、ストップ950及び回転可能なλ/2プレート960を介して通過する。図9に示した構成の偏光制御可能性は幾分制限されており、即ち、入ってくる鏡面成分の偏光を任意のタイプの偏光へ変換することは不可能である。しかしながら、この構成は入ってくる直線偏光を任意の方向に回転させることが可能である。欠陥及びその周りのパターンが何らの螺旋構造を有するものではない限り、欠陥検知感度を最大化させるためには直線偏光以外の偏光が必要とされるものではない。このことは、半導体ウエハ及びレチクルに対してそうであることが判明している。従って、図9に示した簡単な偏光制御装置はウエハ又はレチクルの欠陥検知のためには適切なものである。   FIG. 9 shows a phase controller combined with a polarization rotator suitable for some embodiments. FIG. 9 shows a lower wedge glass plate 920 with a reflective coating 924, an upper movable wedge glass plate 922, and a variable mirror stop 950. A rotatable λ / 2 plate 960 is positioned above the variable pinhole stop 950. The incoming specular light beam 916 is partially reflected by the coating 924, and a portion of the beam 912 passes through the movable wedge glass plate 922, the stop 950 and the rotatable λ / 2 plate 960. The polarization controllability of the configuration shown in FIG. 9 is somewhat limited, i.e. it is impossible to convert the polarization of the incoming specular component into any type of polarization. However, this configuration can rotate incoming linearly polarized light in any direction. Unless the defect and the surrounding pattern have any helical structure, no polarization other than linear polarization is required to maximize defect detection sensitivity. This has been found to be the case for semiconductor wafers and reticles. Therefore, the simple polarization control apparatus shown in FIG. 9 is suitable for detecting a defect of a wafer or a reticle.

より一般的な偏光制御が必要とされる場合には、図10に示されている多少より複雑な偏光制御器を使用することが可能である。図10は、反射コーティング1024を具備する下部ウエッジ型ガラスプレート1020と、上部可動ウエッジ型ガラスプレート1022と、可変ストップ1050とを示している。回転可能なλ/2プレート1060及び回転可能なλ/4プレート1062が可変ピンホールストップ1050の上方に位置されている。入ってくる鏡面光ビーム1016は部分的にコーティング1024によって反射され、且つビーム1012の一部は可動ウエッジ型ガラスプレート1022、ストップ1050、回転可能なλ/2プレート1060、回転可能なλ/4プレート1062を介して通過する。図10に示した構成はいかなる入ってくる偏光も任意のタイプの偏光へ変換させることが可能である。その動作原理は、R.M.A. Azzam及びN.M. Basharaの「エリプソメトリー及び偏光された光(Ellipsometry and Polarized Light)」、Elsevier Science B.V.、1999年、72〜84頁、に記載されており、それを引用により本書に取り込む。   If more general polarization control is required, it is possible to use a somewhat more complex polarization controller as shown in FIG. FIG. 10 shows a lower wedge glass plate 1020 with a reflective coating 1024, an upper movable wedge glass plate 1022, and a variable stop 1050. A rotatable λ / 2 plate 1060 and a rotatable λ / 4 plate 1062 are positioned above the variable pinhole stop 1050. The incoming specular light beam 1016 is partially reflected by the coating 1024, and a portion of the beam 1012 is a movable wedge glass plate 1022, a stop 1050, a rotatable λ / 2 plate 1060, a rotatable λ / 4 plate. Pass through 1062. The configuration shown in FIG. 10 can convert any incoming polarization to any type of polarization. Its principle of operation is described in RMA Azzam and NM Bashara, “Ellipsometry and Polarized Light”, Elsevier Science BV, 1999, pp. 72-84, which is incorporated herein by reference. Into.

鏡面成分の偏光に対して直交する偏光である散乱成分の部分は鏡面成分と干渉するものではなく、従って、画像のダークフィールド部分に貢献する。幾つかの適用例の場合に、この散乱成分における直交偏光の部分は、画像コントラストを増加させるため又はホトンノイズを減少させるためにフィルタ除去することが可能である。散乱光ビーム内の直交偏光をフィルタ除去することは、適宜のウエーブプレートを散乱成分の光路内に挿入して不所望の偏光成分を直線的に偏光させ、この不所望な成分を直線偏光器で除去し、次いで干渉する鏡面ビームの偏光と一致させるために残りの光を変換させることにより達成することが可能である。   The portion of the scattering component that is polarized perpendicular to the polarization of the specular component does not interfere with the specular component and therefore contributes to the dark field portion of the image. For some applications, the orthogonally polarized portion of this scattered component can be filtered out to increase image contrast or reduce photon noise. Filtering out the orthogonally polarized light in the scattered light beam can be achieved by inserting an appropriate wave plate into the optical path of the scattered component to linearly polarize the undesired polarized component, and the undesired component with a linear polarizer. It can be achieved by removing and then converting the remaining light to match the polarization of the interfering specular beam.

9.振幅減衰
前に説明したように、鏡面成分は欠陥信号を増幅する。鏡面成分が強ければ強いほど、より一層の増幅が行われる。従って、減衰されていない即ち強い鏡面成分は殆どの場合に望ましいものである。注意すべきことであるが、このことは、生の画像において高いコントラストを達成するために鏡面成分がブロックされるか又は厳しく減衰されるかのいずれかである従来の顕微鏡検査法とは反対のことである。しかしながら、強すぎる鏡面成分はイメージセンサーを飽和させる場合がある。イメージセンサーの飽和は、欠陥信号を減少させるばかりではなく、望ましくない態様で欠陥信号に歪を発生させる。換言すると、ダイナミックレンジが鏡面成分によって飽和されると、欠陥信号は、たとえそれが鏡面成分によってできるだけ多く増幅される場合であっても、必要とされる数のグレイレベルをスパンすることは不可能である。この場合に、鏡面成分の幾らかの減衰が、時折、散乱成分を増加させる照明光強度における増加と共に、生の画像のコントラストを向上させるために必要とされる。
9. As described before the amplitude attenuation , the specular component amplifies the defect signal. The stronger the specular component, the more amplification is performed. Thus, an undamped or strong specular component is desirable in most cases. It should be noted that this is the opposite of conventional microscopy where the specular component is either blocked or severely attenuated to achieve high contrast in the raw image. That is. However, specular components that are too strong may saturate the image sensor. Saturation of the image sensor not only reduces the defect signal, but also causes distortion in the defect signal in an undesirable manner. In other words, once the dynamic range is saturated by the specular component, the defect signal cannot span the required number of gray levels, even if it is amplified as much as possible by the specular component. It is. In this case, some attenuation of the specular component is required to improve the contrast of the raw image, sometimes with an increase in illumination light intensity that increases the scattering component.

検知器の飽和を回避するために鏡面アパーチャストップを使用する鏡面成分の減衰は前に説明した。このセクションにおいては、その他の減衰方法を説明する。最も簡単な方法は、何らかの光吸収物質を使用して鏡面成分を吸収するものである。しかしながら、この簡単な減衰方法は、どのような光吸収減衰器にも損傷を与える蓋然性が非常にある鏡面成分の高いパワーに起因するウエハ又はレチクル欠陥検知に対しては適したものではない場合がある。   Attenuation of specular components using specular aperture stops to avoid detector saturation has been described previously. In this section, other attenuation methods are described. The simplest method is to use some light absorbing material to absorb the specular component. However, this simple attenuation method may not be suitable for wafer or reticle defect detection due to the high power of the specular component, which is very likely to damage any optical absorption attenuator. is there.

鏡面成分を減衰させるより適切な方法は、鏡面成分の過剰な部分をセンサー面から離れるように反射させることである。この種類の減衰器は、図2a及び2bに示した如く、位相制御器コンポーネントの内の一つの上に反射性誘電体コーティングを設けることにより容易に構成することが可能である。減衰の量は、図2bに示した如く、各々が異なる反射率を持っている幾つかの異なる反射コーティングを連続して設け且つそれらを移動可能とすることにより変えることが可能である。この種類の減衰器は簡単であり且つ付加的な光学的コンポーネントを必要とするものではない。しかしながら、これらの種類の減衰器は、高度に反射性の表面に起因してゴースト画像を発生する場合がある。   A more appropriate way to attenuate the specular component is to reflect an excess of the specular component away from the sensor surface. This type of attenuator can be easily constructed by providing a reflective dielectric coating on one of the phase controller components, as shown in FIGS. 2a and 2b. The amount of attenuation can be varied by sequentially providing several different reflective coatings, each having a different reflectivity, and making them movable, as shown in FIG. 2b. This type of attenuator is simple and does not require additional optical components. However, these types of attenuators may generate ghost images due to highly reflective surfaces.

この種類の簡単な減衰器では減衰の連続した変化を達成することも困難である。増加した性能のために、連続的に可変の減衰器を使用することが可能である。連続的に可変の減衰器を作成するための一つの方法は、光の偏光特性を使用することである。偏光子を直線偏光されたビームの軸周りに回転させることにより、又は、代替的に、固定した偏光子を介して通過するビームの偏光方向を回転させることにより、連続的に可変の減衰器を構成することが可能であることは良く知られている。図11は偏光用ビームスプリッタを使用する連続的に可変の減衰器の1例を示している。図12は図11に示したタイプの減衰器を使用するシステムの例示的実現例を示している。図13a−13cは、幾つかの実施例に基く、瞳即ちアパーチャストップの近傍におけるシステムの更なる詳細を示している。   It is also difficult to achieve a continuous change in attenuation with this type of simple attenuator. For increased performance, it is possible to use a continuously variable attenuator. One way to create a continuously variable attenuator is to use the polarization properties of light. By rotating the polarizer around the axis of the linearly polarized beam, or alternatively by rotating the polarization direction of the beam passing through the fixed polarizer, the continuously variable attenuator It is well known that it can be configured. FIG. 11 shows an example of a continuously variable attenuator using a polarizing beam splitter. FIG. 12 shows an exemplary implementation of a system using an attenuator of the type shown in FIG. Figures 13a-13c show further details of the system in the vicinity of the pupil or aperture stop, according to some embodiments.

図11を参照すると、偏光されたレーザビーム1116が偏光ビームスプリッタ1164へ入り、それはp偏光した光1110を透過させる一方、s偏光された光1126を反射させる。回転可能なλ/2プレート1162を使用して入ってくる光の偏光方向を制御することにより、偏光ビームスプリッタを介して通過する鏡面成分の量を連続的な態様で制御することが可能である。ビームスプリッタ1164を通過した後に、p偏光した光ビーム1110は可動ウエッジ型ガラスプレート1122及び可変アパーチャストップ1150を前述した如くに通過する。出力側の回転可能なλ/2プレート1160は、存在する光の偏光を任意の方向へ再指向させるために使用することが可能である。この減衰方法は、ウエハ又はレチクルの検査に良く適している。しかしながら、この方法は完全に一般的なものではない。それは直線偏光を操作する場合にうまくいく。より一般的な偏光状態を使用することが必要である場合には、付加的な光学的コンポーネントを減衰器へ付加することが可能である。   Referring to FIG. 11, a polarized laser beam 1116 enters a polarizing beam splitter 1164 that transmits p-polarized light 1110 while reflecting s-polarized light 1126. By controlling the polarization direction of incoming light using a rotatable λ / 2 plate 1162, the amount of specular component passing through the polarizing beam splitter can be controlled in a continuous manner. . After passing through beam splitter 1164, p-polarized light beam 1110 passes through movable wedge glass plate 1122 and variable aperture stop 1150 as described above. The output rotatable λ / 2 plate 1160 can be used to redirect the existing polarization of light in any direction. This attenuation method is well suited for wafer or reticle inspection. However, this method is not entirely common. It works well when manipulating linearly polarized light. If it is necessary to use a more general polarization state, additional optical components can be added to the attenuator.

図14は任意の偏光状態を達成するために使用することが可能なλ/2プレートとλ/4プレートの両方を具備している減衰器の1例を示している。ビーム1416は固定した偏光ビームスプリッタ1464へ入り、それはp偏光された光1410を透過させるが、s偏光された光1426を反射させる。回転可能なλ/4プレート1466及び回転可能なλ/2プレート1462の両方を使用して入ってくる光の偏光方向を制御することにより、該偏光ビームスプリッタを介して通過する鏡面部分の量を連続的な態様で制御することが可能である。固定したビームスプリッタ偏光子1464を通過した後に、p偏光された光1410は可動ウエッジ型ガラスプレート1422及び可変ストップ1450を介して、前述した如くに、通過する。出力側の回転可能なλ/2プレート1460及び回転可能なλ/4プレート1468は存在する光の偏光を任意の状態に再指向させるために使用することが可能である。λ/2プレート及びλ/4プレートの両方を回転させることにより、鏡面成分の任意の種類の偏光を適切な減衰をもって得ることが可能である。   FIG. 14 shows an example of an attenuator with both a λ / 2 plate and a λ / 4 plate that can be used to achieve any polarization state. Beam 1416 enters a fixed polarizing beam splitter 1464 that transmits p-polarized light 1410 but reflects s-polarized light 1426. By using both a rotatable λ / 4 plate 1466 and a rotatable λ / 2 plate 1462 to control the polarization direction of incoming light, the amount of specular portion passing through the polarizing beam splitter can be reduced. It is possible to control in a continuous manner. After passing through the fixed beam splitter polarizer 1464, the p-polarized light 1410 passes through the movable wedge glass plate 1422 and variable stop 1450 as described above. The output rotatable λ / 2 plate 1460 and rotatable λ / 4 plate 1468 can be used to redirect the polarization of the existing light to any state. By rotating both the λ / 2 plate and the λ / 4 plate, it is possible to obtain any kind of polarization of the specular component with appropriate attenuation.

図12を参照すると、干渉欠陥検知システム1200は、可干渉性ビーム1218を発生する照明源1212を包含している。ビーム1218は、図示した如く、サンプル1210の表面へ向けて指向される。サンプル1210はウエハ、レチクル、又はその他の検査中のサンプルとすることが可能である。サンプル1210からの散乱成分はビーム1228によって表されており、且つ鏡面成分はビーム1224によって表されている。レンズシステム1214及び1216を包含する高分解能光学系が、光の散乱成分と鏡面成分との両方を回収し且つそれらをイメージセンサー1240へ指向させる。サブシステム1270は鏡面成分1224の光路内に位置されており且つ位相制御器、可変減衰器、及び図11及び14に関して説明し且つ図示した如き1個又はそれ以上の偏光回転子を包含している。散乱光ビーム1228は補正板1230を介して通過されて鏡面成分と散乱成分との間の光路長差を補正する。ビームダンプ1226が可変減衰器によって減衰された鏡面成分1224の部分を受け付ける。   Referring to FIG. 12, an interference defect detection system 1200 includes an illumination source 1212 that generates a coherent beam 1218. Beam 1218 is directed toward the surface of sample 1210 as shown. Sample 1210 may be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 1210 is represented by beam 1228 and the specular component is represented by beam 1224. High resolution optics, including lens systems 1214 and 1216, collects both the light scattering and specular components and directs them to the image sensor 1240. Subsystem 1270 is located in the optical path of specular component 1224 and includes a phase controller, variable attenuator, and one or more polarization rotators as described and illustrated with respect to FIGS. . The scattered light beam 1228 is passed through the correction plate 1230 to correct the optical path length difference between the specular component and the scattered component. The beam dump 1226 accepts the portion of the specular component 1224 attenuated by the variable attenuator.

図13aを参照すると、補正板1330が幅狭のフーリエフィルタストリップ1350,1352,1354,1356と共に示されている。照明ビーム1318がプリズム1380を使用してサンプル(不図示)へ向けて反射される。サブシステム1370は図示した如くに位置されており且つ位相制御器、可変減衰器、及び図11及び14に関して説明し且つ図示した如く1個又はそれ以上の偏光回転子を包含している。図13b及び13cは、夫々、E−E’線及びF−F’線に沿っての図13aの構成の断面図を示している。図13b及び13cの両方において、補正板1330は開口と共に示されており、該開口内にはサブシステム1370の種々のコンポーネントが配置されている。偏光ビームスプリッタ1364は、p偏光された光を透過させるが、s偏光された光を反射する。回転可能なλ/2プレート1362を使用して入ってくる光の偏光方向を制御することにより、偏光ビームスプリッタを介して通過する鏡面成分の量を連続的な態様で制御することが可能である。P偏光された光は可動ウエッジ型ガラスプレート1322及び可変ストップ1350を介して通過する。出力側の回転可能なλ/2プレート1360は、存在する光の偏光を任意の方向に再指向させるために使用することが可能である。   Referring to FIG. 13a, a correction plate 1330 is shown with narrow Fourier filter strips 1350, 1352, 1354, 1356. Illumination beam 1318 is reflected toward a sample (not shown) using prism 1380. Subsystem 1370 is positioned as shown and includes a phase controller, variable attenuator, and one or more polarization rotators as described and illustrated with respect to FIGS. FIGS. 13b and 13c show cross-sectional views of the configuration of FIG. 13a along lines E-E 'and F-F', respectively. In both FIGS. 13b and 13c, the correction plate 1330 is shown with an aperture in which the various components of the subsystem 1370 are located. Polarization beam splitter 1364 transmits p-polarized light, but reflects s-polarized light. By controlling the polarization direction of incoming light using a rotatable λ / 2 plate 1362, it is possible to control the amount of specular component passing through the polarizing beam splitter in a continuous manner. . P-polarized light passes through the movable wedge glass plate 1322 and the variable stop 1350. The output rotatable λ / 2 plate 1360 can be used to redirect the polarization of existing light in any direction.

10.高入射角度照明
考えられるノイズの一つの発生源は、ウエハにわたっての製造プロセスの変動に起因してウエハ上のプリントしたパターンがダイ毎に多少異なる場合に発生するウエハパターンノイズである。ウエハパターンノイズはウエハ表面内への照明光の浸透深さと共に増加する。従って、ウエハ表面内への照明光の浸透を減少させることが望ましい場合がままある。
10. One possible source of noise with high incidence angle illumination is wafer pattern noise that occurs when the printed pattern on the wafer is slightly different from die to die due to manufacturing process variations across the wafer. Wafer pattern noise increases with the penetration depth of illumination light into the wafer surface. Thus, it remains desirable to reduce the penetration of illumination light into the wafer surface.

深紫外線又は超紫外線等の短い波長の光はそれほどウエハ表面に浸透するものではない。何故ならば、ウエハパターニングのために使用される殆どの物質は、短い波長の光の強い吸収性のために短い波長の光に対して不透明である。しかしながら、可視光線又は近紫外線等の一層長い波長の光は、ウエハ表面を比較的一層深くに浸透することが可能である。何故ならば、これらの波長において殆どの物質による光の吸収性はより低いからである。サンプル表面内への照明光の浸透を減少させる最もポピュラーな方法の内の一つは、s偏光された光で高い入射角度でサンプルを照明することである。注意すべきことであるが、入射角度は光線と表面の法線との間の角度であり、表面それ自身ではない。極めて高い入射角度はすれすれ入射と呼ばれている。   Light having a short wavelength such as deep ultraviolet light or extreme ultraviolet light does not penetrate the wafer surface so much. This is because most materials used for wafer patterning are opaque to short wavelength light due to the strong absorption of short wavelength light. However, longer wavelength light such as visible light or near ultraviolet light can penetrate the wafer surface relatively deeper. This is because light absorption by most substances is lower at these wavelengths. One of the most popular ways to reduce the penetration of illumination light into the sample surface is to illuminate the sample with high incidence angles with s-polarized light. It should be noted that the angle of incidence is the angle between the ray and the surface normal, not the surface itself. The extremely high incident angle is called grazing incidence.

しかしながら、この方法は2,3の欠点を有している。第1に、それはウエハパターンノイズのみならず欠陥信号光の強度を減少させる場合がある。第2に、それは画像面において式(2c)に示した干渉項の空間周波数帯域幅を増加させる場合がある。空間周波数帯域幅の増加は、干渉項を忠実に検知するためには画像のより細かなサンプリングを必要とする。このことは、後のセクションにおいて説明するキャッチオール動作モードの処理能力を減少させる場合がある。   However, this method has a few disadvantages. First, it may reduce the intensity of defect signal light as well as wafer pattern noise. Second, it may increase the spatial frequency bandwidth of the interference term shown in equation (2c) in the image plane. The increase in spatial frequency bandwidth requires finer sampling of the image to detect the interference term faithfully. This may reduce the throughput of the catch-all mode of operation described in later sections.

これらの欠点にも拘らず、幾つかの適用例に対しては、特に利点が欠点よりも一層大きい場合に、ウエハパターンノイズを減少させるために照明光の入射角度を増加させることが望ましい。ここに開示するシステム及び方法は、照明の入射角度に関しては柔軟性がある。該システム及び方法は、低入射角度のみならず、高入射角度を受け付けることが可能である。図15乃至18はこれの例を示している。   Despite these drawbacks, for some applications it is desirable to increase the angle of incidence of the illumination light to reduce wafer pattern noise, especially when the benefits are even greater than the drawbacks. The systems and methods disclosed herein are flexible with respect to the incident angle of illumination. The system and method can accept not only low incident angles but also high incident angles. 15 to 18 show an example of this.

図15は高入射角度照明を有する干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム1500は照明源ビーム1518を包含しており、それは、図示した如くに、サンプル1510の表面へ向けて指向されている。サンプル1510はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル1510からの散乱成分はビーム1528によって表してあり、且つ鏡面成分はビーム1524によって表してある。   FIG. 15 shows an example of an interference defect detection system having high incident angle illumination. The interference defect detection system 1500 includes an illumination source beam 1518 that is directed toward the surface of the sample 1510 as shown. Sample 1510 may be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 1510 is represented by beam 1528 and the specular component is represented by beam 1524.

レンズシステム1514及び1516を包含している高分解能光学系は、光の散乱成分及び鏡面成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー1540へ向けて指向させる。サブシステム1570が鏡面成分1524の光路内に位置されており、且つ図2a及び2bに関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び減衰器を包含している。散乱光ビーム1528は補正板1530を介して通過されて鏡面成分と散乱成分とに対する光路長を等しくさせる。ビームダンプ1526が該減衰器によって拒絶される鏡面成分1524の部分を受け付ける。   High resolution optics, including lens systems 1514 and 1516, collects both the scattered and specular components of the light and directs them towards the image sensor 1540. Subsystem 1570 is located in the optical path of specular component 1524 and includes a phase controller and attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 2a and 2b. Scattered light beam 1528 is passed through correction plate 1530 to equalize the optical path lengths for the specular component and the scattered component. A beam dump 1526 accepts the portion of the specular component 1524 that is rejected by the attenuator.

図16は高入射角度照明及び可変減衰器を有する干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム1600は照明源ビーム1618を包含しており、それは、図示した如くに、サンプル1610の表面へ向けて指向される。サンプル1610はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル1610からの散乱成分はビーム1628によって表してあり、且つ鏡面成分はビーム1624によって表してある。レンズシステム1614及び1616を包含している高分解能光学系は、光の散乱成分及び鏡面成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー1640へ指向させる。サブシステム1670が鏡面成分1624の光路内に位置されており、且つ図9−11及び14に関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び可変減衰器を包含している。散乱光ビーム1628は補正板1630を介して通過されて鏡面成分と散乱成分との光路長を等しくさせる。ビームダンプ1626は可変減衰器によって拒絶される鏡面成分1624の部分を受け付ける。   FIG. 16 shows an example of an interference defect detection system having high incident angle illumination and a variable attenuator. The interference defect detection system 1600 includes an illumination source beam 1618 that is directed toward the surface of the sample 1610 as shown. Sample 1610 may be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 1610 is represented by beam 1628 and the specular component is represented by beam 1624. High resolution optics, including lens systems 1614 and 1616, collect both the scattered and specular components of the light and direct them to the image sensor 1640. Subsystem 1670 is located in the optical path of specular component 1624 and includes a phase controller and variable attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 9-11 and 14. Scattered light beam 1628 is passed through correction plate 1630 to equalize the optical path lengths of the specular component and the scattered component. Beam dump 1626 accepts the portion of specular component 1624 that is rejected by the variable attenuator.

図17は低画像フレア及び高入射角度照明を有する干渉欠陥検知システムの1例を示している。フレアは、サンプルへ向かう途中でレンズ表面によって反射又は散乱される照明光であり、それは検知面上に現れる。干渉欠陥検知システム1700は、照明源ビーム1718を有しており、それは、図示した如く、サンプル1710の表面に向けて指向される。サンプル1710はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル1710からの散乱成分はビーム1728によって表されており、且つ鏡面成分はビーム1724によって表されている。レンズシステム1714及び1716を包含している高分解能光学的イメージングシステムは光の散乱成分と鏡面成分との両方を回収し、且つそれらをイメージセンサー1740へ向けて指向させる。サブシステム1770は鏡面成分1724の光路内に位置されており且つ図2a及び2bに関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び減衰器を包含している。散乱光ビーム1728は補正板1730を介して通過されて鏡面成分及び散乱成分の光路長を等しくさせる。ビームダンプ1726が減衰器により拒絶される鏡面成分1724の部分を受け付ける。   FIG. 17 shows an example of an interference defect detection system with low image flare and high incident angle illumination. Flare is illumination light that is reflected or scattered by the lens surface on its way to the sample, which appears on the sensing surface. The interference defect detection system 1700 includes an illumination source beam 1718 that is directed toward the surface of the sample 1710 as shown. Sample 1710 may be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 1710 is represented by beam 1728 and the specular component is represented by beam 1724. A high resolution optical imaging system that includes lens systems 1714 and 1716 collects both the scattered and specular components of the light and directs them towards the image sensor 1740. Subsystem 1770 is located in the optical path of specular component 1724 and includes a phase controller and attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 2a and 2b. Scattered light beam 1728 is passed through correction plate 1730 to equalize the optical path lengths of the specular component and the scattered component. Beam dump 1726 accepts the portion of specular component 1724 that is rejected by the attenuator.

図18は、幾つかの実施例に基いて、低画像フレア及び高入射角度照明及び可変減衰器を有している干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム1800は照明源ビーム1810を包含しており、それは、図示した如く、サンプル1810の表面へ向けて指向される。サンプル1810はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル1810からの散乱成分はビーム1828によって表してあり、且つ鏡面成分はビーム1824によって表してある。レンズシステム1814及び1816を包含している高分解能光学系は、散乱及び鏡面光成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー1840上に画像形成する。サブシステム1870が鏡面成分1824の光路内に位置されており且つ図9−11及び14に関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び可変減衰器を包含している。散乱光ビーム1828は補正板1830を介して通過されて鏡面成分と散乱成分との光路長を等しくさせる。ビームダンプ1826は、可変減衰器により拒絶される鏡面成分1824の部分を受け付ける。   FIG. 18 illustrates an example of an interference defect detection system having low image flare and high incident angle illumination and a variable attenuator, according to some embodiments. The interference defect detection system 1800 includes an illumination source beam 1810 that is directed toward the surface of the sample 1810 as shown. Sample 1810 may be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 1810 is represented by beam 1828 and the specular component is represented by beam 1824. High resolution optics, including lens systems 1814 and 1816, collect both scattered and specular light components and image them on the image sensor 1840. Subsystem 1870 is positioned in the optical path of specular component 1824 and includes a phase controller and variable attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 9-11 and 14. The scattered light beam 1828 is passed through the correction plate 1830 to make the optical path lengths of the specular component and the scattered component equal. Beam dump 1826 accepts the portion of specular component 1824 that is rejected by the variable attenuator.

図15乃至18に示した如く、瞳面/アパーチャストップのエッジ(端部)へ向けてビーム位置をシフトさせることにより、又は照明光を外部的にサンプル上へ供給することにより、高い入射角度の照明を達成することが可能である。サンプルへの照明光の外部ルーチングはフレア及び迷光を著しく減少させる。位相制御、振幅減衰、及び鏡面成分の偏光制御等の前述した技術の全てを使用することが可能である。   As shown in FIGS. 15 to 18, by shifting the beam position toward the edge of the pupil plane / aperture stop, or by supplying illumination light externally onto the sample, It is possible to achieve illumination. External routing of illumination light to the sample significantly reduces flare and stray light. All of the above-described techniques such as phase control, amplitude attenuation, and polarization control of specular components can be used.

11.照明光の方位方向回転
欠陥検知感度は、通常、照明光の入射の極角度(polar angle)のみならず方位角(azimuthal angle)にも依存する。方位角は、サンプル上のパターンと、該サンプル上への入射ビームの垂直投影(normal projection)との間の角度として定義される。幾つかの適用例に対して欠陥検知感度を最大化させるために、最適角度を見つけることが可能であるように照明方位角を変化させることが望ましい。実際的な方位角をカバーする効果的な方法は、サンプルの共役位置に回転可能なプリズム又はミラーを設置することである。このスキームを図19乃至22に示してある。図19及び20の形態はより柔軟性があるが、その理由は照明系と回収系とがレンズシステムの高パワー部分のみを共用しているからである。
11. The azimuth rotation defect detection sensitivity of illumination light usually depends not only on the polar angle of the illumination light incident but also on the azimuthal angle. An azimuth angle is defined as the angle between the pattern on the sample and the normal projection of the incident beam onto the sample. In order to maximize defect detection sensitivity for some applications, it is desirable to change the illumination azimuth so that the optimum angle can be found. An effective way to cover practical azimuths is to place a rotatable prism or mirror at the conjugate position of the sample. This scheme is shown in FIGS. 19 and 20 are more flexible because the illumination system and the collection system share only the high power portion of the lens system.

図19は方位方向に回転可能な高入射角度照明を有している干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム1900は照明源ビーム1918を有しており、それはミラー又はプリズムのような回転可能で且つ傾斜可能な表面1920へ向けて指向される。反射ビームがレンズシステム1912及び1916を介して通過し且つ、図示した如く、サンプル1910の表面へ向けて指向される。サンプル1910はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル1910からの散乱成分はビーム1928で表してあり、且つ鏡面成分はビーム1924で表してある。   FIG. 19 shows an example of an interference defect detection system having high incidence angle illumination that can rotate in the azimuth direction. The interference defect detection system 1900 includes an illumination source beam 1918 that is directed toward a rotatable and tiltable surface 1920 such as a mirror or prism. The reflected beam passes through lens systems 1912 and 1916 and is directed toward the surface of sample 1910 as shown. Sample 1910 can be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 1910 is represented by beam 1928 and the specular component is represented by beam 1924.

レンズシステム1914及び1916及びビームスプリッタ1972を包含している高分解能光学系が光の散乱成分と鏡面成分との両方を回収し且つそれらをイメージセンサー1940へ向けて指向させる。サブシステム1970が鏡面成分1924の光路内に位置されており且つ図2a及び2bに関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び減衰器を包含している。散乱光ビーム1928が補正板1930を介して通過されて鏡面成分と散乱成分との光路長差を補正する。ビームダンプ1926は、減衰器によって拒絶される鏡面成分1924の部分を受け付ける。サブシステム1970は、瞳の周辺周りを該ビームに追従するためにミラー1920の回転と共に移動せねばならない。表面1972上において50/50ビームスプリッタが使用される場合には、このスキームの光学的効率は、該ビームスプリッタを介しての透過及び反射のために、25%を越えるものではない。偏光ビームスプリッタが表面1972に対して使用され且つ四分の一波長板がビームスプリッタとサンプルとの間の照明経路中に使用される場合には、一層高い効率が可能である。   A high resolution optical system including lens systems 1914 and 1916 and beam splitter 1972 collects both the scattered and specular components of the light and directs them towards the image sensor 1940. Subsystem 1970 is located in the optical path of specular component 1924 and includes a phase controller and attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 2a and 2b. The scattered light beam 1928 is passed through the correction plate 1930 to correct the optical path length difference between the specular component and the scattered component. Beam dump 1926 accepts the portion of specular component 1924 that is rejected by the attenuator. Subsystem 1970 must move with the rotation of mirror 1920 to follow the beam around the periphery of the pupil. If a 50/50 beam splitter is used on the surface 1972, the optical efficiency of this scheme will not exceed 25% due to transmission and reflection through the beam splitter. Higher efficiency is possible if a polarizing beam splitter is used for the surface 1972 and a quarter wave plate is used in the illumination path between the beam splitter and the sample.

図20は、方位方向に回転可能な高入射角度照明を有しており且つ適用例を見つける場合のある鏡面成分用の可変減衰器を有している干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム2000は照明源ビーム2018を包含しており、それはミラー又はプリズム等の回転可能な表面2020へ向けて指向されている。反射ビームがレンズシステム2012及び2016を介して通過し且つ、図示した如く、サンプル2010の表面へ向けて指向されている。サンプル2010はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル2010からの散乱成分はビーム2028によって表してあり、且つ鏡面成分はビーム2024によって表してある。レンズシステム2014及び2016及びビームスプリッタ2072を包含している高分解能光学系は、サンプルからの散乱成分と鏡面成分との両方を回収し且つそれらをイメージセンサー2040へ向けて指向させる。鏡面成分2024の光路内に位置されているサブシステム2070は、図9−11及び14に関して説明し且つ図示されているような位相制御器及び減衰器を包含している。サブシステム2070は、瞳周辺部周りにビームを追従するためにミラー2020の回転と共に移動すべきである。散乱光ビーム2028は補正板2030を介して通過されて鏡面成分及び散乱成分に対する光路長を等しくさせる。ビームダンプ2026が可変減衰器によって減衰される鏡面成分2024の部分を受け付ける。   FIG. 20 shows an example of an interference defect detection system having a high attenuating angle illumination rotatable in the azimuth direction and having a variable attenuator for specular components that may find applications. . Interference defect detection system 2000 includes an illumination source beam 2018 that is directed toward a rotatable surface 2020, such as a mirror or prism. The reflected beam passes through lens systems 2012 and 2016 and is directed toward the surface of sample 2010 as shown. The sample 2010 can be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 2010 is represented by beam 2028 and the specular component is represented by beam 2024. High resolution optics including lens systems 2014 and 2016 and beam splitter 2072 collect both the scattered and specular components from the sample and direct them towards the image sensor 2040. Subsystem 2070 located in the optical path of specular component 2024 includes a phase controller and attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 9-11 and 14. Subsystem 2070 should move with the rotation of mirror 2020 to follow the beam around the pupil periphery. The scattered light beam 2028 is passed through the correction plate 2030 to equalize the optical path lengths for the specular component and the scattered component. The beam dump 2026 receives the portion of the specular component 2024 that is attenuated by the variable attenuator.

幾つかの適用例の場合に、特に大きなエテンデューのシステムにおいて、ビームスプリッタに対してレンズシステムの中間部には殆ど使用可能な空間が存在しない場合がある。この場合には、該ビームスプリッタを、より多くの空間が使用可能な箇所に位置させたビームスプリッタ又はミラーで置換させることが可能である。図21及び22は可能な形態を示している。図21は、方位方向に回転可能であり、高入射角度の照明を有する干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム2100は照明源ビーム2118を包含しており、それはミラー又はプリズム等の回転可能であり且つ傾斜可能な表面2120へ向けて指向されている。その反射ビームは、図示した如く、サンプル2110の表面へ向けて指向されている。サンプル2110はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル2110からの散乱成分はビーム2118で表してあり、且つ散乱成分はビーム2124で表してある。レンズシステム2114及び2116及びビームスプリッタ2172を包含している高分解能光学系が光の散乱成分及び鏡面成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー2140へ指向させる。サブシステム2170が鏡面成分2124の光路内に位置されており且つ図2a及び2bに関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び減衰器を包含している。サブシステム2170は、瞳の周辺部周りにビームを追従するために、ミラー2120の回転と共に移動すべきである。散乱光ビーム2128は補正板2130を介して通過されて鏡面成分及び散乱成分の光路長を等しくさせる。ビームダンプ2126が該減衰器によって拒絶された鏡面成分2124の部分を受け付ける。   For some applications, particularly in large etendue systems, there may be little usable space in the middle of the lens system relative to the beam splitter. In this case, the beam splitter can be replaced with a beam splitter or a mirror located at a place where more space can be used. 21 and 22 show possible configurations. FIG. 21 shows an example of an interference defect detection system that can rotate in the azimuth direction and has illumination at a high incidence angle. Interference defect detection system 2100 includes an illumination source beam 2118 that is directed towards a rotatable and tiltable surface 2120 such as a mirror or prism. The reflected beam is directed toward the surface of the sample 2110 as shown. Sample 2110 can be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 2110 is represented by beam 2118 and the scattered component is represented by beam 2124. High resolution optics, including lens systems 2114 and 2116 and beam splitter 2172, collects both the scattered and specular components of the light and directs them to the image sensor 2140. Subsystem 2170 is positioned in the optical path of specular component 2124 and includes a phase controller and attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 2a and 2b. Subsystem 2170 should move with the rotation of mirror 2120 to follow the beam around the periphery of the pupil. The scattered light beam 2128 is passed through the correction plate 2130 to make the optical path lengths of the specular component and the scattered component equal. A beam dump 2126 accepts the portion of the specular component 2124 that was rejected by the attenuator.

図22は、方位方向に回転可能な高入射角度照明を有しており幾つかの適用例に対して適切である場合がある鏡面成分用の可変減衰器を有している干渉欠陥検知システムの1例を示している。干渉欠陥検知システム2200は照明源ビーム2218を包含しており、それはミラー又はプリズム等の回転可能で傾斜可能な表面2220へ向けて指向されている。その反射ビームは、図示した如く、サンプル2210の表面へ向けて指向されている。サンプル2210はウエハ、レチクル、又は検査中のその他のサンプルとすることが可能である。サンプル2210からの散乱成分はビーム2228で表してあり、且つ鏡面成分はビーム2224で表してある。   FIG. 22 illustrates an interference defect detection system having a variable attenuator for specular components that has a high incidence angle illumination that is rotatable in an azimuth direction and may be appropriate for some applications. An example is shown. The interference defect detection system 2200 includes an illumination source beam 2218 that is directed toward a rotatable and tiltable surface 2220 such as a mirror or prism. The reflected beam is directed toward the surface of the sample 2210 as shown. Sample 2210 can be a wafer, reticle, or other sample under inspection. The scattered component from sample 2210 is represented by beam 2228 and the specular component is represented by beam 2224.

レンズシステム2214及び216及びミラー2272を包含している高分解能光学系が光の散乱成分及び鏡面成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー2240へ向けて指向させる。鏡面成分2224の光路内に位置されているサブシステム2270は図9−11及び14に関して説明し且つ図示した如き位相制御器及び可変減衰器を包含している。サブシステム2270は、瞳の周辺部周りにビームを追従するためにミラー2220の回転と共に移動すべきである。散乱光ビーム2228は補正板2230を介して通過されて鏡面成分及び散乱成分の光路長を等しくさせる。ビームダンプ2226が可変減衰器によって減衰される鏡面成分2224の部分を受け付ける。   A high resolution optical system including lens systems 2214 and 216 and mirror 2272 collects both the scattered and specular components of the light and directs them towards image sensor 2240. Subsystem 2270 located in the optical path of specular component 2224 includes a phase controller and variable attenuator as described and illustrated with respect to FIGS. 9-11 and 14. Subsystem 2270 should move with the rotation of mirror 2220 to follow the beam around the periphery of the pupil. The scattered light beam 2228 is passed through the correction plate 2230 to equalize the optical path lengths of the specular component and the scattered component. The beam dump 2226 receives the portion of the specular component 2224 that is attenuated by the variable attenuator.

サンプルの仮想共役焦点面に位置されているプリズム又はミラーを回転させることにより、原理的には、照明ビームの方位角を360度回転させることが可能である。しかしながら、照明光による360度の方位回転可能性は、他の機械的部品又は光学的部品との機械的衝突のために実際に達成することはむしろ困難である。幾つかの実施例において、照明光の180°の方位回転(azimuthal rotation)を使用することが可能である。これらの場合には、サンプルに対する照明光の方位回転の360度のカバレッジは、サンプルを180°回転させることによって達成される。サンプルの180度の回転は、通常、問題を発生するものではない。何故ならば、ウエハ又はレチクル上のパターンは大部分が0°−180°又は90°−270°方向に配向されているからである。照明ビームの方位回転は、それが偏光制御と結合された場合には、欠陥検知感度を増加させる上で非常に効果的である場合がある。照明の偏光制御は、照明光の方位回転と機械的に結合されることを必要とするものではない。従って、これらの二つの制御は困難性無く独立的に実施することが可能である。注意すべきことであるが、照明ビームの方位方向が変化された場合には、鏡面成分の光路内の位相制御器も照明ビーム光路に追従するためにレンズ軸周りに回転されるべきである。   In principle, it is possible to rotate the azimuth angle of the illumination beam by 360 degrees by rotating the prism or mirror located in the virtual conjugate focal plane of the sample. However, 360 degree azimuthal possibilities with illumination light are rather difficult to achieve in practice due to mechanical collisions with other mechanical or optical components. In some embodiments, a 180 ° azimuthal rotation of the illumination light can be used. In these cases, 360 degree coverage of the azimuth rotation of the illumination light with respect to the sample is achieved by rotating the sample by 180 °. A 180 degree rotation of the sample is usually not a problem. This is because the pattern on the wafer or reticle is mostly oriented in the 0 ° -180 ° or 90 ° -270 ° direction. The azimuthal rotation of the illumination beam can be very effective in increasing defect detection sensitivity when it is combined with polarization control. The polarization control of the illumination does not need to be mechanically coupled to the azimuth rotation of the illumination light. Therefore, these two controls can be performed independently without difficulty. It should be noted that when the azimuth direction of the illumination beam is changed, the phase controller in the optical path of the specular component should also be rotated around the lens axis to follow the illumination beam path.

12.透過的形態(Transmissive Configuration)
レチクル及び生物的組織等の幾つかのサンプルは反射性であるよりも一層透過性である場合がある。透過性サンプルを検査するために、本システムは透過性モードの形態とすることが可能である。
12 Transmissive configuration
Some samples, such as reticles and biological tissues, may be more transmissive than reflective. In order to inspect a permeable sample, the system can be in the form of a permeable mode.

図23は透過性サンプルを介して照明を通過させるべく構成されている干渉欠陥検知システムの1例を示している。前に説明した実施例からの唯一の顕著な差異は照明光路である。   FIG. 23 illustrates an example of an interference defect detection system configured to pass illumination through a transmissive sample. The only significant difference from the previously described embodiment is the illumination path.

その他の側面は同じままである。干渉欠陥検知システム2300は可干渉性ビーム2318を発生する照明源を包含している。ビーム2318は、図示した如く、透過性サンプル2310へ向けて指向されている。サンプル2310は、例えば、レチクル又は検査中のその他の生物的サンプルとすることが可能である。サンプル2310からの散乱成分はビーム2328で表してあり、且つ鏡面成分はビーム2324で表してある。   Other aspects remain the same. The interference defect detection system 2300 includes an illumination source that generates a coherent beam 2318. Beam 2318 is directed toward transmissive sample 2310 as shown. Sample 2310 can be, for example, a reticle or other biological sample under test. The scattered component from sample 2310 is represented by beam 2328 and the specular component is represented by beam 2324.

レンズシステム2314及び2316を包含している高分解能光学系は光の散乱成分及び鏡面成分の両方を回収し且つそれらをイメージセンサー2340へ向けて指向させる。サブシステム2370が鏡面成分2324の光路内に位置されており且つ図2a−b、9−11及び14に関して説明し且つ図示した如き位相制御器、減衰器、及び/又は1個又はそれ以上の偏光制御器を包含することが可能である。散乱光ビーム2328が補正板2330を介して通過されて鏡面成分と散乱成分との光路長を等しくさせる。ビームダンプ2326が可変減衰器によって拒絶される鏡面成分2324の部分を受け付ける。   High resolution optics, including lens systems 2314 and 2316, collect both the scattered and specular components of the light and direct them towards the image sensor 2340. A subsystem 2370 is located in the optical path of the specular component 2324 and the phase controller, attenuator, and / or one or more polarizations as described and illustrated with respect to FIGS. 2a-b, 9-11 and 14 A controller can be included. Scattered light beam 2328 is passed through correction plate 2330 to equalize the optical path lengths of the specular component and the scattered component. Beam dump 2326 accepts the portion of specular component 2324 that is rejected by the variable attenuator.

殆どのレチクルは透過性で且つ反射性の両方である。しかしながら、レチクルは通常透過性モードで使用される。この場合には、レチクルの反射ではなく透過が最終的な関心事である。従来のレチクル検査ツールと異なり、レチクル上の1点の複素透過係数を多数の異なる位相シフトを使用して透過した光の強度を測定することによって決定することが可能である。従って、ここで説明する透過性形態は、レチクル、特に位相シフトレチクルの検査に対して性能及びコストの点において非常に効果的に使用することが可能である。   Most reticles are both transmissive and reflective. However, reticles are usually used in transmissive mode. In this case, transmission, not reticle reflection, is the ultimate concern. Unlike conventional reticle inspection tools, a point of complex transmission coefficient on a reticle can be determined by measuring the intensity of transmitted light using a number of different phase shifts. Thus, the transmissive form described herein can be used very effectively in terms of performance and cost for inspection of reticles, particularly phase shift reticles.

13.デュアルモード形態
幾つかのサンプルは反射性で且つ透過性の両方の場合がある。良い例はレチクルである。この種類のサンプルをより完全な態様で検査するために、本システムは反射モードと透過モードの両方を同時に組み込むことが可能である。
13. Dual mode form Some samples may be both reflective and transmissive. A good example is a reticle. In order to examine this type of sample in a more complete manner, the system can incorporate both reflection and transmission modes simultaneously.

この種類のシステムの例示的形態を図24に示してある。システム2400は反射性検査サブシステム2042a及び透過性検査サブシステム2042bを包含している。単一の供給源ビーム2418が例えばレチクルであるサンプル2410へ向けて指向されている。反射光ビーム及び透過光ビームが2個の別個のイメージセンサー2440a及び2440bによって同時的に検知される。位相制御及び減衰が各夫々のサブシステム2470a及び2470bを介して達成される。ここで前に説明したものと作動原理は異なるものではない。相対的位相、鏡面振幅、方位回転及び偏光の前述した制御を実施することが可能である。   An exemplary form of this type of system is shown in FIG. System 2400 includes a reflectance inspection subsystem 2042a and a transmission inspection subsystem 2042b. A single source beam 2418 is directed towards a sample 2410, for example a reticle. The reflected and transmitted light beams are detected simultaneously by two separate image sensors 2440a and 2440b. Phase control and attenuation is achieved through each respective subsystem 2470a and 2470b. The operating principle is not different from that previously described here. It is possible to implement the above-described control of relative phase, specular amplitude, azimuthal rotation and polarization.

レチクル検査の場合には、ダイ毎の画像減算技術は通常使用することは不可能である。この場合には、欠陥の無いレチクルの参照画像をレチクルパターンを形成するために使用されるレチクルデータから発生することが可能である。これは通常コンピュータによって行われる重たい計算作業である。次いで、欠陥を検知するために、実際のレチクルの画像を欠陥の無いレチクルのコンピュータが発生した画像と比較する。高速のデータ処理を容易化させるために、欠陥の無いレチクルの画像は非常に迅速に発生されねばならない。レーザのような完全に可干渉性の照明源はレチクル画像構成に必要とされる計算量を最小とさせ、従って最小の計算資源で高速の画像構成を可能とさせる。   In the case of reticle inspection, die-by-die image subtraction techniques are usually not possible. In this case, a defect-free reference image of the reticle can be generated from the reticle data used to form the reticle pattern. This is a heavy computational work usually done by a computer. The actual reticle image is then compared with an image generated by a defect-free reticle computer to detect defects. In order to facilitate high-speed data processing, a defect-free reticle image must be generated very quickly. A fully coherent illumination source, such as a laser, minimizes the amount of computation required for reticle image construction, thus enabling high speed image construction with minimal computational resources.

14.マルチ波長形態
通常、より短い波長は一層高い欠陥検知感度を与える。しかしながら、幾つかの欠陥の検知感度はこの一般的な規則に従うものではない。従って、幾つかの適用例の場合には、一層効果的に多様な欠陥を検知するために複数の波長を使用する場合がある。複数の波長は逐次的動作形態か又は同時的動作形態かのいずれかで費用効果的に実施することが可能である。
14 Multi-wavelength configurations Usually shorter wavelengths give higher defect detection sensitivity. However, the detection sensitivity of some defects does not follow this general rule. Thus, for some applications, multiple wavelengths may be used to detect various defects more effectively. Multiple wavelengths can be implemented cost-effectively in either sequential or simultaneous mode of operation.

逐次的複数波長
この形態においては、単に1個のイメージセンサーを使用する場合があり、且つ欠陥を検知するために一度に一つの波長を使用する場合がある。ハードウエハは一層簡単であるが、同時的複数波長動作用の形態と比較して動作にはより時間がかかる。連続的可変位相制御器は異なる波長を受け入れるために修正することは必要ではないが、振幅減衰及び偏光制御用のウエーブプレートは異なる波長を取り扱うために修正すべきである。
Sequential multiple wavelengths In this configuration, only one image sensor may be used, and one wavelength may be used at a time to detect defects. Hard wafers are simpler, but take longer to operate compared to the configuration for simultaneous multiple wavelength operation. The continuous variable phase controller need not be modified to accept different wavelengths, but the wave plate for amplitude attenuation and polarization control should be modified to handle different wavelengths.

図25乃至27はλ/2プレートを変える幾つかの可能な手段を示している。図25は、各々が異なる検査波長に対してのものである2個のλ/2ウエーブプレートを保持する回転体2510の1例を示している。図26は各々が異なる波長に対して最適な3個のλ/2ウエーブプレートを保持する回転体2610の1例を示している。図27は4個の異なる波長に対する4個のλ/2ウエーブプレートを保持している回転体2710の1例を示している。図25−27に示したものと類似する修正をλ/4プレートに対して適用することが可能である。波長がスイッチされると、ウエーブプレートがそれに従ってスイッチされる。ウエーブプレートスイッチングは適宜の量だけウエーブプレート回転体を回転させることにより達成される。ウエーブプレートは全ての可能な振幅減衰及び偏光状態をカバーするために最大90°だけ回転される。従って、図27に示した如く、単一のマウントにおいて、4つの異なる波長に対して最大で4個のウエーブプレートをパッケージ化させることが可能である。ビーム寸法が各ウエーブプレートの面積と比較して非常に小さいものではない場合には、図25及び26に示したように、単一のマウントにおいて2個又は3個のプレートとすることがより実際的である。   Figures 25 to 27 show some possible means of changing the λ / 2 plate. FIG. 25 shows an example of a rotating body 2510 that holds two λ / 2 wave plates, each for a different inspection wavelength. FIG. 26 shows an example of a rotating body 2610 that holds three λ / 2 wave plates, each optimal for different wavelengths. FIG. 27 shows an example of a rotating body 2710 holding four λ / 2 wave plates for four different wavelengths. A modification similar to that shown in FIGS. 25-27 can be applied to the λ / 4 plate. When the wavelength is switched, the wave plate is switched accordingly. Wave plate switching is achieved by rotating the wave plate rotating body by an appropriate amount. The wave plate is rotated by a maximum of 90 ° to cover all possible amplitude attenuation and polarization states. Thus, as shown in FIG. 27, it is possible to package up to four wave plates for four different wavelengths in a single mount. If the beam size is not very small compared to the area of each wave plate, it is more practical to have two or three plates in a single mount as shown in FIGS. Is.

同時的複数波長
波長スプリッタと各波長に対して別個のイメージセンサーとを付加することにより複数の波長を同時的に使用することが可能である。図28は2つの波長に対する例示的なシステム形態を示している。サンプル2810を検査するためのシステム2800は、2つの異なる波長を持っている2つの別々の照明源ビーム2818a及び2818bを使用している。これら2つの波長は結合され且つダイクロイック波長スプリッタ2872によって分離される。これら2つの波長は回収光学系2816の同一のフロントエンドを共用しており、それは、通常、全光学系の中で最も重要で且つ最も高価な部品である。回収光学系2816のフロントエンドを共有することにより、本システムは単純化のみならず安定性も達成している。バックエンドレンズコンポーネント2812及び2814は、通常、低光学パワーのものであり、従ってより廉価であり、それらは位相制御、倍率調節、及びセンサー選択において最大の柔軟性を与えるために別々とされている。サブシステム2870a及び2870bは、図2a−b,9−11,14に関して説明し且つ図示した如き位相及び減衰を制御するために使用される。
Multiple wavelengths can be used simultaneously by adding a simultaneous multiple wavelength wavelength splitter and a separate image sensor for each wavelength. FIG. 28 shows an exemplary system configuration for two wavelengths. System 2800 for inspecting sample 2810 uses two separate illumination source beams 2818a and 2818b having two different wavelengths. These two wavelengths are combined and separated by a dichroic wavelength splitter 2872. These two wavelengths share the same front end of collection optics 2816, which is usually the most important and most expensive component of all optics. By sharing the front end of the collection optics 2816, the system achieves not only simplification but also stability. Back-end lens components 2812 and 2814 are typically of low optical power and are therefore less expensive and they are separated to provide maximum flexibility in phase control, magnification adjustment, and sensor selection. . Subsystems 2870a and 2870b are used to control phase and attenuation as described and illustrated with respect to FIGS. 2a-b, 9-11, and 14.

各波長は、又、それ自身の補正板2830a及び2830b、及びイメージセンサー2840a及び2840bを使用する。幾つかの実施例においては、266nm及び532nmの波長が使用される。これら2つの波長を発生する技術は熟知されており、且つ単一レーザシステムが両方の波長を与えることが可能であり、従ってコストを低減させる。注意すべきことであるが、193nm、真空紫外線、超紫外線等のより短い波長は一層高い感度を得るために使用することが可能である。しかしながら、より短い波長は取り扱いが一層困難である。幾つかの実施例においては、バックエンド光路内に更なる波長スプリッタを付加させることによって2個を越える波長を実現している。   Each wavelength also uses its own corrector plates 2830a and 2830b and image sensors 2840a and 2840b. In some embodiments, wavelengths of 266 nm and 532 nm are used. Techniques for generating these two wavelengths are well known and a single laser system can provide both wavelengths, thus reducing costs. It should be noted that shorter wavelengths such as 193 nm, vacuum ultraviolet light, extreme ultraviolet light, etc. can be used to obtain higher sensitivity. However, shorter wavelengths are more difficult to handle. In some embodiments, more than two wavelengths are achieved by adding additional wavelength splitters in the back-end optical path.

波長スプリッタを除去し且つイメージセンサーを節約するために、全ての位相制御器を互いに隣り合わせて同一の瞳面内に位置させることが可能であるように物を整理することも可能である。しかしながら、この様な形態は機械的設計を一層困難なものとさせ且つ瞳オブスキュレーション(pupil obscuration)を増加させる。更に、本システムは、複数の波長または広帯域照明が同じ位相制御器を共用するような形態とさせることが可能である。この様な形態は位相制御器の数を節約するが位相の精密な制御を困難なものとさせる。   In order to eliminate the wavelength splitter and save the image sensor, it is also possible to organize the objects so that all the phase controllers can be located next to each other and in the same pupil plane. However, such a configuration makes mechanical design more difficult and increases pupil obscuration. Furthermore, the system can be configured such that multiple wavelengths or broadband illumination share the same phase controller. Such a configuration saves the number of phase controllers but makes precise control of the phase difficult.

15.分散光源
前述した如く、多くの適用例に対して、非常に可干渉性のビームを発生する単一空間モードレーザが好適な光源である。しかしながら、幾つかの実施例においては、単一モードレーザ以外の光源を使用することも可能である。例えば、アークランプ等の分散光源を図29乃至31に示したように使用することが可能である。分散光源は、ここでは、そのエテンデューがその波長の平方よりも一層大きな非可干渉性光源として定義している。
15. Dispersed light source As noted above, a single spatial mode laser that generates a highly coherent beam is the preferred light source for many applications. However, in some embodiments, light sources other than single mode lasers may be used. For example, a distributed light source such as an arc lamp can be used as shown in FIGS. A distributed light source is defined herein as a non-coherent light source whose etendue is greater than the square of its wavelength.

図29は低入射角度照明システムを有しており且つ分散光源を使用している干渉欠陥検知システムの1例を示している。入ってくる照明ビーム2918はビームスプリッタ2972を使用してサンプル2910へ向けて指向されている。鏡面反射成分はビーム2924によって表されており、且つ図2a−2b,9−11,14に関して説明し且つ図示したサブシステムのいずれかに類似している位相制御器及び減衰器2970を介して通過する。散乱成分はビーム2928によって表してあり、補正板2930を介して通過する。フロントエンド光学系2916及びバックエンド光学系2914がサンプルからの光を回収し且つイメージセンサー2940へ向けて指向させる。   FIG. 29 shows an example of an interference defect detection system having a low incident angle illumination system and using a distributed light source. Incoming illumination beam 2918 is directed toward sample 2910 using beam splitter 2972. The specular component is represented by beam 2924 and passes through a phase controller and attenuator 2970 similar to any of the subsystems described and illustrated with respect to FIGS. 2a-2b, 9-11,14. To do. The scattered component is represented by beam 2928 and passes through correction plate 2930. Front-end optics 2916 and back-end optics 2914 collect light from the sample and direct it toward the image sensor 2940.

図30は発散光源を具備する高入射角度照明を有する干渉欠陥検知システムの1例を示している。入ってくる光ビーム3018はビームスプリッタ3072を使用してサンプル3010へ向けて指向される。鏡面反射成分はビーム3024によって表されており、それは図2a−2b,9−11,14に関して説明し且つ図示したサブシステムの内のいずれかに類似する位相制御器及び減衰器3070を介して通過する。ビーム3028によって表されている散乱成分は補正板3030を介して通過する。フロントエンド光学系3016及びバックエンド光学系3014はその光を回収し且つそれをイメージセンサー304へ向けて指向させる。   FIG. 30 shows an example of an interference defect detection system having a high incidence angle illumination with a divergent light source. Incoming light beam 3018 is directed toward sample 3010 using beam splitter 3072. The specular component is represented by beam 3024, which passes through a phase controller and attenuator 3070 similar to any of the subsystems described and illustrated with respect to FIGS. 2a-2b, 9-11, and 14. To do. The scattered component represented by beam 3028 passes through correction plate 3030. Front-end optical system 3016 and back-end optical system 3014 collect the light and direct it toward image sensor 304.

図31は発散光源を具備する高入射角度照明及び散乱光の光路内における位相制御を有している干渉欠陥検知システムの1例を示している。入ってくる照明ビーム3118はビームスプリッタ3172を使用してサンプル3110へ向けて指向されている。鏡面反射成分はビーム3124によって表されており且つ補正板3130を介して通過する。ビーム3128によって表されている散乱成分は、図2a−2b,9−11,14に関して説明し且つ図示したサブシステムの内のいずれかに類似する位相制御器及び減衰器3170を介して通過する。フロントエンド光学系3116及びバックエンド光学系3114はその光を回収し且つイメージセンサー3140へ向けて指向させる。   FIG. 31 shows an example of an interference defect detection system having high incident angle illumination with a diverging light source and phase control in the optical path of scattered light. Incoming illumination beam 3118 is directed toward sample 3110 using beam splitter 3172. The specular component is represented by beam 3124 and passes through correction plate 3130. The scattered component represented by beam 3128 passes through a phase controller and attenuator 3170 similar to any of the subsystems described and illustrated with respect to FIGS. 2a-2b, 9-11, and 14. Front-end optical system 3116 and back-end optical system 3114 collect the light and direct it toward image sensor 3140.

発散光源は、イメージングシステムレンズコンポーネントの一層広い区域にわたり光エネルギを一様に分散させる利点を有している。このことは、照明ビーム又は鏡面ビーム成分の高いパワー密度によるレンズ損傷の可能性を減少させる。しかしながら、発散光源に関連する欠点が存在している。例えば、散乱成分から鏡面成分を空間的に分離させることが困難である。散乱成分の幾らかの部分は不可避的に瞳面においてさえも鏡面成分とオーバーラップする。このことは、散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相の精密な制御を困難なものとさせる。位相制御における不精密性は、通常、一層拙い性能となる。別の欠点は、信号光の回収効率が、増加された瞳オブスキュレーションのために、減少される傾向となることである。又、通常、瞳面におけるブロッキングストリップの比較的大きな足跡(footprint)のために、発散光源でのパターンノイズに対する判別を行うためにフーリエフィルタを実現することが一層困難である。   A divergent light source has the advantage of distributing light energy uniformly over a wider area of the imaging system lens component. This reduces the possibility of lens damage due to the high power density of the illumination beam or specular beam component. However, there are drawbacks associated with divergent light sources. For example, it is difficult to spatially separate the specular component from the scattered component. Some part of the scattered component inevitably overlaps with the specular component even in the pupil plane. This makes it difficult to precisely control the relative phase between the scattering component and the specular component. Inaccuracies in phase control usually result in even worse performance. Another disadvantage is that the signal light recovery efficiency tends to be reduced due to increased pupil obscuration. Also, due to the relatively large footprint of the blocking strip at the pupil plane, it is more difficult to implement a Fourier filter to make a discrimination against pattern noise at a divergent light source.

III.動作モード
ここで説明するシステムは、多くの異なる態様で動作させることが可能である。幾つかの異なる動作モードに関する更なる詳細について説明する。
III. Modes of Operation The systems described herein can be operated in many different ways. Further details regarding several different modes of operation are described.

1.高感度モード
このモードは、特定のタイプの欠陥、特にチップ製造歩留まりに悪影響を与える場合のある種類の欠陥、をターゲットとしている。散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相は、通常、欠陥信号を最大とさせるために設定される。しかしながら、該相対的位相は、ウエハパターンノイズを最小とするか又は欠陥信号の信号対雑音比を最大とするために設定することも可能である。殆どの場合において、これらは互いに均等である。
1. High Sensitivity Mode This mode targets specific types of defects, particularly types of defects that can adversely affect chip manufacturing yield. The relative phase between the scattering component and the specular component is usually set to maximize the defect signal. However, the relative phase can also be set to minimize wafer pattern noise or maximize the signal-to-noise ratio of the defect signal. In most cases, they are equivalent to each other.

前述した如く、信号対雑音比は、鏡面成分による信号のノイズレス増幅を介して内在的な信号対雑音比の最大で2倍まで増加させることが可能である。前に示した如く、ノイズレス増幅は、弱い欠陥信号の検知にとって重要である。欠陥及び周囲の回路パターンの詳細な物理的特性が不明である場合には、所望の又は理想的な相対的位相値を実験的に決定することが可能である。例えば、最適な位相値を実験的に決定するために、次のセクションにおいて導入するキャッチオールモードをサンプルに関して稼動させることが可能である。一方、欠陥の物理的特性が既知である場合には、検知用の最適な相対的位相を理論又は数値シミュレーションに基いて設定することが可能である。   As described above, the signal-to-noise ratio can be increased up to twice the intrinsic signal-to-noise ratio through noiseless amplification of the signal by the specular component. As indicated previously, noiseless amplification is important for weak defect signal detection. If the detailed physical characteristics of the defect and the surrounding circuit pattern are unknown, the desired or ideal relative phase value can be determined experimentally. For example, the catch-all mode introduced in the next section can be activated for the sample to experimentally determine the optimal phase value. On the other hand, if the physical characteristics of the defect are known, the optimum relative phase for detection can be set based on theory or numerical simulation.

式(2c)は、欠陥信号振幅と鏡面成分との間の相対的位相φが欠陥信号を最大とさせるために重要な変数であることを示している。それは、欠陥信号の極値がφ=0°又は180°である場合に発生することを示している。φ=0°である場合には、干渉項の値は正となり、且つφ=180°である場合に、干渉項の値は負となる。前述したように、全欠陥信号はダークフィールド項と干渉項との両方から構成されている。従って、全欠陥信号を最大とさせるためには、干渉項の符号は全体のダークフィールド項と同じ符号であるように修正されるべきである。全体のダークフィールド項の符号は制御することは不可能である。それは、欠陥及び周囲のパターンの物理的特性に依存して正か負かのいずれかとなることが可能である。従って、最大の欠陥信号を得るためには、干渉項の位相を制御することが可能である。 Equation (2c) shows that the relative phase φ s between the defect signal amplitude and the specular component is an important variable for maximizing the defect signal. It shows that it occurs when the extreme value of the defect signal is φ s = 0 ° or 180 °. When φ s = 0 °, the value of the interference term is positive, and when φ s = 180 °, the value of the interference term is negative. As described above, the entire defect signal is composed of both the dark field term and the interference term. Therefore, in order to maximize the total defect signal, the sign of the interference term should be modified to be the same sign as the entire dark field term. The sign of the entire dark field term cannot be controlled. It can be either positive or negative depending on the physical characteristics of the defect and the surrounding pattern. Therefore, to obtain the maximum defect signal, the phase of the interference term can be controlled.

全体のダークフィールド項の符号が正である場合には、φ=0°の選択が全欠陥信号を最大とさせる。全体のダークフィールド項の符号が負である場合には、φ=180°の選択が全欠陥信号を最大とさせる。開示したシステム及び方法の利点を明確に示すために、現実的であるが簡単な欠陥が数値シミュレーションのために選択される。 If the sign of the entire dark field term is positive, selecting φ s = 0 ° maximizes the total defect signal. If the sign of the entire dark field term is negative, selecting φ s = 180 ° maximizes the total defect signal. In order to clearly demonstrate the advantages of the disclosed system and method, realistic but simple defects are selected for numerical simulation.

又、前述したように、該相対的位相は、鏡面成分及び散乱成分のいずれか又は両方の位相を変えることにより変化させることが可能である。しかし、実際上は、鏡面成分は通常一層低いエテンデューを有しているので、鏡面成分の位相を変化させることが通常一層容易である。従って、全ての数値シミュレーションにおいて、鏡面成分の位相を変化させて最適な相対的位相値を得る。数値シミュレーションは特定のタイプの欠陥に制限されているものであるが、ここに開示するシステム及び方法は、通常、任意の種類の欠陥の検知に対して適用可能である。   As described above, the relative phase can be changed by changing the phase of one or both of the specular component and the scattering component. However, in practice, the specular component usually has a lower etendue, so it is usually easier to change the phase of the specular component. Therefore, in all the numerical simulations, the phase of the specular component is changed to obtain an optimal relative phase value. Although numerical simulation is limited to certain types of defects, the systems and methods disclosed herein are generally applicable to the detection of any type of defect.

図32a及び32bは、ここでの数値シミュレーションに使用される欠陥の形状を示している。該欠陥は円筒形状をしており、その直径と同じ高さ即ち深さを有している。図32aは「d」の高さ及び直径を有している粒子型欠陥3212を示している。欠陥物質はサンプル物質と同じであると仮定されている。これらの種類の欠陥は、反射光に振幅変化ではなく位相変化を導入するものであるから位相欠陥と呼称される。位相のみであるので、それらは可能な欠陥タイプの完全なスペクトルの極限端にある。   32a and 32b show the shape of the defects used in the numerical simulation here. The defect is cylindrical and has the same height or depth as its diameter. FIG. 32a shows a particle type defect 3212 having a height and diameter of “d”. It is assumed that the defective material is the same as the sample material. These types of defects are called phase defects because they introduce phase changes, not amplitude changes, into the reflected light. Since they are only phase, they are at the extreme end of the full spectrum of possible defect types.

別の極限タイプの欠陥は振幅のみの欠陥である。振幅のみの欠陥は位相欠陥に対して反対の特性を有しており、それらはゼロの高さを有しているが、それらの周りの区域とは異なる反射率を有している。殆どの実際の欠陥は、純粋の位相タイプでも純粋な振幅タイプでもない。それらは、通常、それらの周囲からの位相差及び振幅差の両方を有している。位相タイプ欠陥からの信号のみがこのセクションにおいてシミュレーションされるが、そのシミュレーションに使用される式及びコンピュータプログラムは一般的なものであり、その他のタイプの孤立した円筒状欠陥を取り扱うことが可能である。   Another extreme type of defect is an amplitude only defect. Amplitude only defects have the opposite characteristics to phase defects, they have a height of zero, but have a different reflectivity than the area around them. Most real defects are neither pure phase types nor pure amplitude types. They usually have both a phase difference and an amplitude difference from their surroundings. Only signals from phase type defects are simulated in this section, but the equations and computer programs used for the simulation are common and can handle other types of isolated cylindrical defects. .

ここで説明するシミュレーションにおいて、266nmの波長が使用され且つ信号回収システムの開口数(NA)は0.9であると仮定されている。位相制御器及びそのマウントに起因する中央オブスキュレーションは0.2NAであると仮定されている。   In the simulation described here, it is assumed that a wavelength of 266 nm is used and the numerical aperture (NA) of the signal recovery system is 0.9. The central obscuration due to the phase controller and its mount is assumed to be 0.2 NA.

画像形成用の式を以下に導出し且つスカラー回折理論に基づいている。スカラー式はベクトル式ほど正確なものではない。しかしながら、それは、従来技術とここに開示するシステム及び方法との間の性能比較のためには十分に正確なものである。それは、又、ここでの我々の主要な関心事である四分の一波長よりも一層小さな欠陥に対する信号強度及び形状の極めて正確な定量的推定を与えるものである。又、スカラー式は、通常、ベクトル式よりも一層明瞭な物理的洞察を可能とするものであり、従って、ここで開示するシステム及び方法に含まれている重要な概念を説明するのにはより適している。欠陥高さの影響は急激な位相変化として近似される。この近似は、イメージングシステムが光波の放射性部分のみを回収することを仮定して正当化される。それは、光波の非放射性部分を回収する近接場顕微鏡においては適切なものではない。導出される式は十分に一般的なものであり、それらは他のタイプの孤立した円筒状欠陥を取り扱うことが可能である。以下の表記法を式において使用する。   Equations for image formation are derived below and are based on scalar diffraction theory. Scalar expressions are not as accurate as vector expressions. However, it is accurate enough for a performance comparison between the prior art and the systems and methods disclosed herein. It also gives a very accurate quantitative estimate of signal strength and shape for defects smaller than our primary concern here, the quarter wavelength. Scalar formulas also typically allow for clearer physical insights than vector formulas, and are therefore more useful in explaining the key concepts contained in the systems and methods disclosed herein. Is suitable. The effect of defect height is approximated as a sudden phase change. This approximation is justified assuming that the imaging system recovers only the radioactive portion of the light wave. It is not appropriate for near-field microscopes that recover non-radioactive parts of light waves. The derived equations are sufficiently general that they can handle other types of isolated cylindrical defects. The following notation is used in the equations:

h:欠陥高さ
a:欠陥の反射率振幅
b:周囲区域の反射率振幅
ρ:イメージングシステムの中央オブスキュレーションの開口数
ρ:イメージングシステムのアパーチャストップの開口数
t:減衰器の透過振幅
φ:位相制御器により鏡面成分に付加される位相(ラジアン)
サンプル反射率の複素振幅O(r)は以下の如くに表すことが可能である。
h: defect height a: defect reflectivity amplitude b: surrounding area reflectivity amplitude ρ 1 : numerical aperture of the central obscuration of the imaging system ρ 2 : numerical aperture of the aperture stop of the imaging system t: transmission of the attenuator Amplitude φ: Phase (radian) added to the specular component by the phase controller
The complex amplitude O (r) of the sample reflectance can be expressed as follows:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(3)は以下の如くに書き直すことが可能である。   Equation (3) can be rewritten as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

最初の角括弧内の部分は純粋な位相オブジェクトを表しており、且つ2番目の角括弧内の部分はゼロ反射率での純粋な振幅オブジェクトを表している。従って、一般的に、どのような小さな欠陥も純粋な位相欠陥と純粋な振幅欠陥とに分解することが可能であるということが可能である。   The part in the first square bracket represents a pure phase object, and the part in the second square bracket represents a pure amplitude object with zero reflectivity. Thus, in general, it is possible that any small defect can be resolved into a pure phase defect and a pure amplitude defect.

本システムの円対称性を維持するために垂直照明が採用されている。円対称性は、信号グラフをより散らばったものでないようにするために維持されている。斜め照明は垂直照明と同じ容易さでモデル化させることが可能である。単位強度での垂直照明は以下の如くに表すことが可能である。   Vertical illumination is employed to maintain the circular symmetry of the system. Circular symmetry is maintained in order to make the signal graph less scattered. Oblique illumination can be modeled with the same ease as vertical illumination. Vertical illumination at unit intensity can be expressed as:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

反射光の複素振幅W(x,y)は以下の如くに表される。   The complex amplitude W (x, y) of the reflected light is expressed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

座標を波長で公式化しなおすと、次式が得られる。   When the coordinates are re-formulated with the wavelength, the following equation is obtained.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

瞳面において観察される間接パターン振幅Q(α,β)はW(x’,y’)のフーリエ変換である。従って、瞳面における複素新婦は以下の如くになる。   The indirect pattern amplitude Q (α, β) observed on the pupil plane is a Fourier transform of W (x ′, y ′). Therefore, the complex bride in the pupil plane is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

Figure 0005444334
Figure 0005444334

Figure 0005444334
Figure 0005444334

瞳透過(pupil transmission)Pupil(ρ)及び鏡面成分に関する位相制御は以下の如くに表される。   The phase control regarding the pupil transmission Pupil (ρ) and the specular component is expressed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

検知器即ち検知面上のサンプル焦点ずれの効果は以下の如くに瞳において導入することが可能である。   The effect of sample defocus on the detector or detection surface can be introduced in the pupil as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

瞳透過及び焦点ずれ効果が結合されると、以下の如くである。   The combined pupil transmission and defocus effects are as follows:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

瞳における反射光の複素振幅V(α,β)は以下の通りとなる。   The complex amplitude V (α, β) of the reflected light at the pupil is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

画像面における光の複素振幅はV(α,β)の逆フーリエ変換である。それは以下の如くになる。   The complex amplitude of light on the image plane is the inverse Fourier transform of V (α, β). It is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

画像面における光強度I(x’)は以下の如くになる。   The light intensity I (x ′) on the image plane is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

上の式は欠陥信号シミュレーションの全てに対して使用される。式(15)の値は、例えば、パイソン(Python)プログラミング言語を使用して数値的に計算される。   The above equation is used for all of the defect signal simulations. The value of equation (15) is calculated numerically using, for example, the Python programming language.

図33−35bは上のプログラムを使用した数値シミュレーション結果を示している。図33は40nm直径欠陥に対するシミュレーション結果を示している。曲線3310は従来のブライトフィールドモードシステムに対するシミュレーション結果を示しており、且つ曲線3312及び3314は、夫々、鏡面成分に適用した144°及び−36°の位相角度及び高感度モードを使用したここに開示した干渉方法のシミュレーション結果を示している。曲線3316は従来のダークフィールドシステムに対するシミュレーション結果を示している。   Figures 33-35b show the numerical simulation results using the above program. FIG. 33 shows the simulation results for a 40 nm diameter defect. Curve 3310 shows simulation results for a conventional bright field mode system, and curves 3312 and 3314 are disclosed herein using 144 ° and −36 ° phase angles applied to the specular component and high sensitivity mode, respectively. The simulation result of the interference method is shown. Curve 3316 shows the simulation results for a conventional dark field system.

図34は20nm直径結果に対するシミュレーション結果を示している。曲線3410は従来のブライトフィールドモードシステムに対するシミュレーション結果を示している。曲線3412及び3414は、夫々、鏡面成分に対する117°及び−63°の位相角度を導入する高感度モードを使用したここで開示した干渉方法に対するシミュレーション結果を示している。曲線3416は従来のダークフィールドシステムに対するシミュレーション結果をプロットしている。   FIG. 34 shows the simulation results for the 20 nm diameter results. Curve 3410 shows the simulation results for a conventional bright field mode system. Curves 3412 and 3414 show simulation results for the interferometric method disclosed herein using a high sensitivity mode that introduces 117 ° and −63 ° phase angles for the specular component, respectively. Curve 3416 plots simulation results for a conventional dark field system.

図35aは10nm直径結果に対するシミュレーション結果を示している。曲線3510は従来のブライトフィールドモードシステムのシミュレーション結果を示している。曲線3512及び3514は、夫々、鏡面成分に対して104°及び−76°の位相角度を導入する高感度モードを使用するここで開示した干渉方法のシミュレーション結果を示している。曲線3516は従来のダークフィールドシステムに対するシミュレーション結果を示している。図中の記号「BF」はブライトフィールドモードを使用する従来システムを意味しており且つ比較の目的で図中に包含してある。図中の記号「HS」は高感度モードを意味している。角度値は、前述した如く、欠陥信号の2つの極値を得るために鏡面成分に対して導入される位相角度である。正の角度はφ=0°の場合に対応しており、且つ負の角度はφ=±180°の場合に対応している。 FIG. 35a shows the simulation results for the 10 nm diameter results. Curve 3510 shows the simulation result of a conventional bright field mode system. Curves 3512 and 3514 show the simulation results of the interference method disclosed herein using the high sensitivity mode that introduces a phase angle of 104 ° and −76 ° to the specular component, respectively. Curve 3516 shows the simulation results for a conventional dark field system. The symbol “BF” in the figure means a conventional system using the bright field mode and is included in the figure for comparison purposes. The symbol “HS” in the figure means the high sensitivity mode. As described above, the angle value is a phase angle introduced to the specular component in order to obtain two extreme values of the defect signal. A positive angle corresponds to the case of φ s = 0 °, and a negative angle corresponds to the case of φ s = ± 180 °.

角度φは鏡面成分に対して導入される位相角度ではない。そうではなく、φは鏡面成分に導入される位相角度、及び欠陥信号と鏡面成分との間の本来備わった(innate)位相角度差、の和である。この本来備わった位相角度差は、従来のブライトフィールドモードシステムが有する位相角度差である。シミュレーションした欠陥信号におけるこの本来備わっている位相角度差は、40nm,20nm,10nmに対して、夫々、−144°,−117°.−104°である。これらの本来備わった位相角度差は0°又は±180°から極めて異なるものである。従来のブライトフィールド検査モードが良好に動作するものでもなく且つ安定に動作するものでもない理由である。 The angle φ s is not the phase angle introduced for the specular component. Instead, φ s is the sum of the phase angle introduced into the specular component and the innate phase angle difference between the defect signal and the specular component. This inherent phase angle difference is the phase angle difference that the conventional bright field mode system has. The inherent phase angle difference in the simulated defect signal is −144 °, −117 °, and 40 nm, 20 nm, and 10 nm, respectively. -104 °. These inherent phase angle differences are very different from 0 ° or ± 180 °. This is the reason why the conventional bright field inspection mode does not operate well and does not operate stably.

位相制御器は、欠陥とその周りとの間の全位相角度差を0°又は±180°とさせるために位相角度の適宜の量を加算又は減算する。シミュレーションした欠陥信号において、位相制御器は、40nm,20nm,10nm欠陥からの本来備わった信号に対して、夫々、144°,117°,104°を加算して全位相差を0°とさせている。位相制御器は、又、40nm,20nm,10nm欠陥からの本来備わった欠陥信号に対して、夫々、−36°,−63°,−76°を加算して全位相差を−180°とさせている。   The phase controller adds or subtracts an appropriate amount of phase angle to bring the total phase angle difference between the defect and its surroundings to 0 ° or ± 180 °. In the simulated defect signal, the phase controller adds 144 °, 117 °, and 104 ° to the intrinsic signal from the 40 nm, 20 nm, and 10 nm defects, respectively, so that the total phase difference is 0 °. Yes. The phase controller also adds -36 °, -63 °, and -76 ° to the intrinsic defect signals from the 40 nm, 20 nm, and 10 nm defects, respectively, to give a total phase difference of -180 °. ing.

図33乃至35bにおける記号は、位相制御器が本来備わった位相角度差へ加算した位相角度を示している。「BF」は位相角度加算(又は減算)無しを意味している。従って、「BF」は「HS:0°」と均等であり、鏡面成分に対して位相加算の無い高感度モードである。又、図中の記号から注意すべきことであるが、2つの極限欠陥信号に対する2つの位相角度の間の差は180°である。図中の記号「DF」はダークフィールドシステムを現している。   The symbols in FIGS. 33 to 35b indicate the phase angle added to the phase angle difference inherent to the phase controller. “BF” means no phase angle addition (or subtraction). Therefore, “BF” is equivalent to “HS: 0 °” and is a high sensitivity mode in which no phase addition is performed on the specular component. It should also be noted from the symbols in the figure that the difference between the two phase angles for the two extreme defect signals is 180 °. The symbol “DF” in the figure represents the dark field system.

シミュレーション結果から幾つかの重要な事実を導き出すことが可能である。第1に、ダークフィールド信号の強度は、欠陥の寸法が波長の四分の一よりも小さくなる場合に、非常に迅速に減少する。周囲のパターンにより散乱光と建設的に干渉する場合には、ダークフィールド信号は図中に示したものよりも一層高くなる場合がある。その種類の干渉は制御可能なものではなく、完全に運に依存する。従って、波長の四分の一より小さな寸法の欠陥に対しては、ダークフィールド欠陥信号は信頼性をもって検知するには低すぎるものとなることが一般的に予測される。近い将来において、半導体ウエハにおける臨界的な欠陥のかなりの部分が波長の四分の一よりも一層小さいものであることが予測される。実際に、線幅は四分の一波長に近づくことが予測されており、その場合に、波長は193nmを193nmにおける水の屈折率で割り算したものである。従って、現在のダークフィールド検査技術の将来性は良くない。   It is possible to derive some important facts from the simulation results. First, the intensity of the dark field signal decreases very rapidly when the defect size is smaller than a quarter of the wavelength. If the surrounding pattern constructively interferes with the scattered light, the dark field signal may be higher than that shown in the figure. That kind of interference is not controllable and depends entirely on luck. Thus, for defects with dimensions smaller than a quarter of the wavelength, it is generally expected that the dark field defect signal will be too low for reliable detection. In the near future, a significant portion of critical defects in semiconductor wafers are expected to be smaller than a quarter of the wavelength. In fact, the line width is expected to approach a quarter wavelength, where the wavelength is 193 nm divided by the refractive index of water at 193 nm. Therefore, the future potential of the current dark field inspection technology is not good.

第2に、シミュレーションにおいて使用される欠陥が位相オブジェクトであっても、欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相を0°又は180°とさせるために鏡面成分に関する所要の位相変化は必ずしも±90°ではない。実際に、最大の欠陥信号に対する鏡面成分に関して必要とされる位相変化の量は、位相オブジェクトの寸法に依存する。これは、本検査技術と固定した±90°位相が最大画像コントラストのために鏡面成分へ加算される位相コントラスト顕微鏡検査方法との間の重要な差異である。これらの簡単な例であっても、欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相の連続的な変化性が信頼性のある欠陥検知のために望ましいものであることを示している。より一般的な欠陥からの信号がシミュレーションされると、それらは、位相制御器において連続的変化性を有することが望ましいことを一層明確に示す。   Second, even if the defect used in the simulation is a phase object, the required phase change with respect to the specular component is not necessarily ± in order to make the relative phase between the defect signal and the specular component 0 ° or 180 °. It is not 90 °. In practice, the amount of phase change required for the specular component for the largest defect signal depends on the dimensions of the phase object. This is an important difference between this inspection technique and a phase contrast microscopy method in which a fixed ± 90 ° phase is added to the specular component for maximum image contrast. Even these simple examples show that continuous variability in the relative phase between the defect signal and the specular component is desirable for reliable defect detection. As signals from more general defects are simulated, they more clearly indicate that it is desirable to have continuous variability in the phase controller.

例えば、純粋に振幅欠陥からの信号がシミュレーションされる場合には、位相制御器に対する最適位相値は0°又は180°である。これらの位相値は、純粋に位相欠陥の例において示されるものとは非常に異なっている。実際に、位相制御器は、全ての種類の欠陥を信頼性をもって検知することが可能であるために任意の位相シフト値を与えることが可能であるべきである。従って、位相制御器の連続的な変化性は望ましいものであるばかりか、欠陥を信頼性を持って検知するが望まれる場合には、実際には必要なものである。ここで開示するシステム及び方法は、実質的に連続的な態様で相対的位相を変化させることが可能な位相制御器を使用している。   For example, if a signal from a purely amplitude defect is simulated, the optimum phase value for the phase controller is 0 ° or 180 °. These phase values are very different from those shown in the purely phase defect example. In fact, the phase controller should be able to give arbitrary phase shift values in order to be able to detect all kinds of defects reliably. Therefore, the continuous variability of the phase controller is not only desirable, but is actually necessary when it is desired to detect defects reliably. The systems and methods disclosed herein use a phase controller that can change the relative phase in a substantially continuous manner.

第3に、欠陥信号は、相対的位相を適切に変化させることにより、従来のブライトフィールド信号よりも著しくブースト即ち増幅される。更に、欠陥寸法が一層小さくなる場合に、信号増幅は一層顕著なものとなる。最大欠陥信号モードにおいて動作する別の利点は、改善された信号安定性である。何故ならば、信号強度が極値である場合には、外部摂動に対する一次信号感度はゼロだからである。従って、ここに開示するシステム及び方法は、よりよい安定性と共に、一層高い欠陥検知感度を提供することが可能である。   Third, the defect signal is boosted or amplified significantly over the traditional bright field signal by appropriately changing the relative phase. Furthermore, signal amplification becomes even more pronounced when the defect size is smaller. Another advantage of operating in the maximum defect signal mode is improved signal stability. This is because when the signal intensity is extreme, the primary signal sensitivity to external perturbation is zero. Thus, the systems and methods disclosed herein can provide higher defect detection sensitivity with better stability.

位相制御器は、又、不所望の欠陥信号の減衰のために使用することが可能である。その良い例はウエハパターンノイズであり、それは実際にはノイズではなく欠陥信号である。殆どの欠陥検知状態において、ウエハパターンノイズを抑圧することが望ましい。ウエハパターンノイズの抑圧が関心の或る欠陥信号の増幅よりも一層重要である場合には、位相制御器は、関心の或る欠陥信号を最大化させるのではなくウエハパターンノイズを最小化させるべく設定することが可能である。   The phase controller can also be used for attenuation of unwanted defect signals. A good example is wafer pattern noise, which is actually a defect signal, not noise. It is desirable to suppress wafer pattern noise in most defect detection states. If suppression of wafer pattern noise is more important than amplification of a defect signal of interest, the phase controller should minimize wafer pattern noise rather than maximizing the defect signal of interest. It is possible to set.

3つの図33,34、35aの全てにおいて、ブライトフィールド信号は未だにかなりの大きさである。しかしながら、重要なことは、このことはシミュレーションにおいて使用される欠陥タイプに対して成り立つということである。ブライトフィールド信号は、幾つかのタイプの実際の欠陥に対してはかなり一層小さい場合がある。この点を理解するために、欠陥信号を一層明示的に書くことが可能である。欠陥信号sは、欠陥からの生の信号と鏡面成分との間の差異である。(式(3)を参照)従って、欠陥の位置における欠陥信号振幅は以下の通りになる。   In all three figures 33, 34 and 35a, the bright field signal is still quite large. However, what is important is that this is true for the defect types used in the simulation. The bright field signal may be much smaller for some types of actual defects. To understand this point, it is possible to write the defect signal more explicitly. The defect signal s is the difference between the raw signal from the defect and the specular component. Therefore, the defect signal amplitude at the position of the defect is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

尚、Rは欠陥の反射率であり、hは欠陥の高さである。 Here, R d is the reflectance of the defect, and h is the height of the defect.

式(17)が示すところによれば、以下の式が成立する場合には、 According to the expression (17), when the following expression holds,

Figure 0005444334
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尚、Rsurは周囲区域の反射率
欠陥信号は純粋に仮想的である。即ち、欠陥信号と鏡面成分との間の位相差φは±π/2である。この場合には、式(2c)に示した干渉項はゼロとなり且つブライトフィールド信号に貢献するものではない。その結果、ブライトフィールド信号は小さな欠陥に対しては非常に低いものであるダークフィールド信号と同じである。このことは、ブライトフィールドシステムは幾つかのタイプの欠陥を全く見つけることが出来ない場合があることを示している。
Note that R sur is a purely virtual reflectance defect signal in the surrounding area. That is, the phase difference φ s between the defect signal and the specular component is ± π / 2. In this case, the interference term shown in equation (2c) is zero and does not contribute to the bright field signal. As a result, the bright field signal is the same as the dark field signal, which is very low for small defects. This indicates that the bright field system may not find some types of defects at all.

良い例はシリコンウエハ上の小さな高度に反射性の粒子である。該粒子の反射率はシリコンのものよりも一層高いので、それは式(18)を満足する場合がある。該粒子がたとえ近似的であったとしても式(18)を満足する場合には、ブライトフィールドシステムはそれを見つける上で困難性を有している。図35bはその問題を明らかに示している。欠陥寸法は10nmであるが、その反射率は式(18)を満足するためには周囲区域よりも26%一層高い。   A good example is a small highly reflective particle on a silicon wafer. Since the reflectance of the particles is much higher than that of silicon, it may satisfy equation (18). If the particles satisfy equation (18), even if they are approximate, the Brightfield system has difficulty finding it. FIG. 35b clearly illustrates the problem. The defect size is 10 nm, but its reflectivity is 26% higher than the surrounding area to satisfy equation (18).

これらの条件下において、ブライトフィールド信号3521及びダークフィールド信号3522の両方は事実上ゼロである。しかしながら、散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相を制御することにより該信号を完全に回復させることが可能である。90°の相対的シフトは干渉信号3523を発生し、且つ−90°の相対的シフトは信号3524を発生する。この例はここの開示する干渉検知システム及び方法の能力を示している。   Under these conditions, both the bright field signal 3521 and the dark field signal 3522 are virtually zero. However, it is possible to recover the signal completely by controlling the relative phase between the scattering and specular components. A relative shift of 90 ° generates an interference signal 3523 and a relative shift of −90 ° generates a signal 3524. This example illustrates the capabilities of the disclosed interference detection system and method.

ブライトフィールドシステムが明るい欠陥に対して非常に盲目的である場合があるということは直感に反するように思われる。しかし、実際には、理由が存在している。このことは、2つの極限状態を考えることにより少なくとも定性的に理解される。欠陥の反射率が周囲区域の反射率と同じであるか又はそれより低い場合には、ブライトフィールド信号は負の符号を有するべきであり、即ちその生の画像における窪みであって、参照(基準)を減算する前の信号である、ことを我々は直感から知っている。しかしながら、その欠陥の反射率が周囲区域の反射率よりも一層高い場合には、ブライトフィールド信号は正の符号を有すべきであり、即ちその生の画像におけるピークであることも、我々は直感から知っている。このことは、欠陥の何らかの中間の反射率に対してブライトフィールド信号はゼロでなければならないことを我々に告げている。従って、幾つかのタイプの欠陥に対してブライトフィールドシステムの致命的な盲目性が存在している。その欠陥が比較的大きい場合には、その欠陥が式(18)を満足させる可能性は乏しい。   It seems counterintuitive that a bright field system can be very blind to bright defects. But in fact, there is a reason. This is at least qualitatively understood by considering two extreme states. If the reflectivity of the defect is the same as or lower than the reflectivity of the surrounding area, the bright field signal should have a negative sign, i.e. a depression in its raw image, and the reference (reference We know from intuition that this is the signal before subtraction. However, we also know that if the defect reflectivity is higher than the reflectivity of the surrounding area, the bright field signal should have a positive sign, i.e. a peak in its raw image. I know from. This tells us that for some intermediate reflectivity of the defect, the bright field signal must be zero. Thus, the bright field system's fatal blindness exists for several types of defects. If the defect is relatively large, it is unlikely that the defect satisfies equation (18).

従って、ブライトフィールドシステムが幾つかの大きな欠陥に対して盲目的であることの可能性は乏しい。しかしながら、欠陥が四分の一波長よりも一層小さい場合には、欠陥が式(18)を満足する可能性は顕著なものとなる。欠陥寸法は迅速に縮小する。従って、ブライトフィールドシステムは、将来の技術と関連する迅速に縮小する欠陥寸法に対して信頼性をもって欠陥を検知することが不可能であることが予測される。ここに開示するシステム及び方法は、欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相を活用するものである。上の例において、位相制御器が鏡面成分の位相を±π/2だけ変化させると、干渉項はその完全な強度を回復する。   Therefore, it is unlikely that the bright field system is blind to some major defects. However, if the defect is much smaller than a quarter wavelength, the possibility that the defect satisfies equation (18) becomes significant. The defect size shrinks quickly. Thus, it is expected that the bright field system will not be able to detect defects reliably with respect to rapidly shrinking defect dimensions associated with future technologies. The system and method disclosed herein takes advantage of the relative phase between the defect signal and the specular component. In the above example, when the phase controller changes the phase of the specular component by ± π / 2, the interference term recovers its full intensity.

図33において、信号曲線3312は信号曲線3314よりも絶対的振幅において僅かに一層大きい。何故ならば、式(2c)に示されるダークフィールド項及び干渉項は同じ符号を有しており且つ曲線3312に対して建設的に加算するからである。しかしながら、曲線3314の場合に、ダークフィールド項と干渉項とは反対の符号を有しており且つ破壊的に加算するからである。従って、この特定の例において、曲線3312は曲線3312よりも欠陥検知のためにはより良い選択である。この特定の例において、2つの選択の間の差異は小さい。しかしながら、実際の欠陥の場合には、これら2つの選択の間の差異は顕著である場合がある。高感度動作モードは任意の特定のタイプの欠陥に対して最適な信号曲線を選択することを可能とする。   In FIG. 33, the signal curve 3312 is slightly larger in absolute amplitude than the signal curve 3314. This is because the dark field term and the interference term shown in equation (2c) have the same sign and add constructively to the curve 3312. However, in the case of the curve 3314, the dark field term and the interference term have opposite signs and add destructively. Thus, in this particular example, curve 3312 is a better choice for defect detection than curve 3312. In this particular example, the difference between the two choices is small. However, in the case of actual defects, the difference between these two choices may be significant. The high sensitivity mode of operation allows the optimal signal curve to be selected for any particular type of defect.

イメージングシステムアパーチャの尖ったエッジからの回折に起因して、図33乃至35bに示した如く、信号測定点がその信号の周辺部へ向かって移動するに従い、その検知信号は、通常、符号を変化させる。従って、全信号を最大化させるために該信号を空間的に積分することが必要である場合には、該信号の全ての部分を積分の前に正の値へ変換することが重要である。主要のノイズ源は検知器ノイズ及び鏡面成分からのホトンノイズであり、それらは両方共空間的に一様であるので、ノイズの量は空間的に一様である。従って、該信号はその中心即ちピークにおいて最も高い信号対雑音比有しており、且つその周辺においてより低い信号対雑音比を有している。   Due to diffraction from the sharp edge of the imaging system aperture, the sense signal usually changes sign as the signal measurement point moves toward the periphery of the signal, as shown in FIGS. Let Therefore, if it is necessary to integrate the signal spatially to maximize the total signal, it is important to convert all parts of the signal to positive values before integration. The main noise sources are detector noise and photon noise from specular components, both of which are spatially uniform, so the amount of noise is spatially uniform. Thus, the signal has the highest signal-to-noise ratio at its center or peak and has a lower signal-to-noise ratio at its periphery.

該信号変換プロセスが、該信号の高い信号対雑音部分に対して一層高い重みを与え且つ該信号のより低い信号対雑音部分に対してより低い重みを与えることが有益的である。例えば、該信号を平方すること及び絶対値を取ることの両方が該信号の全ての部分を正の値へ変換させる。しかしながら、該信号を自動的に平方することは該信号の一層高い品質部分に対してより多くの重みを与え、一方該信号の絶対値を取ることは該信号の全ての部分に対して同じ重みを与えることとなる。従って、該信号を平方することは、該信号の絶対値を取ることよりもより良い変換プロセスである。しかしながら、前者のプロセスは後者のプロセスよりもより多くの計算時間がかかる。従って、実際のシステムにおいては、計算資源が制限されている場合には、性能と速度との間の何らかの妥協が必要となる場合がある。   Beneficially, the signal conversion process gives a higher weight to the high signal-to-noise portion of the signal and a lower weight to the lower signal-to-noise portion of the signal. For example, both squaring the signal and taking the absolute value cause all parts of the signal to be converted to positive values. However, automatically squaring the signal gives more weight to the higher quality part of the signal, while taking the absolute value of the signal gives the same weight to all parts of the signal. Will be given. Therefore, squaring the signal is a better conversion process than taking the absolute value of the signal. However, the former process takes more computation time than the latter process. Thus, in a practical system, some compromise between performance and speed may be necessary if computational resources are limited.

コントラスト向上
前述した如く、強い鏡面成分は欠陥信号の高いノイズレス増幅を意味している。欠陥信号の高いノイズレス増幅は差分画像(subtracted image)における高い欠陥コントラストに通じる。このことは、更に、より敏感で且つ安定な欠陥検知システムに通じる。従って、強い鏡面成分は通常望ましいものである。注意すべきことであるが、強い鏡面成分は差分画像のコントラストを増加するが、生の画像(raw image)のコントラストを減少させる。欠陥検知に対する関心事のコントラストは、減算前の生の画像のコントラストではなく差分画像のコントラストである。この基準は、生の画像のコントラストを増加させることに努力している位相コントラストタイプ及びその派生物を包含する全ての従来の顕微鏡とは全く反対である。しかしながら、そのダイナミックレンジが非常に大きなものでない場合には、強すぎる鏡面成分はイメージセンサーを飽和させる場合があり、その結果、不所望な態様で欠陥信号に歪を発生させることとなる。このことは該信号に対しての不足した数のグレイレベルとなる。従って、イメージセンサーのダイナミックレンジが飽和される場合には、欠陥信号の歪を回避するためには、生の画像のコントラストを増加させる必要がある場合があり、且つ鏡面成分のコントラストを減少させる必要がある場合がある。
Contrast improvement As described above, a strong specular component means high noiseless amplification of a defect signal. High noiseless amplification of the defect signal leads to high defect contrast in the subtracted image. This further leads to a more sensitive and stable defect detection system. Thus, a strong specular component is usually desirable. It should be noted that a strong specular component increases the contrast of the difference image, but decreases the contrast of the raw image. The contrast of interest for defect detection is the contrast of the difference image, not the contrast of the raw image before subtraction. This criterion is exactly the opposite of all conventional microscopes that include the phase contrast type and its derivatives that strive to increase the contrast of raw images. However, if the dynamic range is not very large, a specular component that is too strong may saturate the image sensor, resulting in distortion of the defect signal in an undesirable manner. This results in an insufficient number of gray levels for the signal. Therefore, if the dynamic range of the image sensor is saturated, it may be necessary to increase the contrast of the raw image and reduce the contrast of the specular component to avoid distortion of the defect signal. There may be.

欠陥又はウエハパターンが波長よりもかなりより小さい場合には、適切に高い画像コントラストを得るために鏡面成分に特に注意することは有用である場合がある。数値シミュレーションはこのコントラスト向上方法の有効性を確認している。   If the defect or wafer pattern is much smaller than the wavelength, it may be useful to pay particular attention to the specular component to obtain a reasonably high image contrast. Numerical simulations confirm the effectiveness of this contrast enhancement method.

図36は、鏡面成分の強度を96%だけ減衰させることにより向上させたコントラストが与えられた40nm欠陥の画像を示している。曲線3610は鏡面成分を減衰させた後の結果を示しており、一方曲線3612は鏡面成分を減衰させる前の結果を示している。   FIG. 36 shows an image of a 40 nm defect provided with improved contrast by attenuating the specular component intensity by 96%. Curve 3610 shows the result after the specular component is attenuated, while curve 3612 shows the result before the specular component is attenuated.

図37は、鏡面成分の強度を99.9%だけ減衰させることにより得られる20nm欠陥の画像の向上されたコントラストを示している。曲線3710は鏡面成分を減衰した後の結果を示しており、一方曲線3712は減衰前の結果を示している。注意すべきことであるが、シミュレーションにおいて使用した減衰の量は過剰なものである。それらは多くの場合において推奨されるものでも実際的なものでもないが、コントラスト向上のための技術の能力を示すために使用したものである。   FIG. 37 shows the improved contrast of the 20 nm defect image obtained by attenuating the intensity of the specular component by 99.9%. Curve 3710 shows the result after attenuation of the specular component, while curve 3712 shows the result before attenuation. It should be noted that the amount of attenuation used in the simulation is excessive. They are not recommended or practical in many cases, but were used to demonstrate the ability of the technique to improve contrast.

予測されるように、同じ画像コントラストを得るためには、より小さな欠陥は鏡面成分のより強い減衰を必要とする。ウエハ上の欠陥及び回路パターンの寸法は容赦なく継続して減少され、且つイメージセンサーにおいて高いダイナミックレンジを達成することは困難であり且つコスト高となる場合がある。従って、将来においてはより小さな欠陥に対処するためには鏡面成分の強い減衰が必要となる場合がある。このことが、多くの実施例において、鏡面成分の光路内に減衰器が配置されていることの理由である。   As expected, smaller defects require stronger attenuation of the specular component to obtain the same image contrast. Defects on the wafer and circuit pattern dimensions are continually reduced, and achieving a high dynamic range in an image sensor can be difficult and costly. Therefore, strong attenuation of the specular component may be required in the future to deal with smaller defects. This is the reason why in many embodiments an attenuator is placed in the optical path of the specular component.

この種類のコントラスト向上技術の欠点の一つは光エネルギの大きな損失である。鏡面成分の減衰に起因するエネルギ損失を補償するために、より多くの光を照明光路へ供給することが可能であるか、又は検知器信号を一層長い時間期間にわたり積分することが可能である。多くの適用例において、これらのオプションのいずれもが望ましいものではない。何故ならば、強力な照明ビームはサンプルを損傷する場合があり、且つより長い検知器積分時間は処理能力を低下させるからである。従って、コントラスト向上は、これらの及びその他の不所望な副作用を心して注意深く使用せねばならない。注意すべきことであるが、サンプル上のより大きな面積を照明すること及び比例的により大きな検知器アレイを使用することは、処理能力を維持しながら強力な照明によるサンプル損傷の可能性を減少させることが可能であるが、このことは、通常、より高価な装置構成を必要とする。   One disadvantage of this type of contrast enhancement technique is a large loss of light energy. To compensate for the energy loss due to the attenuation of the specular component, more light can be supplied to the illumination path or the detector signal can be integrated over a longer time period. In many applications, neither of these options is desirable. This is because a strong illumination beam can damage the sample, and longer detector integration times reduce throughput. Therefore, contrast enhancement must be used carefully with these and other unwanted side effects in mind. It should be noted that illuminating a larger area on the sample and using a proportionally larger detector array reduces the potential for sample damage due to strong illumination while maintaining throughput. While this is possible, this usually requires a more expensive equipment configuration.

幸運なことに、コントラスト向上を明確に示すためにシミュレーションにおいては鏡面成分を厳しく減衰させていたが、殆どの実際の場合は、現在の欠陥検知システムにおいて使用されているイメージセンサーの大きなダイナミックレンジのお陰で、それ程大きなコントラスト向上を必要とするものではない。中程度のコントラスト向上が現在のプラクティスで非常に許容可能なものであるばかりか、信号増幅に対する現在の必要性、使用される光エネルギの効率、及びシステム処理能力を考慮すると、望ましいものでもある。   Fortunately, the specular component was severely attenuated in the simulation to clearly show the contrast enhancement, but in most practical cases the large dynamic range of the image sensors used in current defect detection systems. Thanks to that, the contrast is not so great. Medium contrast enhancement is not only very acceptable in current practice, but is also desirable in view of the current need for signal amplification, the efficiency of light energy used, and system throughput.

図36における3610及び図37における3710の欠陥画像の形状から重要な結論を導くことが可能である。欠陥画像の形状は、鏡面成分の大量の減衰であっても干渉項は優勢であることを示している。減衰が99.9%でさえも、干渉項は未だに優勢である。干渉項は鏡面成分による信号のノイズレス増幅によって形成され、且つサンプルの低反射率は鏡面成分の高い減衰とほぼ同じ効果を有している。従って、鏡面成分の非常に高い減衰であっても干渉項が優勢であることは、極めて低い反射率のサンプルであっても、鏡面成分によるノイズレス信号増幅は非常に効果的に作用することを意味していると解釈することが可能である。このことは、鏡面成分によるノイズレス信号増幅に依存するここに開示するシステム及び方法の全ては事実上任意の種類のサンプルで良好に動作することを意味している。実際に、欠陥が小さければ小さいほど、鏡面成分による欠陥信号のノイズレス増幅は一層効果的である。このことを支持するより正確な例については「ダークフィールドモードの限界」に関する後のセクションにおいて示す。   Significant conclusions can be drawn from the shape of the defect images 3610 in FIG. 36 and 3710 in FIG. The shape of the defect image shows that the interference term is dominant even with a large amount of specular component attenuation. Even with an attenuation of 99.9%, the interference term is still dominant. The interference term is formed by noiseless amplification of the signal by the specular component, and the low reflectivity of the sample has almost the same effect as the high attenuation of the specular component. Therefore, the fact that the interference term dominates even with very high attenuation of the specular component means that noiseless signal amplification by the specular component works very effectively even with very low reflectivity samples. It can be interpreted that This means that all of the systems and methods disclosed herein that rely on noiseless signal amplification by specular components work well with virtually any type of sample. In fact, the smaller the defect, the more effective the noiseless amplification of the defect signal by the specular component. A more accurate example that supports this is given in a later section on “Limits of Dark Field Mode”.

偏光の選択
前述した如く、殆どの場合に、検知信号の信号対雑音比は照明光及び回収光の偏光状態に依存する。従って、関心の或る欠陥に対して正しい偏光を選択することが重要である。正しい偏光の選択は、直感、理論的モデリング、数値シミュレーション、又は実験で行うことが可能である。しかしながら、全ての異なる偏光の組み合わせをテストすることは、その数が多いので、通常は実際的ではない。欠陥及びその隣のパターンが螺旋構造を有するものでない限り、偏光の選択は直線偏光の組み合わせへ制限することが可能である。
Selection of Polarization As described above, in most cases, the signal-to-noise ratio of the detection signal depends on the polarization state of the illumination light and the recovered light. It is therefore important to select the correct polarization for the defect of interest. The selection of the correct polarization can be done by intuition, theoretical modeling, numerical simulation, or experimentation. However, testing all different polarization combinations is usually impractical because of the large number. As long as the defect and the adjacent pattern do not have a helical structure, the choice of polarization can be limited to a combination of linear polarizations.

2.キャッチオールモード(Catch-All Mode)
欠陥は、振幅のみならず、散乱光の位相をも変化させる場合がある。異なる種類の欠陥は散乱光の振幅及び位相の両方を異なるように影響を与える。従って、散乱光の振幅及び位相の両方を測定する場合には、より多くの欠陥を見つけることが可能であるばかりか、欠陥に関してのより多くの情報を得ることが可能である。キャッチオールモードは、欠陥信号の振幅と位相の両方の決定に基くものである。欠陥信号はその振幅と位相とによって完全に決定することが可能であるから、ノイズが十分に低い場合には、キャッチオールモードは、原理的に、一つの操作において異なる種類の欠陥の事実上全てを捕らえることが可能である。
2. Catch-All Mode
The defect may change not only the amplitude but also the phase of the scattered light. Different types of defects affect both the amplitude and phase of the scattered light differently. Thus, when measuring both the amplitude and phase of the scattered light, it is possible not only to find more defects, but also to obtain more information about the defects. The catch-all mode is based on the determination of both the amplitude and phase of the defect signal. Since the defect signal can be completely determined by its amplitude and phase, if the noise is low enough, the catch-all mode can, in principle, virtually eliminate all the different types of defects in one operation. It is possible to catch.

欠陥は、振幅及び位相情報の両方が得られる場合に、一層より正確に分類することが可能である。例えば、欠陥の寸法は、振幅情報から推測することが可能であり、且つ位相情報から、その欠陥が粒子タイプであるか又はボイドタイプであるか、又はメサタイプであるか又は谷タイプであるかを決定することが可能である。1例を「3スキャン方法」のセクションにおいて与える。   Defects can be classified even more accurately if both amplitude and phase information are available. For example, the size of the defect can be inferred from the amplitude information and from the phase information whether the defect is a particle type, a void type, a mesa type or a valley type. It is possible to determine. An example is given in the “3-scan method” section.

サンプル基板及びパターン物質、及び周囲パターン幾何学的形状等のその他のデータが付加的に使用される場合には、更により正確な欠陥分類が可能となる場合がある。   Even more accurate defect classification may be possible if other data such as sample substrate and pattern material and surrounding pattern geometry is additionally used.

より正確な欠陥分類は、通常非常にコスト高である欠陥レビュープロセスにおいて著しく時間を節約することとなる。欠陥レビューは、通常、高価であるが遅い電子顕微鏡の使用を必要とする。加えて、キャッチオール動作モードにおいて収集された情報は、その他の動作モードの適切なセットアップに対して非常に有用である場合がある。その他の動作モードの適切なセットアップのためのキャッチオールモードの利用はセットアップ時間を削減するのみならず、早い自動的なセットアップを可能とさせる。   A more accurate defect classification will save significant time in the defect review process, which is usually very costly. Defect reviews usually require the use of expensive but slow electron microscopes. In addition, the information collected in the catch-all mode of operation may be very useful for proper setup of other modes of operation. The use of catch-all mode for proper setup of other operating modes not only reduces setup time, but also allows for quick automatic setup.

キャッチオールモードは、キャッチオールモード自身のセットアップに対して使用することも可能である。例えば、キャッチオールモードは、各々が異なる位相シフトに対応している異なる数のサンプルスキャンで、且つ異なる偏光で、多数回動作させることが可能である。次いで、その結果を互いに比較してキャッチオールモード自身の最適な使用のたための最善の偏光設定及び最適な数のサンプルスキャンを決定することが可能である。従って、キャッチオールモードは強力なモードである。キャッチオールモードの単一操作はサンプルの複数のスキャンを必要とする。しかしながら、その処理能力は他のモードと比較して一層低くなることが予測されるものではない。何故ならば、それは全ての異なる種類の欠陥を単一の操作で捕らえることが可能であり、且つ複数回のスキャンの間でサンプルのローディング/アンローディングの必要性がないからである。又、処理能力の減少は欠陥レビュープロセスにおける処理能力の増加により見事に補償される。従って、キャッチオールモードはその処理能力がより低いものであってもポピュラーな動作モードであると予測される。   The catch-all mode can also be used for the setup of the catch-all mode itself. For example, the catch-all mode can be operated multiple times with different numbers of sample scans, each corresponding to a different phase shift, and with different polarizations. The results can then be compared with each other to determine the best polarization setting and the optimal number of sample scans for optimal use of the catch-all mode itself. Therefore, the catch-all mode is a powerful mode. A single operation in catch-all mode requires multiple scans of the sample. However, its processing capacity is not expected to be lower than in other modes. This is because all the different types of defects can be caught in a single operation and there is no need for sample loading / unloading between multiple scans. Also, the reduction in throughput is compensated for by the increased throughput in the defect review process. Accordingly, the catch-all mode is predicted to be a popular operation mode even if its processing capability is lower.

3スキャン方法
式(2c)は、干渉項が欠陥信号の相対的位相のコサイン(余弦)及び振幅を包含していることを示している。欠陥信号の相対的位相及び振幅を完全に決定するためには、サンプルの少なくとも3つのスキャンを使用することが必要である。2つのスキャンでは十分ではない、というのは、全体のダークフィールド項という別の未知数が存在しているからである。鏡面成分の形状は各スキャンに対して異なって設定することが必要である。このことは、位相制御器をキャリブレーションすることにより達成することが可能である。位相制御器に対するキャリブレーション方法は前のセクションで説明している。
The three-scan method equation (2c) shows that the interference term includes the cosine (cosine) and amplitude of the relative phase of the defect signal. In order to fully determine the relative phase and amplitude of the defect signal, it is necessary to use at least three scans of the sample. Two scans are not enough because there is another unknown, the entire dark field term. The shape of the specular component needs to be set differently for each scan. This can be achieved by calibrating the phase controller. The calibration method for the phase controller is described in the previous section.

鏡面成分の初期位相値は重要ではなく、従って鏡面成分の任意の位相設定を使用することが可能である。例えば、サンプルの第1スキャンに対する鏡面成分の位相値がφであり且つ位相変化が第2及び第3スキャンに対してθ及びθであるとすると、第1、第2、第3スキャンに対する鏡面成分の複素振幅は以下の如くに表すことが可能である。 The initial phase value of the specular component is not critical, so any phase setting of the specular component can be used. For example, if the phase value of the specular component for the first scan of the sample is φ b and the phase change is θ 1 and θ 2 for the second and third scans, the first, second, and third scans The complex amplitude of the specular component for can be expressed as:

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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次いで、これら3つのサンプルスキャンに対する画像強度は以下の如くに表される。   The image intensities for these three sample scans are then expressed as follows:

Figure 0005444334
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次いで、ダイ毎の(又はセル毎の)差分強度は以下の通りである。   Then, the difference intensity for each die (or for each cell) is as follows.

Figure 0005444334
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これらのダイ対ダイ即ちダイ毎の差分強度は欠陥信号の必要とされる振幅及び位相情報を包含している。従って、これらのダイ毎の差分強度は全ウエハに対して格納することが必要である。このことは非現実的な量のメモリ空間を必要とするように見える。しかし、現実は、データは欠陥周りの区域においてのみ非ゼロであり、欠陥は実際には極めてまばらなものであるから、それほどのメモリ空間を必要とするものではない。非ゼロであるか又は所定のスレッシュホールド値より一層大きな値のデータのみを格納することが必要であるに過ぎない。ゼロ又はスレッシュホールド値より一層小さな値のデータは格納することは必要ではない。   These die-to-die or die-to-die differential intensities contain the required amplitude and phase information of the defect signal. Therefore, it is necessary to store the differential intensity for each die for all wafers. This seems to require an unrealistic amount of memory space. However, the reality is that the data is non-zero only in the area around the defect, and the defect is actually very sparse and does not require much memory space. It is only necessary to store data that is non-zero or greater than a predetermined threshold value. It is not necessary to store data with a value less than zero or a threshold value.

θ及びθがゼロではなく且つθ≠θである場合には、式(25),(26),(27)から欠陥信号の複素振幅(又は等価的に振幅及び位相)を決定することが可能である。増幅した欠陥信号の複素振幅の実部及び虚部は以下の通りである。 When θ 1 and θ 2 are not zero and θ 1 ≠ θ 2 , the complex amplitude (or equivalently amplitude and phase) of the defect signal is determined from the equations (25), (26), and (27). Is possible. The real part and imaginary part of the complex amplitude of the amplified defect signal are as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

Figure 0005444334
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全ダークフィールド項が以下の如くに表されることが分かる。   It can be seen that all dark field terms are expressed as:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

Figure 0005444334
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θ=−θ=θ≠0である場合には、式(28),(29),(30)は以下の式に還元される。 When θ 1 = −θ 2 = θ ≠ 0, the equations (28), (29), and (30) are reduced to the following equations.

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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θ及びθの値に対して幾つかの良い選択がある。しかし、最良の選択はθ=−θ=2π/3であり、それは式(38)により示されるように結果的に信号強度式が簡単化されるからである。θ=−θ=π/3又はθ=π/3、θ=2π/3のようなその他の選択もうまくいくが、信号強度の式は式(38)ほど簡単且つ対称的なものではない。θ=−θ=2π/3である場合には、式(32),(33),(34)は更に以下の式に還元される。 There are several good choices for the values of θ 1 and θ 2 . However, the best choice is θ 1 = −θ 2 = 2π / 3 because the resulting signal strength equation is simplified as shown by equation (38). Other choices such as θ 1 = −θ 2 = π / 3 or θ 1 = π / 3, θ 2 = 2π / 3 will work, but the signal strength equation is as simple and symmetrical as equation (38). It is not a thing. When θ 1 = −θ 2 = 2π / 3, the equations (32), (33), and (34) are further reduced to the following equations.

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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この場合に対する増幅した欠陥信号強度Iは以下の簡単な式を有している。 Amplified defect signal intensity I s has the following simple expression for this case.

Figure 0005444334
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は生の信号強度である。その大きさは照明光の強度のみならず鏡面成分の強度にも依存する。従って、欠陥信号を一層一貫性のあるものとさせるために、Iは照明光ビーム及び鏡面成分の強度に対して正規化させるべきである。 I s is the raw signal strength. The magnitude depends not only on the intensity of the illumination light but also on the intensity of the specular component. Therefore, in order to with some of the more consistent the defect signal, I s should be normalized to the intensity of the illumination light beam and the specular component.

照明はフィールドにわたり比較的一様とさせることが可能であるが、鏡面成分の強度は全フィールドにわたり著しく変化する場合がある。鏡面成分の強度変化の正確な測定は困難である。幸運なことに、鏡面成分の局所的強度の正確な値は必要ではない。正規化の目的のためには近似的な値で良い。鏡面成分の局所的強度値は、殆どの場合において全光強度の局所的平均によって近似させることが可能である。従って、生の増幅した欠陥信号強度Iは以下の如くにして適切に正規化させることが可能である。 Although illumination can be relatively uniform across the field, the intensity of the specular component can vary significantly across the entire field. Accurate measurement of the intensity change of the specular component is difficult. Fortunately, an exact value of the local intensity of the specular component is not necessary. For normalization purposes, approximate values are sufficient. The local intensity value of the specular component can be approximated by a local average of the total light intensity in most cases. Accordingly, amplified defect signal intensity I s of the raw it is possible to appropriately normalized in the following as.

Figure 0005444334
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尚、Iillはサンプル面における照明強度であり、Ilocalは画像面における全光強度の局所的平均であり、I'sは増幅した欠陥信号の正規化した強度である。 I ill is the illumination intensity at the sample surface, I local is the local average of the total light intensity at the image surface, and I ′ s is the normalized intensity of the amplified defect signal.

Iillは|s|2を正規化し且つIlocalは|b|2を正規化する。欠陥は、通常、スレッシュホールドと呼ばれるプリセット値とI'sのピーク値とを比較することにより検知される。全体的な性能を改善するために、より凝った欠陥検知アルゴリズムを使用することも可能である。 I ill normalizes | s | 2 and I local normalizes | b | 2 . Defects are typically detected by comparing the peak value of the preset value and I 's, called threshold. It is also possible to use more elaborate defect detection algorithms to improve the overall performance.

例えば、I's 2を空間的に積分することが可能であり、且つそのピーク値ではなくその積分した値を予め定めたスレッシュホールド値と比較することが可能である。又、有限幅の検知器要素での欠陥画像の数値逆畳み込み(numerical deconvolution)を他の方法と共に適用することも可能である。高速数値逆畳み込み方法は「空間周波数帯域幅」のセクションにおいて説明する。増幅した欠陥信号の正規化した強度は、欠陥の存在を表すのみならず、その欠陥の寸法に関しての重要な情報を与える。 For example, I ′ s 2 can be spatially integrated, and the integrated value rather than the peak value can be compared with a predetermined threshold value. It is also possible to apply numerical deconvolution of defect images with finite width detector elements along with other methods. The fast numerical deconvolution method is described in the “Spatial Frequency Bandwidth” section. The normalized intensity of the amplified defect signal not only represents the presence of the defect, but also provides important information regarding the size of the defect.

光学的信号は欠陥の物理的な寸法情報を直接的に与えるものではない。そうではなく、それは欠陥の「光学的寸法」を直接的に与えるものである。物理的寸法と光学的寸法との間の関係は複雑なものとなる可能性がある。従って、光学的寸法のみから正確に欠陥の物理的寸法を推定することは困難である。しかしながら、実験又はシミュレーションを介して欠陥の光学的寸法と物理的寸法との間の一般的な関係を確立することが可能である。次いで、欠陥の物理的寸法をこの一般的な関係から近似的に推定することが可能である。欠陥組成データ、レチクルパターンデータ等のその他のデータが付加的に使用される場合には、欠陥のより正確な特性付けが可能である。   The optical signal does not directly give the physical dimensional information of the defect. Rather, it directly gives the “optical dimension” of the defect. The relationship between physical dimensions and optical dimensions can be complex. Therefore, it is difficult to accurately estimate the physical dimension of the defect from only the optical dimension. However, it is possible to establish a general relationship between the optical and physical dimensions of the defect through experimentation or simulation. The physical dimensions of the defect can then be estimated approximately from this general relationship. If other data such as defect composition data or reticle pattern data is additionally used, more accurate characterization of the defect is possible.

鏡面成分と相対的な欠陥信号φの位相は以下の如くになる。 The phase of the defect signal φ s relative to the specular component is as follows.

Figure 0005444334
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より意味の或る位相値は、φと「位相制御器」のセクションにおいて説明する参照(基準)位相値との間の差異である。従って、この参照位相の値がゼロではない場合には、φsからこの参照位相値を減算すべきである。この位相情報はより正確な欠陥分類のための付加的な臨界的情報を与える。例えば、位相情報は、その欠陥が粒子、ボイド、メサ、又は谷タイプであるか否かを直接的に判別する。正確で信頼性の或る欠陥分類は、信頼性のある欠陥検知と同じ程度に重要である。既存の技術は欠陥分類のために部分的振幅情報のみに依存しており、それは非常に信頼性の無い欠陥分類となる。ここに開示するシステム及び方法は、欠陥分類のために振幅と位相情報の両方を使用することを可能とする。両方の量の使用はより一層正確且つ信頼性のある欠陥分類を可能とする。 A more meaningful phase value is the difference between φ s and the reference (reference) phase value described in the “Phase Controller” section. Therefore, if the reference phase value is not zero, the reference phase value should be subtracted from φs. This phase information provides additional critical information for more accurate defect classification. For example, the phase information directly determines whether the defect is a particle, void, mesa, or valley type. Accurate and reliable defect classification is as important as reliable defect detection. Existing technology relies only on partial amplitude information for defect classification, which results in very unreliable defect classification. The systems and methods disclosed herein allow both amplitude and phase information to be used for defect classification. The use of both quantities allows for more accurate and reliable defect classification.

欠陥組成データ、レチクルパターンデータ等の付加的な情報も使用する場合には、更により一層正確な欠陥分類が可能となる。より正確且つ信頼性のある欠陥分類能力は、ここに開示するシステム及び方法の重要な特徴の一つである。欠陥位相情報も高感度動作モードに対して位相制御器を適切に設定するために使用することが可能である。   When additional information such as defect composition data and reticle pattern data is also used, an even more accurate defect classification becomes possible. More accurate and reliable defect classification capabilities are one of the key features of the systems and methods disclosed herein. The defect phase information can also be used to set the phase controller appropriately for the high sensitivity mode of operation.

ウエハパターンノイズ、偽り欠陥等の関心の無い欠陥は実際には現実の欠陥である。キャッチオールモードはこれらの種類の欠陥を検討するか又は特性付けるために非常に効果的に使用することが可能であり、従ってそれらを最も効果的に区別することが可能である。   Defects that are not of interest such as wafer pattern noise and false defects are actually real defects. The catch-all mode can be used very effectively to study or characterize these types of defects, and thus can distinguish them most effectively.

図38は1例として20nm欠陥の信号強度及び位相のプロットを示している。曲線3810は信号強度であり且つ曲線3812は対応する位相である。この欠陥の検知のためには、信号強度のピーク値のみが通常必要とされる。   FIG. 38 shows a plot of signal intensity and phase for a 20 nm defect as an example. Curve 3810 is the signal strength and curve 3812 is the corresponding phase. Only the peak value of the signal intensity is normally required for detecting this defect.

式(37)は照明強度で正規化させ且つダークフィールド信号の強度を評価するために使用することが可能であり、これはダークフィールド動作モードが欠陥を信頼性をもって見つけるために使用することが可能であるか否かを決定する。   Equation (37) can be normalized by illumination intensity and used to evaluate the intensity of the dark field signal, which can be used by the dark field mode of operation to reliably detect defects. It is determined whether or not.

式(35)乃至(39)は実際のシステムにおいて特に有用である場合がある。何故ならば、それは計算するのにそれほど計算時間を取るものではないし、位相角度の等分割のおかげでランダムノイズに殆ど影響されないからである。θ=−θ=2π/3を選択し且つこれらの式を使用することにより、3スキャン方法は非常に効果的な態様で欠陥信号の複素振幅を完全に決定することが可能である。 Equations (35) through (39) may be particularly useful in actual systems. This is because it does not take much calculation time to calculate and is hardly affected by random noise thanks to the equal division of the phase angle. By choosing θ 1 = −θ 2 = 2π / 3 and using these equations, the 3-scan method can completely determine the complex amplitude of the defect signal in a very effective manner.

該式はピクセル毎の並列計算を可能とさせる。従って、大量の並列計算技術を使用することにより、実時間計算を困難性無しで実現することが可能である。例えば、現在の技術で、大量のグラフィックス処理ユニット(GPU)及びそれをサポートするチップセットを使用することにより、強力でどっしりした並列コンピュータを廉価に構築することが可能である。   The equation allows parallel computation per pixel. Therefore, real-time computation can be realized without difficulty by using a large amount of parallel computing technology. For example, with current technology, it is possible to build a powerful and massively parallel computer at low cost by using a large number of graphics processing units (GPUs) and chipsets that support them.

増幅した欠陥信号強度、式(38)又は(39)、は欠陥信号の実部のみではなく全体の強度であり、従って、欠陥の存在の真実のインジケータである。それを予め定めたスレッシュホールドと比較することにより、その欠陥が関心のあるものである程度に十分に大きいものであるか否かを告げることが可能である。その欠陥が関心のあるものである場合には、式(35)及び(36)を使用してその信号の複素振幅を計算することによりそれを特性付けることが可能である。これはそれがどのような種類の欠陥であるかについての何らかの臨界的な情報を与える。   The amplified defect signal intensity, equation (38) or (39), is not only the real part of the defect signal, but the overall intensity, and is therefore a true indicator of the presence of a defect. By comparing it to a predetermined threshold, it is possible to tell whether the defect is of interest and large enough. If the defect is of interest, it can be characterized by calculating the complex amplitude of the signal using equations (35) and (36). This gives some critical information about what kind of defect it is.

例えば、図39は20nm粒子及び20nmボイドからの欠陥信号の位相のプロットを示している。曲線3910は20nmボイドの位相を示しており、曲線3912は20nm粒子の位相を示している。図39から、粒子及びボイドは欠陥信号の複素振幅に対して反対符号の位相角度を与えることを理解することが可能である。従って、たとえ欠陥信号の振幅が同じであっても、どれが粒子タイプの欠陥でありどれがボイドタイプの欠陥であるかを告げることが可能である。   For example, FIG. 39 shows a plot of the phase of the defect signal from 20 nm particles and 20 nm voids. Curve 3910 shows the phase of 20 nm voids and curve 3912 shows the phase of 20 nm particles. From FIG. 39, it can be seen that particles and voids give opposite phase angles to the complex amplitude of the defect signal. Thus, even if the amplitude of the defect signal is the same, it is possible to tell which are particle type defects and which are void type defects.

欠陥寸法が回収光学系の分解能と同等であるか又はそれより大きく且つノイズも低い場合には、欠陥信号の複素振幅をイメージング光学系の点広がり関数の複素振幅でデコンボリューション即ち逆畳み込みして欠陥のより詳細な状況を得ることも可能である。この能力は欠陥分類がより一層正確なものとなることを助ける。より正確な欠陥分類は欠陥レビュープロセスにおいて著しく時間を節約することとなる。欠陥レビュープロセスは、通常、非常にコスト高であり且つ遅滞なものである。何故ならば、欠陥レビューは、通常、高価であるが遅い電子顕微鏡を使用することを必要とするからである。従って、複数サンプルスキャンに起因する処理能力の減少は、欠陥レビュープロセスにおける処理能力の増加によりみごとに補償されることとなる。   If the defect size is equal to or greater than the resolution of the recovery optics and the noise is low, the defect amplitude can be deconvoluted by deconvolution with the complex amplitude of the point spread function of the imaging optics. It is also possible to obtain a more detailed situation. This ability helps the defect classification become more accurate. A more accurate defect classification will save significant time in the defect review process. The defect review process is usually very costly and slow. This is because defect reviews usually require the use of expensive but slow electron microscopes. Therefore, the reduction in processing capacity due to multiple sample scans is compensated for by the increased processing capacity in the defect review process.

別の重要な事実は、増幅した欠陥信号強度、式(38)又は(39)、の強さは欠陥信号の位相値に依存しないということである。このことは、キャッチオールモードは、潜在的に、任意の種類のパターンにより取り囲まれている任意の種類の欠陥を捕らえることが可能であることを意味している。このことが何故キャッチオールモードがそのように強力なモードであるかの理由である。従来技術はキャッチオールモードをサポートすることは不可能である。何故ならば、従来技術は欠陥信号の複素振幅の実部と虚部の両方を測定することは不可能だからである。従来技術は実部を測定することが可能であるに過ぎない。この場合には、信号強度は、臨界的に、欠陥信号とその周囲のパターンとの間の相対的位相値に依存する。その結果、従来技術は異なる種類の欠陥の全てを見つけることは不可能である。そうではなく、従来技術はかなりの数の欠陥をミスする蓋然性がある。   Another important fact is that the strength of the amplified defect signal intensity, equation (38) or (39), does not depend on the phase value of the defect signal. This means that the catch-all mode can potentially catch any type of defect surrounded by any type of pattern. This is why the catch-all mode is such a powerful mode. The prior art cannot support the catch-all mode. This is because the prior art cannot measure both the real and imaginary parts of the complex amplitude of the defect signal. The prior art can only measure the real part. In this case, the signal strength critically depends on the relative phase value between the defect signal and the surrounding pattern. As a result, the prior art cannot find all the different types of defects. Rather, the prior art is likely to miss a significant number of defects.

2スキャン方法
前述した如く、一般的に、欠陥信号の複素振幅を完全に決定するためには少なくとも3つのサンプルスキャンを取る。しかしながら、全信号のダークフィールド部分が干渉項と比較して無視可能である場合には、欠陥信号の複素振幅を決定するために2つのサンプルスキャンで十分である。このことは式(25)及び(26)から理解することが可能である。これらの式中のダークフィールド部分を無視し且つθ=±π/2と設定すると、これらの式は次式を与える。
Two-scan method As described above, in general, at least three sample scans are taken to completely determine the complex amplitude of the defect signal. However, if the dark field portion of the total signal is negligible compared to the interference term, two sample scans are sufficient to determine the complex amplitude of the defective signal. This can be understood from equations (25) and (26). Neglecting the dark field portion in these equations and setting θ 1 = ± π / 2, these equations give:

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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増幅した欠陥信号強度Iは次式となる。 Amplified defect signal intensity I s becomes the following equation.

Figure 0005444334
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正規化した増幅した欠陥信号強度I’は次式となる。 The normalized amplified defect signal intensity I s ′ is as follows:

Figure 0005444334
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イメージセンサーが大きなダイナミックレンジを有している場合には、全信号の干渉項を大きな量だけブーストさせることが可能である。この場合に、全信号のダークフィールド部分は、キャッチオール動作モードをスピードアップさせるために2スキャン方法を使用可能であるように非常に小さくなる場合がある。   If the image sensor has a large dynamic range, it is possible to boost the interference term of all signals by a large amount. In this case, the dark field portion of the total signal may be very small so that a two-scan method can be used to speed up the catch-all mode of operation.

4スキャン方法
鏡面成分の4つの位相値に対する簡単な選択は、0、π、π/2、−π/2である。サンプルをスキャン当たりの鏡面成分の位相変化である0、π、π/2、−π/2で4回スキャンすると、次式が得られる。
A simple selection for the four phase values of the four-scan method specular component is 0, π, π / 2, and −π / 2. When the sample is scanned four times with 0, π, π / 2, and −π / 2 which are the phase changes of the specular component per scan, the following equation is obtained.

Figure 0005444334
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ダイ毎の差分強度は次式の通りとなる。   The difference intensity for each die is as follows.

Figure 0005444334
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増幅した欠陥信号の複素振幅の実部及び虚部は次式の如くになる。   The real part and the imaginary part of the complex amplitude of the amplified defect signal are as follows.

Figure 0005444334
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この場合に対する増幅した欠陥信号強度Iは以下の簡単な式を有している。 Amplified defect signal intensity I s has the following simple expression for this case.

Figure 0005444334
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正規化した増幅した欠陥信号強度は次式となる。   The normalized amplified defect signal intensity is:

Figure 0005444334
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鏡面成分と相対的な欠陥信号の位相φは次式となる。 The phase φ s of the defect signal relative to the specular component is given by

Figure 0005444334
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この4スキャン方法はより簡単な式を与える。しかしながら、その主要な欠点は、欠陥信号と鏡面成分との間の相対的位相角度は45°程度に大きくなることが可能であるという点である。注意すべきことであるが、3スキャン方法に対する最大の相対的位相角度は30°である。この事実は、3スキャン方法よりも幾つかの欠陥に対してこの4スキャン方法をより感度の低いものとさせる場合がある。3スキャン方法よりも良い感度を得るために、{0,π,π/2,−π/2}とは異なる位相値を選択することが可能である。可能な異なる選択は、{0,π/4,π/2、3π/4}、{±π/8,±3π/8}等である。しかしながら、これらの他の選択は、欠陥信号を決定するために回帰方法の使用が関与し、且つ欠陥信号の解析的表現を一層複雑なものとさせる。(欠陥信号の一般的な表現については次のサブセクションを参照)。4スキャン方法の別の欠点は、必要とされるエキストラなサンプルスキャンのおかげで、3スキャン方法と比較して処理能力が減少されていることである。   This 4-scan method gives a simpler formula. However, its main drawback is that the relative phase angle between the defect signal and the specular component can be as large as 45 °. It should be noted that the maximum relative phase angle for the three scan method is 30 °. This fact may make the 4-scan method less sensitive to some defects than the 3-scan method. In order to obtain better sensitivity than the three-scan method, it is possible to select a phase value different from {0, π, π / 2, −π / 2}. Possible different choices are {0, π / 4, π / 2, 3π / 4}, {± π / 8, ± 3π / 8}, etc. However, these other choices involve the use of regression methods to determine the defect signal and make the analytical representation of the defect signal more complex. (See the next subsection for a general representation of the defect signal). Another disadvantage of the 4-scan method is that the processing power is reduced compared to the 3-scan method due to the extra sample scan required.

一層高いスキャン方法
より多くの独立した画像データはより良い信号対雑音比へ通じる。従って、信号対雑音比を増加させるために、各スキャンに対して鏡面成分の異なる位相設定で4回を越えでサンプルをスキャンをスキャンすることが可能である。この場合に、データの量は欠陥信号の複素振幅を一意的に決定するために必要なものよりも一層多い。従って、欠陥信号を決定するために回帰方法を採用すべきである。既知の賛否両論で使用可能な多数の異なる回帰方法がある。最もポピュラーな方法の内の一つは最小二乗回帰である。それは、ノイズがランダムである場合に好適な選択であり、且つそれは現在の場合に対して解析的なアプローチを可能とする。解析的回帰は多大な計算時間を節約することが可能であるので重要である。ノイズがランダムではない場合にその他の回帰方法がより適している場合があるが、通常、解析的アプローチを可能とするものではない。従って、最小二乗回帰をここで提示する。
More independent image data leads to better signal-to-noise ratio than higher scanning methods . Thus, to increase the signal-to-noise ratio, it is possible to scan a sample scan more than four times with different phase settings of the specular component for each scan. In this case, the amount of data is much higher than is necessary to uniquely determine the complex amplitude of the defect signal. Therefore, a regression method should be employed to determine the defect signal. There are a number of different regression methods that can be used with known pros and cons. One of the most popular methods is least squares regression. It is a good choice when the noise is random, and it allows an analytical approach to the current case. Analytical regression is important because it can save a lot of computation time. Other regression methods may be more appropriate when the noise is not random, but usually do not allow an analytical approach. Therefore, the least square regression is presented here.

サンプルが各スキャンに対して異なる位相設定でもってN回スキャンされるものと仮定すると、ΔIn (0)、即ちn番目のスキャンに対する理論的ダイ毎の差分画像強度は以下の如くに表される。 Assuming that the sample is scanned N times with different phase settings for each scan, ΔI n (0) , ie the differential image intensity per theoretical die for the nth scan, is expressed as: .

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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誤差関数は最小二乗回帰において以下の如くに定義される。   The error function is defined as follows in least squares regression.

Figure 0005444334
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尚、ΔIはn番目のスキャンに対する実際のダイ毎の差分画像強度であり、且つΔIn (0)はn番目のスキャンに対する理論的なダイ毎の差分画像強度である。 ΔI is the actual differential image intensity for each die for the nth scan, and ΔI n (0) is the theoretical differential image intensity for each die for the nth scan.

この誤差関数を最小とさせるD,s,sの値を見つけ出さねばならない。D,s,sに関しての誤差関数の勾配はその最小値においてゼロとなる。従って、その解は以下の3つの式を満足する。 The values of D, s x , and s y that minimize this error function must be found. The slope of the error function with respect to D, s x , s y is zero at its minimum value. Therefore, the solution satisfies the following three equations.

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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従って、式(62)から次式が得られる。   Therefore, the following equation is obtained from the equation (62).

Figure 0005444334
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式(65)を式(63)及び(64)内に代入すると、次式が得られる。   Substituting equation (65) into equations (63) and (64) yields:

Figure 0005444334
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式(66)及び(67)から次式が得られる。   From the equations (66) and (67), the following equation is obtained.

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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式(73)及び(74)は増幅した欠陥信号の複素振幅に対する一般的な最善の解である。式(73)及び(74)を式(65)内に代入すると次式となる。   Equations (73) and (74) are general best solutions for the complex amplitude of the amplified defect signal. Substituting equations (73) and (74) into equation (65) yields the following equation.

Figure 0005444334
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信号強度及び位相は迅速に計算することが可能であり且つ前に説明した態様で欠陥検知及び分類のために使用することが可能である。式(75)は照明強度で正規化させることが可能であり且つダークフィールド信号の強度を評価するために使用することが可能である。ダークフィールド信号の強度を評価することにより、ダークフィールド動作モードを欠陥を見つけ出すために使用することが可能であるか否かを告げることが可能である。   The signal strength and phase can be calculated quickly and can be used for defect detection and classification in the manner previously described. Equation (75) can be normalized with illumination intensity and can be used to evaluate the intensity of the dark field signal. By evaluating the strength of the dark field signal, it is possible to tell whether the dark field mode of operation can be used to find defects.

一般的に、N≧4である場合には、回帰の後に残留誤差の量を計算することにより測定データの完全性を推定することが可能である。この残留誤差は、式(73),(74),(75)を式(61)内に代入し且つ該式中の各項を加算することにより迅速に計算することが可能である。この残留誤差をプリセット値と比較することにより、測定の妥当性を告げることが可能である。該残留誤差をチェックすることは、システムトラブルシューティングにおいて特に有用である。それは、通常、システムトラブルシューティングプロセスの最初のステップである。   In general, if N ≧ 4, it is possible to estimate the completeness of the measurement data by calculating the amount of residual error after regression. This residual error can be quickly calculated by substituting Equations (73), (74), and (75) into Equation (61) and adding the terms in the equation. By comparing this residual error with a preset value, it is possible to tell the validity of the measurement. Checking the residual error is particularly useful in system troubleshooting. It is usually the first step in the system troubleshooting process.

式(73)乃至(75)は、N=3である場合に、夫々、式(28)乃至(30)へ還元される。   Expressions (73) to (75) are reduced to Expressions (28) to (30), respectively, when N = 3.

位相設定が以下の条件を満足するように選択されると、   When the phase setting is selected to satisfy the following conditions:

Figure 0005444334
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(1例として、全てのθがそれらの間の均等な角度間隔で選択される場合に、上の条件を満足させることが可能である)
すると、
(As an example, it is possible to satisfy the above condition when all θ n are selected with equal angular spacing between them)
Then

Figure 0005444334
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その結果、この場合には、次式となる。 As a result, in this case, the following equation is obtained.

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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式(78)及び(79)から、次式が得られる。   From the equations (78) and (79), the following equation is obtained.

Figure 0005444334
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N=3であり且つθ=0,θ=−θ=2π/3である場合に、式(78)乃至(81)は式(35)乃至(38)へ還元されることを理解することは容易である。それらは、又、N=4であり且つθ=0,θ=π,θ=−θ=π/2である場合に、式(53)乃至(56)へ還元される。 It is understood that when N = 3 and θ 0 = 0 and θ 1 = −θ 2 = 2π / 3, equations (78) to (81) are reduced to equations (35) to (38). It's easy to do. They are also reduced to equations (53) through (56) when N = 4 and θ 0 = 0, θ 1 = π, θ 2 = −θ 3 = π / 2.

上に示した如く、キャッチオールモードに対する回帰プロセスは解析的に行うことが可能である。従って、キャッチオールモードにおける動作は、より信頼性のある欠陥信号を得るためにサンプルを3回を遥かに越えてスキャンする場合であっても過剰な計算時間を必要とするものではない。確実に、より多くのスキャンはより低い処理能力を意味している。しかしながら、信号対雑音比が低いか又は高い信号対雑音比が必要とされる場合には、より多くのサンプルスキャンは著しく助けとなる場合がある。例えば、欠陥信号の正確な検討は、高い信号対雑音比の欠陥信号の供給から利点を得る事が可能であり、且つこのことはキャッチオールモードを多数のサンプルスキャンで稼動させることにより容易に得ることが可能である。   As indicated above, the regression process for the catch-all mode can be done analytically. Therefore, operation in the catch-all mode does not require excessive computation time even if the sample is scanned far more than three times to obtain a more reliable defect signal. Certainly, more scans mean lower throughput. However, if the signal-to-noise ratio is low or a high signal-to-noise ratio is required, more sample scans can be significantly helpful. For example, accurate examination of the defect signal can benefit from the provision of a high signal-to-noise ratio defect signal, and this is easily obtained by running the catch-all mode with multiple sample scans. Is possible.

Nが大きく且つ相対的位相を迅速に変えることが可能であり且つ測定データを迅速に収集することが可能である場合には、本システムはヘテロダインモードで動作させることが可能である。ヘテロダインモードは1/fノイズに影響されることは少なく、従って、通常、より明瞭な測定データを与えることが可能である。ヘテロダイン方法はスタティック又はステッピングシステムにおいて比較的容易に実現することが可能であるが、それは、通常、スキャニングシステム、特に、高速スキャニングシステムにおいて実現することは困難である。   If N is large and the relative phase can be changed quickly and measurement data can be collected quickly, the system can be operated in heterodyne mode. The heterodyne mode is less affected by 1 / f noise and can therefore usually provide clearer measurement data. The heterodyne method can be implemented relatively easily in static or stepping systems, but it is usually difficult to implement in scanning systems, particularly high speed scanning systems.

コントラスト向上
イメージセンサーのダイナミックレンジが飽和すると、信号の完全性を維持するために、画像のコントラストはキャッチオールモードにおいて増加させることが必要である。この場合に、高感度モードセクションにおいて説明した同じコントラスト向上技術を使用することが可能である。
When the dynamic range of the contrast-enhanced image sensor is saturated, the image contrast needs to be increased in the catch-all mode to maintain signal integrity. In this case, it is possible to use the same contrast enhancement technique described in the high sensitivity mode section.

偏光ダイバーシチ(Polarization Diversity)
前述した如く、欠陥信号の強度は、照明光及び散乱光の偏光状態に依存する場合がある。従って、関心のある欠陥が、その信号強度が偏光状態に異なって依存する異なる種類の欠陥から構成されている場合には、全ての異なる種類の欠陥を捕獲するために、複数個の異なる偏光状態で画像を回収することが必要である。これは偏光ダイバーシチと呼ばれる。理論的には、偏光ダイバーシチに対処することは、位相シフトと偏光設定の異なる組み合わせでの多数のスキャンを取る場合がある。現実的には、このことは、通常、実際的ではなく、1個の小さな欠陥又は2個をミスする確率と処理能力とをバランスさせるために良好な判断が必要とされる。光学物理の基本的な理解は偏光ダイバーシチを対処する上で約に立つ。例えば、欠陥及びその隣のパターンが螺旋構造を有するものでない限り、使用される偏光の組み合わせを直線偏光の組み合わせへ制限することが可能である。
Polarization Diversity
As described above, the intensity of the defect signal may depend on the polarization state of the illumination light and the scattered light. Thus, if the defect of interest consists of different types of defects whose signal intensity depends differently on the polarization state, a plurality of different polarization states are used to capture all the different types of defects. It is necessary to collect images with This is called polarization diversity. In theory, dealing with polarization diversity may take multiple scans with different combinations of phase shift and polarization settings. In practice, this is usually impractical and good judgment is required to balance the probability of missing one small defect or two with processing power. A basic understanding of optical physics is about to deal with polarization diversity. For example, as long as the defect and the adjacent pattern do not have a helical structure, it is possible to limit the polarization combination used to a linear polarization combination.

空間周波数帯域幅
回収レンズにより回収された光学的信号の複素振幅分布の最大空間周波数はNA/λであり、NAは回収レンズの開口数である。しかしながら、強度は複素振幅の絶対平方であるので、強度分布に対する最大空間周波数は2NA/λである。しかし、式(1)をより詳細に検討すると、実際には、ダークフィールド項のみが2NA/λの最大空間周波数を有するものであることが分かる。干渉項の最大空間周波数は近似的にNA/λのみとすることが可能である。何故ならば、鏡面成分の最大空間周波数は、サンプルを近法線方向から照明することにより非常に小さくすることが可能だからである。この事実は、図40に示してあり、それは照明が垂直入射である欠陥信号成分の空間周波数帯域幅をダークフィールド空間周波数帯域幅と比較する。曲線4010は干渉項を示しており、且つ曲線4012はダークフィールド項を示している。高感度モード及びダークフィールドモードに対する最大空間周波数は2NA/λである。何故ならば、それらは画像測定においてダークフィールド項を有しており且つそれらを使用するからである。しかしながら、キャッチオールモードは信号処理期間中に全てのダークフィールド項を落とし且つ干渉項のみを使用する。従って、キャッチオールモードに対する最大空間周波数はNA/λであり2NA/λではない。これは顕著な意味合いを有している。ナイキスト・シャノン(Nyquist-Shannon)サンプリング理論によれば、画像中の全ての情報をピックアップし且つ信号エイリアシング(aliasing)を回避するために、画像サンプリングの空間周波数は画像の最大空間周波数の少なくとも2倍とすべきである。注意すべきことであるが、ナイキスト・シャノンサンプリング理論はイメージセンサーに適用される。何故ならば、イメージセンサーは1種のサンプリング装置だからである。
The maximum spatial frequency of the complex amplitude distribution of the optical signal recovered by the spatial frequency bandwidth recovery lens is NA / λ, where NA is the numerical aperture of the recovery lens. However, since the intensity is an absolute square of the complex amplitude, the maximum spatial frequency for the intensity distribution is 2NA / λ. However, a closer examination of equation (1) reveals that only the dark field terms actually have a maximum spatial frequency of 2NA / λ. The maximum spatial frequency of the interference term can be approximately only NA / λ. This is because the maximum spatial frequency of the specular component can be made very small by illuminating the sample from the near normal direction. This fact is illustrated in FIG. 40, which compares the spatial frequency bandwidth of the defect signal component where the illumination is normal incidence with the dark field spatial frequency bandwidth. Curve 4010 shows the interference term and curve 4012 shows the dark field term. The maximum spatial frequency for the high sensitivity mode and the dark field mode is 2 NA / λ. Because they have dark field terms and use them in image measurements. However, the catch-all mode drops all dark field terms and uses only interference terms during signal processing. Therefore, the maximum spatial frequency for the catch-all mode is NA / λ and not 2NA / λ. This has significant implications. According to Nyquist-Shannon sampling theory, the spatial frequency of image sampling is at least twice the maximum spatial frequency of the image in order to pick up all the information in the image and avoid signal aliasing. Should be. It should be noted that Nyquist-Shannon sampling theory applies to image sensors. This is because an image sensor is a kind of sampling device.

このことは、全てのモードに対して同じイメージセンサーを使用する場合には、欠陥に関する必要とされる情報の全てをピックアップし且つ信号エイリアシングを防止するために、キャッチオールモードに対する画像倍率は高感度モード又はダークフィールドモードのものほど高いものである必要はないことを意味している。このことは、同一のイメージセンサーがキャッチオールモードにおいてサンプル面における一層大きなフィールドオブビュー即ち視野をカバーすることが可能であることを意味している。一層大きな視野は一層高い処理能力を意味している。従って、少なくとも理論的には、複数のサンプルスキャンに起因するキャッチオールモードの処理能力の低下は視野における増加により著しく補償することが可能である。   This means that when using the same image sensor for all modes, the image magnification for catch-all mode is high sensitivity mode to pick up all the required information about defects and prevent signal aliasing. Or it means that it need not be as high as that of the dark field mode. This means that the same image sensor can cover a larger field of view in the sample plane in catch-all mode. A larger field of view means higher throughput. Thus, at least in theory, the reduction in catchall mode throughput due to multiple sample scans can be significantly compensated by an increase in field of view.

ダークフィールド信号が小さいか又は干渉信号と比較して無視可能である場合には、性能に影響を与えること無しに処理能力を増加させるために、高感度動作モードに対してさえもイメージングシステムの倍率を減少させることが可能である。欠陥寸法がだんだんとより小さくなるに従い、ダークフィールド信号はますますより重要ではなくなる。ダークフィールド信号は将来においては極めて小さいか又は無視可能となる場合がある。従って、将来世代の干渉欠陥検知システムは、高感度モードとキャッチオールモードの両方に対して同じ画像倍率を使用することが可能である場合がある。又、将来世代の干渉欠陥検知システムにおいては、この信号強度の低い強度に起因して、他の動作モードに対するものよりも一層高い画像倍率でダークフィールドモードは動作しない場合がある。照明光路が固定されている場合には、画像倍率は変えることは必要ではない。このことは、将来世代の干渉欠陥検知システムにおいて全ての動作モードに対して同一の固定した画像倍率を使用する場合があることを示唆している。単一の固定した画像倍率は、システムの製造コストを低下させると共にイメージングシステムを一層安定なものとさせるばかりか、その動作を簡単化させる。   If the dark field signal is small or negligible compared to the interfering signal, the magnification of the imaging system, even for sensitive modes of operation, to increase throughput without affecting performance Can be reduced. As the defect dimensions become smaller and smaller, the dark field signal becomes increasingly less important. The dark field signal may be very small or negligible in the future. Thus, future generations of interference defect detection systems may be able to use the same image magnification for both the high sensitivity mode and the catch-all mode. Also, in future generations of interference defect detection systems, the dark field mode may not operate at a higher image magnification than for other operation modes due to this low signal strength. When the illumination optical path is fixed, it is not necessary to change the image magnification. This suggests that future generations of interference defect detection systems may use the same fixed image magnification for all operating modes. A single fixed image magnification not only reduces system manufacturing costs and makes the imaging system more stable, but also simplifies its operation.

注意すべきことであるが、ナイキスト・シャノンサンプリング理論はサンプリング関数としてデルタ関数を仮定している。しかし、全ての実際のサンプリング関数がデルタ関数であることが可能なものではない。実際のサンプリング関数は有限の幅を有していなければならず、そうでなければ、信号を検知することは不可能である。イメージセンサーは1種の空間サンプリング装置である。サンプリング関数の幅はイメージセンサーの各ピクセルにおける光感受性区域の幅である。高感度又は高ダイナミックレンジは、通常、大きな光感受性区域を必要とする。従って、ナイキスト・シャノンサンプリング理論は適宜の修正をもって実際のシステムに適用される。しかしながら、ここで提示されている一般的な議論は尚且つ成立する。   It should be noted that Nyquist-Shannon sampling theory assumes a delta function as a sampling function. However, not all actual sampling functions can be delta functions. The actual sampling function must have a finite width, otherwise it is impossible to detect the signal. An image sensor is a kind of spatial sampling device. The width of the sampling function is the width of the light sensitive area at each pixel of the image sensor. High sensitivity or high dynamic range usually requires a large light sensitive area. Therefore, the Nyquist-Shannon sampling theory is applied to actual systems with appropriate modifications. However, the general discussion presented here still holds.

サンプリング関数の有限幅の負の効果を取り除く標準的な方法は、画像をサンプリング関数でデコンポリューションすることである。このことは、逆フーリエフィルタリングと等価であり、その場合には、画像のフーリエ変換をサンプリング関数のフーリエ変換の逆数で乗算する。しかしながら、デコンボリューションプロセスは通常過剰な計算資源を必要とするので実際的ではない。このことは、特に、高速欠陥検知の場合に言えることである。   A standard way to remove the finite-width negative effects of the sampling function is to deconvolve the image with the sampling function. This is equivalent to inverse Fourier filtering, in which case the Fourier transform of the image is multiplied by the inverse of the Fourier transform of the sampling function. However, the deconvolution process is usually impractical because it requires excessive computational resources. This is especially true for high-speed defect detection.

デコンボリューションプロセスを実際的なものとさせるために、それを迅速に実施することが可能であるように該プロセスを著しく簡単化させることが可能である。デコンボリューションプロセスの簡単化は任意の画像に対しては非常に制限されている。しかしながら、デコンボリューションプロセスの著しい簡単化は、その寸法が波長よりもかなり小さいものである小さな欠陥の差分画像に対して可能である。何故ならば、小さな欠陥の差分画像においては干渉項が優勢であり、且つ干渉項の形状はイメージングシステムの振幅点広がり関数(APSF)の形状と同じであり、従ってイメージングシステムの開口数が固定されている限り固定されているからである。   In order to make the deconvolution process practical, it can be significantly simplified so that it can be performed quickly. The simplification of the deconvolution process is very limited for any image. However, a significant simplification of the deconvolution process is possible for differential images of small defects whose dimensions are much smaller than the wavelength. This is because the interference term predominates in the differential image of a small defect, and the shape of the interference term is the same as the shape of the amplitude point spread function (APSF) of the imaging system, so that the numerical aperture of the imaging system is fixed. This is because it is fixed as long as possible.

図33乃至37はこの事実を確認している。たとえ鏡面成分の空間周波数がゼロではない場合であっても、それは干渉項の形状を変えるものではない。その効果は、干渉項にゼロではないキャリア周波数を与えることである。   Figures 33 to 37 confirm this fact. Even if the spatial frequency of the specular component is not zero, it does not change the shape of the interference term. The effect is to give the interference term a non-zero carrier frequency.

鏡面成分が単一の光線から構成されている場合には、干渉項はAPSFとキャリア周波数項との乗算として表すことが可能である。即ち、キャリア周波数項は取り除き且つ別に取り扱うことが可能である。キャリア周波数項を別に取り扱う場合には、小さな欠陥の差分画像とAPSFとの間の差異はそれらの強度である。この場合に、1種類の信号関数を取り扱うことが必要であるに過ぎないという事実により、デコンボリューションプロセスは信号関数のポイント毎のリスケーリング(rescaling)に帰着する。そのリスケーリング関数は、サンプリング関数の有限幅により影響されない理想的なAPSFと、サンプリング関数の有限幅により影響される実際のAPSFとの間の比を取ることにより容易に発生させることが可能である。   If the specular component consists of a single ray, the interference term can be expressed as a multiplication of the APSF and the carrier frequency term. That is, the carrier frequency term can be removed and handled separately. If the carrier frequency term is handled separately, the difference between the small defect difference image and the APSF is their intensity. In this case, the deconvolution process results in a point-by-point rescaling of the signal function due to the fact that only one type of signal function needs to be handled. The rescaling function can be easily generated by taking the ratio between the ideal APSF that is not affected by the finite width of the sampling function and the actual APSF that is affected by the finite width of the sampling function. .

デコンボリューションプロセスは、欠陥画像のリスケーリング関数との単純なポイント毎の乗算である。これは最近のコンピュータにおいて極めて高速のプロセスである。従って、この場合には、デコンボリューションプロセスは、小さな欠陥の画像に対して極めて高速に実施することが可能である。注意すべきことであるが、空間周波数ドメイン内において統計的に均等に分布されている限り、ノイズはデコンボリューションプロセスによって統計的な意味において増幅されたり又は影響されることはない。デコンボリューションは、画像を、検知器アレイと同じ間隔であるコム(comb)関数と呼称されるデルタ関数のアレイでサンプルされているように見えるようにさせる。この形態のデータで、理想的な信号形状に対応する関数を正確に当て嵌め、次いで欠陥が存在しない場合には参照信号の減算がほぼヌルの結果を与えるようにこの信号を多少シフトさせることが可能である。全信号のデコンボリューションが与えられたシステム例においては計算的に実際的ではないことが分かる場合には、このデコンボリューション技術は、検知プロセスの正確度を改善するために、弱い又は境目の欠陥信号に対してのみ選択的に適用させることが可能である。従って、ここに提示される高速デコンボリューション方法は、低コストで、高度に安定で、高性能で、高処理能力の欠陥検知システムの構成における重要な要因である。   The deconvolution process is a simple point-by-point multiplication with a defect image rescaling function. This is a very fast process in modern computers. Thus, in this case, the deconvolution process can be performed very quickly on small defect images. It should be noted that noise is not amplified or affected in a statistical sense by the deconvolution process as long as it is statistically evenly distributed within the spatial frequency domain. Deconvolution makes the image appear to be sampled with an array of delta functions called comb functions that are the same spacing as the detector array. With this form of data, the function corresponding to the ideal signal shape can be fitted exactly, and then the signal can be shifted somewhat so that subtraction of the reference signal gives a nearly null result if there are no defects. Is possible. If it turns out that it is not computationally practical in the given system example where full signal deconvolution is given, this deconvolution technique can be used to improve the accuracy of the detection process. It is possible to selectively apply only to. Therefore, the fast deconvolution method presented here is an important factor in the construction of a low cost, highly stable, high performance, high throughput defect detection system.

サンプルスキャン数の減少
処理能力を増加させる1つの方法は、サンプルスキャンの数を減少させることである。サンプルスキャンの数は、オリジナルの光ビームを複数のビームに分割し且つ各ビーム経路内に位相制御器を設置することにより減少させることが可能である。
Decreasing the number of sample scans One way to increase throughput is to reduce the number of sample scans. The number of sample scans can be reduced by splitting the original light beam into multiple beams and installing a phase controller in each beam path.

図41は例示的なシステム4100を示している。照明ビーム4118は瞳面近くでイメージングシステム内に入り且つ近垂直入射でサンプルに当たるように小型のプリズムによって折り曲げられる。サンプル4110からの鏡面ビーム成分4124及び散乱成分4128は、高NAレンズ組立体4116と低NAレンズ組立体4114との間で瞳近くに位置されているビームスプリッタ4172を使用して2つのビームに分割される。分割の後に、位相制御器4112及び補正板4130が各ビーム経路内に設置されている。各位相制御器は、散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相を予め選択した値の内の一つに設定する。2個の別個のイメージセンサー4140が2個の別々の画像の強度を同時的に測定する。従って、単一サンプルスキャンは同時に2個の画像データ組(セット)を発生することが可能である。その結果、サンプルスキャンの総数はこの例示的システムにおいては半分に減少させることが可能である。サンプルスキャンの数の更なる減少は、付加的なビームスプリッタを使用してこれらの2個のビームの各々を更に分割することにより容易に達成することが可能である。   FIG. 41 shows an exemplary system 4100. The illumination beam 4118 enters the imaging system near the pupil plane and is folded by a small prism to strike the sample at near normal incidence. The specular beam component 4124 and the scattered component 4128 from the sample 4110 are split into two beams using a beam splitter 4172 located near the pupil between the high NA lens assembly 4116 and the low NA lens assembly 4114. Is done. After the division, a phase controller 4112 and a correction plate 4130 are installed in each beam path. Each phase controller sets the relative phase between the scattering component and the specular component to one of preselected values. Two separate image sensors 4140 measure the intensity of two separate images simultaneously. Thus, a single sample scan can generate two image data sets at the same time. As a result, the total number of sample scans can be reduced in half in this exemplary system. Further reduction in the number of sample scans can be easily achieved by further splitting each of these two beams using an additional beam splitter.

付加的な位相制御器及びイメージセンサーは該付加的なビーム経路の各々に設置することが必要である。各位相制御器は、散乱成分と鏡面成分との間の相対的位相を予め選択した値の内の一つに設定する。複数の別個のイメージセンサーが複数の別々の画像の強度を同時的に測定する。従って、単一サンプルスキャンは同時に複数の画像データ組を発生することが可能である。その結果、サンプルスキャンの総数はその様に減少させることが可能である。物理的空間が許す限り、カスケード型ビーム分割を必要な数だけ実施することが可能である。この方法は、又、ターゲットとした欠陥が、各々が最適な検知のために異なる位相設定を必要とする複数の異なる種類の欠陥を包含している場合には、高感度動作モードに適用することが可能である。この場合に、各位相制御器は、各異なる種類の欠陥の最良の検知のために最適な位相値に設定される。正味の効果は同時的な複数の高感度モードの稼動である。この種類のスキャン数の減少は、ビームスプリッタを偏光感受性とすることにより、偏光多様性測定に適用することも可能である。しかしながら、この種類のスキャン数の減少はそれ自身の欠点を有している。それは、光学系の複雑性及びコストを増加させるばかりか、信号強度を減少させる。信号強度が低すぎるようになると、スキャン速度は信号強度を許容可能なレベルへブーストするために減少されねばならない。スキャン速度の減少は、スキャン数の減少で得ることが可能な処理能力の利得を減少させる場合がある。   Additional phase controllers and image sensors need to be installed in each of the additional beam paths. Each phase controller sets the relative phase between the scattering component and the specular component to one of preselected values. Multiple separate image sensors measure the intensity of multiple separate images simultaneously. Thus, a single sample scan can generate multiple image data sets simultaneously. As a result, the total number of sample scans can be reduced as such. It is possible to perform as many cascaded beam splits as the physical space allows. This method can also be applied to high sensitivity operating modes where the targeted defects include multiple different types of defects, each requiring a different phase setting for optimal detection. Is possible. In this case, each phase controller is set to an optimum phase value for the best detection of each different type of defect. The net effect is the simultaneous operation of multiple high sensitivity modes. This type of scan reduction can also be applied to polarization diversity measurements by making the beam splitter polarization sensitive. However, this type of scan reduction has its own drawbacks. It not only increases the complexity and cost of the optical system, but also decreases the signal strength. If the signal strength becomes too low, the scan speed must be reduced to boost the signal strength to an acceptable level. The reduction in scan speed may reduce the gain in processing power that can be obtained by reducing the number of scans.

3.ダークフィールドモード(Dark Field Mode)
ダークフィールドモードは鏡面反射を完全にブロックすることにより実現される。このスキームにおけるノイズを発生する光の付加的な二次元フーリエフィルタリングがダークフィールドモードを非常に静かなものとさせる(又はノイズレベルを非常に低くさせる)。それは、単に一次元フーリエフィルタリングを許容するに過ぎないライン照明を典型的に使用する現在使用可能な装置におけるダークフィールドモードよりも一層少ないホトンノイズを有している。しかしながら、前述した如く、二次元フーリエフィルタリングであっても、ダークフィールドモードは、その寸法がλ/4よりも小さな欠陥の検知のための良い選択ではない。しかしながら、ダークフィールドモードは、多様な異なる種類の大きな欠陥に対して十分に強い信号を発生し且つ通常サンプルの単一スキャンで十分であるので、それは大きな欠陥の高速な検知のための良い選択である。注意すべきことであるが、ダークフィールド信号の強さを前以て知ることが望まれる場合には、キャッチオールモードを最初にそのサンプルについて使用することが可能である。
3. Dark Field Mode
The dark field mode is realized by completely blocking the specular reflection. The additional two-dimensional Fourier filtering of the noise generating light in this scheme makes the dark field mode very quiet (or makes the noise level very low). It has much less photon noise than the dark field mode in currently available devices that typically use line illumination that only allows one-dimensional Fourier filtering. However, as described above, even with two-dimensional Fourier filtering, the dark field mode is not a good choice for detection of defects whose dimensions are smaller than λ / 4. However, the dark field mode generates a sufficiently strong signal for a variety of different types of large defects and is usually sufficient for a single scan of a sample, so it is a good choice for fast detection of large defects. is there. It should be noted that if it is desired to know in advance the intensity of the dark field signal, the catch-all mode can be used for that sample first.

ダークフィールドモードの別の良い使用は、イメージセンサーに対する最良の焦点を見つけ出すことである。何故ならば、ダークフィールドモードは、何らの焦点情報を担持するものではないが尚且つ散乱成分との干渉により画像のフォーカシング期間中に臨界的に画像に影響を与える場合がある鏡面成分をブロックするからである。ダークフィールドモードは鏡面成分を有するものではないので、他の動作モードほどイメージセンサーに関するダイナミックレンジが高いものであることを必要とするものではない。ダークフィールドモードに対するイメージセンサーシステムの更なる重要な特性は高感度及びより微細なピクセルである。   Another good use of dark field mode is to find the best focus for the image sensor. This is because the dark field mode does not carry any focus information and still blocks specular components that can critically affect the image during image focusing due to interference with the scattering component. Because. Since the dark field mode does not have a specular component, it does not require a higher dynamic range for the image sensor than the other operation modes. Further important characteristics of the image sensor system for the dark field mode are high sensitivity and finer pixels.

ダークフィールドモードの限界
ダークフィールドモードは位相制御器の操作を必要とするものではないので動作が容易である。又、それは単一サンプルスキャンで多様な欠陥を捕獲することが可能である。従って、ダークフィールドモードは、通常、信号が十分に強いものであるか又は鏡面成分による信号のノイズレス増幅が弱い鏡面成分に起因して些細なものである場合には1番目の選択である。しかしながら、前述した如く、ダークフィールドモードはノイズレス信号増幅能力を欠如しているので小さな欠陥を見つけ出す上で厳しい制限を有している。
Limit of dark field mode Dark field mode is easy to operate because it does not require operation of the phase controller. It can also capture a variety of defects in a single sample scan. Thus, the dark field mode is usually the first choice when the signal is sufficiently strong or the noiseless amplification of the signal by the specular component is trivial due to the weak specular component. However, as described above, the dark field mode has severe limitations in finding small defects because it lacks the noiseless signal amplification capability.

ダークフィールドモードを使用して無意味な試行錯誤を回避するために、ダークフィールドの限界をより明確に認識しておくことが必要である。ダークフィールドモードの限界を一層明確に理解するために、孤立した欠陥からの信号をシミュレーションし、次いでダークフィールド部分と干渉部分とに分割する。266nmの波長及びイメージングシステムの開口数が0.9であると仮定している。中央オブスキュレーションは0.2NAであると仮定されている。位相制御器は干渉項を最大とさせるべく調節されている。   In order to avoid meaningless trial and error using the dark field mode, it is necessary to recognize the limitations of the dark field more clearly. To more clearly understand the limitations of dark field mode, the signal from an isolated defect is simulated and then split into a dark field portion and an interference portion. It is assumed that the wavelength of 266 nm and the numerical aperture of the imaging system is 0.9. The central obscuration is assumed to be 0.2 NA. The phase controller is adjusted to maximize the interference term.

図42aは、1%の反射率に過ぎないサンプル表面上の80nmの孤立した欠陥からの検知信号のダークフィールド部分4210及び干渉部分4220を示している。欠陥自身の反射率は全てのシミュレーションした場合において100%であると仮定している。図42aは、欠陥が比較的大きく且つサンプル表面の反射率が非常に低い場合であっても、該信号の干渉項はダークフィールド部分よりも一層大きいことを示している。図42bは0.1%の反射率に過ぎないサンプル表面上の40nmの孤立した欠陥からの欠陥信号のダークフィールド部分4230及び干渉部分4240を示している。即ち、周りの区域の反射率は欠陥反射率の千分の一に過ぎない。このことは、欠陥の寸法が四分の一波長よりも小さい場合には、サンプルの反射率が極めて小さい場合であっても、欠陥信号の干渉部分はダークフィールド部分よりも一層大きいものであることを示している。   FIG. 42a shows a dark field portion 4210 and an interference portion 4220 of the detection signal from an 80 nm isolated defect on the sample surface that is only 1% reflectivity. It is assumed that the reflectance of the defect itself is 100% in all simulation cases. FIG. 42a shows that the interference term of the signal is much larger than the dark field portion, even if the defect is relatively large and the sample surface has a very low reflectivity. FIG. 42b shows a dark field portion 4230 and an interference portion 4240 of the defect signal from a 40 nm isolated defect on the sample surface with only 0.1% reflectivity. That is, the reflectivity of the surrounding area is only a thousandth of the defect reflectivity. This means that if the defect size is smaller than a quarter wavelength, the interference part of the defect signal is much larger than the dark field part, even if the reflectance of the sample is very small. Is shown.

図42cは、0.1%の反射率に過ぎないサンプル上の20nmの孤立した欠陥からの欠陥信号のダークフィールド部分4260及び干渉部分4250を示している。この場合に、ダークフィールド部分は干渉部分よりも著しく一層小さい。サンプルの反射率が一層大きい場合には、干渉部分は更に優勢である。従って、殆ど全ての実際的な場合において、干渉項が全てのサンプルに対して優勢であるということができる。即ち、ここに記載した位相制御及びノイズレス増幅の技術は、実際に遭遇する蓋然性のある全ての異なるタイプのウエハ及びレチクルに対して良好に動作する。このことは、ここに開示するシステム及び方法の別の重要な利点である。ダークフィールドモードは、欠陥の寸法がほぼ四分の一波長よりも大きい場合にのみ有用であることになる。しかしながら、将来における殆どの臨界的な欠陥は四分の一波長よりも一層小さいものであることが予測される。又、ダークフィールドモードは欠陥を正確に分類することが不可能であり、従って、それは将来においてはポピュラーな動作モードであるとは予測されない。   FIG. 42c shows a dark field portion 4260 and an interference portion 4250 of the defect signal from a 20 nm isolated defect on the sample that has only 0.1% reflectivity. In this case, the dark field portion is significantly smaller than the interference portion. If the reflectivity of the sample is higher, the interference part is more dominant. Thus, in almost all practical cases, it can be said that the interference term is dominant over all samples. That is, the phase control and noiseless amplification techniques described herein work well for all the different types of wafers and reticles that are likely to be encountered in practice. This is another important advantage of the systems and methods disclosed herein. The dark field mode will only be useful when the defect size is approximately greater than a quarter wavelength. However, most critical defects in the future are expected to be smaller than a quarter wavelength. Also, the dark field mode cannot accurately classify defects, so it is not expected to be a popular mode of operation in the future.

殆どの実際の欠陥は他の特徴から孤立しているものではない。従って、孤立した欠陥からの信号をシミュレーションすることにより到達した結論は、最後の言葉として解釈されるべきものではない。しかしながら、孤立した欠陥の場合は多数の異なる種類の場合の平均を表しており、従って、その結論は少なくともおおよそ正しいものであろう。透過性サンプルは数学的には反射性サンプルに非常に類似しているので、透過性サンプルに対しても同様の結論に到達することが可能である。   Most real defects are not isolated from other features. Therefore, the conclusion reached by simulating the signal from an isolated defect should not be interpreted as the last word. However, isolated defects represent the average of many different types and therefore the conclusion will be at least roughly correct. Since transmissive samples are mathematically very similar to reflective samples, it is possible to reach similar conclusions for transmissive samples.

IV.イメージングシステムの設計例
高品質イメージングシステムは、殆どの光学系を基礎とした検査システムの重要なコンポーネントの内の一つであり且つ最も高価な部品である。前述した如く、ここに開示するシステム及び方法は、屈折光学系(dioptric)、反射光学系(catoptric)、及び反射屈折光学系(catadioptric)を包含する多様なイメージングシステムで使用することが可能である。屈折光学系及び反射光学系設計はこのタイプの適用例に対してより良く知られている。多数の書籍、特許、及びその他の文献が屈折光学系及び反射光学系設計を徹底的にカバーしている。
IV. Imaging System Design Examples High quality imaging systems are one of the most important components of most optical based inspection systems and the most expensive part. As previously noted, the systems and methods disclosed herein can be used in a variety of imaging systems including refractive optics, catoptric, and catadioptric. . Refractive and reflective optics designs are better known for this type of application. Numerous books, patents, and other literature thoroughly cover refractive and reflective optics designs.

反射屈折光学系設計はより少なく知られているが、非常に高い性能である場合がある。2つの高性能反射屈折光学系イメージングシステムの設計例をここに提示する。この設計は米国特許第5,031,976号に基いている。1番目の設計例は図43aに示してある。その設計処方を以下に示してある。   Although catadioptric designs are less known, they can be very high performance. Two design examples of high performance catadioptric imaging systems are presented here. This design is based on US Pat. No. 5,031,976. The first design example is shown in FIG. 43a. The design recipe is shown below.

Figure 0005444334
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Figure 0005444334
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この設計は単一波長適用例に対するものである。266nmの波長をこの例示的設計に対して選択した。全てのレンズ及び2個の反射屈折光学系コンポーネント4313,4311は例示的設計においてはフューズドシリカ(fused silica)から構成されている。フューズドシリカの屈折率値は266nm波長に対して1.499684であると仮定している。しかしながら、フッ化カルシウム、フッ化リチウム等のその他のレンズ物質を使用することも可能である。   This design is for a single wavelength application. A wavelength of 266 nm was chosen for this exemplary design. All lenses and the two catadioptric components 4313 and 4311 are constructed of fused silica in the exemplary design. The refractive index value of fused silica is assumed to be 1.499684 for a 266 nm wavelength. However, other lens materials such as calcium fluoride and lithium fluoride can be used.

レンズコンポーネント4311は平凸レンズで、1.5mm離れたサンプル4310に面している平坦側上に反射性コーティングを具備している。該反射性コーティングの中央部分は、サンプルからの光が該レンズを介して通過することを可能とさせるために除去されている。レンズ4311を介して通過した後に、イメージビームが別のレンズ要素4312を介して通過し且つミラー要素4313上の表面4314上のコーティングによって反射され、それからそれは再度レンズ要素4312を介して且つ該反射性コーティングを有している要素4311の平坦側へ通過する。2番目の反射の後に、該光は要素4311から現れ、要素4312を介して3度目の通過をし且つこの場合には表面4314上の反射性コーティングにおける中央の孔を介して要素4313の後側近くの中間焦点へ通過する。この光学的トレインにおけるその他のレンズ要素は全て屈折性であり且つ単に中間画像を図中の左側に離れた検知器アレイ上に再結像させる。   The lens component 4311 is a plano-convex lens with a reflective coating on the flat side facing the sample 4310 1.5 mm apart. The central portion of the reflective coating has been removed to allow light from the sample to pass through the lens. After passing through the lens 4311, the image beam passes through another lens element 4312 and is reflected by the coating on the surface 4314 on the mirror element 4313, which then again passes through the lens element 4312 and reflects it. Pass to the flat side of the element 4311 having the coating. After the second reflection, the light emerges from element 4311 and passes a third time through element 4312 and in this case the back side of element 4313 through a central hole in the reflective coating on surface 4314. Pass to a nearby intermediate focus. All other lens elements in this optical train are refractive and simply re-image the intermediate image onto a detector array spaced to the left in the figure.

照明は図1に示したスキームを使用して補正板4315を介して導入することが可能である。近垂直入射照明ビーム4316を導入する別の方法は、レンズ/ミラー要素4313上の表面4314上の反射性コーティング内の2番目の小さな軸外孔を介してのものである。このことは、サンプル4310からの鏡面成分が表面4314の反対側から反射され、従ってサンプルから検知器面へ散乱成分と非常に類似した光路に追従することを確保する。この照明方法は、より少ないフレアを発生する。何故ならば、照明ビームはより少ない数の光学的コンポーネントを介して通過するからである。   Illumination can be introduced through the correction plate 4315 using the scheme shown in FIG. Another way to introduce the near normal incidence illumination beam 4316 is through a second small off-axis hole in the reflective coating on the surface 4314 on the lens / mirror element 4313. This ensures that the specular component from the sample 4310 is reflected from the opposite side of the surface 4314 and thus follows an optical path very similar to the scattered component from the sample to the detector surface. This illumination method produces less flare. This is because the illumination beam passes through a smaller number of optical components.

全てのレンズ要素は、同じ物質から作ることは必要ではない。例えば、高いレーザ強度区域に位置されるレンズはフッ化カルシウムのような一層レーザ損傷耐久性物質で作ることが可能であり、且つその他はフューズドシリカで作ることが可能である。全てのレンズ表面は球面状である。非球面を性能を更に改善するか又はレンズコンポーネントの数を減少させるために使用することが可能であるが、非球面が必要とされるものではない。   It is not necessary for all lens elements to be made from the same material. For example, a lens located in a high laser intensity area can be made of a more laser damage resistant material such as calcium fluoride, and the others can be made of fused silica. All lens surfaces are spherical. An aspheric surface can be used to further improve performance or reduce the number of lens components, but an aspheric surface is not required.

どのレンズ表面も極端な極率を有するものでもない。全てのこれらのレンズ特性は中程度の製造公差に通じる。従って、図43aに示したレンズシステムは何らの極端な困難性無しで製造することが可能である。該設計の開口数は0.9である。その視野は極めて大きな1.0mm直径フィールドをカバーする。その倍率は200xであると選択されているが、それはシステムの性能又は品質に影響を与えること無しに変えることが可能である。設計ストレール(Strehl)比は全フィールドにわたり0.996以上である。アパーチャストップの直径は47mmである。補正板4315はレンズ瞳近くに位置しており且つ、干渉計測定イメージング適用例においては、位相制御器及びフーリエフィルタブロッキングストリップを包含している。該補正板のクリア(clear)なアパーチャ直径は、アパーチャストップの47mm直径とほぼ同じである。これは、過剰な中央オブスキュレーションを発生すること無しに中間に位相制御器を設置するのに十分に大きい。この設計は、又、非常に低いフィールド湾曲と歪とを有している。この設計の唯一の欠点はその小さな作業距離であり、それは該例示的設計においては1.5mmである。この例示的設計は、典型的にペリクル保護のために大きな作業距離を必要とするレチクル検査などの適用例に対しては動作しない場合がある。しかしながら、この設計は、大きな作業距離を必要とすることの無いウエハ検査等のその他の適用例に対しては良く適している。   None of the lens surfaces have extreme polarities. All these lens properties lead to moderate manufacturing tolerances. Therefore, the lens system shown in FIG. 43a can be manufactured without any extreme difficulty. The numerical aperture of the design is 0.9. Its field of view covers a very large 1.0 mm diameter field. The magnification has been selected to be 200x, but it can be changed without affecting the performance or quality of the system. The design Strehl ratio is 0.996 or higher over the entire field. The diameter of the aperture stop is 47 mm. The correction plate 4315 is located near the lens pupil and, in an interferometric measurement imaging application, includes a phase controller and a Fourier filter blocking strip. The clear aperture diameter of the correction plate is approximately the same as the 47 mm diameter of the aperture stop. This is large enough to install a phase controller in the middle without generating excessive central obscuration. This design also has very low field curvature and distortion. The only drawback of this design is its small working distance, which is 1.5 mm in the exemplary design. This exemplary design may not work for applications such as reticle inspection that typically require a large working distance for pellicle protection. However, this design is well suited for other applications such as wafer inspection that do not require large working distances.

図43bは別の反射屈折光学系設計例を示している。この設計処方を以下に示してある。   FIG. 43b shows another catadioptric optical system design example. This design recipe is shown below.

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この設計は、サンプル表面4331と中間画像4332との間の部分における前の設計と同様であるが、瞳面近くにおいて、それはビームを二つのレッグ(leg)に分割するダイクロイック波長スプリッタ4333を包含しており、一方のレッグ4334は266nm部分であり且つ他方のレッグ4335は532nm部分である。各レッグはそれ自身の補正板4336及び位相制御器(不図示)を包含している。フューズドシリカの屈折率値は266nm波長に対して1.499684であり且つ532nm波長に対して1.460705であると仮定している。フッ化カルシウムの屈折率値は266nm波長に対して1.462084であり且つ532nm波長に対して1.435358であると仮定している。BK7ガラスの屈折率値は532nm波長に対して1.519473であると仮定している。この設計は単一波長設計と同様の特性を有している。レンズシステムは極端な困難性無しに製造することが可能である。開口数及び視野は前の設計のものと同じである。物理的寸法も同様である。しかしながら、それは2つの波長適用例に対して設計されている。その波長は266nm及び532nmに選択されている。その他の波長も同じ設計形式で選択することも可能である。それは2つの波長を独立的に取り扱うことが可能であるように各補正板内に包含されている波長分割器及び2つの別個の位相制御器を有している。   This design is similar to the previous design in the portion between the sample surface 4331 and the intermediate image 4332, but near the pupil plane it includes a dichroic wavelength splitter 4333 that splits the beam into two legs. One leg 4334 is a 266 nm portion and the other leg 4335 is a 532 nm portion. Each leg includes its own correction plate 4336 and phase controller (not shown). The refractive index value of fused silica is assumed to be 1.499684 for 266 nm wavelength and 1.460705 for 532 nm wavelength. The refractive index value of calcium fluoride is assumed to be 1.4202084 for the 266 nm wavelength and 1.435358 for the 532 nm wavelength. The refractive index value of BK7 glass is assumed to be 1.519473 for a wavelength of 532 nm. This design has similar characteristics as the single wavelength design. The lens system can be manufactured without extreme difficulty. The numerical aperture and field of view are the same as in the previous design. The physical dimensions are similar. However, it is designed for two wavelength applications. The wavelengths are selected at 266 nm and 532 nm. Other wavelengths can also be selected in the same design format. It has a wavelength divider and two separate phase controllers included in each corrector plate so that the two wavelengths can be handled independently.

該処方から理解されるように、フロントエンドレンズシステムは両方の波長により共用されている。バックエンドレンズシステムはその設計柔軟性を最大化させるために完全に分離されている。設計ストレール比は、全フィールドにわたり、266nm波長に対しては少なくとも0.996であり、且つ532nm波長に対しては少なくとも0.985である。フィールド湾曲及び歪も非常に低い。該設計は、バックエンドレンズシステム内により多くの波長分割器を挿入することによりより多くの波長を受け付けるために容易に修正することが可能である。これらの設計例はここに記載する欠陥検知システムに適用することが可能である。   As will be appreciated from the prescription, the front end lens system is shared by both wavelengths. The back-end lens system is completely separated to maximize its design flexibility. The design Strehl ratio is at least 0.996 for the 266 nm wavelength and at least 0.985 for the 532 nm wavelength over the entire field. The field curvature and distortion are also very low. The design can be easily modified to accept more wavelengths by inserting more wavelength dividers into the backend lens system. These design examples can be applied to the defect detection system described herein.

V.サブシステム
ここに開示するシステム及び方法は、何らの特定の照明又はフォーカスサブシステムに依存するものではない。それらは殆ど任意のサブシステムを受け付けることが可能である。しかしながら、性能及びコストの両方で全検査装置を最適化することは、優れたイメージングシステム設計ばかりでなく、相補的照明及び自動焦点システムの見事な設計をも必要とする。
V. Subsystems The systems and methods disclosed herein do not depend on any particular illumination or focus subsystem. They can accept almost any subsystem. However, optimizing the entire inspection system for both performance and cost requires not only good imaging system design, but also stunning design of complementary illumination and autofocus systems.

別の簡単であるが重要な部分はアパーチャストップからの回折(分散)の抑圧である。これからのセクションにおいては、新たな照明システム及び新たな自動焦点システムを最初に提示する。次いで、低回折アパーチャを作る新しい方法を完全な理論と共に提示する。提示されるサブシステムは特に干渉検査システムに良く適している。しかしながら、それらはその他の光学的装置に対しても効果的に使用することが可能である。   Another simple but important part is the suppression of diffraction (dispersion) from the aperture stop. In the next section, a new illumination system and a new autofocus system will be presented first. Then, a new method of making a low diffraction aperture is presented along with a complete theory. The presented subsystem is particularly well suited for interference inspection systems. However, they can also be used effectively with other optical devices.

1.可干渉性一様照明器
インターフェロメトリ即ち干渉法、光学的フーリエフィルタリング等の幾つかの適用例に対して、部分的に可干渉性又は不可干渉性照明ではなく完全に可干渉性の照明が望ましい。これらの適用例の殆どに対して、対物面にわたるトップハット(tophat)ビーム形状を有する一様な照明が望ましいか又は必要とされる。しかしながら、効果的に一様な照明を達成することは、洗練されたアプローチを必要とする。何故ならば、レーザ等の可干渉性光源からの出力ビームはトップハット強度分布ではなくガウス分布を有しており、且つレンズアレイ及びライトパイプ等の不可干渉性ビームで良好な一様性を達成するために使用されるツールの多くは、単に、可干渉性照明光源では動作しないからである。ガウスビーム分布をトップハットビーム分布へ変換させる多数の良く知られたエネルギ効率的な方法が存在している。幾つかの実施例によれば、ガウスビーム分布をトップハットビーム分布へ変換する別の方法が提供される。
1. Coherent uniform illuminator For some applications such as interferometry, interferometry, optical Fourier filtering, etc., there is a fully coherent illumination rather than partially coherent or incoherent illumination. desirable. For most of these applications, uniform illumination with a tophat beam shape across the object plane is desirable or required. However, achieving a uniform illumination effectively requires a sophisticated approach. This is because the output beam from a coherent light source such as a laser has a Gaussian distribution rather than a top hat intensity distribution, and good uniformity is achieved with an incoherent beam such as a lens array and a light pipe. Many of the tools used to do this simply do not work with coherent illumination sources. There are a number of well known energy efficient methods for converting a Gaussian beam distribution to a top hat beam distribution. According to some embodiments, another method for converting a Gaussian beam distribution to a top hat beam distribution is provided.

ガウスビームをトップハットビームへ変換する最も直接的な方法は、吸収物質を使用して該ビームの高強度部分を部分的に吸収することである。しかしながら、この方法は、エネルギ的に非効率であるばかりか、入力ビームが強力であるか又は短いパルスから構成されている場合に、吸収物質に損傷を与える傾向がある。よりエネルギ的に効率的であり且つより損傷を発生する傾向の少ないガウスビームをトップハットビームへ変換する方法は、ビーム内の光エネルギを再分布させることである。このことは、互いに分離されている2,3のレンズ(又はレンズグループ)を使用して行うことが可能である。   The most direct way to convert a Gaussian beam to a top hat beam is to partially absorb the high intensity portion of the beam using an absorbing material. However, this method is not only energetically inefficient but also tends to damage the absorbing material when the input beam is powerful or consists of short pulses. A method of converting a Gaussian beam, which is more energy efficient and less prone to damage, to a top hat beam is to redistribute the optical energy in the beam. This can be done using a few lenses (or lens groups) that are separated from each other.

図44aはこの方法を示している。第1レンズ4401は、曲線4407で示したようなガウス形状を有している入力ビーム4402へ適宜の量の球面収差を故意に導入する。第1レンズからの球面収差は該ビームが自由空間中を伝播する場合にその中のエネルギを再分布させる。球面収差の形式及び量及び伝播距離を調節することにより、ガウスビームはトップハット形状の一様なビームへ変換させることが可能である。球面収差は光エネルギを再分布させるばかりか波面歪を導入させるので、第2レンズ4403が使用される。この第2レンズは第1レンズによって導入される波面歪を補正し、従って焦点面4405におけるエネルギ分布は曲線4406によって示される。従って、2個のレンズは波面を歪ませること無しにガウスビームをトップハットビームへ変換させることが可能である。   FIG. 44a illustrates this method. The first lens 4401 deliberately introduces an appropriate amount of spherical aberration into the input beam 4402 having a Gaussian shape as shown by the curve 4407. The spherical aberration from the first lens redistributes the energy in the beam as it propagates through free space. By adjusting the type and amount of spherical aberration and the propagation distance, the Gaussian beam can be converted into a uniform top-hat beam. Since spherical aberration redistributes light energy and introduces wavefront distortion, the second lens 4403 is used. This second lens corrects the wavefront distortion introduced by the first lens, so the energy distribution at the focal plane 4405 is shown by curve 4406. Thus, the two lenses can convert a Gaussian beam to a top hat beam without distorting the wavefront.

この方法は、極めてエネルギ的に効率的であり且つ高パワービームを取り扱うことが可能である。しかしながら、この方法には欠点があり、それは、通常、図44aで示した如く、付加的な画像中継システム4404を必要とするということである。ビーム形状変換器は所望の一様な照明フィールド近くに制限された作業空間を与えるので、画像中継システムが使用される。その結果、ビーム形状変換器からのトップハット形状出力ビーム形状はイメージングシステムを使用して照明フィールド4408へ中継される。そうでない場合には、ビームがその理想的な共役焦点から長い距離を伝播せねばならない場合には、トップハットビーム形状は著しく変化する場合がある。注意すべきことであるが、曲線4409で示した中継画像面内の光分布は焦点面4405におけるものと同じであり、且つ曲線4406で示してある。   This method is very energetically efficient and can handle high power beams. However, this method has drawbacks, which typically require an additional image relay system 4404, as shown in FIG. 44a. An image relay system is used because the beam shape converter provides a limited working space near the desired uniform illumination field. As a result, the top hat shaped output beam shape from the beam shape converter is relayed to the illumination field 4408 using the imaging system. Otherwise, the top hat beam shape may change significantly if the beam must propagate a long distance from its ideal conjugate focus. It should be noted that the light distribution in the relay image plane indicated by curve 4409 is the same as that in focal plane 4405 and is indicated by curve 4406.

該中継システムは、通常、互いに分離されている少なくとも2個のレンズを有している。何故ならば、該中継システムは、トップハットビーム形状を中継することが必要であるばかりか、照明フィールドにおいて平坦な波面を維持することが必要だからである。時折、該中継システムのために空間を確保することが非常に困難である。通常、多数の機械的干渉問題が発生する。該中継システムがズームシステムであることが必要である場合には問題は一層厳しくなる。ここに記載する実施例はこれらの問題を緩和することが可能である。   The relay system typically has at least two lenses that are separated from each other. This is because the relay system not only needs to relay the top hat beam shape, but also needs to maintain a flat wavefront in the illumination field. Sometimes it is very difficult to reserve space for the relay system. A number of mechanical interference problems usually occur. The problem becomes more severe when the relay system needs to be a zoom system. The embodiments described herein can alleviate these problems.

図44bは、幾つかの実施例に基く本発明の動作を示している。簡単に説明すると、ガウス入力ビーム形状4420はシンク(sinc)関数にわたる包絡線を形成する形とされた形状4421へ変換される。シンク関数位置4424において、ビームが位相板4425上に入射し、該位相板はシンク関数が負となる箇所に位置されている溝を有しており且つ透過されたビームに180度の位相変化を発生する。該ビームの自由空間を介しての更なる伝播は、それをサンプル面4426においてトップハット強度形状4423へ変換する。   FIG. 44b illustrates the operation of the present invention according to some embodiments. Briefly, the Gaussian input beam shape 4420 is converted to a shape 4421 shaped to form an envelope over a sinc function. At the sinc function position 4424, the beam is incident on the phase plate 4425, the phase plate has a groove located at a position where the sinc function is negative, and the transmitted beam has a phase change of 180 degrees. Occur. Further propagation of the beam through free space converts it to a top hat intensity shape 4423 at the sample surface 4426.

回折理論によれば、シンク関数状ビームの遠視野回折パターンはトップハット形状である。従来技術のようにここに記載した実施例は、ビーム形状変換器4427を使用するが、そのビーム形状変換器は入力ビーム形状をトップハット形状へ変換するものではない。それは入力ガウスビーム形状を別の非一様なビーム形状4421へ変換する。画像面4424におけるその変換されたビーム形状4421は実際には入力ビーム形状4420よりも一層非一様である。変換されたビーム4421の形状はシンク関数の多かれ少なかれ包絡線のように見える。ビーム形状変換器4427は、波面歪みを導入すること無しに、入力ビーム形状を所望の形状へ変換させる。該ビーム形状変換器は適宜の量の球面収差を第1レンズ4428(又はレンズグループ)を介して導入し且つレンズ4428により導入された波面歪みを第2レンズ4429(又はレンズグループ)で補正する。   According to the diffraction theory, the far-field diffraction pattern of the sink function-like beam has a top hat shape. The embodiment described here as in the prior art uses a beam shape converter 4427, which does not convert the input beam shape to a top hat shape. It converts the input Gaussian beam shape to another non-uniform beam shape 4421. The transformed beam shape 4421 at the image plane 4424 is actually more non-uniform than the input beam shape 4420. The shape of the transformed beam 4421 looks more or less like an envelope of the sink function. The beam shape converter 4427 converts the input beam shape into a desired shape without introducing wavefront distortion. The beam shape converter introduces an appropriate amount of spherical aberration through the first lens 4428 (or lens group) and corrects the wavefront distortion introduced by the lens 4428 with the second lens 4429 (or lens group).

本実施例は、ビーム形状変換器の後に配置した「位相ステッパー」と呼ばれる別の光学的コンポーネントを使用する。該位相ステッパーは、図44bに示した如く、ガラス基板上に正方形状で不均一に離隔させた溝を形成することにより作ることが可能である。ガラス基板上の精密な溝は多くの異なる方法によって作ることが可能である。例えば、それらはリソグラフィ技術で溝をパターニングし、次いで、精密エッチングか又はガラス物質の付着のいずれかにより作ることが可能である。該位相ステッパーは離散的な態様で入射波面の選択した部分の位相を変化させる。必要とされる位相ステップの量は約180°である。   This embodiment uses another optical component called a “phase stepper” placed after the beam shape converter. The phase stepper can be made by forming square and non-uniformly spaced grooves on a glass substrate as shown in FIG. 44b. Precise grooves on the glass substrate can be made by many different methods. For example, they can be made by patterning the grooves with lithographic techniques and then either precision etching or deposition of glass material. The phase stepper changes the phase of selected portions of the incident wavefront in a discrete manner. The amount of phase step required is about 180 °.

位相ステップされた後に、現れる非一様なビーム4422は多かれ少なかれシンク関数のように見え、且つ長距離にわたり自由空間を介して伝播することが許容される。該ビームが自由空間を介して伝播する間に、そのビーム形状はトップハット形状に変化する。それがトップハットビームとなるために伝播することが必要な最小距離は次式で与えられる。   After phase stepping, the appearing non-uniform beam 4422 appears more or less like a sinc function and is allowed to propagate through free space over long distances. While the beam propagates through free space, the beam shape changes to a top hat shape. The minimum distance necessary to propagate for it to be a top hat beam is given by:

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(文献:「フーリエ光学系入門、3版(Introduction to Fourier Optics, Third edition)」、Joseph W. Goodman、ロバーツアンドカンパニイ、イングルウッド、コロラド、2005年、75頁)。自由空間伝播のスタートにおけるビームの寸法と照明フィールドにおけるトップハットビームの寸法との間には或る関係が存在している。この関係は既知であり且つ同じ参考文献において見つけることが可能である。照明フィールド4426におけるビームは完全に一様なものではなく、図44bに示したようなリンギングを包含している。何故ならば、伝播の開始面4424におけるビーム形状は不完全なシンク関数であり且つ有限の寸法を有しているからである。前者のずれは、高入力ビームパワーによって損傷される場合のある位相ステッパーに対して吸収体を賢明に付加させることにより修正される場合がある。全ての吸収体を省略することにより、本実施例は高パワーを取り扱う能力に対して幾らかの量の残留強度非一様性に妥協する。 (Reference: “Introduction to Fourier Optics, Third Edition”, Joseph W. Goodman, Roberts and Company, Inglewood, Colorado, 2005, p. 75). There is a relationship between the size of the beam at the start of free space propagation and the size of the top hat beam in the illumination field. This relationship is known and can be found in the same reference. The beam in the illumination field 4426 is not completely uniform and includes ringing as shown in FIG. 44b. This is because the beam shape at the propagation start surface 4424 is an incomplete sink function and has a finite dimension. The former deviation may be corrected by judiciously adding an absorber to the phase stepper that may be damaged by high input beam power. By omitting all absorbers, this embodiment compromises some amount of residual strength non-uniformity for its ability to handle high power.

殆どの適用例は、幾らかの量の強度非一様性を許容する。従って、記載した実施例の多くは、光学的検査を包含する多くの適用例に対して未だに有用である。前述した如く、記載した実施例の重要な有益な特徴は、それが、他の部品又はサブシステムと深刻な機械的相反を発生する場合がある画像中継システムを必要とするものではないということである。この特徴は実際のシステムを設計する上で非常に有用である場合がある。   Most applications allow some amount of intensity non-uniformity. Thus, many of the described embodiments are still useful for many applications involving optical inspection. As mentioned above, an important beneficial feature of the described embodiment is that it does not require an image relay system that can cause serious mechanical conflicts with other components or subsystems. is there. This feature can be very useful in designing an actual system.

図44cは別の実施例に基く形態を示している。それは変換レンズ4430を有しており、該レンズはシンク関数状ビーム4422をその焦点面4426においてトップハットビームへ変換する。従って、この設計における該変換レンズの機能は、前の設計における長い自由空間伝播経路と同じである。基本的に、自由空間伝播及び変換レンズの両方が入力ビーム形状のフーリエ変換を実施する。トップハットビームの寸法は、該変換レンズへの入力ビームの寸法、及び該変換レンズの焦点距離に依存しており、それは、入力ビームの寸法に逆比例し且つ該変換レンズの焦点距離に比例する。   FIG. 44c shows a configuration according to another embodiment. It has a conversion lens 4430 that converts the sinc function beam 4422 into a top hat beam at its focal plane 4426. Therefore, the function of the conversion lens in this design is the same as the long free space propagation path in the previous design. Basically, both the free space propagation and the transform lens perform a Fourier transform of the input beam shape. The size of the top hat beam depends on the size of the input beam to the conversion lens and the focal length of the conversion lens, which is inversely proportional to the size of the input beam and proportional to the focal length of the conversion lens. .

正しい入力ビーム寸法及び/又は該変換レンズに対する焦点距離を選択することにより、照明フィールドにおけるトップハットビームの寸法を制御することが可能である。変換レンズは、式(82)の距離条件を満足するには空間が制限され過ぎている場合に、自由空間伝播に対する有用な代替例となる。変換レンズが使用可能な物理的光路長よりも一層長い焦点距離を有することが必要である場合には、変換レンズとして望遠レンズを使用することが可能である。一層長い全体的な長さが所望される反対の場合には、逆望遠(reverse telephoto)レンズを変換レンズとして使用することが可能である。   By selecting the correct input beam size and / or the focal length for the conversion lens, it is possible to control the size of the top hat beam in the illumination field. A conversion lens is a useful alternative to free space propagation when the space is too limited to satisfy the distance condition of equation (82). If it is necessary for the conversion lens to have a longer focal length than the usable physical optical path length, it is possible to use a telephoto lens as the conversion lens. In the opposite case where a longer overall length is desired, a reverse telephoto lens can be used as the conversion lens.

図44cの実施例において、1個のレンズ又は複数のレンズがビーム伝播経路内に存在している。しかしながら、該変換レンズは、従来技術システムにおいて必要とされる画像中継レンズよりもその形態において一層簡単であり且つ柔軟性がある。従って、ここの実施例は、ビーム伝播経路中にレンズを使用するものを包含する従来技術と比較して利点を有している。   In the embodiment of FIG. 44c, one lens or multiple lenses are present in the beam propagation path. However, the conversion lens is simpler and more flexible in its form than the image relay lens required in prior art systems. Thus, the embodiments herein have advantages over the prior art including those that use lenses in the beam propagation path.

多くの実際的な適用例において、ビームのエッジにおける一層高い強度が望ましい。この種類のビームは「超一様ビーム」又は「超トップハットビーム」と呼称される。図44dは超一様ビーム形状4460の1例を示している。ここに記載した技術は超一様ビームの発生に良く適しており、それはターゲットとした超一様ビーム形状のフーリエ変換の包絡線のような位相ステッパーの入力側上でビーム形状を整形することにより容易に発生させることが可能である。実際に、ここに記載した技術は、非常に柔軟性があり、従ってそれは複数のハンプを持ったビーム形状等の広く多様なその他のビーム形状の発生のために使用することが可能である。   In many practical applications, a higher intensity at the edge of the beam is desirable. This type of beam is referred to as a “super uniform beam” or “super top hat beam”. FIG. 44d shows an example of a super-uniform beam shape 4460. FIG. The technique described here is well suited for the generation of super uniform beams by shaping the beam shape on the input side of the phase stepper, such as the envelope of the Fourier transform of the target super uniform beam shape. It can be easily generated. Indeed, the technique described here is very flexible, so it can be used for the generation of a wide variety of other beam shapes, such as a beam shape with multiple humps.

図44eは、ビーム形状変換器を使用すること無しに、トップハット形状を得ようとする結果を示している。入力ガウスビーム4440が位相ステッパー4425を介して通過させ、それは曲線4441によって示されるように、大体のビーム形状を変えること無しに位相を変化させる。照明フィールド4426における最終結果4442はガウス形状より好適であるが、形状変換器で得られるものほど良くない。このシステムはより簡単である。何故ならば、それはビーム形状変換器を必要としないからである。しかしながら、照明フィールドにおけるビームは、図44b及び44cに示したものよりも、より一様ではないか、及び/又はよりエネルギ的に効率的ではない。   FIG. 44e shows the result of trying to obtain a top hat shape without using a beam shape converter. An input Gaussian beam 4440 is passed through a phase stepper 4425, which changes phase without changing the general beam shape, as shown by curve 4441. The final result 4442 in the illumination field 4426 is better than a Gaussian shape, but not as good as that obtained with a shape converter. This system is simpler. Because it does not require a beam shape converter. However, the beam in the illumination field is less uniform and / or less energy efficient than that shown in FIGS. 44b and 44c.

これまでは一次元における一様照明について考慮してきた。しかしながら、幾つかの実施例によれば、二次元分布に対する拡張は率直的なものであり、というのは、入力ビームのガウスビーム形状は分離型可変形式にあるからである。これらの実施例によれば、x方向及びy方向を完全に別々に且つ独立的に取り扱うことが可能である。従って、これらの実施例は一次元のみならず二次元照明分布を得るために適用することが可能である。   So far we have considered uniform illumination in one dimension. However, according to some embodiments, the extension to the two-dimensional distribution is straightforward because the Gaussian beam shape of the input beam is in a separable variable form. According to these embodiments, the x and y directions can be handled completely separately and independently. Therefore, these embodiments can be applied to obtain not only one-dimensional but also two-dimensional illumination distribution.

幾つかの適用例は複数のフィールドを同時的に照明することを必要とする。その例は空間的に離隔されている複数のイメージセンサーを具備するシステムである。複数のフィールドの同時的照明は容易に達成することが可能である。図44fは1例を示している。複数フィールド照明は位相ステッパー4425の前又は後に回折格子4450を挿入することにより達成することが可能である。該格子が入って来る可干渉ビームを複数の回折次数に回折させる。各回折次数は一つのフィールドを照明する。   Some applications require illuminating multiple fields simultaneously. An example is a system comprising a plurality of spatially separated image sensors. Simultaneous illumination of multiple fields can be easily achieved. FIG. 44f shows an example. Multiple field illumination can be achieved by inserting a diffraction grating 4450 before or after the phase stepper 4425. The coherent beam entering the grating is diffracted into a plurality of diffraction orders. Each diffraction order illuminates one field.

図44fは動作原理を明確に例示するために2つの別々の照明フィールドを示すに過ぎない。しかしながら、2つを越える回折次数を発生する格子を挿入することにより、又は複数の回折格子を挿入することにより、2つを越える照明フィールドを容易に得ることが可能である。照明フィールドの位置は、格子のピッチ及び配向を適切に選択することにより制御することが可能である。図44fにおいて、格子の配向は、動作原理を明確に示すために、位相ステッパーのものと同じに設定されているが、それは必要条件ではない。格子配向は、照明フィールドを所定の位置に配置させるために任意の方向に設定することが可能である。   FIG. 44f only shows two separate illumination fields to clearly illustrate the operating principle. However, it is possible to easily obtain more than two illumination fields by inserting a grating that generates more than two diffraction orders, or by inserting a plurality of diffraction gratings. The position of the illumination field can be controlled by appropriate selection of the grating pitch and orientation. In FIG. 44f, the grating orientation is set to be the same as that of the phase stepper to clearly show the operating principle, but that is not a requirement. The grating orientation can be set in any direction in order to place the illumination field at a predetermined position.

高エネルギ効率及び良好なフィールド間一様性も格子の溝の形状を適切に設計することにより達成することが可能である。例えば、該溝の深さ及び形状は、各フィールドにおいての良くマッチした照明一様性を達成するために調節することが可能である。又、格子溝形状をブレージングすることにより極めて高いエネルギ効率を達成することが可能である。   High energy efficiency and good field-to-field uniformity can also be achieved by properly designing the shape of the grating grooves. For example, the depth and shape of the grooves can be adjusted to achieve a well matched illumination uniformity in each field. In addition, extremely high energy efficiency can be achieved by brazing the grating groove shape.

従って、エネルギ効率的で、一様で、可干渉性の照明が複数及び単一のフィールドに対して与えられる。本可干渉性で一様な照明体の重要な特徴は以下に要約してある。   Thus, energy efficient, uniform and coherent illumination is provided for multiple and single fields. The important features of this coherent and uniform illuminator are summarized below.

1.それは、中継レンズシステムを使用すること無しにトップハット照明形状を発生させることが可能である。変換レンズ又は変換レンズシステムが必要な場合がある。しかし、変換レンズ又は変換レンズシステムは中継レンズシステムよりも一層簡単であり且つ一層柔軟性がある。 1. It is possible to generate a top hat illumination shape without using a relay lens system. A conversion lens or conversion lens system may be required. However, a conversion lens or conversion lens system is simpler and more flexible than a relay lens system.

2.それは超一様ビーム形状のようなその他のビーム形状を発生させることが可能である。 2. It can generate other beam shapes such as a super-uniform beam shape.

3.それは照明システム設計においてより柔軟性を与える。 3. It gives more flexibility in lighting system design.

4.単一又は複数のフィールド照明を容易に得られる。 4). Single or multiple field illumination can be easily obtained.

2.自動焦点システム
殆どの高分解能イメージングシステムはサブシステムとして少なくとも1個の自動焦点システムを必要とする。本干渉欠陥検知システムは例外ではない。原理的に、干渉欠陥検知システムは、環境が静かであり且つサンプルステージが極めて精密である場合には、自動焦点システム無しで動作させることが可能である。しかしながら、これらの理想的な条件は実際の世界においては殆ど得られない。従って、全システムの安定な性能を確保するために自動焦点システムを有することが通常望ましい。
2. Autofocus System Most high resolution imaging systems require at least one autofocus system as a subsystem. This interference defect detection system is no exception. In principle, the interference defect detection system can be operated without an autofocus system if the environment is quiet and the sample stage is very precise. However, these ideal conditions are rarely obtained in the real world. Therefore, it is usually desirable to have an autofocus system to ensure stable performance of the entire system.

自動焦点システムは、通常、重要なサブシステムである。その性能は、通常、全システムの性能に対して臨界的である。しかしながら、性能のみが自動焦点システムに対する条件ではない。それは使用可能な空間内に適合せねばならない。又、そのコストは妥当なものでなければならない。本発明の記載した実施例はこれらの問題に対処している。   The autofocus system is usually an important subsystem. Its performance is usually critical to the overall system performance. However, performance is not the only requirement for an autofocus system. It must fit within the available space. The cost must be reasonable. The described embodiments of the present invention address these issues.

多数の異なる自動焦点システムが存在している。しかし、それらは2つのタイプに分類することが可能であり、一つのタイプはオフザレンズ(off-the-lens)であり且つ他方はスルーザレンズ(through-the-lens)である。オフザレンズタイプ自動焦点システムは、それら自身の利点を有している。しかしながら、殆どの高精密イメージングシステムはスルーザレンズタイプの自動焦点システムを必要とする。何故ならば、それらは温度変化、大気圧力変動等の環境擾乱に対してより影響されないからである。   There are a number of different autofocus systems. However, they can be classified into two types, one type is off-the-lens and the other is through-the-lens. Off-the-lens type autofocus systems have their own advantages. However, most high precision imaging systems require a through-the-lens type autofocus system. This is because they are less affected by environmental disturbances such as temperature changes and atmospheric pressure fluctuations.

殆どの従来技術の高精密スルーザレンズ自動焦点システムは、レーザよりも著しく明るくない発光ダイオード、アークランプ等の不可干渉性光源を使用する。より明るくない光源の使用は従来技術のスルーザレンズ自動焦点システムをしてフォーカス信号検知器へ十分な光を供給することが可能であるために大きなエテンデューを使用することを強制していた。そのエテンデューの寸法は、自動焦点システムを物理的に大きなものとし且つ高価なものとするばかりか、収差及びミスアライメントに影響されやすいものとさせていた。本発明の幾つかの実施例によれば、光源としてレーザを使用している。光源の変化は、一層高いフォーカス信号を与えるばかりか、全自動焦点システムの簡単化を可能としている。その他の独特の特徴も与えられる。   Most prior art high precision through-the-lens autofocus systems use incoherent light sources such as light emitting diodes, arc lamps and the like that are not significantly brighter than lasers. The use of a less bright light source has forced the use of a large etendue in order to be able to use the prior art through-the-lens autofocus system to provide sufficient light to the focus signal detector. The etendue dimensions not only made the autofocus system physically large and expensive, but also made it susceptible to aberrations and misalignment. According to some embodiments of the present invention, a laser is used as the light source. The change in the light source not only gives a higher focus signal but also simplifies the fully automatic focusing system. Other unique features are also given.

1実施例によれば、単一チャンネル形態を図45aに示してあり、それは高NA及び低NAイメージングレンズグループ116及び114、夫々、及び補正板130と相対的に位置されているフォーカスシステムを示している。該フォーカスシステムは、光源として単一の空間モードレーザ4501を使用している。半導体レーザは優れた候補である。しかしながら、レーザビームは、通常、位置及び指向方向において非常に安定なものではない。本来的な不安定性のために、レーザを直接的に自動焦点光学系へ結合させることは好ましいことではない。不安定なレーザビームはフォーカス信号にエラーを導入する場合がある。   According to one embodiment, a single channel configuration is shown in FIG. 45a, which shows the focus system positioned relative to the high and low NA imaging lens groups 116 and 114, respectively, and the corrector plate 130. ing. The focus system uses a single spatial mode laser 4501 as the light source. Semiconductor lasers are excellent candidates. However, laser beams are usually not very stable in position and pointing direction. Because of the inherent instability, it is not desirable to couple the laser directly to the autofocus optics. An unstable laser beam may introduce an error in the focus signal.

幾つかの実施例によれば、レーザは直接的に自動焦点光学系へ結合されるものではない。その代わりに、レーザビームは長尺の単一モードオプチカルファイバ4502を介して通過する。単一モードファイバは、好適には、レーザ光のファイバ内への不完全な結合によって通常励起されるクラッディングモードを散逸させるために少なくとも1フィートの長さである。単一モードオプチカルファイバはパッシブ装置であり、それは光源におけるオリジナルの不安定性を容易にキャリブレーションすることが可能な出力強度変化へ変換させることによりビーム位置及び指向方向を安定化させることが可能である。ビーム位置及び指向方向における変化はレーザビームの単一モードファイバ内への結合効率を変化させる。入力端における結合効率の変化は出力端において強度変化を誘発する。   According to some embodiments, the laser is not directly coupled to the autofocus optics. Instead, the laser beam passes through a long single mode optical fiber 4502. The single mode fiber is preferably at least 1 foot long to dissipate the cladding mode normally excited by incomplete coupling of laser light into the fiber. Single-mode optical fiber is a passive device, which can stabilize the beam position and pointing direction by converting the original instability in the light source into an output intensity change that can be easily calibrated. . Changes in beam position and pointing direction change the coupling efficiency of the laser beam into the single mode fiber. A change in coupling efficiency at the input end induces a strength change at the output end.

幾つかの実施例によれば、ビーム安定化器として単一モードファイバの使用は重要な特徴である。該ファイバの出力端は、サンプル面110上及び位置感応性検知器(PSD)表面4511上と共役(又は、結像されている)である。自動焦点光線はレンズ4503によってサンプル表面上に斜めにフォーカスされるので、サンプル表面の焦点シフトはPSD表面4511におけるレーザビームの横方向移動を発生させる。しかしながら、サンプルにおける小さな傾斜(tilt)がイメージングレンズ4504のアパーチャにわたり該ビームを移動させるが、位置感応性検知器4511上のその位置を変えるものではない。従って、本システムはサンプル焦点位置を測定するが、サンプルの傾斜ではない。従って、PSDからビーム位置を読み取ることにより、サンプルの焦点変化の量を決定することが可能である。PSDへ接続されているコンピュータ又は制御器がPSD出力を読み取り且つそれを処理してフォーカスエラーを推定する。そのフォーカスエラーが所定の値よりも一層大きい場合には、該コンピュータ又は制御器がフォーカスアクチュエータ4518へ適宜のフォーカス補正信号を送ることによって補正動作を行う。フォーカスエラー検知及び補正動作は、開又は閉ループにおいて稼動させることが可能である。PSDは容易に入手可能であり且つ多様な選択を与える。   According to some embodiments, the use of single mode fiber as a beam stabilizer is an important feature. The output end of the fiber is conjugate (or imaged) on the sample surface 110 and on the position sensitive detector (PSD) surface 4511. Since the autofocus ray is obliquely focused on the sample surface by the lens 4503, the focus shift of the sample surface causes a lateral movement of the laser beam at the PSD surface 4511. However, a small tilt in the sample moves the beam across the aperture of the imaging lens 4504, but does not change its position on the position sensitive detector 4511. Thus, the system measures the sample focus position, but not the sample tilt. Therefore, by reading the beam position from the PSD, it is possible to determine the amount of sample focus change. A computer or controller connected to the PSD reads the PSD output and processes it to estimate the focus error. When the focus error is larger than a predetermined value, the computer or controller sends a proper focus correction signal to the focus actuator 4518 to perform a correction operation. The focus error detection and correction operation can be operated in an open or closed loop. PSD is readily available and offers a variety of choices.

記載した実施例は、好適には、自動焦点光線をイメージングシステム内へ又はそれから外へ結合させるためにビームスプリッタを使用するものではない。その代わりに、それは小さなプリズム(又はミラー)4505を使用する。この光結合方法はビームスプリッタよりも以下の利点を有している。   The described embodiment preferably does not use a beam splitter to couple autofocus rays into or out of the imaging system. Instead, it uses a small prism (or mirror) 4505. This optical coupling method has the following advantages over the beam splitter.

1.単純な結合光学系。 1. Simple coupling optics.

2.空間をそれ程取らない。 2. Does not take up much space.

3.他のコンポーネントとの機械的衝突のより少ない可能性。 3. Less chance of mechanical collision with other components.

4.鏡面成分のみを回収。散乱光を拒絶。注意すべきことであるが、自動焦点光の一部はサンプルにより散乱される場合がある。散乱光を変化させることは、それがフォーカスセンサー上に現れる場合にはフォーカスエラーを発生する場合がある。 4). Only the specular component is collected. Reject scattered light. Note that some of the autofocus light may be scattered by the sample. Changing the scattered light may cause a focus error if it appears on the focus sensor.

5.自動焦点システムのエテンデューを小さく維持。 5. Keep the etendue of the autofocus system small.

6.自動焦点光学系の収差は、ビームのエテンデューが小さいので、非常に小さくすることが可能。 6). The aberration of the autofocus optical system can be very small because the beam etendue is small.

従って、記載した実施例の多くはより良く動作することが予測されるばかりか、コストがより低い。   Thus, many of the described embodiments are not only expected to work better, but are also less expensive.

自動焦点システムの性能は偏光の選択に著しく依存する。サンプル表面に対して平行な電界を有しているs偏光は、殆どのサンプル上で、p偏光よりも反射率及び位相のより少ない変化を有している。このことは、s偏光した光はp偏光した光よりも一層一貫性のある性能を提供することが可能であることを意味している。幾つかの実施例によれば、s偏光した光が図45a乃至45cに示した如くに使用されている。s偏光はビーム経路内の円形ドットのアレイによって表されている。光源からs偏光した光のみがピックアップされることを確保する幾つかの異なる方法が存在している。一つの方法は、単に、ビーム経路内に偏光器を設置することである。別の方法は、光源レーザと自動焦点光学系への入口との間に偏光維持単一モードファイバを使用することである。偏光維持ファイバはs偏光及びp偏光の両方を受け付けるが、一方の偏光を透過させるが、他方の偏光を迅速に減衰させる。ファイバのコアを正しい方向に回転させることにより、偏光維持ファイバはs偏光のみを透過させるようにさせることが可能である。レーザ光源から来る光が偏光されていると、偏光維持単一モードファイバはその他の種類のファイバよりも著しく一層高いエネルギ効率を与えることが可能である。   The performance of the autofocus system is highly dependent on the choice of polarization. S-polarized light having an electric field parallel to the sample surface has less change in reflectivity and phase than p-polarized light on most samples. This means that s-polarized light can provide more consistent performance than p-polarized light. According to some embodiments, s-polarized light is used as shown in FIGS. 45a-45c. The s-polarized light is represented by an array of circular dots in the beam path. There are several different ways to ensure that only s-polarized light is picked up from the light source. One way is simply to place a polarizer in the beam path. Another method is to use a polarization maintaining single mode fiber between the source laser and the entrance to the autofocus optics. The polarization maintaining fiber accepts both s-polarized light and p-polarized light, but transmits one polarized light but quickly attenuates the other polarized light. By rotating the core of the fiber in the correct direction, the polarization maintaining fiber can be made to transmit only s-polarized light. If the light coming from the laser source is polarized, the polarization maintaining single mode fiber can provide significantly higher energy efficiency than other types of fiber.

殆どの自動焦点システムの一般的な問題は、フォーカス信号プロセッサにおける時間遅延及びフォーカスエラー補正システムの遅い応答に起因してフォーカスエラー検知とその補正との間に時間遅延があるということである。これは、サンプルがイメージングシステムの下で迅速にスキャンされる高速スキャニングシステムにおける主要なフォーカスエラー発生源の内の一つとなる。この場合に、フォーカスエラーを減少させるために、フォーカスエラーはサンプルのイメージングの前に検知されるべきであり、且つフォーカスエラー補正信号はフォーカスエラー補正システムへフィードフォアワードで送られるべきである。   A common problem with most autofocus systems is that there is a time delay between focus error detection and its correction due to the time delay in the focus signal processor and the slow response of the focus error correction system. This is one of the major sources of focus error in high speed scanning systems where samples are scanned quickly under the imaging system. In this case, to reduce the focus error, the focus error should be detected prior to imaging the sample, and the focus error correction signal should be sent in a feed forward to the focus error correction system.

フォーカスエラーを前もって検知するために、自動焦点ビームはサンプルスキャン方向における前方位置においてサンプル表面上に落ちねばならない。このことは、スキャン速度及び方向における変化に適応するために、自動焦点システムがサンプル表面において自動焦点ビーム位置を横方向にシフトさせることを必要とする。サンプル表面における自動焦点ビーム位置は、ファイバの出力端を横方向に移動させることによって、容易に横方向へシフトさせることが可能である。前述した如く、ファイバの出力端はサンプル表面上に結像されているので、この方法は動作する。   In order to detect a focus error in advance, the autofocus beam must fall on the sample surface at a forward position in the sample scan direction. This requires the autofocus system to shift the autofocus beam position laterally at the sample surface to accommodate changes in scan speed and direction. The autofocus beam position at the sample surface can be easily shifted laterally by moving the output end of the fiber laterally. As mentioned above, the method works because the output end of the fiber is imaged on the sample surface.

横方向シフトが精密に制御されることを必要とする場合には、図45aに示し如く、傾斜可能なガラスプレート4512を使用することが可能である。該ガラスプレートを傾斜させることによりビームを横方向へシフトさせることが可能である。入力ビームがシフトされると、出力ビームは対応する量だけシフトされる。ビームとPSDとの間の相対的位置を維持することは、PSDの前方へ傾斜可能なガラスプレートを導入するか、又は単にPSD4511の位置を移動させることにより行うことが可能である。   If the lateral shift needs to be precisely controlled, a tiltable glass plate 4512 can be used, as shown in FIG. 45a. It is possible to shift the beam laterally by tilting the glass plate. As the input beam is shifted, the output beam is shifted by a corresponding amount. Maintaining the relative position between the beam and the PSD can be done by introducing a tiltable glass plate in front of the PSD or simply moving the position of the PSD 4511.

図45aに示した単一チャンネル自動焦点システムは、通常、非常に安定なものではない。何故ならば、それは機械的構造不安定性又は温度変化に影響されるからである。この種類の問題を減少させる一つの方法は、対称的な態様で複数のチャンネルをセットアップすることである。対称的な態様で構成したマルチチャンネル自動焦点システムは、コモンモード機械的シフトに影響されないように構成することが可能である。図45bはマルチチャンネル自動焦点システムの1例を示している。それは対称的な態様で構成した2個のチャンネルを有している。サンプルプレートにおけるビーム位置シフトは、ガラスプレート4512を傾斜させることにより達成される。PSDは直接シフト機構4511によりシフトされる。   The single channel autofocus system shown in FIG. 45a is usually not very stable. This is because it is affected by mechanical structural instability or temperature changes. One way to reduce this kind of problem is to set up multiple channels in a symmetrical manner. A multi-channel autofocus system configured in a symmetric manner can be configured to be unaffected by common mode mechanical shifts. FIG. 45b shows an example of a multi-channel autofocus system. It has two channels arranged in a symmetrical manner. Beam position shift in the sample plate is achieved by tilting the glass plate 4512. The PSD is directly shifted by the shift mechanism 4511.

図45cは2チャンネル自動焦点システムの別の例を示している。この場合には、入力ビーム及び出力ビームの両方がガラスプレートを傾斜させることによりシフトされ、従って、PSDはシフトさせることは必要ではない。この形態はより少ない部品を使用するが、ビームアライメントを一層困難なものとさせている。何故ならば、2つのチャンネルが傾斜可能なガラスプレートを共有することにより結合されているからである。   FIG. 45c shows another example of a two-channel autofocus system. In this case, both the input beam and the output beam are shifted by tilting the glass plate, and therefore the PSD need not be shifted. This configuration uses fewer parts but makes beam alignment more difficult. This is because the two channels are connected by sharing a tiltable glass plate.

図45b及び45cに示した如く、一方のチャンネルのビーム経路が他方のチャンネルのビーム経路とオーバーラップしていると、ビームスプリッタ4513は帰還ビームをPSDへ指向させるために使用される。しかしながら、ビームスプリッタの使用について2,3の問題がある。一つの問題は光エネルギの損失である。非偏光ビームスプリッタの使用は使用可能な光エネルギの少なくとも75%を犠牲にする。殆どのサンプルに対してエネルギ損失は許容可能であるかもしれないが、非常に低い反射率のサンプルに対しては許容可能なものではない。   When the beam path of one channel overlaps the beam path of the other channel, as shown in FIGS. 45b and 45c, the beam splitter 4513 is used to direct the feedback beam to the PSD. However, there are a few problems with the use of beam splitters. One problem is the loss of light energy. The use of a non-polarizing beam splitter sacrifices at least 75% of the available light energy. Energy loss may be acceptable for most samples, but not for very low reflectivity samples.

別の問題は、一方のチャンネルからの帰還ビームの一部が他方のチャンネルの光源レーザ内に入ることである。即ち、チャンネルはそれらの光源において互いに干渉する。この干渉は光源レーザを不安定化させ且つフォーカスエラーを発生させる場合がある。光源レーザを安定なものとさせるために、それらを互いに光学的に分離させることが可能である。この問題に対して2つの解決法がある。一つの解決法は、図45dに示した如く、2つのチャンネルのビーム経路が互いにオーバーラップしないように配置させることである。この配置において、帰還ビームは未だにオプチカルファイバのコアに当たる場合があるが、それが起こる場合には、帰還ビームの方向は、帰還ビームがファイバ内に結合されるには単一モードファイバの受け入れ角度から離れすぎる程逸れている。   Another problem is that part of the return beam from one channel enters the source laser of the other channel. That is, the channels interfere with each other at their light sources. This interference may destabilize the light source laser and cause a focus error. In order to make the source lasers stable, they can be optically separated from each other. There are two solutions to this problem. One solution is to arrange the beam paths of the two channels so that they do not overlap each other, as shown in FIG. 45d. In this arrangement, the feedback beam may still strike the optical fiber core, but if that occurs, the direction of the feedback beam is from the acceptance angle of the single mode fiber for the feedback beam to be coupled into the fiber. Too far away.

他の解決法は、非偏光ビームスプリッタではなく偏光ビームスプリッタを使用し且つ、図45b及び45cに示した如く、ビーム経路内にファラデー回転子(Faraday rotator)4514を配置させることである。偏光ビームスプリッタはp偏光を透過し且つs偏光を反射する。従って、偏光ビームスプリッタを介して通過するレーザビームは完全に直線偏光されている。ファラデー回転子は、好適には、入ってくる直線偏光の角度を45°だけ回転させる構成とされている。ビームはファラデー回転子4514を介して2度通過し、即ち一度はその入ってくる経路におけるものであり、且つ2番目はその帰還経路におけるものである。   Another solution is to use a polarizing beam splitter rather than a non-polarizing beam splitter and place a Faraday rotator 4514 in the beam path, as shown in FIGS. 45b and 45c. The polarizing beam splitter transmits p-polarized light and reflects s-polarized light. Therefore, the laser beam passing through the polarization beam splitter is completely linearly polarized. The Faraday rotator is preferably configured to rotate the angle of incoming linearly polarized light by 45 °. The beam passes twice through Faraday rotator 4514, once in its incoming path and second in its return path.

従って、レーザビームの直線偏光は2個のファラデー回転子によって90°だけ回転される。即ち、入ってくる経路においてビームスプリッタを介して通過したオリジナルのp偏光された光は、帰還経路におけるビームスプリッタにおいてs偏光へ変換される。帰還経路中のビームスプリッタは全ビームをPSDへ向けて反射し且つ帰還レーザビームを光源レーザへ向けて送ることは無い。従って、ファラデー回転子は光源レーザを互いに分離している。ビームスプリッタ4513及び位置感応性検知器4511がビーム軸周りに適切に回転されると、レーザビームは、それらがサンプルに入射する場合に、100%s偏光させることが可能である。従って、この方法は、高いエネルギ効率を達成し、チャンネル間干渉が無く、且つ同時にサンプル表面上でのs偏光を達成することを可能としている。   Thus, the linear polarization of the laser beam is rotated by 90 ° by the two Faraday rotators. That is, the original p-polarized light that has passed through the beam splitter in the incoming path is converted to s-polarized light in the beam splitter in the feedback path. The beam splitter in the feedback path reflects all the beams towards the PSD and does not send the feedback laser beam towards the source laser. Thus, the Faraday rotator separates the light source lasers from each other. When the beam splitter 4513 and the position sensitive detector 4511 are properly rotated around the beam axis, the laser beams can be 100% s polarized when they are incident on the sample. This method therefore achieves high energy efficiency, no interchannel interference and at the same time achieving s-polarization on the sample surface.

ファラデー回転子の代わりに四分の一ウエーブプレートの使用は、高いエネルギ効率を達成し且つチャンネル間干渉が無い。しかし、それはサンプル表面上においてs偏光を達成することを可能とするものではない。従って、四分の一ウエーブプレートと比較して多くの実施例においてファラデー回転子が好適な選択である。   The use of a quarter wave plate instead of a Faraday rotator achieves high energy efficiency and no interchannel interference. However, it does not make it possible to achieve s-polarization on the sample surface. Thus, a Faraday rotator is a preferred choice in many embodiments compared to a quarter wave plate.

図45eは2チャンネル自動焦点システムの平面図を示している。自動焦点チャンネルは、外へ行くビーム経路内に入るサンプルから回折されたいずれかのレーザからの光を回避するために、サンプルに対して回転される。この方法は、通常、サンプルからの回折した光を回避する上で非常に効果的である。何故ならば、回折した光は、通常、瞳面においてx方向及びy方向において非常に局所化されているからである。   FIG. 45e shows a top view of the two-channel autofocus system. The autofocus channel is rotated relative to the sample to avoid light from any laser diffracted from the sample entering the outgoing beam path. This method is usually very effective in avoiding diffracted light from the sample. This is because diffracted light is usually very localized in the x and y directions at the pupil plane.

図45eにおいて、これら2つのチャンネルは互いに近くに配置されている。機械的ドリフト又はクリーピングがあると、近くに配置された2つのチャンネルは同じ方向にドリフト又はクリープする蓋然性がある。マルチチャンネルから抽出したフォーカス信号はこの種類のチャンネルのコモンモード運動に対して影響されないようにさせることが可能である。   In FIG. 45e, these two channels are located close to each other. When there is mechanical drift or creeping, there is a probability that two channels placed nearby will drift or creep in the same direction. The focus signal extracted from the multi-channel can be made unaffected by the common mode motion of this type of channel.

図45fは、マルチチャンネル形態の別の例を示している。この場合には、2つのチャンネルの光路はサンプル上の焦点上で交差しているが、その他は完全に分離されている。この形態はより多くの部品を必要とするが、よりエネルギ効率的であり、且つファラデー回転子を必要とするものではない。又、ビーム経路アライメントはこの形態の場合に一層容易である。何故ならば、2つのチャンネルは全く結合されていないからである。例示的形態に示されている如く、この実施例はより良く動作するのみならず、その物理的構成が一層簡単であり且つ一層柔軟性がある。   FIG. 45f shows another example of the multi-channel configuration. In this case, the optical paths of the two channels intersect at the focal point on the sample, but the others are completely separated. This configuration requires more parts, but is more energy efficient and does not require a Faraday rotator. Also, beam path alignment is easier with this configuration. This is because the two channels are not combined at all. As shown in the exemplary form, this embodiment not only works better, but its physical configuration is simpler and more flexible.

新しい自動焦点システムの重要な特徴を以下に要約する。   The key features of the new autofocus system are summarized below.

1.スルーザレンズ形態
2.光源としてレーザ
3.単一光線(小さなエテンデュー)
4.単一モードファイバの使用による光源安定化
5.サンプル表面上のでのs偏光
6.チャンネル間干渉無し
7.小型プリズム又はミラーを使用したイメージングシステム内への且つそれから外への結合(この目的のためにビームスプリッタ/結合器無し)
8.回折した光の良好な拒絶
9.フィードフォワードフォーカスエラー補正のためのサンプル面におけるレーザスポットを横方向にシフトさせる能力
10.環境擾乱に対してより影響されないように構成した対称的なデュアル又はマルチ
チャンネル。
1. Through-the-lens form2. 2. Laser as light source Single beam (small etendue)
4). 4. Light source stabilization by using single mode fiber 5. s-polarized light on the sample surface 6. No inter-channel interference Coupling into and out of an imaging system using miniature prisms or mirrors (no beam splitter / coupler for this purpose)
8). 8. Good rejection of diffracted light 9. Ability to shift the laser spot on the sample surface laterally for feed forward focus error correction. Symmetric dual or multi-channel configured to be less sensitive to environmental disturbances.

新しい自動焦点システムの利点を以下に要約する。   The advantages of the new autofocus system are summarized below.

1.簡単なシステム
2.光の豊富なこと
3.高効率
4.安定な性能
5.ウエハパターンにより影響されないこと
6.イメージング経路により影響しないこと
3.鋸波型アパーチャ(Serrated Aperture)
殆どの光学系は、開口数を定義する少なくとも1個のアパーチャを必要とする。殆どのアパーチャは中央に相当の大きさの孔を具備する薄いメタルプレートから構成されている。これらの種類のアパーチャは製造が簡単であるが、これらのアパーチャにおけるシャープなエッジが画像面において長距離回折を発生し、そのことは画像の異なる部分の間で長距離干渉を発生する。長距離干渉はウエハパターンノイズに対する主要な貢献物の内の一つである。
1. 1. Simple system 2. Abundance of light High efficiency Stable performance 5. Unaffected by wafer pattern Not affected by the imaging path
3. Serrated Aperture
Most optical systems require at least one aperture that defines the numerical aperture. Most apertures are composed of a thin metal plate with a fairly large hole in the center. Although these types of apertures are simple to manufacture, the sharp edges in these apertures produce long range diffraction in the image plane, which causes long range interference between different parts of the image. Long range interference is one of the main contributors to wafer pattern noise.

この不所望の効果を減少させるために、アパーチャエッジを和らげることが望ましい。即ち、100%透過区域と非透過区域との間の遷移は急激なものとすべきではなく、緩やかなものとすべきである。緩やかな遷移は、多数の異なる方法で達成することが可能である。アパーチャエッジのセレーション(serration)即ち鋸歯状はその内の一つである。アパーチャエッジのセレーション方法は、それが正しく行われる場合には、他の方法よりも多くの利点を有しているので、選択している。1つの利点は、セレーションは容易に作ることが可能であり、薄いメタルプレート内に直接機械加工することが可能であるか、又は従来の半導体製造技術を使用してエッチングにより作ることが可能であるということである。   In order to reduce this undesirable effect, it is desirable to soften the aperture edge. That is, the transition between the 100% transmission area and the non-transmission area should not be abrupt and should be gradual. A gradual transition can be achieved in a number of different ways. One of them is the serration of the aperture edge. The aperture edge serration method is chosen because it has many advantages over other methods if it is done correctly. One advantage is that serrations can be easily made and can be machined directly into a thin metal plate or can be made by etching using conventional semiconductor manufacturing techniques. That's what it means.

緩やかな遷移のアパーチャを作るための最も簡単な方法の内の一つは、アパーチャのエッジ近くに緩やかな吸収性コーティングを付加することによるものである。この方法は良く知られている従来技術である。しかしながら、この方法は概念的には容易であるが、実際上は困難である。何故ならば、緩やかなコーティングは適切に製造することが困難であり、又そのコーティングは不所望の副作用、特に位相変化、を導入する場合があるからである。別の従来技術は吸収性物質で作った負のパワーのレンズを使用する。その効果は、緩やかなコーティングのものと非常に類似している。しかしながら、それは同じ種類の不所望の副作用を有している。   One of the simplest ways to create a gentle transition aperture is by adding a mild absorbent coating near the edge of the aperture. This method is a well-known prior art. However, this method is conceptually easy but difficult in practice. This is because a gradual coating is difficult to produce properly and the coating may introduce undesirable side effects, particularly phase changes. Another prior art uses a negative power lens made of an absorbent material. The effect is very similar to that of a loose coating. However, it has the same kind of unwanted side effects.

米国特許第6,259,055号は、鋸歯状アパーチャについて記載している。しかし、それは鋸歯状アパーチャを正しく設計するために使用することが可能な何らの回折式を与えるものではない。又、その鋸歯状アパーチャの回折特性についての定性的な説明は誤っている。本発明の幾つかの実施例によれば、厳密な回折式を鋸歯状アパーチャに対して展開し且つ鋸歯状アパーチャをどの様にして正しく作るかを見つけ出すためにそれを使用する。   US Pat. No. 6,259,055 describes a serrated aperture. However, it does not give any diffractive equations that can be used to correctly design a serrated aperture. Also, the qualitative explanation about the diffraction characteristics of the sawtooth aperture is incorrect. In accordance with some embodiments of the present invention, the exact diffractive equation is developed for the serrated aperture and used to find out how to make the serrated aperture correctly.

鋸歯状アパーチャの概略図を図46aに示してある。アパーチャ4606のセレーションはランダムなピッチではなく周期的な構造4608を有している。非周期的な即ちランダムなセレーション即ち鋸歯状はこの特許明細書においては考慮していない。何故ならば、その回折パターンは所望の形式を有するものではないからである。完全に周期的な構造であっても、鋸歯状のエッジの急激な透過変化のために大量の回折は不可避的であるからである。   A schematic view of the serrated aperture is shown in FIG. 46a. The serrations of the aperture 4606 have a periodic structure 4608 rather than a random pitch. Aperiodic or random serrations are not considered in this patent specification. This is because the diffraction pattern does not have the desired form. This is because even with a perfectly periodic structure, a large amount of diffraction is unavoidable due to the rapid transmission change of the serrated edge.

しかしながら、周期的鋸歯状からの回折パターンは離散次数に分解することが可能である。最も低い次数、即ちゼロ番目次数、は透過したフィールドの円形状平均から発生し、従って、鋸歯状のシャープなエッジによって影響されるものではない。このことは、ゼロ番目次数の回折パターンは真に緩やかに遷移するアパーチャからのものと同じであることを意味している。従って、ゼロ番目次数の回折パターンは鋸歯状アパーチャから得ることを所望するものである。   However, the diffraction pattern from a periodic sawtooth can be decomposed into discrete orders. The lowest order, the zeroth order, originates from the circular average of the transmitted field and is therefore not affected by the serrated sharp edges. This means that the zero-order diffraction pattern is the same as that from a truly slowly transitioning aperture. Thus, it is desirable to obtain a zero order diffraction pattern from a sawtooth aperture.

真に緩やかに遷移するアパーチャはゼロ番目次数の回折のみを発生する。しかし、鋸歯状アパーチャはゼロ番目次数のみならずより高い回折次数も発生させる。これらのより高い次数は不所望のものである。鋸歯状アパーチャを真に緩やかに遷移するアパーチャのように動作させるために、ゼロ番目次数のみをイメージセンサーへ通過させ且つ全ての一層高い回折次数をイメージセンサーをミスすることを確保することを探求すべきである。直線的に周期的な鋸歯状の場合に、全てのより高い回折次数がイメージセンサーをミスするか否かを判別することは容易である。(参照文献:米国特許第7,397,557号)。しかしながら、円形的に周期的な鋸歯状の場合には、全てのより高い回折次数がどこへいくかを判別することはそれほど容易ではない。従って、全てのより高い次数がどこへ行くかを予測するための厳格な回折式を展開すべきである。   Aperally transitioning apertures produce only zero order diffraction. However, the serrated aperture generates not only the zeroth order but also higher diffraction orders. These higher orders are undesirable. In order to make the serrated aperture act like a truly slowly transitioning aperture, seek to pass only the zeroth order through the image sensor and ensure that all higher diffraction orders miss the image sensor. Should. In the case of a linear periodic sawtooth, it is easy to determine if all higher diffraction orders miss the image sensor. (Reference: US Pat. No. 7,397,557). However, in the case of a circular periodic sawtooth, it is not so easy to determine where all the higher diffraction orders go. Therefore, a strict diffraction formula should be developed to predict where all higher orders will go.

以下の式の全てにおいて次の表記法を使用する。   The following notation is used in all of the following equations:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

物体により形成される遠視野回折パターンは、その物体の透過パターンのフーリエ変換である。しかしながら、鋸歯状アパーチャによる回折の計算のためにフーリエ変換を適用するためには、座標ρ及びrを適切にスケールすべきである。スケーリング単位として使用することが可能な2つの長さがある。これらは波長及び光学系の焦点距離である。ρ及びrがフーリエ変換変数対であるためには、ρ及びrの内の一方が波長でスケールされる場合には、他方は焦点距離でスケールされるべきである。最もポピュラーなスケーリング規則は、ρが焦点距離でスケールされ且つrが波長でスケールされるものである。   The far field diffraction pattern formed by an object is a Fourier transform of the transmission pattern of that object. However, in order to apply the Fourier transform for the calculation of diffraction by the serrated aperture, the coordinates ρ and r should be scaled appropriately. There are two lengths that can be used as scaling units. These are the wavelength and the focal length of the optical system. In order for ρ and r to be a Fourier transform variable pair, if one of ρ and r is scaled by wavelength, the other should be scaled by focal length. The most popular scaling rule is that ρ is scaled by focal length and r is scaled by wavelength.

ρが焦点距離の単位で表される場合には、それは、中心からρにおける瞳点を介して通過する光線の画像空間方向余弦(cosine)と同一となる。焦点距離単位で表されるρの最大値は光学系の開口数(NA)と呼ばれる。即ち、波長単位で表される画像空間位置座標及び画像空間光線方向余弦は、便利なフーリエ変換変数対を構成する。スケーリング規約を他の方法、即ち波長でスケールされるρ及び焦点距離でスケールされるr、へ変えることもうまくいく。この場合には、rは画像面におけるrに当たる光線のアパーチャ空間方向余弦と同一となる。   If ρ is expressed in units of focal length, it is the same as the image space direction cosine of the ray passing through the pupil point at ρ from the center. The maximum value of ρ expressed in the focal length unit is called the numerical aperture (NA) of the optical system. That is, the image space position coordinates and the image space ray direction cosine expressed in wavelength units constitute a convenient Fourier transform variable pair. Changing the scaling convention to other methods, i.e., ρ scaled by wavelength and r scaled by focal length, also works. In this case, r is the same as the cosine of the aperture space direction of the light ray hitting r on the image plane.

導出された回折式はスケールされた座標系を適切に使用する。回折式は、座標スケーリングが該2つの規約の間でスイッチされる場合でも、変化することはない。従って、回折式における変化について心配すること無しに自由にこれら二つのスケーリング規約の間でスイッチさせることが可能である。スケーリング規約をスイッチさせることは、実際には、座標変数の解釈を変えることと等価である。この様な解釈における変化は回折式に対してより直感的知識を与えることが可能である。   The derived diffraction formula appropriately uses a scaled coordinate system. The diffractive equation does not change even if coordinate scaling is switched between the two conventions. It is therefore possible to switch freely between these two scaling conventions without worrying about changes in the diffractive equation. Switching the scaling convention is actually equivalent to changing the interpretation of coordinate variables. Such changes in interpretation can give more intuitive knowledge to the diffraction formula.

回折式は可干渉性垂直照明に対してのみ導出する。何故ならば、不可干渉性の場合に対する回折は、単に複数の可干渉性の場合の強度加算であり、且つ斜め照明の場合に対する回折式はフーリエ変換の「シフト理論」を使用して垂直照明の場合からすぐさま導出することが可能だからである。(参考文献:「フーリエ光学系入門、3版(Introduction to Fourier Optics, Third edition)」、Joseph W. Goodman、ロバーツアンドカンパニー、イングルウッド、コロラド、2005年、8頁)。鋸波状は多様な異なる波形状を有する場合がある。回折パターンの詳細は歯の形状に依存する。図46aは1例として直線的な歯での鋸波状を示している。しかしながら、最も関心のある各回折次数の特性は、鋸波状の歯の形状に依存するものではなく、鋸波状のピッチのみに依存するものである。   The diffraction formula is derived only for coherent vertical illumination. This is because the diffraction for the incoherent case is simply the intensity addition for multiple coherent cases, and the diffraction formula for the oblique illumination case uses the “shift theory” of Fourier transforms for vertical illumination. This is because it is possible to derive immediately from the case. (Reference: “Introduction to Fourier Optics, Third Edition”, Joseph W. Goodman, Roberts & Company, Inglewood, Colorado, 2005, p. 8). Sawtooth may have a variety of different wave shapes. The details of the diffraction pattern depend on the tooth shape. FIG. 46a shows a sawtooth shape with straight teeth as an example. However, the characteristic of each diffraction order of most interest is not dependent on the shape of the sawtooth, but only on the sawtooth pitch.

鋸波状アパーチャの振幅透過であるP(ρ,φ)は以下の如くに表すことが可能である。   P (ρ, φ), which is the amplitude transmission of the sawtooth aperture, can be expressed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

尚、w(ρ)は2個の隣の鋸波状の歯の間の開口幅である。 Note that w (ρ) is an opening width between two adjacent sawtooth teeth.

回折パターンを得るためには式(83)をフーリエ変換することが必要である。P(ρ,φ)が分離変数形式を有する場合、即ちP(ρ,φ)=f(ρ)・g(φ)、重み付けハンケル変換(Weighted Hankel Transform)を使用してそれを容易にフーリエ変換することが可能である。(参考文献:「フーリエ光学系入門、3版(Introduction to Fourier Optics, Third edition)」、Joseph W. Goodman、ロバーツアンドカンパニー、イングルウッド、コロラド、2005年、10頁)。不幸なことに、P(ρ,φ)の形式は分離変数形式ではない。しかしながら、2,3のエキストラなステップを取ることにより尚且つそれをフーリエ変換することが可能である。それをするには2つの方法がある。一つの方法は、exp(jmφ)関数の重み付け和でN矩形関数の和を表し、尚mは整数であり、且つ同じ参考文献における練習問題2−7において示唆されているプロセスを追従することである。他の方法は、N矩形関数の和を分離変数関数の積分内に変換し且つ重み付けハンケル変換を使用することである。両方の方法共同じ結果を出すが、ここでは2番目の方法についてのみ示す。   In order to obtain a diffraction pattern, it is necessary to Fourier transform Equation (83). If P (ρ, φ) has a separation variable form, ie P (ρ, φ) = f (ρ) · g (φ), it is easily Fourier transformed using the Weighted Hankel Transform Is possible. (Reference: “Introduction to Fourier Optics, Third Edition”, Joseph W. Goodman, Roberts & Company, Inglewood, Colorado, 2005, page 10). Unfortunately, the form of P (ρ, φ) is not a separation variable form. However, it is still possible to Fourier transform it by taking a few extra steps. There are two ways to do that. One way is to follow the process suggested in Exercises 2-7 in the same reference, where the weighted sum of the exp (jmφ) function represents the sum of the N rectangle functions, where m is an integer. is there. Another method is to convert the sum of the N rectangular functions into the integral of the separation variable function and use a weighted Hankel transform. Both methods give the same result, but only the second method is shown here.

N矩形関数の和は、デルタ関数及びダミー変数ρ’を使用して分離変数関数の積分に容易に変換させることが可能である。即ち、次式となる。   The sum of the N rectangular functions can be easily converted to an integral of the separation variable function using the delta function and the dummy variable ρ '. That is, the following equation is obtained.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

次いで、P(ρ,φ)を次の形式へ変換する。 Next, P (ρ, φ) is converted into the following format.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

さて、P(ρ,φ)の各項に対してフーリエ変換を適用する。第1項のフーリエ変換はフーリエ・ベッセル(Bessel)変換を使用して得ることが可能である。   Now, Fourier transform is applied to each term of P (ρ, φ). The Fourier transform of the first term can be obtained using the Fourier Bessel transform.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

第2項のフーリエ変換は重み付けハンケル変換を使用して得ることが可能である。 The Fourier transform of the second term can be obtained using a weighted Hankel transform.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

尚、 still,

Figure 0005444334
Figure 0005444334

Figure 0005444334
Figure 0005444334

及び as well as

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(89)における矩形関数の変換は以下の如くに行なうことが可能である。   The conversion of the rectangular function in equation (89) can be performed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

さて、cは以下の如くに表すことが可能である。 Now, ck can be expressed as:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

デルタ関数のハンケル変換は以下の如くである。 The Hankel transformation of the delta function is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

そこで、式(87)は以下の如くに表すことが可能である。 Therefore, Expression (87) can be expressed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

P(ρ,φ)のフーリエ変換は、今や、以下の如くに表すことが可能である(ダミー積分変数ρ’は、今や、ρへ変えられている)。   The Fourier transform of P (ρ, φ) can now be expressed as follows (the dummy integration variable ρ ′ has now been changed to ρ):

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(95)は、全回折は離散的回折次数から構成されていることを示している。第2項からゼロ番目の次数を取ると、次式が得られる。   Equation (95) shows that the total diffraction is composed of discrete diffraction orders. Taking the zeroth order from the second term yields:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

sin(−x)=−sin(x)の関係を使用して単一の回折次数内に+m回折次数と−m回折次数とを結合させると、次式が得られる。   Combining + m and -m diffraction orders within a single diffraction order using the relationship sin (-x) =-sin (x) yields:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(97)は回折公式の導出の最終結果である。不幸なことに、それは未だに数値的に実施することを必要とする一次元積分を有している。しかしながら、数値的一次元積分は、数値的二次元フーリエ変換に対して必要な数値的二次元積分より一層正確に且つ迅速に行なうことが可能である。   Equation (97) is the final result of the derivation of the diffraction formula. Unfortunately, it still has a one-dimensional integral that needs to be implemented numerically. However, numerical one-dimensional integration can be performed more accurately and quickly than the numerical two-dimensional integration required for numerical two-dimensional Fourier transforms.

式(97)における最初の2つの項はゼロ番目回折次数を構成しており、それは鋸波状アパーチャから欲しいところのものである。ゼロ番目回折次数を別に書くと次式の如くである。   The first two terms in equation (97) constitute the zeroth diffraction order, which is what we want from the sawtooth aperture. If the zeroth diffraction order is written separately, the following equation is obtained.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(97)における最後の項は全てより高い回折次数であり、それはイメージセンサーから排除せねばならない。しかしながら、全てのゼロではない回折次数を気にしなければならないわけではない。何故ならば、第1回折次数のみが最も強く且つ画像面におけるゼロ番目次数に最も近くなるからである。全てのその他の一層高い次数は第1次数よりも一層弱いばかりか、より重要なことであるが、第1次数よりも画像面においてゼロ番目次数から更に遠くはなれて当たるものである。従って、鋸波状アパーチャが働くようにさせるためには、第1回折次数のみを見ることが必要であり且つそれがイメージセンサーの外側に当たることを確保することが必要である。式(97)における最後の項から第1回折次数を取ると、次式が得られる。   The last terms in equation (97) are all higher diffraction orders, which must be excluded from the image sensor. However, not all non-zero diffraction orders have to be taken care of. This is because only the first diffraction order is the strongest and closest to the zeroth order in the image plane. All other higher orders are not only weaker than the first order, but more important, but are farther away from the zeroth order in the image plane than the first order. Therefore, in order for the sawtooth aperture to work, it is necessary to see only the first diffraction order and to ensure that it falls outside the image sensor. Taking the first diffraction order from the last term in equation (97) yields:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

第1次数項はcos(Nθ)=±1である方向に沿ってその最大強度を有している。従って、最大強度の方向に沿ってのその振幅は次式となる。   The first order term has its maximum intensity along the direction where cos (Nθ) = ± 1. Therefore, its amplitude along the direction of maximum intensity is

Figure 0005444334
Figure 0005444334

鋸波状アパーチャを働くようにさせるためには、第1回折次数がイメージの外側に当たることを確保することで十分である。   In order for the sawtooth aperture to work, it is sufficient to ensure that the first diffraction order falls outside the image.

該アパーチャのシャープなエッジ及び何らかのオブスキュレーションのシャープなエッジは長距離回折効果を発生する場合がある。アパーチャに対して使用される同じセレーション即ち鋸波状技術は、いずれかのオブスキュレーションによる長距離回折効果を減少させるためにオブスキュレーションに対して適用することが可能である。バビネット(Babinet)原理のおかげで、鋸波状オブスキュレーションに対する回折公式は、振幅符号の反転を除いて、鋸波状アパーチャに対するものと同一である。(参考文献:「光学原理(Principle of Optics)」、Max Born及びEmil Wolf、ケンブリッジ大学プレス、1999年)。従って、オブスキュレーションに対する新たな回折公式の導出は必要ではない。   The sharp edge of the aperture and the sharp edge of any obscuration may produce long range diffraction effects. The same serration or sawtooth technique used for the aperture can be applied to the obscuration to reduce the long range diffraction effects due to either obscuration. Thanks to the Babinet principle, the diffraction formula for the sawtooth obscuration is identical to that for the sawtooth aperture except for the inversion of the amplitude sign. (Reference: “Principle of Optics”, Max Born and Emil Wolf, Cambridge University Press, 1999). Therefore, it is not necessary to derive a new diffraction formula for obscuration.

該解析的回折公式は非常に一般的なものであり、それは任意の歯の形状を具備する鋸波状に適用することが可能である。しかしながら、回折パターンの挙動を見るために該公式の数値的評価を行なうべきである。該回折公式の数値的計算を実施するために、特定の形状の鋸波状の歯を選択し且つ関数w(ρ)を明示的に表す。図46aに示した如き直線的な歯を具備する鋸波状は良好に動作し且つ製造が容易である。従って、直線的な歯の形状を具備する鋸波状が回折パターンの数値的評価のために選択する。直線的な鋸波状の歯の場合には、関数w(ρ)は以下の如くに表される。   The analytical diffraction formula is very general and can be applied in a sawtooth shape with any tooth shape. However, a numerical evaluation of the formula should be made to see the behavior of the diffraction pattern. In order to perform a numerical calculation of the diffraction formula, a particular shape of sawtooth is selected and the function w (ρ) is explicitly represented. A sawtooth with straight teeth as shown in FIG. 46a works well and is easy to manufacture. Accordingly, a sawtooth with a straight tooth shape is selected for numerical evaluation of the diffraction pattern. In the case of straight sawtooth teeth, the function w (ρ) is expressed as follows:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

その他形状の歯を具備する鋸波状アパーチャからの回折パターンは、該回折公式において単に関数w(ρ)を適切に変えることにより、直線的な歯の場合に対するように、容易に評価することが可能である。前述した如く、鋸波状アパーチャを適切に設計することが可能であるためにはゼロ番目と1番目の回折次数のみを見ることが必要であるに過ぎない。従って、ここでは、ゼロ番目次数と1番目次数のみを考慮する。   Diffraction patterns from sawtooth apertures with other shaped teeth can be easily evaluated, as is the case for linear teeth, simply by changing the function w (ρ) appropriately in the diffraction formula. It is. As mentioned above, it is only necessary to see only the zeroth and first diffraction orders in order to be able to properly design a sawtooth aperture. Therefore, only the zeroth order and the first order are considered here.

図46b及び46cは、画像面においてのゼロ回折次数の強度の半径方向分布を示している。式(98)及び(101)が数値計算のために使用している。これらの値は非鋸波状アパーチャによる回折のピーク振幅で正規化してある。該ピーク振幅は回折パターンの中心に位置しており(r=0)且つその値は次式の如くである。   46b and 46c show the radial distribution of the zero diffraction order intensity in the image plane. Equations (98) and (101) are used for numerical calculations. These values are normalized by the peak amplitude of diffraction due to the non-sawtooth aperture. The peak amplitude is located at the center of the diffraction pattern (r = 0), and its value is as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

非鋸波状アパーチャの回折強度を比較目的のために包含してある。両方の鋸波状アパーチャは最大NA=0.9を有している。しかし、それらの鋸波状歯の長さは異なる。図46bにおいて、曲線4612は鋸波状アパーチャのゼロ番目回折次数の画像面強度を示しており(ρ=0.8NA,ρ=0.9NA)、且つ曲線4610は非鋸波状アパーチャに対するものである。図46cにおいて、曲線4614は鋸波状アパーチャのゼロ番目回折次数の画像面強度を示しており(ρ=0.7NA,ρ=0.9NA)、且つ曲線4616は非鋸波状アパーチャに対するものである。図46b及び46cは以下のことを示している。 The diffraction intensity of the non-sawtooth aperture is included for comparison purposes. Both sawtooth apertures have a maximum NA = 0.9. However, the lengths of the sawtooth teeth are different. In Figure 46b, the curve 4612 shows the zeroth diffraction image plane intensity of the order of sawtooth aperture (ρ 1 = 0.8NA, ρ 2 = 0.9NA), and curve 4610 is intended for non-sawtooth aperture is there. In FIG. 46c, curve 4614 shows the image plane intensity of the zeroth diffraction order of the sawtooth aperture (ρ 1 = 0.7 NA, ρ 2 = 0.9 NA), and curve 4616 is for the non-sawtooth aperture. is there. 46b and 46c show the following.

(1)鋸波状アパーチャは、非鋸波状アパーチャよりも一層遠くへ延在することのない画像を発生する。この特徴は正に鋸波状アパーチャから望んでいたものである。   (1) A sawtooth aperture generates an image that does not extend farther than a non-sawtooth aperture. This feature is exactly what we wanted from a sawtooth aperture.

(2)鋸波状の幅が長ければ長いほど、画像における長距離回折効果はより少ない。   (2) The longer the sawtooth width, the less the long-range diffraction effect in the image.

(3)画像中心近くでの画像形状に与える影響において鋸波状は効果的ではない。   (3) The sawtooth shape is not effective in affecting the image shape near the center of the image.

(4)鋸波状の幅が長ければ長いほど、画像のピーク強度は一層小さい。   (4) The longer the sawtooth width, the smaller the peak intensity of the image.

鋸波状は長距離回折振幅を減少させるが、それらは、又、ゼロ番目回折次数のピーク高さを減少させる。何故ならば、それらは不可避的に実効アパーチャ面積を減少させるからである。このことは、鋸波状アパーチャ、及び一般的にソフトアパーチャ、の不所望の副作用である。従って、鋸波状の幅を決定する場合に、これら二つの効果の間の良好な妥協を行なうことが必要である。   Although sawtooth reduces the long range diffraction amplitude, they also reduce the peak height of the zeroth diffraction order. This is because they inevitably reduce the effective aperture area. This is an undesirable side effect of serrated apertures, and generally soft apertures. It is therefore necessary to make a good compromise between these two effects when determining the sawtooth width.

前述した如く、鋸波状アパーチャを働かせるためには、好適には、ゼロ番目の回折次数のみがイメージセンサーに到達し且つ全ての一層高い回折次数がイメージセンサーをミスするようにすることを確かなものとさせる。しかしながら、2番目及び全ての一層高い回折次数は、1番目の次数よりもゼロ番目の次数から更に離れていく。即ち、1番目の次数がイメージセンサーをミスする場合には、全ての一層高い次数は自動的にイメージセンサーをミスする。従って、1番目の次数のみを処理することが可能である。   As mentioned above, in order for the sawtooth aperture to work, it is preferable to ensure that only the zeroth diffraction order reaches the image sensor and that all higher diffraction orders miss the image sensor. Let me. However, the second and all higher diffraction orders are further away from the zeroth order than the first order. That is, if the first order misses the image sensor, all higher orders automatically miss the image sensor. Therefore, it is possible to process only the first order.

周期的構造による回折理論から分かっていることであるが、鋸波状ピッチが小さければ小さいほど、ゼロ番目の次数から1番目の次数は更に遠くへ離れる。鋸波状が十分に細かく作られる場合には、ゼロ番目の次数から十分離れて1番目の回折次数を配置させることが可能である。しかしながら、鋸波状は、真っ直ぐなエッジの上ではなく、丸いアパーチャのエッジの上にある。この場合には、周期的構造による回折理論は直接的に適用されるものではない。   As can be seen from the diffraction theory of periodic structures, the smaller the sawtooth pitch, the farther away the first order from the zeroth order. If the sawtooth shape is made fine enough, it is possible to place the first diffraction order sufficiently away from the zeroth order. However, the sawtooth is not on the straight edge, but on the edge of the round aperture. In this case, the diffraction theory based on the periodic structure is not directly applied.

たとえ1番目の次数の光の殆どがゼロ番目の次数から十分に離れている場合であっても、1番目の次数の光の少量が尚且つゼロ番目の次数と1番目の次数の光の主要な部分との間に当たる場合がある。ゼロ番目の次数と1番目の次数の主要部分との間の1番目の次数の光が無視可能なものでは無い場合には深刻な問題となる場合がある。簡単な態様でこの種類の問題となる光の強度を推定することは可能であるようには思われない。   Even if most of the first order light is sufficiently far from the zeroth order, a small amount of the first order light is still the main of the zeroth order and the first order light. There is a case to hit between the parts. This can be a serious problem if the first order light between the zeroth order and the main part of the first order is not negligible. It does not seem possible to estimate the intensity of the light in question in a simple manner.

1番目回折次数強度分布の数値計算のために、式(100)及び(101)を使用している。ゼロ番目次数の場合、式(102)、と同じ正規化係数を強度の正規化のために使用している。   Expressions (100) and (101) are used for numerical calculation of the first diffraction order intensity distribution. For the zeroth order, the same normalization coefficient as in equation (102) is used for intensity normalization.

図46dにおいて、曲線4618はN=1000に対する1番目回折次数における光の半径方向分布を示しており且つ以下のことを表している。   In FIG. 46d, curve 4618 shows the radial distribution of light at the first diffraction order for N = 1000 and represents:

(1)1番目回折次数の光は広い範囲にわたり広がっている。このことは真っ直ぐなエッジ上の鋸波状に対する場合と非常に異なっている。 (1) The light of the first diffraction order is spread over a wide range. This is very different from the case for sawtooth on a straight edge.

(2)ゼロ番目次数と1番目次数の主要部分との間に実際上光は無い。このことは鋸波状アパーチャの驚くべき且つ重要な特徴である。この特徴は鋸波状アパーチャを働くことを可能とする。1番目の次数の光が存在しないゾーン内にイメージセンサーを配置することが可能である。イメージセンサーが1番目の次数の光が存在しないゾーン内側に配置させるのには大きすぎる場合には、そのゾーンの半径は鋸波状歯の数にほぼ比例しているので、その面積を増加させるために鋸波状歯の数を増加させることが可能である。 (2) There is practically no light between the zeroth order and the main part of the first order. This is a surprising and important feature of the sawtooth aperture. This feature makes it possible to work a serrated aperture. It is possible to place the image sensor in a zone where there is no light of the first order. If the image sensor is too large to be placed inside the zone where the first order light is not present, the radius of the zone is approximately proportional to the number of sawtooth teeth, so as to increase its area It is possible to increase the number of serrated teeth.

図46eはアパーチャ円周回りの鋸波状歯の異なる数に対する1番目の次数の光の半径方向分布を示している。曲線4601はアパーチャ円周回りに10個の鋸波状歯に対応しており、曲線4602は100個の鋸波状歯に対応しており、曲線4603は1,000個の鋸波状歯に対応しており、且つ曲線4604は10,000個の鋸波状歯に対応している。この解析は以下のことを示している。   FIG. 46e shows the radial distribution of the first order light for different numbers of serrated teeth around the aperture circumference. Curve 4601 corresponds to 10 sawtooth teeth around the aperture circumference, curve 4602 corresponds to 100 sawtooth teeth, and curve 4603 corresponds to 1000 sawtooth teeth. And curve 4604 corresponds to 10,000 sawtooth teeth. This analysis shows that:

(1)1番目の次数の光が無いゾーンの半径はほぼ鋸波状歯の数に比例している。このことは、特に、Nが1,000より大きい場合に成立する。 (1) The radius of the zone without the first order light is approximately proportional to the number of sawtooth teeth. This is especially true when N is greater than 1,000.

(2)鋸波状アパーチャは、鋸波状歯の数が100未満の場合には、鋸波状歯の数の減少と共に1番目の次数の光が無いゾーンが早く収縮するので、良好に働くものではない。 (2) When the number of serrated teeth is less than 100, the sawtooth aperture does not work well because the zone without the first-order light contracts quickly as the number of sawtooth teeth decreases. .

(3)大きなN、1,000を超える、の場合には、次式が成立する。 (3) In the case of large N, exceeding 1,000, the following equation is established.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

この値は、周期的構造による回折に基いて、我々の直感と一致している。式(103)は、1番目及び全ての一層高い回折次数をイメージセンサー外側に配置させるために必要な鋸波状歯の数又は等価な鋸波状ピッチを決定するために使用することが可能である。 This value is consistent with our intuition based on diffraction by periodic structures. Equation (103) can be used to determine the number of sawtooth teeth or equivalent sawtooth pitch needed to place the first and all higher diffraction orders outside the image sensor.

次式が成立するので、式(103)から1番目の回折次数の回折角度(より精密には方向余弦)であるθを計算することが可能である。 Since the following formula is established, it is possible to calculate θ 1 which is the diffraction angle (more precisely, the direction cosine) of the first diffraction order from the formula (103).

Figure 0005444334
Figure 0005444334

尚、fはアパーチャと画像面との間に配置されたレンズシステムの焦点距離である。 Note that f is the focal length of the lens system disposed between the aperture and the image plane.

更に、アパーチャの物理的半径であるrは次式のように表される。 Furthermore, r, which is the physical radius of the aperture, is expressed as follows:

Figure 0005444334
Figure 0005444334

そして、鋸波状の物理的ピッチであるpは次式のように表される。 Then, p, which is a sawtooth physical pitch, is expressed as follows.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(103)乃至(106)から、次式が得られる。 From the equations (103) to (106), the following equations are obtained.

Figure 0005444334
Figure 0005444334

式(107)は直線的エッジ上の鋸波状に対する回折角度式と同一である。直線的エッジ上の鋸波状に対する回折角度式はグレーチング即ち格子等の周期的構造に対するものと同一である。このことは、鋸波状歯のピッチがエッジの曲率半径よりもはるかに一層小さい場合には、該エッジの湾曲を無視することが可能であり且つ湾曲したエッジ上の鋸波状を真っ直ぐなエッジ上のものと同じように取り扱うことが可能であることを意味している。   Equation (107) is identical to the diffraction angle equation for sawtooth on a straight edge. The diffraction angle formula for sawtooth on a straight edge is the same as for a periodic structure such as a grating. This means that if the pitch of the serrated teeth is much smaller than the radius of curvature of the edge, the curvature of the edge can be ignored and the serrated shape on the curved edge will be on the straight edge. It means that it can be handled in the same way as things.

曲線の短い部分は直線と考えることが可能であるから、このことは、又、道理にかなっている。このことは、エッジがシャープな角部を有するものではなく且つ鋸波状のピッチがエッジの曲率半径よりも一層小さい限り、エッジ鋸波状技術(edge serration technique)を任意の形状の任意のエッジに対して適用することが可能であることを告げている。例えば、不規則形状のアパーチャを考えてみる。この場合には、アパーチャエッジの湾曲はエッジに沿って変化する。しかしながら、アパーチャがシャープな角部を有するものではない限り、式(107)を満足する鋸波状ピッチを作ることが可能である。   This also makes sense, since the short part of the curve can be considered a straight line. This means that the edge serration technique can be applied to any edge of any shape, as long as the edges do not have sharp corners and the sawtooth pitch is smaller than the radius of curvature of the edge. It is possible to apply. For example, consider an irregularly shaped aperture. In this case, the curvature of the aperture edge changes along the edge. However, as long as the aperture does not have sharp corners, it is possible to create a sawtooth pitch that satisfies equation (107).

鋸波状ピッチはどこもかしこも同じである必要はない。そのピッチがエッジに沿ってゆっくりと変化される限り、ここに開示した鋸波状技術は少なくともある程度は働くものと推測される。   The sawtooth pitch need not be the same everywhere. As long as the pitch is slowly changed along the edge, it is assumed that the sawtooth technique disclosed here will work at least to some extent.

鋸波状アパーチャの利点を以下に要約する。   The advantages of serrated aperture are summarized below.

1.より少ない長距離回折。画像の中心コアから遠く離れた領域内の回折限界画像の高さを減少させる。 1. Less long-range diffraction. Reduce the height of the diffraction limited image in a region far from the central core of the image.

2.注意深く鋸波状ピッチを選択することにより、1番目及びより高い回折次数をイメージセンサーから離したままとすることが可能。 2. By carefully selecting the sawtooth pitch, the first and higher diffraction orders can be kept away from the image sensor.

3.位相変化が導入されることは無い。 3. No phase change is introduced.

4.製造が容易。 4). Easy to manufacture.

VI.干渉欠陥検知及び分類の適用例
記載した実施例は、高分解能光学的検査又は光学的信号の振幅及び位相の両方の決定から利点を得ることが可能な測定を行なう場合に特に適している。以下のものは、可能な適用例の部分的なリストであり、即ち、パターン形成したウエハの欠陥検知及び欠陥分類、ベアウエハの欠陥検知及び分類、結晶欠陥検知、欠陥レビュー、位相変化コンポーネントを具備するレチクル上の欠陥を含むレチクル欠陥の検知及び分類。
VI. Application Examples of Interference Defect Detection and Classification The described embodiments are particularly suitable for making measurements that can benefit from high resolution optical inspection or determination of both the amplitude and phase of an optical signal. The following is a partial list of possible applications: including patterned wafer defect detection and defect classification, bare wafer defect detection and classification, crystal defect detection, defect review, phase change component Detection and classification of reticle defects, including defects on the reticle.

種々の実施例の利点の多くをここに説明した。この様な利点は、高欠陥信号、高欠陥検知感度、より少ない偽欠陥検知、より少ないサンプルパターンノイズ、一度に異なる種類の欠陥を取得する能力、ボイドと粒子又はメサと谷との間を区別する能力、より一層正確且つ信頼性のある欠陥分類、改善した検知一貫性、欠陥信号の増幅のためのイメージセンサーダイナミックレンジのより効果的な利用に通じるフィールドにわたっての改善した照明一様性、動作モードの早いセットアップ、CWレーザではなくモードロック型レーザの使用とそれによるコストの低下、コスト低下に通じるスペックルバスティング(speckle busting)に対する必要性の回避、フラッド(flood)照明を使用する能力とそれによるウエハ損傷の機会の減少、良く定義された回折次数に通じる可干渉性照明を使用する能力とそれによる簡単なフーリエフィルタリングの提供、コスト低下に通じる簡単なシステム形態、コスト低下に通じ且つエネルギロスを減少させる瞳又はアパーチャストップリレー(中継)の除去、及び効率的なエネルギ使用、を包含している。   Many of the advantages of the various embodiments have been described herein. These benefits include high defect signal, high defect detection sensitivity, less false defect detection, less sample pattern noise, the ability to acquire different types of defects at once, and distinguish between void and particle or mesa and valley Improved illumination uniformity across the field, leading to more accurate and reliable defect classification, improved detection consistency, more effective use of image sensor dynamic range for defect signal amplification Quick setup of modes, use of mode-locked lasers instead of CW lasers, thereby reducing costs, avoiding the need for speckle busting leading to cost reductions, ability to use flood lighting and Reduces the chance of wafer damage due to the ability to use coherent illumination leading to well-defined diffraction orders And providing simple Fourier filtering, simple system configuration that leads to cost reduction, removal of pupils or aperture stop relays that lead to cost reduction and reduce energy loss, and efficient energy use. ing.

前述したことは明確性の目的のために幾らかの詳細について説明しているが、その原理を逸脱すること無しに或る変更及び修正を行なうことが可能であることは明らかである。注意すべきことであるが、ここに記載したプロセス及び装置の両方を実現する多数の代替的な態様が存在している。従って、本実施例は、例示的なものであり制限的なものではないものとして考えるべきであり、かつ本発明はここに与えられている詳細に制限されるべきものではなく、それは特許請求の範囲の範囲及び均等物内において修正することが可能なものである。   Although the foregoing describes some details for purposes of clarity, it will be apparent that certain changes and modifications may be made without departing from the principles. It should be noted that there are numerous alternative ways of implementing both the processes and apparatus described herein. Accordingly, the embodiments are to be considered as illustrative and not restrictive, and the invention is not to be limited to the details given herein, which are Modifications can be made within the range and equivalents of the range.

Claims (20)

サンプルにおける欠陥を検知する共通光路干渉イメージングシステムにおいて、
光(118)を発生し且つそれをサンプル(110)へ向けて指向させる照明光源(112)、
物体面と画像面とを有しており且つ該サンプルを実質的に該物体面に位置させる構成とされており且つ該サンプルからの光の実質的な鏡面成分(124)と散乱成分(128)とを回収する形態とされており、該散乱成分及び実質的な鏡面成分が相対的位相を有している光学的イメージングシステム(100)、
該光学的イメージングシステムに対して動作可能に配置されており且つ前記散乱成分と実質的な鏡面成分との間の前記相対的位相を調節する形態とされている可変位相制御システム(122,130)、
実質的に該画像面に配置されており且つ前記相対的位相が調節された後に該散乱成分及び実質的な鏡面成分の結合の少なくとも一部を検知し且つそれを表す電子信号を発生する検知システム(140)、
を有しているシステム。
In a common optical path interference imaging system that detects defects in a sample,
An illumination source (112) that generates light (118) and directs it toward the sample (110);
An object plane and an image plane and configured to position the sample substantially at the object plane; and a substantial specular component (124) and a scattering component (128) of light from the sample An optical imaging system (100) in which the scattering component and the substantial specular component have a relative phase,
A variable phase control system (122, 130) operatively arranged with respect to the optical imaging system and configured to adjust the relative phase between the scattering component and the substantial specular component ,
A sensing system that is disposed substantially at the image plane and detects at least a portion of the combination of the scattered and substantial specular components after the relative phase is adjusted and generates an electronic signal representative thereof (140),
Having a system.
請求項1において、更に、該電子信号に対応するサンプル位置情報を与えるために該検知システムに対して該サンプルを位置決めすべく形態とされているサンプル位置決めシステム(150)を有しているシステム。 The system of claim 1, further comprising a sample positioning system (150) configured to position the sample relative to the sensing system to provide sample position information corresponding to the electronic signal. 請求項1において、更に、該検知システムと動作可能に接続されているか又はその中に組み込まれており且つそれからの該電子信号を受け取り且つ欠陥の有無を判別するためにそれを参照信号と比較する形態とされている信号プロセッサ(152)を有しているシステム。 The method of claim 1, further comprising operably connected to or incorporated within the sensing system and receiving the electronic signal therefrom and comparing it to a reference signal to determine the presence or absence of a defect. A system having a signal processor (152) configured. 請求項1において、該可変位相制御システムがアパーチャストップにおいて又はその近くに又は該光学的イメージングシステムのアパーチャストップの共役面において又はその近くに位置されているシステム。 The system of claim 1, wherein the variable phase control system is located at or near an aperture stop or at or near a conjugate plane of the aperture stop of the optical imaging system. 請求項1において、該可変位相制御システムが該実質的な鏡面成分の位相を調節することにより前記相対的位相を調節する形態とされているシステム。 The system of claim 1, wherein the variable phase control system is configured to adjust the relative phase by adjusting the phase of the substantial specular component. 請求項1において、更に、該サンプルと該検知システムとの間で該実質的な鏡面成分の経路内に配置されている可変減衰システム(224)を有しているシステム。 The system of claim 1, further comprising a variable attenuation system (224) disposed in the path of the substantially specular component between the sample and the sensing system. 請求項6において、該実質的な鏡面成分の振幅が該検知システムにおける信号変調を増加させるために減衰されるシステム。 7. The system of claim 6, wherein the substantial specular component amplitude is attenuated to increase signal modulation in the sensing system. 請求項1において、更に、該サンプル上の入射照明の偏光、該検知システムに到達する該サンプルからの該実質的な鏡面成分の偏光、及び該検知システムに到達する該サンプルからの該散乱成分の偏光が選択的に可変であるように選択され且つ配置されている偏光光学コンポーネント(1060,1062)を有しているシステム。 The method of claim 1, further comprising: polarization of incident illumination on the sample; polarization of the substantial specular component from the sample reaching the detection system; and scattering component from the sample reaching the detection system. A system having polarizing optical components (1060, 1062) that are selected and arranged such that the polarization is selectively variable. 請求項1において、該サンプルにおける欠陥の振幅及び位相を派生するために各々が異なる相対的位相シフトで行なわれる或るサンプル点の3つ以上の比較を使用するシステム。 The system of claim 1, wherein three or more comparisons of a sample point, each performed with a different relative phase shift, are used to derive the amplitude and phase of defects in the sample. 請求項1において、
前記照明光源(2818a,2818b)が2つ以上の波長で光を派生し、
本システムが同時的な複数の波長操作のための1つ以上の波長スプリッタ(2872)を包含しており、該波長スプリッタは前記実質的な鏡面成分及び散乱成分の光路内にあり且つ選択的に該波長の内の幾つかを透過させ且つ他の波長を反射させ、且つ
前記可変位相制御及び検知システムが、該実質的な鏡面成分と散乱成分の相対的位相を各波長に対して調節することが可能であり且つ各波長に対する該実質的な鏡面成分及び散乱成分を同じ波長及び位置に対する参照信号と信号プロセッサにより比較させることが可能であるように配置されている各波長(2870a,2870b)に対するシステムを包含している、
システム。
In claim 1,
The illumination source (2818a, 2818b) derives light at two or more wavelengths;
The system includes one or more wavelength splitters (2872) for simultaneous multiple wavelength manipulations, the wavelength splitters being in the optical path of the substantially specular and scattered components and selectively Transmitting some of the wavelengths and reflecting other wavelengths, and the variable phase control and detection system adjusts the relative phase of the substantial specular and scattered components for each wavelength. And for each wavelength (2870a, 2870b) arranged such that the substantial specular and scattered components for each wavelength can be compared by a signal processor with a reference signal for the same wavelength and position. Including the system,
system.
請求項1において、更に、アパーチャーストップにおいて又はその近くに、又は該光学的イメージングシステムのアパーチャーストップの共役面近くに光を選択的にブロックするためのフーリエ面フィルタリングシステム(730)を有しているシステム。 The method of claim 1, further comprising a Fourier plane filtering system (730) for selectively blocking light at or near the aperture stop or near the conjugate plane of the aperture stop of the optical imaging system. system. 請求項1において、該サンプルへ向けて指向される該光の一部が該サンプルの表面から反射され且つ一部が該サンプルを介して透過して、それにより実質的な鏡面成分と散乱成分とからなる2つの相補的な組を発生し、且つ本システムが、更に、第2イメージングシステム(2402b)と、補正板と、第2可変位相制御システム(2470b)と、第2検知システム(2440b)とを有しており、該実質的な鏡面成分と散乱成分との相対的位相を該サンプルからの透過ビーム及び反射ビームの両方に対して調節し且つ該透過ビーム及び反射ビームに対する該実質的な鏡面成分及び散乱成分に対応する夫々の信号を採取し且つ該サンプル上の同一の位置に対応するコンピュータにより発生された反射及び透過の夫々の参照信号と信号プロセッサ(152)によって比較するシステム。 2. The part of the light directed towards the sample is reflected from the surface of the sample and partly transmitted through the sample, thereby providing substantial specular and scattering components. And the system further includes a second imaging system (2402b), a correction plate, a second variable phase control system (2470b), and a second sensing system (2440b). And adjusting the relative phase of the substantial specular component and the scattered component for both the transmitted and reflected beams from the sample and the substantial phase for the transmitted and reflected beams. Each signal corresponding to the specular component and the scattered component is sampled and a computer generated reflection and transmission reference signal and signal process corresponding to the same location on the sample. A system for comparing the difference (152). 請求項9において、該欠陥の前記派生された振幅及び位相を受け取り且つ前記振幅及び位相の特性の間の類似及び差異を使用して欠陥を分類すべくプログラムされているプロセッサ(152)を包含しているシステム。 10. The processor (152) of claim 9, comprising a processor (152) programmed to receive the derived amplitude and phase of the defect and classify the defect using similarities and differences between the amplitude and phase characteristics. System. 請求項1において、各々が該サンプル上の1点に関連する実質的な鏡面成分と散乱成分との結合を有している複数の異なる信号の実質的に同時的な発生を可能とするために、該光学的イメージングシステムが、1個以上のビームスプリッタ(2872)と、複数の位相制御器システム(2870a,2870b)と、複数の検知システム(2840a,2840b)とを包含しているシステム。 2. The method of claim 1, wherein a plurality of different signals, each having a combination of substantially specular and scattered components associated with a point on the sample, can be generated substantially simultaneously. The optical imaging system includes one or more beam splitters (2872), a plurality of phase controller systems (2870a, 2870b), and a plurality of detection systems (2840a, 2840b). 請求項1において、オブスキュレーションを含む瞳面及び各々が透過光に露呈されるエッジを具備しているアパーチャプレート(4606)を有しており、前記エッジの各々が1次及びそれ以上の次数の画像を該検知システムから離れるように回折させる形態とされている複数個のセレーション(4608)を包含しており、且つ該複数個のセレーションは、使用されている光の波長に該イメージングシステムの瞳と該検知システムとの間のレンズの焦点距離を乗算し該センサーの最大フィールド半径の2倍で割算したもの未満の距離に離隔されているシステム。 The pupil plate including an obscuration and an aperture plate (4606) each having an edge exposed to transmitted light, wherein each of the edges is a first order and higher orders. Including a plurality of serrations (4608) configured to diffract an image of the imaging system away from the sensing system, and the plurality of serrations to the wavelength of light being used. A system that is separated by a distance less than the lens focal length between the pupil and the sensing system divided by twice the maximum field radius of the sensor. サンプルにおける欠陥を検知するために共通光路干渉イメージングを使用する方法において、
光を該サンプルへ向けて指向させ、
該サンプルにより主に散乱された該光の散乱成分及び該サンプルにより主に反射されるか又は透過された該光の鏡面成分を光学的イメージングシステムで該サンプルから回収し、
可変位相制御システムを使用して該散乱成分と該鏡面成分との相対的位相を調節し、
前記位相調節の後に該散乱成分及び鏡面成分の少なくとも一部を検知し且つそれを表す第1電子信号を発生し、且つ
該第1電子信号と同じサンプル位置に対応する参照信号と該第1電子信号とを比較して前記同じサンプル位置における欠陥の有無を判別する、
ことを包含している方法。
In a method of using common path interference imaging to detect defects in a sample,
Directing light towards the sample,
Collecting from the sample an optical imaging system with a scattering component of the light primarily scattered by the sample and a specular component of the light reflected or transmitted primarily by the sample;
Adjusting the relative phase of the scattering and specular components using a variable phase control system;
After the phase adjustment, at least part of the scattered component and the specular component is detected and a first electronic signal representing the same is generated, and a reference signal corresponding to the same sample position as the first electronic signal and the first electron Comparing the signal to determine the presence or absence of defects at the same sample location;
The method that encompasses that.
請求項16において、更に、画像面に到達する該鏡面成分の強度を変化させることを包含している方法。 17. The method of claim 16, further comprising changing the intensity of the specular component reaching the image plane. 請求項16において、更に、該サンプル上の入射照明の偏光、検知面に到達する該サンプルからの鏡面成分の偏光、及び該検知面に到達する該サンプルからの該散乱成分の偏光、の内の一つ又はそれ以上を変化させることを包含している方法。 The polarization of incident illumination on the sample, the polarization of the specular component from the sample that reaches the sensing surface, and the polarization of the scattered component from the sample that reaches the sensing surface. A method comprising changing one or more. 請求項16において、欠陥の振幅及び位相を派生するために、各々が異なる相対的位相シフトで行われる3個又はそれ以上の同じサンプル点の比較を使用する方法。 17. The method of claim 16, wherein a comparison of three or more identical sample points, each performed at a different relative phase shift, is used to derive the defect amplitude and phase. 請求項19において、更に、振幅及び位相特性の間の類似及び差異に少なくとも部分的に基づいて1個又はそれ以上の欠陥を分類することを包含している方法。 20. The method of claim 19, further comprising classifying one or more defects based at least in part on similarities and differences between amplitude and phase characteristics.
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