JP5442716B2 - 真空内使用のためのロボット及びリソグラフィ装置 - Google Patents

真空内使用のためのロボット及びリソグラフィ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5442716B2
JP5442716B2 JP2011505424A JP2011505424A JP5442716B2 JP 5442716 B2 JP5442716 B2 JP 5442716B2 JP 2011505424 A JP2011505424 A JP 2011505424A JP 2011505424 A JP2011505424 A JP 2011505424A JP 5442716 B2 JP5442716 B2 JP 5442716B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
shaft
axis
gas
vacuum chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011505424A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011522397A5 (ja
JP2011522397A (ja
Inventor
ガブリエル マリア ランスバーゲン,ロバート
ヒラリー ハロルド,ジョージ
ドーレン,マシュー ジェームズ ヴァン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of JP2011522397A publication Critical patent/JP2011522397A/ja
Publication of JP2011522397A5 publication Critical patent/JP2011522397A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5442716B2 publication Critical patent/JP5442716B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • H01L21/0275Photolithographic processes using lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

[0001] 本発明は、リソグラフィ装置の真空チャンバにおける使用のためのロボットに関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上または基板の一部上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ、集積回路(IC)および微細構造を含む他のデバイスの製造に用いることができる。従来の装置では、マスク、レチクル、個別プログラマブルまたは制御可能素子アレイ(マスクレス)等とも呼ばれるパターニングデバイスに光が誘導される。パターニングデバイスは、IC、フラットパネルディスプレイまたは他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために用いることができる。このパターンは、基板上に設けられた放射感応性材料(例えば、レジスト)層上への結像によって基板(例えば、ガラスプレート、ウェーハ等)全体または一部上に転写することができる。結像は、ミラー、レンズ、ビームスプリッタ等の光コンポーネントを含み得る投影システムを介する光の処理を含んでよい。他のコンポーネントまたはデバイスがマルチフィールドリレー(MFR)などの光コンポーネントも含み得るリソグラフィ装置に存在してもよく、このマルチフィールドリレーは、パターニングの前に放射ビームを多数の個別のビームに分割する光コンポーネントを含む。
[0003] 例えば極端紫外線(EUV)フォトリソグラフィ用途に使用される多数の従来のリソグラフィ装置は、パターニングデバイス、基板またはウェーハ、および開口数などの追加の光コンポーネントを含む装置の様々なコンポーネントを真空チャンバ内に位置決めする。そのような場合、これらのコンポーネントを真空環境内で移動または動かすために真空チャンバ内にロボットを配置することができる。
[0004] 通常、大気圧リソグラフィ装置における使用に適した従来のロボットは、真空環境内の使用に適してない。これらの従来のロボットは、多くの場合、炭化水素化合物によって潤滑化されるベアリングアセンブリを特徴として有する。これらのロボットを真空内使用により適するようにするために、ベアリングアセンブリは、多くの場合、分子のガス放出を0から100原子質量単位(a.m.u.)に最小化するように配合された特殊「真空油」を用いて潤滑化される。さらに、従来の真空内使用のためのロボットは、多くの場合、真空環境内への炭化水素分子のガス放出も行う強磁性流体シールを特徴として有する。
[0005] 望ましくないことに、EUVフォトリソグラフィ用途および他の用途は、分子が敏感なEUV光学系上で凝縮してその寿命をかなり制限するので、0から200a.m.uといった潤滑分子の最小ガス放出を必要とする。そのような用途に対して、「真空油」および強磁性流体シールを利用する従来のロボットは、特に100a.m.u閾値より上の大きい潤滑分子のガス放出という原因により、真空における使用に適していない。
[0006] したがって、理想的には、真空環境内で炭化水素潤滑剤を全く使用しない、または、炭化水素潤滑剤のガス放出を実質的に減少させる真空内使用のためのロボットが必要である。これによって従来のシステムの欠点を実質的に除去する。
[0007] 一実施形態では、真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って真空内に配置された対象物を位置決めするようにされた第1コンポーネントを含む、真空内で対象物を位置決めするロボットが提供される。ロボットはシャフトをさらに含み、当該シャフトは、シャフトの対称軸が並進軸に対して垂直になるように第1コンポーネントを支持するように構成される。さらに、第2コンポーネントは、真空チャンバの外側に位置決めされる。また、第2コンポーネントは、シャフトを対称軸の周りで回転させ、かつシャフトを対称軸に対して平行方向に移動させるように構成される。第2コンポーネントは、シャフトの外周面に沿ってガスを導入するように構成されたガスベアリングと、ガスベアリングによって導入されたガスを排気するように構成された排出シールとを含む。
[0008] 別の実施形態では、放射ビームを生成するように構成された照明システムと、真空チャンバ内に配置され、かつ放射ビームをパターン付けするように構成されたパターニングデバイスと、パターン付けされたビームを真空チャンバ内の基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、真空チャンバ内で対象物を位置決めするロボットをさらに含む。ロボットは、真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って真空内に配置された対象物を位置決めするようにされた第1コンポーネントを有する。ロボットはシャフトをさらに含み、当該シャフトは、シャフトの対称軸が並進軸に対して垂直になるように第1コンポーネントを支持するように構成される。さらに、第2コンポーネントは、真空チャンバの外側に位置決めされる。また、第2コンポーネントは、シャフトを対称軸の周りで回転させ、かつシャフトを対称軸に対して平行方向に移動させるように構成される。第2コンポーネントは、シャフトの外周面に沿ってガスを導入するように構成されたガスベアリングと、ガスベアリングによって導入されたガスを排気するように構成された排出シールとを含む。
を含む、リソグラフィ装置。
[0009] 本発明のさらなる実施形態、特徴および利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。
[0010] 本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の1つ以上の実施形態を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用することを可能にするように作用する。
[0011] 図1Aは、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0011] 図1Bは、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。 [0012] 図2は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めする例示的ロボットを概略的に示す。 [0013] 図3Aは、本発明の一実施形態による、図2に示す例示的ロボットの追加の特徴を示す。 [0013] 図3Bは、本発明の一実施形態による、図2に示す例示的ロボットの追加の特徴を示す。 [0014] 図4は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めする例示的ロボットを概略的に示す。 [0015] 図5Aは、本発明の一実施形態による、図4の例示的ロボットの追加の特徴を概略的に示す。 [0015] 図5Bは、本発明の一実施形態による、図4の例示的ロボットの追加の特徴を概略的に示す。 [0016] 図6は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めする例示的ロボットの斜視図である。 [0017] 図7Aは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めする例示的ロボットを概略的に示す。 [0017] 図7Bは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めする例示的ロボットを概略的に示す。 [0018] 図8は、本発明の一実施形態による、図7Aおよび図7Bの例示的ロボットの追加の特徴を示す。 [0019] 図9Aは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットに組み込むことができる例示的スライダおよびガイドアセンブリの特徴を概略的に示す。 [0019] 図9Bは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットに組み込むことができる例示的スライダおよびガイドアセンブリの特徴を概略的に示す。 [0019] 図9Cは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットに組み込むことができる例示的スライダおよびガイドアセンブリの特徴を概略的に示す。 [0019] 図9Dは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットに組み込むことができる例示的スライダおよびガイドアセンブリの特徴を概略的に示す。 [0020] 図10は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットに組み込むことができる例示的ガスベアリングアセンブリを概略的に示す。 [0021] 図11Aは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットの例示的部分を概略的に示す。 [0021] 図11Bは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットの例示的部分を概略的に示す。 [0021] 図12は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットの例示的部分を概略的に示す。 [0022] 図13は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットに組み込むことができる例示的排出シールを概略的に示す。
[0023] 本発明の1つ以上の実施形態を、添付の図面を参照して以下に説明する。これらの図面において、同様の参照番号は同一または機能的に類似する要素を示してよい。
[0024] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ1つ以上の実施形態を開示する。開示される(1つ以上の)実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される(1つ以上の)実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定められる。
[0025] 記載される(1つ以上の)実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される(1つ以上の)実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
例示的リソグラフィ装置
[0026] 図1Aは、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置1を概略的に示している。このリソグラフィ装置1は、放射ビームB(例えば、紫外線またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILを備える。サポートMT(例えば、マスクテーブル)は、パターニングデバイスMA(例えば、マスク)を支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めする第1ポジショナPMに連結されている。基板テーブルWT(例えば、ウェーハテーブル)は、基板W(例えば、レジストコートウェーハ)を保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めする第2ポジショナPWに連結されている。投影システムPS(例えば、屈折投影レンズシステム)は、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成されている。
[0027] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0028] サポートMTは、パターニングデバイスの重量を支える。さらに、サポートMTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートMTは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートMTは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートMTは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0029] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
[0030] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。レチクルとも呼ばれるマスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
[0031] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0032] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置1は、反射型のもの(例えば、反射型マスクを採用しているもの)である。また、リソグラフィ装置1は、透過型のもの(例えば、透過型マスクを採用しているもの)であってもよい。
[0033] リソグラフィ装置は、2つ(デュアルステージ)以上の基板テーブル(および/または2つ以上のマスクテーブル)を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0034] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体(例えば水)によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間(例えば、マスクと投影システムとの間)に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
[0035] 図1Aを参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。さらなる実施形態では、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、存在するならばビームデリバリシステムBDとともに、「放射システム」と呼んでもよい。
[0036] 一実施形態では、イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。そのような実施形態では、イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
[0037] 放射ビームBは、サポート(例えば、マスクテーブルMT)上に保持されているパターニングデバイス(例えば、マスクMA)上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF2(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ)を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサIF1(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ)を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
[0038] 通常、マスクテーブルMTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は(スキャナとは対照的に)、マスクテーブルMTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる(これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である)。同様に、複数のダイがマスクMA上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0039] 基板テーブルWT、位置センサIF、第2ポジショナPWおよびサポート構造の他のコンポーネントは、真空チャンバ内にあってよい。そのような場合、ウェーハWと同様のウェーハを搬送または移動させるために真空内ロボットIVRが真空チャンバ内に配置されてよい。マスクテーブルMTおよびパターニングデバイスMAも真空チャンバ内にあった場合、追加の真空内ロボットIVRを使用してパターニングデバイスMAと同様のマスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバの中および外に移動してもよい。あるいは、マスクテーブルMTおよびパターニングデバイスMAが真空チャンバの外にあった場合、真空内ロボットIVRと同様の様々な搬送動作のために真空外ロボットが使用されてもよい。真空内ロボットおよび真空外ロボットの両方は、任意のペイロード(例えば、マスクまたはウェーハ)による移送ステーションの固定された動的マウントへの円滑な移動のために較正される必要がある。
[0040] 例えばミルピータス、CAのGenmark Automation社によって製造される真空内ロボットIVR用のコントローラは周知であり、当業者において認識することができるであろう。
[0041] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。
[0042] 1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
[0043] 2.スキャンモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
[0044] 3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルMTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0045] 上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0046] さらなる実施形態では、リソグラフィ装置1は、EUVリソグラフィのためのEUV放射ビームを生成するように構成された極端紫外線(EUV)源を含む。通常、EUV源は放射システム内に構成されており(下記参照)、対応の照明システムはEUV源のEUV放射ビームを調整するように構成される。
[0047] 図1Bは、本発明の一実施形態のよる例示的EUVリソグラフィ装置を概略的に示す。図1では、投影装置1は、放射システム42、照明光学ユニット44および投影システムPSを含む。放射システム42は、放電プラズマによって形成され得る放射源SOを含む。一実施形態では、EUV放射は、ガスまたは蒸気、例えばXeガス、Li蒸気またはSn蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのEUV範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される。非常に高温のプラズマは、例えば放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生成することによって作り出すことができる。例えば、10PaのXe、Li、Sn蒸気あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。放射源SOによって放出される放射は、放射源チャンバ47から、放射源チャンバ47内の開口部の中またはその後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ49を介して集光チャンバ48へと送られる。一実施形態では、ガスバリア49はチャネル構造を含んでよい。
[0048] 集光チャンバ48は、かすめ入射コレクタから形成することができる放射コレクタ50(集光ミラーまたはコレクタとも呼ぶ)を含む。放射コレクタ50は、上流放射コレクタ側50aおよび下流放射コレクタ側50bを有しており、コレクタ50を通り過ぎた放射は、格子スペクトルフィルタ51から反射してコレクタチャンバ48内のアパーチャ20における仮想源ポイント52で合焦される。放射コレクタ50は、従来から周知である。
[0049] 放射ビーム56は、集光チャンバ48から、法線入射リフレクタ53および54を介してレチクルまたはマスクテーブルMT上に位置決めされたレチクルまたはマスク上へと照明光学ユニット44内で反射する。パターン付けされたビーム57が形成され、これは、投影システムPSにおいて反射要素58および59を介してウェーハステージまたは基板テーブルWT上に結像される。様々な実施形態では、照明光学ユニット44および投影システムPSは、図1Bに示されたものよりも多くの(または少ない)要素を含んでもよい。例えば、格子スペクトルフィルタ51は、リソグラフィ装置のタイプによって任意的に存在してもよい。さらに、一実施形態では、照明光学ユニット44および投影システムPSは、図1Bに示されたものよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムPSは、反射要素58および59に加えて1〜4個の反射要素を組み入れてもよい。図1Bでは、参照番号180は2つのリフレクタ間の空間(例えば、リフレクタ142とリフレクタ143との間の空間)を示す。
[0050] 一実施形態では、集光ミラー50は、かすめ入射ミラーの代わりにまたはそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。さらに、集光ミラー50は、リフレクタ142、143および146を有する入れ子化されたコレクタに関して記述されているが、本明細書中、コレクタの一例としてさらに使用されている。したがって、適用できる場合、かすめ入射コレクタとしての集光ミラー50は、一般的なコレクタとして解釈されてもよく、また、一実施形態では、法線入射コレクタとして解釈されてもよい。
[0051] さらに、図1Bに概略的に示すような格子51の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。EUVが透過する光フィルタ、ならびにUV放射があまり透過せず、またはUV放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当該技術分野では公知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてさらに示される。図1Bには示されていないが、EUV透過型光フィルタは、例えば集光ミラー50の上流に構成された追加の光学要素、あるいは照明ユニット44および/または投影システムPSにおける光EUV透過型フィルタとして含まれてもよい。
[0052] 光学要素に対する「上流」および「下流」という用語は、それぞれ、1つ以上の追加の光学要素の「光学的上流」および「光学的下流」な1つ以上の光学要素の位置を示す。図1Bでは、放射ビームBはリソグラフィ装置1を通り抜ける。放射ビームBがリソグラフィ装置1を通り抜ける光路に従って、第2光学要素より放射源SOに近い第1光学要素は第2光学要素の上流に構成され、第2光学要素は第1光学要素の下流に構成される。例えば、集光ミラー50がスペクトルフィルタ51の上流に構成されるのに対して、光学要素53はスペクトルフィルタ51の下流に構成される。
[0053] 図1Bに示される全ての光学要素(および本実施形態の概略図に示されていない追加の光学要素)は、例えばSnなどの放射源SOによって生成される汚染物質の堆積を受けやすい。これは放射コレクタ50にも当てはまり、スペクトル純度フィルタ51が存在した場合にも当てはまる。したがって、洗浄デバイスがこれらの光学要素のうちの1つ以上を洗浄するために採用されるとともに、洗浄方法がそれらの光学要素に適用されてもよいが、法線入射リフレクタ53および54、ならびに反射要素58および59、または追加のミラー、格子等の他の光学要素に適用されてもよい。
[0054] 放射コレクタ50はかすめ入射コレクタであってもよく、そのような実施形態では、コレクタ50は光軸Oに沿って位置合わせされる。放射源SOまたはその像は、光軸O上に配置されてもよい。放射コレクタ50は、リフレクタ142、143および146(「シェル(shell)」またはいくつかのWolter型リフレクタを含むWolter型リフレクタとしても公知である)を含んでもよい。リフレクタ142、143および146は、入れ子化され、光軸Oの周りで回転対称であってもよい。図1Bでは、内側リフレクタは参照番号142で示され、中間リフレクタは参照番号143で示され、かつ外側リフレクタは参照番号146で示される。放射コレクタ50は、ある容積(すなわち(1つまたは複数の)外側リフレクタ146内の容積)を包囲する。通常、(1つまたは複数の)外側リフレクタ146内のこの容積は、小さな開口部が存在してもよいが、円周方向で閉じられている。
[0055] リフレクタ142、143および146は、それぞれ、少なくとも一部が1層の反射層または幾つかの反射層を表す表面を含む。したがって、リフレクタ142、143および146(あるいは3つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタ)は、少なくとも部分的に、放射源SOからEUV放射を反射および集光するように設計され、かつリフレクタ142、143および146の少なくとも一部は、EUV放射を反射および集光するように設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、EUV放射を反射および集光するように設計されない。これらの反射層の表面上には、保護のためのキャップ層または反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる光フィルタが存在してもよい。
[0056] 放射コレクタ50は、放射源SOまたは放射源SOの像の近傍に配置されてもよい。リフレクタ142、143および146の各々は、少なくとも2つの隣接する反射面を含んでよく、放射源SOから離れたほうに位置する反射面は、放射源SOに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Oに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ50は、光軸Oに沿って伝搬する(E)UV放射ビームを発生させるように構成される。少なくとも2つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Oの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ50が、外側リフレクタ146の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ146の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有してもよいことが理解されたい。
[0057] 本明細書中に記載する実施形態において、「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。
[0058] 本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線(UV)(例えば、365、248、193、157、または126nmの波長λを有する)および極端紫外線(EUVまたは軟X線)(例えば、5〜20nmの範囲の波長、例えば13.5nmの波長を有する)、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。一般に、約780〜3000nm(以上)の間の波長を有する放射がIR放射とみなされる。UVは、約100〜400nmの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいて、UVは、水銀放電ランプによって発生することができる波長、すなわちG線436nm、H線405nmおよび/またはI線365nmにも当てはまる。真空UVまたはVUV(すなわち、空気によって吸収されるUV)は、約100〜200nmの波長を有する放射を指す。深UV(DUV)は、通常、126nm〜428nmの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、リソグラフィ装置内で使用されるDUV放射はエキシマレーザによって生成することができる。例えば5〜20nmの範囲内の波長を有する放射は、少なくとも一部が5〜20nmの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関係することを当業者は理解されたい。
例示的な真空内使用のためのロボット
[0059] 図2は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物(workpiece)を位置決めするための例示的ロボット200を示す。ロボット200は、真空チャンバ290内で並進軸292に沿って対象物204を位置決めする第1コンポーネント202を含む。シャフト206は第1コンポーネント202を支持し、シャフト206は、シャフト206の対称軸294が並進軸292に対して垂直になるように第1コンポーネント202に堅く接続される。追加の実施形態では第1コンポーネント202の一部のみが真空チャンバ内に位置決めされてもよいが、図2の実施形態では、第1コンポーネント202および対象物204の両方が真空チャンバ290内に配置される。
[0060] 第1コンポーネント202は、細長部材208を第1端208aで係合するアクチュエータ220を包囲する。細長部材208の第2端208bは、対象物204を支持するグリッパ210に堅く接続される。図2の実施形態では、アクチュエータ220は細長部材208を並進軸292に沿って駆動させ、それによって真空チャンバ内で対象物204を位置決めする。対象物204は、レチクルを含むがそれに限定されないパターニングデバイスであってよく、または代替の実施形態では、対象物204は基板またはウェーハであってもよい。追加の実施形態では、対象物204は、開口数を含むがそれに限定されない光学‐機械デバイスであってもよい。
[0061] 様々な実施形態では、アクチュエータ220は、ベルトを駆動させるように構成されたリニアモータ、ロータリモータ、あるいは当業者が理解できるあらゆる追加のアクチュエータであってもよい。さらに、アクチュエータ220は、1つ以上のアクチュエータコンポーネントを支持する1つ以上の潤滑ベアリングを含んでよい。そのような潤滑ベアリングは、第1コンポーネント202の内部202a内に炭化水素分子をガス放出し得る。アクチュエータ220からの炭化水素潤滑剤のガス放出を実質的に減少または除去するために、第1コンポーネント202は密閉筐体(enclosure)であってよく、第1コンポーネント202の内部容積202aは近真空状態にポンプダウン(pump down)されてよい。追加の実施形態では、アクチュエータ220は、ガスベアリング、リニアモータおよび油を有さないセンサ(例えば、光学エンコーダ)を含むがこれらに限定されない油のないコンポーネントのみを含む。
[0062] 図2では、第1コンポーネントベアリング212は、細長部材208が並進軸292に沿って移動するときに細長部材208の表面に作用するように位置決めされる。図2の実施形態では、第1コンポーネントベアリング212は、窒素(N)などのガスを細長部材の表面に沿って導入してベアリング表面と細長部材208の表面との間にギャップ(図示せず)を形成する。
[0063] しかしながら、第1コンポーネントベアリング212によって導入されたガスは細長部材208の表面から真空チャンバ290内に漏れる場合がある。それによって真空環境は低下し、真空圧レベルを維持する困難性は高くなり、さらに真空チャンバ290内に収容された光コンポーネントに潜在的にダメージを与える。ガスベアリング212からのガス漏れを除去する(または最小限にする)ために、差動(differential)シールまたは差動的にポンプされるシールとも呼ぶ排出(scavenging)シール240が、ガスベアリング212と真空チャンバ290との間に位置決めされてベアリング212によって導入されたガスを排気する。図2の実施形態では、排出シール240は、ベアリング212によって導入されたガスを排気する3つの別々の排気溝240a、240bおよび240cを含む。さらに、追加の実施形態では、排出シール240は、本発明の精神または範囲から逸脱することなくあらゆる数の排気溝を組み込むことができる。例えば、排気溝240a、240bおよび240cは、様々な真空度に排気することができ、排気溝240cは、真空チャンバ290の内部に近接していることにより最も高いレベルの真空を有する。したがって、排出シール240の効果は、第1コンポーネントベアリング212によって導入されたガスを除去または排気すること、およびそのガスの真空チャンバ290内へのあらゆる漏れを防止または最小限にすることである。
[0064] 図2では、シャフト206は真空チャンバ290を通過し、全体として230で示される第2コンポーネントは、真空チャンバ290の外に位置決めされ、かつシャフト206を係合するように構成される。図2に示していないが、第2コンポーネント230は、シャフト206を軸294の周りで回転させ、かつシャフト206を軸294に対して平行方向に駆動させる1つ以上のアクチュエータおよびリニアステージを含んでもよい。そのような実施形態では、ロボット200は、軸294の周りのシャフトの回転と、軸294に対して平行のシャフトの動作と、並進軸292に沿った対象物204の動作とを組み合わせて対象物204を3次元真空チャンバ内で位置決めする。
[0065] 図2の実施形態では、第2コンポーネントガスベアリング232は、軸294の周りの回転中および軸294に沿った動作中にシャフト206を支持する。一実施形態では、ガスベアリング232は、窒素(N)などのクリーンガスをシャフト206の外周面206aに沿って導入し、それによってガスベアリング232の表面とシャフト206との間にギャップ(図示せず)を生成する。
[0066] しかしながら、外周面220aに沿ったガスの導入は、導入されたガスの真空チャンバ290内への漏れという結果になり得る。そのような漏れを除去または最小限にするために、排出(または差動)シール236が、シャフト220に沿って位置決めされて第2コンポーネントガスベアリング232によって導入されたガスを排気する。図2の実施形態では、排出シール236は、第2コンポーネントガスベアリング232と真空チャンバ290との間に配置され、排出シール236の対称軸は軸294に対して平行に位置決めされる。さらに、排出シール236は、3つの別々の排気溝236a、236bおよび236cを含み、当該排気溝236a、236bおよび236cは、集合的に、外周面220aに作用して第2コンポーネントガスベアリング232によって導入されたガスを排気する。したがって、排出シール236の効果は、ベアリング232によって導入されたガスを除去または排気し、それによって、軸294の周りのシャフト206の自由な回転および軸294に沿ったシャフト206の自由な移動を可能にする一方、そのガスの真空チャンバ290内へのあらゆる漏れを防止することである。
[0067] 図2の実施形態では、排出シール236(および排出シール240)は、3つの別々の排気溝236a、236bおよび236c(ならびに排気溝240a、240bおよび240c)について記載されている。しかしながら、本発明の実施形態はそのような構成に限定されておらず、追加の実施形態では、排出シール236は、本発明の精神または範囲から逸脱することなくあらゆる数の排気溝を組み込むことができる。さらに、図2の実施形態では、排出シール236は、シャフト206の外周面206aに作用するように構成される。追加の実施形態では、排出シール236は、シャフト206の外周面206aに対して垂直の表面、または本発明の精神または範囲から逸脱することなく当業者に明らかであろうシャフト206のあらゆる追加の表面に作用するように配置されてもよい。
[0068] 図2の実施形態では、対象物204は、細長部材208の動作を通じて並進軸292に沿って位置決めされる。しかしながら、本発明は単一の細長部材の特徴をなすロボットに限定されておらず、図3Aおよび図3Bは、本発明の一実施形態による、2つの細長部材を用いて対象物を位置決めする例示的ロボット300の斜視図である。図2を参照して記載したように、ロボット300は、対象物304を並進軸392に沿って位置決めするように構成された第1コンポーネント302を含む。しかしながら、図3Aおよび図3Bの実施形態では、ロボット300は、全体として320で示されるアクチュエータによって、並進軸392に沿ってそれぞれ駆動される細長部材308および309を含む。細長部材308および309は、対象物304を支持するグリッパ310に堅く接続される。上記したように、例示的対象物は、レチクルなどのパターニングデバイス、基板またはウェーハ、および開口数などの光学‐機械デバイスを含むがそれらに限定されない。
[0069] 図3Aの実施形態では、アクチュエータ320は、それぞれのアクチュエータの変位を測定する絶対値リニアエンコーダ、ならびに可動コイルおよび可動読取ヘッドを含むがそれらに限定されないサービスループを含むリニアモータである。追加の実施形態では、アクチュエータ320のコイルおよび読取ヘッドは静止状態であってよい。しかしながら、本発明はそのようなアクチュエータに限定されておらず、追加の実施形態では、アクチュエータ320は、ロータリモータによって駆動される歯付きベルトまたは当業者によって適切であると認識されようあらゆる追加のアクチュエータを含んでよい。
[0070] 図3Aでは、各細長部材の動作は、並進軸392に沿った動作中に細長部材の表面に沿って窒素(N)などのガスを導入するガスベアリングによって支持される。導入されたガスの真空チャンバ内への漏れを防止するために、排出シールをベアリングと真空チャンバとの間に位置決めして導入されたガスを排気することができる。図3Bは、細長部材308および309のそれぞれに結合されたガスベアリングと対応する排出シールを示す図3Aの領域391の拡大斜視図である。
[0071] 図3Bでは、第1コンポーネントガスベアリング312は、窒素(N)などのガスを細長部材308の表面の周りに導入してベアリング312の表面と細長部材308の表面との間にギャップを形成する。図3Bには示していないが、同じように配置されたガスベアリングはガスを細長部材309の表面の周りに導入し、それによってベアリングの表面と細長部材309の表面との間にギャップを形成する。
[0072] ベアリング312によって導入されたガスの真空チャンバ390内への漏れを除去するために、排出シール340をベアリング312と第1コンポーネント302の壁との間、例えば、グリッパ310が細長部材308および309に結合されている場所に位置決めされる。図2を参照して記載したように、排出シール340は、ベアリング312によって導入されたガスをそれぞれおよび集合的に排気する3つの排気溝340a、340bおよび340cを含んでよい。図3Bには示していないが、同様の排出シールを細長部材309の周りに位置決めして対応するガスベアリングによって導入されたガスを排気することができる。
[0073] 追加の実施形態では、図2の第1コンポーネントベアリングは、炭化水素潤滑剤を有する従来の潤滑ベアリングを含んでよい。図4は、本発明の一実施形態による、従来の潤滑ベアリングを組み込む例示的ロボット400を示す。上記したように、第1コンポーネント402は真空チャンバ490内に配置され、かつ並進軸492に沿って対象物404を位置決めするように構成される。シャフト406は第1コンポーネント402を支持し、シャフト406は、シャフト406の対称軸494が並進軸492と垂直になるように第1コンポーネント402に堅く接続される。
[0074] 第1コンポーネント402は、細長部材408を第1端408aで係合するアクチュエータ420を包囲する。細長部材408の第2端408bは、対象物404を支持するグリッパ410に堅く接続される。図4の実施形態では、アクチュエータ420は細長部材408を並進軸492に沿って駆動させ、それによって対象物404を真空チャンバ490内で位置決めする。対象物404は、レチクルを含むがそれに限定されないパターニングデバイスであってよく、または代替の実施形態では、対象物404は基板またはウェーハであってもよい。追加の実施形態では、対象物404は、開口数を含むがそれに限定されない光学‐機械デバイスであってもよい。
[0075] さらに、第1コンポーネントベアリング412は、並進軸492に沿った細長部材の動作中に細長部材408の1つ以上の表面を支持するように位置決めされる。しかしながら、図2の実施形態と対照的に、第1コンポーネントベアリング412は、例えば、潤滑ボールベアリングアセンブリを含むがそれに限定されない、炭化水素潤滑剤を利用する従来の潤滑ベアリングである。そのような実施形態では、炭化水素分子は、第1コンポーネント402の内部402aへと潤滑ベアリングアセンブリからガス放出し得る。そのような炭化水素分子のガス放出を最小限にするためには、第1コンポーネント402を密閉し、内部402aを近真空レベルまで排気することができる。図4では、内部402aはシャフト406の内部406bと流体連通しており、内部402aは、非真空環境と流体連通し得る内部406bを通って排気することができる。
[0076] しかしながら、これらの予防策にもかかわらず、特に細長部材408が並進軸492に沿って移動するときに、第1コンポーネントベアリング412に関連する炭化水素潤滑剤はベアリング412からガス放出し、真空内の敏感な光コンポーネントを汚損(foul)し得る。そのような汚損を除去または実質的に減少させるために、可撓性ベローズ414は、ベアリング412からガス放出される炭化水素分子を捕捉するために真空内の細長部材408の動作中にその細長部材408を包囲する。図4の実施形態では、可撓性ベローズ414は、第1コンポーネント402およびグリッパ410の両方に密閉可能に取り付けられてよく、それによって細長部材408は、第1位置から完全に延在した位置までの動作中に可撓性ベローズ414によって包囲される。そのような実施形態では、可撓性ベローズ414は、細長部材408の動作中に第1コンポーネントベアリング412からガス放出されるあらゆる炭化水素分子を捕捉し、それによって、ガス放出された炭化水素分子による敏感な光コンポーネントのあらゆる汚損を実質的に減少または除去する。
[0077] 図2を参照して記載したように、シャフト406は真空チャンバ490を通り抜け、全体を430で示す第2コンポーネントは、真空チャンバ490の外に位置決めされ、かつシャフト406を係合するように構成される。図4には示していないが、第2コンポーネント430は、シャフト406を軸494の周りで回転させ、かつシャフト406を軸494に対して平行方向に駆動させる1つ以上のアクチュエータおよびリニアステージを含んでもよい。そのような実施形態では、ロボット400は、軸494の周りのシャフトの回転と、軸494に対して平行のシャフトの動作と、並進軸492に沿った対象物404の動作とを組み合わせて対象物404を3次元真空チャンバ内で位置決めする。
[0078] 図4では、第2コンポーネントガスベアリング432は、軸494の周りの回転および軸294に沿った動作中にシャフト406を支持する。一実施形態では、ガスベアリング432は、窒素(N)などのクリーンガスをシャフト406の外周面406aに沿って導入し、それによってガスベアリング432とシャフト406との間にギャップを生成する。
[0079] しかしながら、外周面406aに沿ったガスの導入は、導入されたガスの真空チャンバ490内への漏れという結果になり得る。そのような漏れを除去または実質的に減少させるために、排出(または差動)シール436は、シャフト406に沿って位置決めされて第2コンポーネントガスベアリング432によって導入されたガスを排気する。図4の実施形態では、排出シール436は、第2コンポーネントガスベアリング432と真空チャンバ490との間に配置され、排出シール436の対称軸は軸494に対して平行である。さらに、排出シール436は、集合的に、外周面406aに作用して第2コンポーネントガスベアリング432によって導入されたガスを排気する2つの別々の排気溝436aおよび436bを含む。一実施形態では、排気溝436aおよび436bは、それぞれ、大気と硬真空との間の任意の圧力まで排気してガスベアリング432によって導入されたガスを排気してもよい。追加の実施形態では、排気溝436aおよび436bは、それぞれ、約1mbarおよび1×10−3mbarの圧力まで排気されてもよい。したがって、排出シール436は、ベアリング432によって導入されたガスを除去または排気し、そのガスの真空チャンバ490内へのあらゆる漏れを防止または最小限にする。
[0080] 図4の実施形態では、排出シール436は、2つの別々の排気溝436aおよび436bを含む。しかしながら、本発明はそのような構成に限定されておらず、追加の実施形態では、排出シール436は、当業者に明らかであろうあらゆる数の排気溝を組み込むことができる。さらに、図4の実施形態では、排出シール436は、シャフト420の外周面406aに作用するように構成される。追加の実施形態では、排出シール436は、シャフト406の外周面206aに対して垂直の表面、あるいは本発明の精神または範囲から逸脱することなく当業者に明らかであろうシャフト406のあらゆる追加の表面に作用するように配置されてもよい。
[0081] 図5Aおよび図5Bは、図4の例示的ロボットのさらなる特徴を示す。図5Aおよび図5Bでは、第1コンポーネント502は、細長部材508を第1端508aで係合するアクチュエータ520を包囲する。細長部材508の第2端508bは、対象物504を支持するグリッパ510に堅く接続される。第1コンポーネント502は、シャフト506の対称軸594が並進軸592に対して垂直になるようにシャフト506によって支持される。様々な実施形態では、対象物504は、レチクルなどのパターニングデバイス、ウェーハまたは基板、あるいは開口数などの光学‐機械デバイスを含むが、それらに限定されない。
[0082] 図5Aおよび図5Bでは、アクチュエータ520は細長部材508の端508aに堅く接続されたスライダ520aを含むが、追加の実施形態では、スライダ520aは、グリッパ510から空間的に離れた細長部材508沿いのあらゆる位置で細長部材508に接続される。スライダ520aは、歯付きベルト520cの動きによってリニアガイド520bに沿って駆動され、その歯付きベルト520cはロータリモータ(図示せず)によって駆動される。さらに、ベアリング520dは、スライダ520aとリニアガイド520bとの間に位置決めされ、様々な実施形態では、ベアリング520dは、潤滑ベアリング、ガスベアリング、または当業者に明らかであろうあらゆる追加のベアリングであってもよい。リニアガイド520bに沿った細長部材508に連結されたスライダ520aの動作は、並進軸592に沿った細長部材508の動作という結果となる。
[0083] 図5Aおよび図5Bでは、第1コンポーネントベアリング(図示せず)は、並進軸592に沿った細長部材508の動作中に細長部材508の1つ以上の表面を支持する。図5Aの実施形態では、第1コンポーネントベアリングは、ボールベアリングアセンブリまたは当業者に明らかであろう多数のあらゆる追加の潤滑ベアリングを含むがそれらに限定されない、炭化水素潤滑剤を利用する潤滑ベアリングである。図4を参照して記載したように、可撓性ベローズ514は、細長部材508および第1コンポーネントベアリングを包囲し、それによって真空チャンバ内への炭化水素潤滑剤のガス放出を除去する。
[0084] 図5Aでは、細長部材508は、スライダ520aがリニアガイド520bに沿った初期位置で静止する非作動位置に配置される。対照的に、図5Bは、完全作動位置における図5Aの例示的ロボット500を示す。一度作動すると、歯付きベルト520cは時計回りに進んでスライダ520aをリニアガイド520bに沿って駆動させ、それによって細長部材508および対象物504を真空チャンバ590内で並進軸592に沿って進める。さらに、細長部材508が並進軸592に沿って進むにつれて、ベローズ514は、細長部材508および第1コンポーネントベアリング512のその筐体を維持するために拡大し、それによって、細長部材508の全動作範囲中の炭化水素分子のガス放出を実質的に減少または除去する。
[0085] 一実施形態では、並進軸592に沿った対象物504の最大変位は、約500mm〜830mmの間の範囲であってよい。例えば、開口数などの光学‐機械デバイスの最大変位は約500mmであり得る一方、ロボット500は、基板を並進軸592に沿って約600mmまで変位させ、レチクルを並進軸に沿って約830mmまで変位することができる。追加の実施形態では、最大対象物変位は、本発明の精神または範囲から逸脱することなくこれらの例示的値を超えてもよく、あるいはこれらの例示的値を下回ってもよい。
[0086] 図5Aおよび図5Bの実施形態では、アクチュエータ520は、スライダ520aを係合し、かつスライダ520aをガイド520bに沿って駆動させる歯付きベルト520cを含む。しかしながら、本発明はそのようなアクチュエータに限定されない。追加の実施形態では、細長部材508は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく、図2を参照して上記したリニアモータなどの様々な追加のアクチュエータを用いて駆動されてよい。
[0087] 上記した実施形態では、並進軸に沿った動作中に単一のベローズが単一の細長部材を包囲する。しかしながら、本発明はそのような実施形態に限定されておらず、図6は、本発明の一実施形態による、多数の可撓性ベローズによって包囲された多数の細長部材を用いて対象物を位置決めする例示的ロボット600の斜視図である。図6では、細長部材608および609は、それぞれ、グリッパサポート611aおよび611bを介してグリッパ610に堅く接続される。
[0088] 図6では、アクチュエータ620および621は、それぞれ、細長部材608および609を並進軸692に沿って駆動するリニアモータを利用する。例えば、アクチュエータ620のリニアモータは、リニアガイド620bに沿って細長部材608に連結されたスライダ620aを駆動する。リニアガイド620bに沿ったスライダ620aの動作は、並進軸692に沿って細長部材608を駆動する。アクチュエータ621によって生成される細長部材609の同様の動作と結合された細長部材608の動作は、真空(図示せず)内で並進軸692に沿って対象物604を位置決めする。この動作は、第1コンポーネント602を支持するシャフト606の対称軸694の周りの第1筐体602の回転と、軸694に沿った第1コンポーネント602の動作とに結合され、ロボット600が真空環境内で3次元に沿って対象物604を位置決めすることを可能にする。
[0089] 上記したように、第1コンポーネントベアリング612および613は、それぞれ、細長部材608および609の表面に作用し、図6の実施形態では、第1コンポーネントベアリングは炭化水素潤滑剤を利用する潤滑ベアリングである。したがって、可撓性ベローズ614および615は、それぞれ、細長部材608および609をその全動作範囲にわたって包囲し、真空環境内への炭化水素分子のガス放出を実質的に減少させる。
[0090] 上記の実施形態では、ロボットの第1コンポーネントは密閉され、第1コンポーネントの内部は、第1コンポーネントの内部から真空内への汚染物質のあらゆる接触を実質的に減少させるために近真空レベルに排気される。しかしながら、追加の実施形態では、ロボットの第1コンポーネントは、図7Aおよび図7Bに示すように、密閉されず真空環境にさらされてもよい。
[0091] 図7Aおよび図7Bは、本発明一実施形態による、真空内で対象物704を位置決めするための例示的ロボット700を示す。図7Aでは、ロボット700は、真空チャンバ790内で位置決めされ、かつ真空内で並進軸792に沿って対象物704を位置決めするように構成された第1コンポーネント702を含む。シャフト706は、シャフト706の対称軸794が並進軸792に対して垂直になるように第1コンポーネント702に堅く接続される。さらに、図7Aおよび図7Bには示していないが、ロボット700は、シャフト720と係合するために真空チャンバの外に位置決めされた第2コンポーネントをさらに含む。一実施形態では、第2コンポーネントは、シャフト706を軸794の周りで回転させ、かつシャフト706を軸794に対して平行方向に軸794に沿って移動させる多数の追加のアクチュエータおよびリニアステージを含んでもよい。したがって、ロボット700は、軸794の周りのシャフトの回転と、軸794に対して平行のシャフトの動作と、並進軸792に沿った対象物704の動作とを組み合わせて対象物704を3次元真空チャンバ内で位置決めすることができる。
[0092] 第1コンポーネント702は、細長部材708を第1端708aで係合するアクチュエータ720を収容する。細長部材708の第2端708bは、対象物704を支持するグリッパ710に堅く接続される。図7Aおよび図7Bの実施形態では、アクチュエータ720は細長部材708を方向798において並進軸792に沿って駆動させ、それによって真空チャンバ790内で対象物704を位置決めする。対象物704は、様々な実施形態では、レチクルなどのパターニングデバイス、基板またはウェーハ、あるいは開口数などの光学‐機械デバイスであってもよい。
[0093] 図7Aおよび図7Bの実施形態では、アクチュエータ720は、ガスベアリング路720bに沿って駆動され、かつサービスループ720cを介して外部のコントローラ(図示せず)に連結されたスライダ720aを有するリニアモータである。細長部材708は端708aでスライダ720aに取り付けられており、したがって、ガスベアリング路720bに沿ったスライダ720aの動作は細長部材708を駆動して対象物704を並進軸792に沿って位置決めする。追加の実施形態では、スライダ720aは、本発明の精神または範囲から逸脱することなく第2端708bから空間的に離れた細長部材708沿いのあらゆる位置で細長部材708に取り付けられる。
[0094] アクチュエータ720は、ガスベアリング路720bの表面に作用するガスベアリング720dを含む。一実施形態では、ガスベアリング704dは、窒素(N)などのクリーンガスをガスベアリング路720bの表面に沿って導入してガスベアリング路720bとガスベアリング720dとの間にギャップ(図示せず)を形成する。しかしながら、ガスベアリング720dはそのようなガスの使用に限定されておらず、追加の実施形態では、ガスベアリング720dは、当業者に明らかであろうあらゆる適切なガスを導入できる。さらに、アクチュエータ720は、ガスベアリング路720bに沿ったスライダ720aの動作を集合的にトレースするリニアエンコーダ720fおよび読取ヘッド720eを含む。
[0095] 上記の実施形態とは異なり、第1筐体702は密閉されておらず、よってアクチュエータ720は真空チャンバの環境にさらされている。ガスベアリング720dから真空チャンバ内へのガス漏れを実質的に減少または除去するために、ガスベアリング720dは排出シール740と排出シール741との間に位置決めされ、この排出シール740および排出シール741はそれぞれガイド720bの表面に沿ってガスベアリング720dによって導入されたガスを排気する。図7Aに示していないが、排出シール740および排出シール741は、それぞれ、図2を参照して記載したように、ガスベアリング720dによって導入されたガスを排気するために様々な真空レベルに排気される2つ以上の排気溝を特徴として有してよい。
[0096] 図7Bは、完全作動された構成のロボット700を概略的に示す。図7Bでは、リニアモータ720は、スライダ720aを第1位置(図7Aに示すように)から完全作動位置(図7Bで全体として797で示す)まで駆動するために作動される。ガスベアリング路720bに沿ったスライダ720aの動作は同様に細長部材708を駆動し、それによって対象物704を真空チャンバ790内で並進軸792に沿って位置決めする。図7Aおよび図7Bの実施形態では、並進方向における対象物704の変位(全体として793で示す)は、図2および図5に示すような密閉筐体に収容されたアクチュエータを有する同様のロボットによって達成される類似の並進変位より大きくすることができる。そのような対象物704の並進変位は、細長部材708の寸法の対応する拡大を伴わずに達成することができる。なぜなら、細長アームの動きを支持するベアリング構造は第1コンポーネント702内に完全に収容され、かつ第1筐体702に隣接して取り付けられる排出シールおよび/またはベローズに制限されないからである。
[0097] 図8は、完全作動位置における7Aおよび7Bの例示的ロボットの斜視図である。図8では、第1コンポーネント802は、真空チャンバ(図示せず)内に配置され、かつ並進軸892に沿って対象物(図示せず)を位置決めするように構成される。細長部材808は、対象物を支持するように構成されたグリッパ810に堅く接続される。さらに、図8の実施形態では、シャフト806は、シャフト806の対称軸894が並進軸892に対して垂直になるように第1コンポーネント802に堅く接続される。
[0098] 上記したように、アクチュエータ820は真空にさらされる。上記したように、アクチュエータ820は、多数のガスベアリング路に沿ってスライダ(図示せず)を前進させるように構成されたリニアモータであり、1つ以上のガスベアリングがガスベアリング路の表面(または複数の表面)に作用するためにスライダの近くに位置決めされる。例えば、スライダはガスベアリング路820bに沿って駆動され、ガスベアリング820dは、窒素(N)などのクリーンガスをガイド820bの表面に沿って導入することができる。上記したように、排出シール840および841は、それぞれ、ガスベアリング820dによって導入されたガスを排気するためにガスベアリング820dに隣接して位置決めされる。一実施形態では、排出シール840および841は、それぞれ、ガスベアリング820dによって導入されたガスを排気する、排出シール840の排気溝840aおよび820dなどの2つの排気溝を含み、それによって真空内への導入されたガスのあらゆる漏れを実質的に減少させる。
[0099] 図8に示すように、アクチュエータ820は、並進軸892に沿って細長部材808を駆動させて真空内で対象物を位置決めする。図8に示していないが、第2コンポーネントは、シャフト806を軸894の周りで回転させ、かつシャフト806を軸894に沿って軸894に対して平行方向に移動させるために多数の追加のアクチュエータおよびリニアステージを含んでもよい。
[0100] 図9Aおよび図9Bは、それぞれ、図8の例示的ロボットに組み込むことができるスライダおよびガイドアセンブリ900の断面図および俯瞰図である。図9Aおよび図9Bの実施形態では、スライダ902は、ガスベアリング路904の周りに位置決めされ、かつ図8のアクチュエータ820などのアクチュエータアセンブリによってガスベアリング路904に沿って駆動されるように構成される。
[0101] 図9Aでは、ガイド904の断面図は、二等辺四辺形(例えば、1組の対辺を二等分にする対称軸を有する四辺形)を形成するが、追加の実施形態では、ガスベアリング路904は当業者に明らかである多数のあらゆる断面形状を有してよい。さらに、図9Aに示すように、スライダ902はガスベアリング路904を包囲し、ガスベアリング920、922、924および926は、それぞれ、ガスベアリング路904の表面上にガスを導入するためにスライダ902上に位置決めされる。一実施形態では、ガスベアリング920、922、924および926は、窒素(N)などのクリーンガスをガスベアリング路904の表面上に導入される。しかしながら、本発明はそのようなガスに限定されておらず、ガスベアリング920、922、924および926は、当業者に明らかであろう多数のあらゆるガスを利用できる。
[0102] 例えば、図9Aでは、ガスベアリング924は、ガスベアリング924の表面がガスベアリング路904の表面914に対して平行であるように位置決めされ、かつ表面914とガスベアリング924との間にギャップ934を設定するために表面914に沿ってガスを導入するように構成される。同様に、ガスベアリング926の表面はガスベアリング路904の表面に対して平行であり、ガスベアリング926は、表面916とガスベアリング936との間にギャップ936を設定するために表面916に沿ってガスを導入する。
[0103] ガスベアリング920および922は、それぞれ、バネ920aおよび922aの上に載せられ、かつガスベアリング920および922の表面が、それぞれ、ガスベアリング路904の表面910に沿ってガスを導入するように位置決めされる。ガスベアリング920および922のそれぞれによって導入されるガスは、ガスベアリング930および932の表面とガスベアリング路904の表面910との間にギャップ930および932を設定する。
[0104] 上記したように、ガスベアリング920、922、924および926は、開筐体内に収容され、よって真空チャンバの環境にさらされる。したがって、ガスベアリング920、922、924および926からのガス漏れは、真空チャンバ内の敏感な光コンポーネントの汚損を最小限にするために実質的に減少させる必要がある。図9Aには示してないが、図7Aおよび図7Bに上記されたもののような排出シールは、ガスベアリング920、922、924および926のそれぞれの表面の外周の一部に位置決めされてこれらのベアリングによって導入されたガスを排気し、真空チャンバ内へのガス漏れを実質的に減少または除去する。
[0105] 図9Bは、図9Aに示す例示的スライダおよびガイドアセンブリ900の俯瞰図を示す。上記したように、スライダ902は、ガスベアリング路904の周りに位置決めされ、かつガスベアリング路904に沿って駆動されるように構成される。一実施形態では、ガスベアリング920、922、924および926は、スライダ902の第1端の近くに位置決めされ、追加の組のガスベアリング940、942、944および946は、スライダ902の第1端と反対にある端の近くに位置決めされる。上記したように、ガスベアリング路904の断面は多角形を形成し、ガスベアリング920、922、924および926、ならびに、追加のガスベアリング940、942、944および946は、反力を提供するために、図9Aについて上記したようにガスベアリング路904の表面の周りに配列されてよい。図9Bに示していないが、図7Aおよび図7Bに上記したような排出シールは、ガスベアリング920、922、924および926のそれぞれ、ならびに、追加のガスベアリング940、942、944および946のそれぞれの表面の外周の一部に位置決めされてこれらのベアリングによって導入されたガスを排気し、真空チャンバ内へのガス漏れを実質的に減少または除去する。
[0106] 図9Cおよび図9Dは、図9Aおよび図9Bの例示的スライダおよびガイドアセンブリに組み込むことができるリニアガスベアリングの断面図および俯瞰図を示す。図9Cでは、ガスベアリング960は、ガスベアリング960の表面961が図9Aのガスベアリング路904などのガスベアリング路の表面914に対して平行になるように位置決めされる。窒素(N)などのクリーンガスはガスベアリング960の中央ポート962を介して導入され、その導入されたガスは表面961と表面914との間の通路996aおよび通路996bに沿って進み、それによって表面961と表面914との間にギャップ934を設定する。一実施形態では、図9Dに示すように、ガスは中央ポート962を通って流れ、表面961に形成された1つ以上の分配溝を通って表面961に沿って分配される。
[0107] 上記したように、ガスベアリング960は真空環境にさらされており、したがって、全体として970で示される排出シールは、ベアリング960によって導入されたガスを排気するように構成され、それによって真空チャンバ内へのガス漏れを実質的に減少または除去する。図9Cでは、排出シール970は、表面961に形成され、かつ表面961の外周に沿って位置決めされた環状排気溝972を含む。排出シール970は、排気溝972と流体連通され、かつ高いレベルの真空(例えば、1mbarと1×10−3mbarとの間の値)に排気溝472を排気するように構成された真空ポート974をさらに含む。
[0108] 図9Cの実施形態では、中央ポート962を通って導入されたガスは中央ポート962から通路996aおよび996bに沿ってガスベアリング960の端960aおよび960bに向かって進む。排気溝972は真空ポート974を介して高いレベルの真空に排気され、中央ポート962を通って導入されたガスは、その後、溝972を通って排気されて排気ポート974を通ってベアリング960から出て、それによって真空チャンバ内へのガス漏れを除去または実質的に減少させる。
[0109] 図9Dは、図9Cに示すガスベアリング960の表面961の俯瞰図を示す。図9Dでは、ガスベアリング964の表面461は、端960a、960b、960cおよび960dによって画定された外周を有する長方形の設置面積(footprint)を有する。中央ポート962はベアリング960を貫通し、分配溝964a、964b、964cおよび964dと流体連通している。これらの溝は、図9Cに示すように、中央ポート962を通って導入されたガスを表面961に沿って分配して表面961とガスベアリング路の表面との間にギャップを設定する。
[0110] 図9Dの実施形態では、分配溝964a、964b、964cおよび964dは、それぞれ、中央ポート962から始まり、中央ポート962からガスベアリング964の端に向かって四方に広がる。しかしながら、追加の実施形態では、ベアリング960の表面961は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく中央ポート962と流体連通したあらゆる数または構成の分配溝を組み込んでもよい。
[0111] 上記したように、排気溝972は、端960a、960b、960cおよび960dによって画定された表面961の表面の外周に沿って位置決めされ、排気溝972は、真空ポート974と流体連通した回路を形成する。排気溝972を高真空レベルに排気すると、ベアリング960の中央ポート962を通って導入されたガスは溝972および真空ポート974を通って排気される。
[0112] 図9Cおよび図9Dの実施形態では、ガスベアリング960は、端960a、960b、960cおよび960dによって画定された長方形の設置面積を有するリニアベアリングである。しかしながら、ガスベアリング960はそのようなベアリングに限定されておらず、追加の実施形態では、ガスベアリング960は、円形の設置面積、楕円形の設置面積、多角形の設置面積、または本発明の精神または範囲から逸脱することなく当業者に明らかであろうあらゆる追加の設置面積を有するリニアベアリングであってもよい。
[0113] さらに、図9Cおよび図9Dでは、排気溝972は、端960a、960b、960cおよび960dの近くに配置される。しかしながら、追加の実施形態では、排気溝972は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく中央ポート962ならびに分配溝964a、964b、964cおよび964dを包囲する完全な回路を形成するあらゆる構成で位置決めされてもよい。さらに、追加の実施形態では、排気溝972は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく中央ポート962ならびに分配溝964a、964b、964cおよび964dの両方を包囲するあらゆる円形、楕円形または多角形の回路を形成してよい。
[0114] 図10は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするための例示的ロボットに組み込まれた長方形のガスベアリングアセンブリ1000の斜視図である。図10の実施形態では、アセンブリ1000は、真空チャンバ内に完全にまたは部分的に位置決めされた図2の第1コンポーネント202および図4の第1コンポーネント402などの密封筐体(図示せず)に配置される。
[0115] 図10では、ガスベアリングステージ1002は荷台(carriage)1004を支持し、この荷台1004には、細長部材1008および1009のそれぞれの第1端が取り付けられる。例えば、細長部材1008の第1端1008aは荷台1004に堅く接続される。図10の実施形態では、リニアモータは荷台1004をベアリング路1002に沿って駆動し、それによって細長部材1008および1009を並進軸1092に沿って駆動する。そのような動作を提供するために、モータ巻線1020aが荷台1004に固定され、外部コントローラ(図示せず)による作動の際、モータ巻線1020aは磁気ガイド1020bに沿って駆動され、それによって荷台1004および細長部材を並進軸1092に沿って駆動する。一実施形態では、磁気ガイド1020bは空心ブラシレスDCリニアモータの永久磁気Uチャネルであってよい。細長部材のそれぞれの第2端がグリッパに固く取り付けられ、そのグリップは対象物を支持するので、並進軸1092に沿った細長部材(例えば、細長部材1008)の動作は、図2および図4を参照して上記したように真空内で対象物を位置決めする。さらに、ベアリングステージ1002に沿った荷台1004の位置は、リニアエンコーダ1020eおよび荷台1004に固定された読取ヘッド1020fによってモニタされる。様々な実施形態では、本発明の精神または範囲から逸脱することなく、リニアエンコーダ1020eは絶対値エンコーダまたは相対値エンコーダであってよく、読取ヘッド1020fは磁気読取ヘッドまたは光学読取ヘッドであってよい。
[0116] ガスベアリングステージ1002は、窒素(N)などのクリーンガスを荷台1004の表面上に導入し、それによってベアリングステージ1002と荷台1004との間にギャップ(図示せず)を設定する。図10の実施形態では、ベアリングステージ1002に沿って導入されたガスは密閉筐体の環境内で放電される。細長部材1008および1009が筐体を通過するところからの導入されたガス漏れを除去するために、排出シール1040および1041は、それぞれ、細長部材1008および1009の周りに位置決めされ、細長部材1008および1009のそれぞれが筐体を通過するところで筐体の壁に固定される。
[0117] 例えば、図2を参照して上記したように、排出シール1040は細長部材1008の表面に作用するように配置され、排出シール1040は、細長部材1008が筐体を通過するところで筐体(図示せず)の壁に固定される。図10の実施形態では、排出シール1040および1041はグリッパおよび対象物の負荷を支えないが、その代わりにそれぞれの細長部材の表面の上で浮かぶ。さらに、図2を参照して上記したように、排出シール1040および1041は、あらゆる数の排気溝を組み込んでベアリングステージ1002によって筐体内に導入されたガスを排気することができる。
[0118] 図11Aおよび図11Bは、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするための例示的ロボットの下部1100を示す。下部1100は、ロボットの第1コンポーネント、例えば図2の第1コンポーネント202を支持するシャフト1106を係合する。図11Aおよび図11Bの実施形態では、下部1100は、第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133を含んでおり、当該第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133は、シャフト1106の外周面1106aに沿ってガスを集合的に導入して外周面1106aと第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133のそれぞれの表面との間にギャップ1134を確立する。一実施形態では、第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133は、窒素(N)などのクリーンガスを外周面1106aに沿って導入することができる。しかしながら、追加の実施形態では、第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133は、当業者に明らかであろうあらゆる数の追加または代替のクリーンガスまたは希ガスを利用してよい。
[0119] 上記したように、排出シール1136は、ガスベアリング1132および1133と真空チャンバ(図示せず)の壁との間に位置決めされ、排出シール1136の対称軸はシャフト1106の対称軸1194に対して平行に配置される。図11Aおよび図11Bの実施形態では、排出シール1136は、第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133によって導入されたガスを集合的にそれぞれ排気する第1排気溝1136aおよび第2排気溝1136bを含む。例えば、第1排気溝1136aはガスを排気するために約1mbarの圧力に排気され、第2排気溝1136bは追加のガスを排気するために約1×10−3mbarの圧力に排気され、それによって真空チャンバ内への導入されたガスのあらゆる漏れを除去または実質的に減少させる。
[0120] さらに、シャフト1106は、ロボットの第1コンポーネントの内部、例えば図4の第1コンポーネント402の内部402aと流体連通した図4の部分406aなどの中空部分を含んでよい。そのような実施形態では、ポート1135は密閉筐体の内部を近真空状態に排気するために使用され、それによって、図4を参照して上記したように、筐体内に配置されたコンポーネントからのあらゆるガス放出を実施質的に減少させる。
[0121] 図11Aおよび図11Bでは、モータ1140はシャフト1106に係合し、外部コントローラ(図示せず)による発動の際、シャフト1106を軸1194の周りで回転させ、それによってロボットの第1コンポーネントを回転する。図11Aおよび図11Bの実施形態では、第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133は、シャフト1106が軸1194の周りで回転するときにシャフト1106のための回転サポートを提供する。さらに、図11Aでは、スラストベアリング(thrust bearing)1160は、軸1194の周りの動作中にシャフト1106を軸支する。一実施形態では、図11Aに示すように、スラストベアリング1160は、シャフト1106の外周面1106aに対して垂直に配置されたベアリングプレート1162の表面に沿ってガスを導入するガスベアリングである。さらに、シャフト1106の回転動作を、外部コントローラに接続された絶対値エンコーダ1142によって追跡する。
[0122] 図11Aの実施形態では、下部1100は、リニア駆動ステージ1150を用いて軸1194に対して平行方向にシャフト1106およびシャフト1106に接続されたロボットの第1部分を位置決めする。リニア駆動ステージ1150は、下部1100に堅く接続された固定部1152を含んでおり、当該下部1100は、排出シール1136、第1および第2ガスベアリング、絶対値エンコーダ(図示せず)、ならびに剛性接続部1156を介してモータ1140およびベアリング1160に堅く接続された可動部1154を収容する。
[0123] 追加の実施形態では、スラストベアリング1160は、潤滑ボールベアリングまたは潤滑針状ベアリングを含むがそれらに限定されない、従来の潤滑ロータリベアリングを含んでよい。図11Bに示すそのような実施形態では、潤滑ロータリベアリング1161は軸1194の周りの動作中にシャフト1106を軸支し、可動部1154は屈曲接続部1157を介してモータ1140およびロータリベアリング1161に柔軟に接続される。一実施形態では、屈曲接続部1157は、軸1194および図2の並進軸292などの並進軸に沿った動き、ならびにこれらの軸に沿った張力および/または圧縮力に対する特定の要件を満たす。図11Aで上記したように、下部1100は、リニア駆動ステージ1150を用いて軸1194に対して平行方向にシャフト1106およびシャフト1106に接続されたロボットの第1部分を位置決めする。
[0124] 外部コントローラに応答して、図11Aおよび図11Bに示すリニアステージ1150は発動し、可動部1154を軸1194に対して平行方向に変位させ、それによって真空内のシャフト1106および第1コンポーネントを変位させる。一実施形態では、最大変位は、約20mm〜約75mmの間の範囲であってよい。追加の実施形態では、最大変位は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく、これらの例示的値を超えるか、あるいは、その値より低くてもよい。したがって、リニアステージ1150は、モータ1140とともに、ロボットが真空内で対象物を3次元で位置決めすることを可能にする(例えば、軸1194の周りの回転動作、軸1194に対して平行の軸動作、および図2の軸292などの並進軸に沿った並進動作)。
[0125] 上記の実施形態では、シャフトまたは細長部材の表面に沿ってガスベアリングによって導入されたガスは、シャフトまたは細長部材の外周面に作用するように配置された排出シールを介して排気される。例えば、図11Aおよび図11Bの排出シール1136は、シャフト1106の外周面に作用し、当該外周面に沿って第1ガスベアリング1132および第2ガスベアリング1133はガスを導入する。しかしながら、本発明はそのような排出シールに限定されておらず、追加の実施形態では、排出シールは、図13に示すものと同様に、シャフトの外周面に対して垂直、よってシャフトの対称軸に対して垂直の表面に作用するように位置決めされてよい。
[0126] さらに、上記した実施形態では、対象物は、対象物を支持する細長部材の動作によって並進軸に沿って真空内で位置決めされる。しかしながら、本発明はそのような動作に限定されておらず、追加の実施形態では、対象物は、図12に記載するように、真空内で並進軸に沿ってのみではなく、並進軸を含む平面内の箇所に位置決めされてよい。
[0127] 図12は、本発明の一実施形態による、真空内で対象物を位置決めするロボットの例示的第1コンポーネント1200を示す。図12は、接合部1220を介して第1アーム1204に接続されたアクチュエータ1202を含む。図12では、アクチュエータ1202は、第1アーム1204を接合部1220の軸1222の周りで回転するように構成される。第2接合部1230は、第1アーム1204を第2アーム1206に接続し、それによって接合部1230の軸1232の周りの第1アーム1202に対する第2アーム1204の回転を可能にする。さらに、第3接合部1240は、第2アーム1204をグリッパ1208と接続し、よって接合部1240の軸1242の周りの第2アーム1204およびグリッパ1206の相対回転運動を可能にする。図12に示していないが、グリッパ1206は、レチクル、基板またはウェーハ、および開口数などの光学‐機械デバイスを含むがそれらに限定されない対象物を支持できる。さらに、図12に示していないが、第1コンポーネント1200は、図2の真空チャンバ290などの真空チャンバ内に全体的または部分的に位置決めされてよい。
[0128] 一実施形態では、第1アーム1204および第2アーム1206には、それぞれ、第2アームに対する第1アームの回転、あるいは代替または追加として、アクチュエータ1202に応答してグリッパに対する第2アームの回転を駆動する内部作動アセンブリが設けられてよい。例えば、第1アーム1204内のベルトアセンブリは、アクチュエータ1202のシャフトによって駆動され、第1アーム1204の回転に対して軸1222の周りで第2アーム1206を回転させる。さらに、例えば、第2アーム1206内のベルトアセンブリは、第2アーム1204および第1アーム1202の回転に対して軸1242の周りでグリッパ1206を回転させてもよい。したがって、軸1222の周りの第1アーム1204の回転動作と、軸1232の周りの第2アーム1204の相対回転動作と、グリッパ1206の相対回転動作とを集合的に組み合わせて軸1222、1232および1242に対して相互に垂直な平面に沿って真空チャンバ内で対象物を位置決めする。
[0129] 図12に示していない追加の実施形態では、第1コンポーネント1200は、軸1222、1232および1242に対して平行の対称軸を有するシャフトによって支持することができる。そのようなシャフトは、図2の第2コンポーネント1230などの第2コンポーネントによって係合することができ、当該第2コンポーネントは、シャフトおよび第1コンポーネント1200を対称軸の周りで回転させ、かつシャフトおよび第1コンポーネント1200を対称軸に対して平行方向に駆動することができる。
[0130] 図13は、図12のロボットの接合部に組み込まれた例示的排出シール1300を示す。一実施形態では、接合部1220、1230および1240は、それぞれ、真空チャンバの環境にさらされる。したがって、例えば図4を参照して上述した従来の潤滑ベアリングは、これらの接合部における使用は許容できない。なぜなら、潤滑ベアリングは、炭化水素分子を真空環境内へとガス放出し、よって敏感な光学機器を汚損する。さらに、従来のガスベアリングは、そのような状況下において、ガスを真空環境内へと導入し、さらに敏感な光学機器に損傷を与える。
[0131] 図13では、図12の第1アーム1204などの第1コンポーネント1302は、図12の第2アーム1206などの第2コンポーネント1312に対して平行の平面上に構成される。第1コンポーネント1302は、シャフト1320を介して第2コンポーネント1312に接合され、それによってシャフト1320の周りのお互いに対するコンポーネントの回転を可能にする接合部1330をコンポーネント間に形成する。図13の実施形態では、第1コンポーネント1302は、シャフト1320の周りに設置され、かつ第1ベルト1306によって駆動される第1滑車(pulley)1304を収容する。滑車1306の回転動作はシャフト1320に加えられ、よって滑車の回転動作は、シャフト1320を介して第2コンポーネント1312内に収容された第2滑車1314に移動される。図13の実施形態では、第2滑車1314は、取付シャフト1315を介してシャフト1320に固定される。さらに、第2ベルト1316は、第2滑車1314の回転動作を追加のコンポーネント(図示せず)に移動できる。したがって、第1コンポーネント1302および第2コンポーネント1312内の滑車の動作は、シャフト1320の周りの第2および第2コンポーネント間の相対回転運動という結果となる。
[0132] 図13では、1組の回転ベアリング1308は、第1滑車1304の回転動作を支持し、類似した組の回転ベアリング1318は、第2滑車1314の回転動作を支持する。様々な実施形態では、回転ベアリング1308および1318は、炭化水素分子をコンポーネントの内部にガス放出する従来の潤滑ベアリング、あるいは代替的に、窒素(N)などのクリーンガスをコンポーネントの内部に漏らし得るガスベアリングであってもよい。したがって、それぞれのコンポーネントの内部が近真空状態に排気されても、炭化水素分子または潤滑ガスはこれらのコンポーネントから真空雰囲気内へと漏れることがあり、よって敏感な光学機器に損傷を与える。
[0133] したがって、排出シール1300を第1コンポーネント1302と第2コンポーネント1312との間に位置決めしてシャフト1320の周りの第1コンポーネント1302および第2コンポーネント1304のそれぞれの回転を容易にする一方、第1コンポーネント1302および第2コンポーネント1304の内部から漏れたガス放出炭化水素分子または潤滑ガスを除去する。図13の実施形態では、排出シール1300の対称軸1394は、図13に示すように、シャフト1320の対称軸に対して平行に位置決めされる。したがって、表面排出シール1300は、図2に上記したように、シャフトの外周面に作用せず、例えば、軸1394に対して相互に垂直である第1コンポーネント1302および第2コンポーネント1312の表面に作用する。
[0134] 排出シール1300は、第2コンポーネント1312の表面1322の近くに配置された第1シールプレート1310、第1コンポーネント1302の表面1324上に配置された第2シールプレート1318、および第1シールプレート1310と第2シールプレート1318との両方に堅く取り付けられた可撓性ベローズ1330を含む。第1シールプレート1310は、フローチャネル1314およびポンプチャネル1312をさらに含む。
[0135] 図13の実施形態では、窒素(N)などのガスは、近大気圧でフローチャネル1314内に導入されて第1シールプレート1310の表面と表面1322との間にギャップ1350を設定する。その後、導入されたガスは、ポンプチャネル1312を介して非真空環境内へと排気される。表面1322と第1シーリングプレート1310との間の粘性層の生成は、真空環境内への導入されたガスの漏れを最小限にする。一実施形態では、ガスは、500mbarの圧力でフローチャネル1314内に入り、ポンプチャネル1312を介して26mbarの圧力で非真空環境へと排気され、ギャップ1350に対して約20ミクロンのギャップの厚みという結果となる。
[0136] 様々な実施形態では、シャフト1320の軸1394に対して垂直の表面1322に作用するような排出シール1300の向きは、シャフトの外周面に作用する図11の実施形態に示す排出シール以上の利点を有する。シャフト1320に対して垂直の表面上で動作することによって、排出シール1300は実質的により大きい表面積に作用することができ、それによってシールの有効性を高め、かつシャフトの外周面に作用するように配置された排出シールで達成することができるポンプチャネル圧(例えば、図11の排気溝1136aおよび1136bのそれぞれに対して約1mbarおよび1×10−3mbar)より大きいポンプチャネル圧(例えば、図13のポンプチャネル1312で約26mbar)を可能にする。
[0137] 上記した実施形態では、ガスベアリングおよび排出シールは、シャフトの外周面、シャフトの表面に対して垂直の表面および細長部材の表面を含むがそれらに限定されない表面に沿って窒素(N)などのクリーンガスを導入する。しかしながら、本発明は、潤滑ガスとして窒素(N)の使用のみに限定されない。追加の実施形態では、本発明のガスベアリングおよび排出シールは、本発明の精神または範囲から逸脱することなく当業者に明らかであろうあらゆる数の適切なクリーンガスを利用してよい。
[0138] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
結論
[0139] 本発明の様々な実施形態が以上で説明されているが、この実施形態は一例として示されているだけで限定ではないことを理解されたい。形態および詳細の様々な変更が、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、本発明においてなされてよいことは当業者には明らかであろう。したがって、本発明の幅および範囲は、以上で説明したいかなる例示の実施形態によっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲およびその均等物に従ってのみ定義されるべきである。
[0140] 発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の1つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。

Claims (13)

  1. 真空内で対象物を位置決めするロボットであって、前記ロボットは、
    真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って対象物を位置決めする第1コンポーネントであって、前記対象物は前記真空内に配置される、第1コンポーネントと、
    シャフトであって、前記シャフトの対称軸が前記並進軸に対して垂直になるように前記第1コンポーネントを支持するように構成される、シャフトと、
    前記真空チャンバの外側に位置決めされた第2コンポーネントであって、(i)前記シャフトを前記対称軸の周りで回転させ、かつ(i)前記シャフトを前記対称軸に対して平行方向に移動させる第2コンポーネントとを含み、
    前記第2コンポーネントは、前記シャフトの外周面に沿ってガスを導入する第2コンポーネントガスベアリングと、前記第2コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気する排出シールとを含み、
    前記第1コンポーネントは、
    第1端で前記対象物を支持する細長部材と、
    前記対象物を位置決めするために前記並進軸に沿って前記細長部材を駆動するアクチュエータと、
    前記並進軸に沿った動作中に前記細長部材の前記表面に沿ってガスを導入する第1コンポーネントガスベアリングと、
    前記第1コンポーネントガスベアリングによって導入されたガスを排気する排出シールと、
    を含む、ロボット。
  2. 真空内で対象物を位置決めするロボットであって、前記ロボットは、
    真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って対象物を位置決めする第1コンポーネントであって、前記対象物は前記真空内に配置される、第1コンポーネントと、
    シャフトであって、前記シャフトの対称軸が前記並進軸に対して垂直になるように前記第1コンポーネントを支持するように構成される、シャフトと、
    前記真空チャンバの外側に位置決めされた第2コンポーネントであって、(i)前記シャフトを前記対称軸の周りで回転させ、かつ(i)前記シャフトを前記対称軸に対して平行方向に移動させる第2コンポーネントとを含み、
    前記第2コンポーネントは、前記シャフトの外周面に沿ってガスを導入する第2コンポーネントガスベアリングと、前記第2コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気する排出シールとを含み、
    前記第1コンポーネントは、
    第1端で前記対象物を支持する細長部材と、
    前記対象物を位置決めするために前記並進軸に沿って前記細長部材を駆動するアクチュエータと、
    前記並進軸に沿った動作中に前記細長部材の前記表面に作用する第1コンポーネント潤滑ベアリングと、
    前記真空チャンバ内への前記第1コンポーネント潤滑ベアリングのガス放出を実質的に減少させるために前記細長部材を包囲する可撓性ベローズと、
    を含む、ロボット。
  3. 前記アクチュエータは、前記第1端から空間的に離れた位置で前記細長部材に係合する、請求項1又は2に記載のロボット。
  4. 前記第1コンポーネントの前記排出シールは、第1排出シールおよび第2排出シールをさらに含み、前記第1排出シールおよび前記第2排出シールは、それぞれ、前記第1コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気するために前記第1コンポーネントガスベアリングの両側に位置決めされる、請求項に記載のロボット。
  5. 前記アクチュエータおよび前記第1コンポーネントガスベアリング又は前記第1コンポーネント潤滑ベアリングは、密閉筐体内に配置され、かつ前記密閉筐体は、前記真空チャンバ内へのガス放出を実質的に減少させるために排気される、請求項1〜4のいずれかに記載のロボット。
  6. 第2コンポーネントの前記排出シールの対称軸は、前記シャフトの前記対称軸に対して平行に位置決めされ、かつ前記排出シールは、前記第2コンポーネントガスベアリングと前記真空チャンバとの間に配置される、請求項1〜5のいずれかに記載のロボット。
  7. 第2コンポーネントの前記排出シールは、前記シャフトの前記外周面に作用する、請求項に記載のロボット。
  8. 第2コンポーネントの前記排出シールは、前記シャフトの表面に対して垂直の表面に作用する、請求項に記載のロボット。
  9. 放射ビームを生成する照明システムと、
    真空チャンバ内に配置され、かつ前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
    前記パターン付けされたビームを前記真空チャンバ内の基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
    前記真空チャンバ内で対象物を位置決めするロボットであって、前記ロボットは、
    前記真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って前記対象物を位置決めする第1コンポーネントであって、前記対象物は前記真空チャンバ内に配置される、第1コンポーネントと、
    シャフトであって、前記シャフトの対称軸が前記並進軸に対して垂直になるように前記第1コンポーネントを支持する、シャフトと、
    前記真空チャンバの外側に位置決めされた第2コンポーネントであって、(i)前記シャフトを前記対称軸の周りで回転させ、かつ(i)前記シャフトを前記対称軸に対して平行方向に移動させる第2コンポーネントとを含み、
    前記第2コンポーネントは、前記シャフトの外周面に沿ってガスを導入する第2コンポーネントガスベアリングと、前記第2コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気する排出シールとを含み、
    前記第1コンポーネントは、
    第1端で前記対象物を支持する細長部材と、
    前記対象物を位置決めするために前記並進軸に沿って前記細長部材を駆動するアクチュエータと、
    前記並進軸に沿った動作中に前記細長部材の前記表面に沿ってガスを導入する第1コンポーネントガスベアリングと、
    前記第1コンポーネントガスベアリングによって導入されたガスを排気する排出シールと、を含む、ロボットと
    を含む、リソグラフィ装置。
  10. 放射ビームを生成する照明システムと、
    真空チャンバ内に配置され、かつ前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
    前記パターン付けされたビームを前記真空チャンバ内の基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
    前記真空チャンバ内で対象物を位置決めするロボットであって、前記ロボットは、
    前記真空チャンバ内に少なくとも部分的に配置され、かつ並進軸に沿って前記対象物を位置決めする第1コンポーネントであって、前記対象物は前記真空チャンバ内に配置される、第1コンポーネントと、
    シャフトであって、前記シャフトの対称軸が前記並進軸に対して垂直になるように前記第1コンポーネントを支持する、シャフトと、
    前記真空チャンバの外側に位置決めされた第2コンポーネントであって、(i)前記シャフトを前記対称軸の周りで回転させ、かつ(i)前記シャフトを前記対称軸に対して平行方向に移動させる第2コンポーネントとを含み、
    前記第2コンポーネントは、前記シャフトの外周面に沿ってガスを導入する第2コンポーネントガスベアリングと、前記第2コンポーネントガスベアリングによって導入された前記ガスを排気する排出シールとを含み、
    前記第1コンポーネントは、
    第1端で前記対象物を支持する細長部材と、
    前記対象物を位置決めするために前記並進軸に沿って前記細長部材を駆動するアクチュエータと、
    前記並進軸に沿った動作中に前記細長部材の前記表面に作用する第1コンポーネント潤滑ベアリングと、
    前記真空チャンバ内への前記第1コンポーネント潤滑ベアリングのガス放出を実質的に減少させるために前記細長部材を包囲する可撓性ベローズと、を含む、ロボットと
    を含む、リソグラフィ装置。
  11. 記アクチュエータは、前記第1端から空間的に離れた位置で前記細長部材に係合するように構成されている、請求項9又は10に記載の装置。
  12. 前記アクチュエータおよび前記第1コンポーネントガスベアリング又は前記第1コンポーネント潤滑ベアリングは、密閉筐体内に配置され、かつ前記密閉筐体は、前記真空チャンバ内へのガス放出を実質的に減少させるために排気される、請求項9〜11のいずれかに記載の装置。
  13. 前記第2コンポーネントの前記排出シールの対称軸は、前記シャフトの前記対称軸に対して平行に位置決めされ、かつ前記排出シールは、前記第2コンポーネントガスベアリングと前記真空チャンバとの間に配置される、請求項12に記載の装置。
JP2011505424A 2008-04-25 2009-04-22 真空内使用のためのロボット及びリソグラフィ装置 Active JP5442716B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4785108P 2008-04-25 2008-04-25
US61/047,851 2008-04-25
PCT/EP2009/002916 WO2009130011A1 (en) 2008-04-25 2009-04-22 Robot for in-vacuum use

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011522397A JP2011522397A (ja) 2011-07-28
JP2011522397A5 JP2011522397A5 (ja) 2012-06-07
JP5442716B2 true JP5442716B2 (ja) 2014-03-12

Family

ID=40957967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011505424A Active JP5442716B2 (ja) 2008-04-25 2009-04-22 真空内使用のためのロボット及びリソグラフィ装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8614786B2 (ja)
JP (1) JP5442716B2 (ja)
KR (1) KR101617305B1 (ja)
CN (1) CN102016722B (ja)
NL (1) NL1036794A1 (ja)
TW (1) TWI440539B (ja)
WO (1) WO2009130011A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2005586A (en) * 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and sealing device for a lithographic apparatus.
TWI453100B (zh) * 2010-01-11 2014-09-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 機器人結構
JP5684005B2 (ja) * 2011-03-08 2015-03-11 株式会社 エイブイシー 真空フィードスルー
KR101254959B1 (ko) * 2011-07-29 2013-04-16 주식회사 아스타 샘플 스테이지가 구비된 진공챔버 모듈
FR2984790B1 (fr) 2011-12-22 2014-02-21 Areva Nc Dispositif de manipulation d'objets en boites a gants
CN102728591B (zh) * 2012-06-11 2014-08-13 东南大学 光学系统中运动部件及线缆真空污染控制方法
US8939451B2 (en) * 2013-03-11 2015-01-27 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Floating high vacuum seal cartridge
KR102186620B1 (ko) * 2013-05-06 2020-12-03 삼성전자주식회사 로드 포트 모듈 및 이를 이용한 기판 로딩 방법
CN103268058B (zh) * 2013-05-10 2015-04-29 中国科学院微电子研究所 一种用于euv真空环境中的电子学装置
DE102014220220B4 (de) 2014-10-07 2018-05-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Vakuum-Lineardurchführung und Vakuum-System damit
CN104894534B (zh) * 2015-06-26 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 气相沉积设备
CN111344638B (zh) 2017-11-14 2023-04-18 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的载物台轴承
US10976674B2 (en) 2018-08-17 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for detecting EUV pellicle rupture

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61256019A (ja) * 1985-05-07 1986-11-13 Seiko Instr & Electronics Ltd 直線運動可能なベアリングの支持機構
JPS62120993A (ja) * 1985-11-06 1987-06-02 ファナック株式会社 産業用ロボットの防塵装置
JPS62297086A (ja) * 1986-06-17 1987-12-24 フアナツク株式会社 クリ−ンル−ム用ロボツト構造
US6183183B1 (en) * 1997-01-16 2001-02-06 Asm America, Inc. Dual arm linear hand-off wafer transfer assembly
WO1999020433A1 (en) * 1997-10-21 1999-04-29 Multilevel Metals, Inc. Gas bearing turbo pump and gas bearing feedthrough
NL1015738C2 (nl) 1999-07-28 2002-10-15 Kyocera Corp Schuifapparaat en bijbehorend platformmechanisme voor gebruik in vacu³m.
JP2001091681A (ja) * 1999-09-28 2001-04-06 Kyocera Corp Xyステージ機構及び露光装置
TW435322U (en) 1999-12-13 2001-05-16 Shen Sheng Jang Improved structure for manipulating arm
JP2002107479A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd ステージ装置
TW591342B (en) * 2000-11-30 2004-06-11 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and integrated circuit manufacturing method using a lithographic projection apparatus
JP4061044B2 (ja) * 2001-10-05 2008-03-12 住友重機械工業株式会社 基板移動装置
US6779962B2 (en) 2002-03-22 2004-08-24 Brooks Automation, Inc. Device for handling flat panels in a vacuum
SG102718A1 (en) * 2002-07-29 2004-03-26 Asml Holding Nv Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
KR20070008533A (ko) * 2003-11-10 2007-01-17 블루쉬프트 테크놀로지스, 인코포레이티드. 진공-사용 반도체 핸들링 시스템에서 작업 편을 핸들링하기위한 방법 및 시스템
JP2005221618A (ja) * 2004-02-04 2005-08-18 Toppan Printing Co Ltd 基板収納方向制御装置
JP2007057745A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタ用フォトマスクの洗浄装置
US7543867B2 (en) * 2005-09-30 2009-06-09 Photon Dynamics, Inc. Vacuum gripping system for positioning large thin substrates on a support table
JP4749123B2 (ja) * 2005-11-11 2011-08-17 Smc株式会社 耐モーメント対策静圧気体軸受機構
US7724351B2 (en) * 2006-01-30 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element

Also Published As

Publication number Publication date
NL1036794A1 (nl) 2009-10-27
US20110032505A1 (en) 2011-02-10
US8614786B2 (en) 2013-12-24
CN102016722A (zh) 2011-04-13
TWI440539B (zh) 2014-06-11
JP2011522397A (ja) 2011-07-28
KR101617305B1 (ko) 2016-05-02
WO2009130011A1 (en) 2009-10-29
TW200948562A (en) 2009-12-01
CN102016722B (zh) 2013-03-27
KR20110005291A (ko) 2011-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5442716B2 (ja) 真空内使用のためのロボット及びリソグラフィ装置
JP5141979B2 (ja) ステージ装置および露光装置
KR101670640B1 (ko) 이동체 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP3973411B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4279793B2 (ja) リソグラフィ光学システム
TWI479272B (zh) 污染防止系統,微影裝置,輻射源及器件之製造方法
KR20130139839A (ko) 접착 폴리머 막 피복 표면을 갖는 공기 베어링 및 그 제조방법
JP2004303808A (ja) 露光装置及び露光方法、フィルム構造体
US11204558B2 (en) Particle suppression systems and methods
JP2009004647A (ja) 真空容器と真空排気方法及びeuv露光装置
KR20180099952A (ko) 반송 장치
US11137694B2 (en) Particle suppression systems and methods
US11442369B2 (en) Object stage bearing for lithographic apparatus
JP2011040540A (ja) 基板処理装置のメンテナンス方法、基板処理装置及びデバイスの製造方法
JP2011204864A (ja) 反射型マスク、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2002033267A (ja) 排気方法及び排気装置、露光方法及び露光装置
JP2002260998A (ja) 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
US20050052631A1 (en) Sealing assembly, a lithographic projection apparatus, and a device manufacturing method
JP2008111464A (ja) ゲートバルブおよび露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120420

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130520

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130816

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130828

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131218

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5442716

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250