CN103268058B - 一种用于euv真空环境中的电子学装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于EUV真空环境中的电子学装置，位于一真空腔中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，所述电子学装置包括：一电子学系统，所述电子学系统位于所述真空腔内，且所述电子学系统用于实现EUV光刻系统的电子学功能；一密封壳体，所述密封壳体位于真空腔内，且所述密封壳体用于密封所述电子学系统，阻挡所述电子学系统所形成的污染物进入所述真空腔中。该装置能够有效的避免电子学系统产生的污染物进入EUV真空腔中，减少了对EUV真空环境的污染，保证了EUV光的传输效率；通过温控器和导热件对密封壳体内的电子学系统的控温作用，保证电子学系统的正常工作。

Description

一种用于EUV真空环境中的电子学装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种EUV真空环境中的电子学装置。

背景技术

由于半导体行业对集成电路(IC,Integrated Circuits)的集成度要求越来越高，传统的可见光或者紫外光刻机已无法满足行业发展需求，市场需求性能更为优良的光刻设备来维持整个产业的高速发展势头。众所周知，光刻分辨率与投影物镜的数值孔径成反比，与曝光波长成正比。因此，为了提高光刻分辨率，下一代光刻机将采用波长更短的极紫外光（EUV,extreme ultra violet）来取代现有的可见光及紫外光，以进一步提高光刻分辨率和IC的集成度。

由于空气以及几乎所有的材料均对EUV光都具有强烈的吸收作用，导致EUV光刻环境与普通空气环境下的光刻机工作环境大不相同，EUV光刻机的内部工作环境必须是EUV（超）清洁真空状态，光刻机部件使用的所有材料及加工工艺流程都必须控制放气率。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

EUV真空腔由于需要调整光学元件、探测信号、驱动装置等电子学系统进行控制和检测，但是电子学系统放气率比较高，尤其是其中的印刷电路板（PCB,Printed Circuit Board）,由于PCB基板采用玻璃纤维布等有机高分子材料做为增强材料，经过浸泡树脂胶黏剂等工艺处理，所以PCB板在真空环境下会释放大量的气体及颗粒会挥发出有机污染物，该有机污染物会吸收EUV光，降低EUV光的传递效率，甚至将EUV光全部吸收，同时，该挥发性有机污染物落到镜片表面，导致镜片污染，直接影响光学元件的性能和寿命。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种用于EUV真空环境中的电子学装置，解决了现有技术中电子装置在真空环境中的会产生污染的技术问题，实现了真空腔的清洁、提高EUV光传递效率、提升光学元件性能和寿命的技术效果。

为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

一种用于EUV真空环境中的电子学装置，位于一真空腔中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，所述电子学装置包括：一电子学系统，所述电子学系统位于所述真空腔内，且所述电子学系统用于实现EUV光刻系统的电子学功能；一密封壳体，所述密封壳体位于所述真空腔内，且所述密封壳体用于密封所述电子学系统，阻挡所述电子学系统所形成的污染物进入所述真空腔中。

进一步的，所述装置还包括：一密封件，所述密封件位于所述密封壳体与所述电子学系统的压合位置，用于实现所述密封壳体的密封性。

进一步的，所述装置还包括：一连接件，所述连接件位于所述真空腔和/或所述密封壳体上，用于连接传输线与外部设备。

进一步的，所述装置还包括：一温控器，所述温控器连接所述密封壳体，用于控制所述密封壳体内的温度。

进一步的，所述装置还包括：一导热件，所述导热件位于所述密封壳体内，且所述导热件与所述电子学系统连接，用于传导所述电子学系统的热量。

进一步的，所述温控器包括：第一温控管路，所述第一温控管路位于所述密封壳体的外部；第二温控管路，所述第二温控管路位于所述密封壳体的壳体上，且所述第二温控管路用于将温控物质输送至所述密封壳体的壳体上或所述密封壳体的内部空间；温控连接头，所述温控连接头与所述密封壳体和/或所述真空腔连接，且所述温控连接头用于密封所述第一温控管路与所述密封壳体和/或所述真空腔的连接处；温控动力装置，所述温控动力装置位于第一温控管路上，且所述温控动力装置用于提供动力，使温控物体在温控管路中流动。

进一步的，所述装置还包括：一传输线，所述传输线的一端与所述电子学系统连接，另一端与所述连接件或外部设备连接，用于实现所述电子学系统与外部设备之间的数据传输。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过将电子学系统放入密封壳体内，使得电子学系统所散发的污染物不会进入真空腔中，达到了减少对EUV真空环境的污染，保证了EUV光的传递效率，提升了真空环境中的镜片的使用寿命的技术效果。

进一步的本发明实施例提供的温控器对密封壳体进行有效的控温，实现了电子学系统的有效工作，提升了EUV光刻系统的整体工作性能。

进一步的，本发明实施例提供的密封件达到对密封壳体与电子学系统中电路板的连接处的有效密封，进一步减少了密封壳体内的污染物进入真空腔的可能性。

附图说明

图1为本发明实施例中的一种应用于EUV真空环境中的电子学装置的结构示意图；

图2为本发明实施例中的一种用于EUV真空环境中的电子学装置的又一结构示意图；

图3为本发明实施例中的一种液态温控结构的示意图；

图4为本发明实施例中的一种气态温控结构示意图；

图5为本发明实施例中的一种固态温控结构的示意图。

具体实施方式

本发明实施例通过一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过将电子学系统放入密封壳体内，使得电子学系统所散发的污染物不会进入真空腔中，达到了减少对EUV真空环境的污染，保证了EUV光的传递效率，提升了真空环境中的镜片的使用寿命的技术效果。进一步的，本发明实施例提供的温控器对密封壳体进行有效的控温，实现了电子学系统的有效工作，提升了EUV真空环境的整体工作性能。进一步的，本发明实施例提供的密封件达到对密封壳体的有效密封，进一步减少了密封壳体内的污染物进入真空腔的可能性。

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

如图1所示，本发明实施例公开了一种用于EUV真空环境中的电子学装置，应用于一真空腔1中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，具体来说，所述真空腔1可以是EUV真空腔。所述电子学装置包括：电子学系统4、密封壳体2、密封件6、连接件、温控器、导热件3和传输线7。

其中，电子学系统4位于真空腔1内，且所述电子学系统4用于实现EUV光刻系统的电子学功能；

密封壳体2位于真空腔1内，所述密封壳体2通过密封所述电子学系统4实现所述电子学系统4所形成的污染物不进入所述真空腔1中；

具体来说，密封壳体2用于密封所述EUV光刻系统的电子学系统4，特别是电路板。将所述电子学系统4密封在密封壳体2内，保证电子学系统4挥发出的有机污染物不会进入EUV真空腔1中。密封壳体2可以采用钢等金属材料或者其他具有低放气率的材料。密封壳体2的形状不限定，可以为方形、圆形等，只要能够保证密封性良好即可。

导热件3位于所述密封壳体2内，且所述导热件3与所述电子学系统4连接，用于传导所述电子学系统4的热量；

具体来说，导热件3用于在密封壳体2中传导电子学系统4的热量。进一步的，导热件3还具有支撑电子学系统4的作用，保证电子学系统4能够在密封壳体2中不断裂、不变形，使得电子学系统4能够稳定的在密封壳体2中和电子学系统4的本身功能不被破坏的目的。一般来说，电子学系统4中电路板之间一般采用工形支撑件进行支撑，电子学系统4与密封壳体2之间采用柱形支撑件进行支撑，但是所有支撑件的结构都不限定，只要满足良好的导热性和支撑功能即可。

密封件6位于所述密封壳体2与所述电子学系统4的压合位置，用于实现所述密封壳体1的密封性；

具体来说，密封件6位于密封壳体2与电子学系统4的压合部位，主要用于保证压合位置的密封性。同时，密封件6本身具有低放气率，例如，密封件6可以采用橡胶圈或者金属圈等，材料不限定，同时密封件6的形状也不限定，满足要求即可。

传输线7的一端与所述电子学系统4连接，另一端与连接件连接。如图1所示，本发明实施例提供的连接件包括真空连接头8，真空连接头8与所述真空腔1连接，实现电子学系统4和外部设备之间的数据传输。

温控器，所述温控器连接于所述密封壳体2，用于控制所述密封壳体内的温度。

具体来说，如图1、图2和图3所示，温控器位于真空腔1之外，用于带走密封壳体2内的的热量，特别是电子学系统4所产生的热量。其中，温控器包括：

第一温控管路12，所述第一温控管路12位于所述密封壳体2的外部；

第二温控管路16，所述第二温控管路16位于所述密封壳体2的壳体上，且所述第二温控管路16用于将温控物质输送至所述密封壳体2的壳体上或所述密封壳体2的内部空间；

温控连接头，所述温控连接头与所述密封壳体2和/或所述真空腔1连接，且所述温控连接头用于密封所述第一温控管路12与所述密封壳体2和/或所述真空腔1的连接处；具体来说，如图1所示，所述温控连接头包括第一温控连接头9和第二温控连接头10；其中，

第一温控连接头9，所述第一温控连接头9与所述密封壳体2连接，且所述第一温控连接头9用于连接所述第一温控管路12和密封壳体2；其中，第一温控连接头9为了保证第一温控管路12与密封壳体2的连接处的温控物质不泄漏。

第二温控连接头10，所述第二温控连接头10与所述真空腔1连接，且所述第二温控连接头10用于连接所述第一温控管路12位于真空腔1的内外两部分；其中，第二温控连接头10为了保证第一温控管路12与所述真空腔1连接处的温控物质不泄漏。

温控动力装置11，所述温控动力装置11位于第一温控管路12上，且所述温控动力装置11用于提供动力使温控物体在温控管路中流动。

进一步的，密封方式可以采用直接腔体密封。如图2所示，具体来说：

密封壳体2本身直接密封，电子学系统4位于密封壳体2内，与密封壳体2密封处无压合。本发明实施例提供的连接件除了包括图1中的真空连接头8，还包括电子学系统连接头13和密封壳体连接头14。电子学系统连接头13位于所述电子学系统4上，用于连接传输线7与电子学系统4，密封壳体连接头14位于所述密封壳体2上，用于连接密封壳体内外的传输线7。该直接密封方式可以对密封壳体有效密封，进一步减少了密封壳体内的污染物进入真空腔的可能性。

进一步的，温控器可以采用液态温控、气态温控、固态温控等方式。具体来说：

【实施例1】液态温控方式的实施例如图3所示：

温控液通过第一温控管道12进入密封壳体2内的第二温控管道16，第一温控管道12与第二温控管道16之间有第一温控连接头9，使密封壳体2保持一个较低温度。导热件3将电子学系统4的热量传递到密封壳体2上，温控液将密封壳体2上的热量带走，带到动力温控装置11中进行处理，从而达到对电子学系统4进行有效散热的效果。

【实施例2】气态温控方式的实施例如图4所示：

温控气体通过密封壳体2内的第二冷却管道16进入密封壳体2内，第一温控管道12与密封壳体2的第二温控管道16之间有第一温控连接头9，第一温控连接头9保证了密封壳体2的密封性，温控气体将电子学系统4表面的热量带走，同时带走密封壳体2内的污染物，该温控气体进入到动力温控装置11中进行处理，清洁温控气体，同时对温控气体进一步制冷/加热，从而达到对电子学系统4进行有效控温的效果。也就是说，温控气体一方面可以达到有效控温的目的，另一方面也可以达到清洁真空腔的目的。

【实施例3】固态温控方式的实施例如图5所示：

在电子学系统4发热量不大的时候采用此方法，导热件3采用半导体温控材料，能够将电子学系统4产生的热量吸收，传递到与之相连的密封壳体4上，从而达到对电子学系统4进行有效的控温的效果。

对于本发明实施例而言，所述密封壳体2、导热件3、连接件均为低放气性材料。

上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：

本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过将电子学系统放入密封壳体内，使得电子学系统所散发的污染物不会进入真空腔中，达到了减少对EUV真空环境的污染，保证了EUV光的传递效率，提升了真空环境中的镜片的使用寿命的技术效果。

进一步的，本发明实施例提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置的温控装置对密封壳体进行有效的控温，实现了电子学系统的有效工作，提升了EUV真空环境整体工作性能的技术效果。

进一步的，本发明实施例提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置的密封件达到对密封壳体的有效密封，进一步减少了密封壳体内的污染物进入真空腔的可能性的技术效果。

进一步的，本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过采用具有良好导热功能的导热件，达到了支撑功能和导热功能有效统一的技术效果。

进一步的，本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过采用具有低放气率的密封件，实现了密封壳体和电路板结合部位的密封性，减少了密封壳体内的污染气体对于真空环境污染的技术效果。

进一步的，本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过采用温控循环装置的结构设计，实现了电子学系统热量有效控制的技术效果。

进一步的，本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过气体冷却的方式一方面可以带走真空腔内的热量，另一方面也可以达到清洁真空腔的技术效果。

本发明涉及的一种用于EUV真空环境中的电子学装置，但不限于此，凡是在本发明的精神和原则内，应用于任何场合都在本发明的保护范围内。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种用于EUV真空环境中的电子学装置，位于一真空腔中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，其特征在于：所述电子学装置包括：

一电子学系统，所述电子学系统位于所述真空腔内，且所述电子学系统用于实现EUV光刻系统的电子学功能；

一密封壳体，所述密封壳体位于所述真空腔内，且所述密封壳体用于密封所述电子学系统，阻挡所述电子学系统所形成的污染物进入所述真空腔中；

其中，所述装置还包括：一密封件，所述密封件位于所述密封壳体与所述电子学系统的压合位置，用于实现所述密封壳体的密封性；

一导热件，所述导热件位于所述密封壳体内，且所述导热件与所述电子学系统连接，用于传导所述电子学系统的热量；

一传输线，所述传输线的一端与所述电子学系统连接，另一端与所述连接件或外部设备连接，用于实现所述电子学系统与外部设备之间的数据传输。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

一连接件，所述连接件位于所述真空腔和/或所述密封壳体上，用于连接传输线与外部设备。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

一温控器，所述温控器连接所述密封壳体，用于控制所述密封壳体与所述电子学系统的温度。

4.如权利要求3所述装置，其特征在于，所述温控器包括：

第一温控管路，所述第一温控管路位于所述密封壳体的外部；

第二温控管路，所述第二温控管路位于所述密封壳体的壳体上，且所述第二温控管路用于将温控物质输送至所述密封壳体的壳体上或所述密封壳体的内部空间；

温控连接头，所述温控连接头与所述密封壳体和/或所述真空腔连接，且所述温控连接头用于密封所述第一温控管路与所述密封壳体和/或所述真空腔的连接处；

温控动力装置，所述温控动力装置位于第一温控管路上，且所述温控动力装置用于提供动力，使温控物体在温控管路中流动。