以下に添付図面を参照して、この発明にかかる画像形成装置および電源装置の最良な実施の形態を詳細に説明する。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1にかかる電源装置の構成図である。図1に示すように、本実施の形態の電源装置は、キャパシタC1〜C18をそれぞれ含む複数のキャパシタセルが直列に接続された第1キャパシタユニット28と、第1キャパシタユニット28におけるキャパシタC17、18を含む第2キャパシタユニット11を備え、第1開閉回路12、第2開閉回路13を介してこの2つのキャパシタユニットを充電するものである。
以下に各構成の説明をする。本実施の形態の電源装置は、上述した第1キャパシタユニット28、第2キャパシタユニット11と、第1開閉回路12と、第2開閉回路13と、充電関連部31と、充電電圧検出回路23とを主に備えている。
まず、充電関連部31の構成および動作を説明する。充電関連部31は、充電電圧を発生する充電部9と、充電部9が発生する充電電圧を制御する充電制御回路7と、充電電圧を検出し充電制御回路7にフィードバックされる充電電圧検出回路16と、充電電流を検出する充電電流検出回路4とで主に構成されている。
また、充電制御回路7は、CPU7aと、定電圧出力用、定電流充電及び定電力充電用のPWM発生回路7eと、A/Dコンバータ7cと、充電電流検出回路7dと、シリアルコントローラ(SIC)7bと、入出力ポート7fと、不図示のROM、RAM、タイマ、および割り込み制御回路とが内部バスで接続されている。
商用電源8からの交流入力は、主電源スイッチ6を介して全波整流回路5に接続され、全波整流される。この全波整流された出力は、平滑コンデンサーC21によってリップル成分等が除去される。全波整流回路5の直流出力側には、平滑コンデンサーC21と並列に高周波トランス129の一次コイル129aが接続されている。そして、この一次コイル129aに、スイッチング回路としてパワーMOSFET14が直列に接続されている。
パワーMOSFET14は、定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用のPWM発生回路7eから出力されるPWM信号を受信すると、スイッチング(ON/OFF動作)を行い、これによって一次コイル129aにはスイッチング電流が流れる。この一次コイル129aに流れるスイッチ電流により、高周波トランス129の二次コイル129bにスイッチ電圧が誘起する。このスイッチング周波数の導通期間を変えれば、出力電圧の制御を行うことができる。
高周波トランス129の二次コイル129bには、整流回路としてダイオードD2、D3が接続され、スイッチング電圧はこの整流回路で整流され、チュークコイルL1及びコンデンサーC22により平滑され、直流出力に変換される。この直流出力電圧は、ダイオードD4、第1開閉回路12、第2開閉回路13を介して第1キャパシタユニット28や第2キャパシタユニット11に供給される。第1開閉回路12、第2開閉回路13は、充電制御回路7から出力される信号により開閉動作を行っている。
次に、第1キャパシタユニット28に充電された充電電圧を検出する充電電圧検出回路16の構成および動作を説明する。抵抗R11と抵抗R12により分圧回路を構成した充電電圧検出回路16は、第1キャパシタユニット28の端子間電圧を検出し、検出した電圧値は、定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用のPWM発生回路7eのA/Dコンバータ7c、および画像形成装置制御部50のA/Dコンバータ50a(図2参照)に入力される。充電部9の出力電圧は、定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用のPWM発生回路7eにより監視され、PWM信号のONデューティを変えることにより制御される。定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用PWM発生回路7eについては後述する。
次に、第1キャパシタユニット28および第2キャパシタユニット11に充電される充電電流を検出する充電電流検出回路4の構成および動作を説明する。充電電流検出回路4は、第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11と直列に接続された抵抗R10を流れる電流を検出し、検出した充電電流は、定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用PWM発生回路7eの充電電流検出回路7dに入力される。
次に、第2キャパシタユニット11に充電された充電電圧を検出する充電電圧検出回路23の構成および動作を説明する。抵抗R13と抵抗R14により分圧回路を構成した充電電圧検出回路23は、第2キャパシタユニット11の端子間電圧を検出し、検出した電圧値は、定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用のPWM発生回路7eのA/Dコンバータ7c、および画像形成装置制御部50のA/Dコンバータ50a(図2参照)に入力される。
次に、第1キャパシタユニット28および第2キャパシタユニット11について説明する。本実施の形態の第1キャパシタユニット28は、満杯充電時に2.5Vになる18個のキャパシタC1〜C18をそれぞれ含む複数のキャパシタセルが直列に接続されている。従って、18個のキャパシタセルのキャパシタC1〜C18が満充電になると、45Vの電圧が蓄電されることになる。そして、第2キャパシタユニット11は、第1キャパシタユニット28における複数のキャパシタセルのうち、接地側の2つのキャパシタC17、18を含むキャパシタセルである。尚、本実施の形態の電源装置の第1キャパシタユニット28は、対象とする画像形成装置の連続コピー時の温度落ち込みを防止可能な容量または、必要とする定着立ち上げ時間を達成できる容量のセル構成としている。また、第1キャパシタユニット28のうち、第2キャパシタユニット11以外をキャパシタユニット10とする。ここで、キャパシタとは、例えば、電気二重層キャパシタやリチウムイオンキャパシタなどであるが、これに限定されることなく、電圧が蓄積されるキャパシタであればいずれのキャパシタでもよい。
第1キャパシタユニット28における複数のキャパシタセルのそれぞれは、キャパシタ(C1〜C18)と、充電電圧を均等化する均等回路(101〜118)とから構成され、均等回路(101〜118)にはさらに、キャパシタが所定の電圧に充電された場合に作動してキャパシタへの充電電流を迂回させるバイパス回路(101a〜118a)が備えられている。以下に、第1キャパシタユニット28および第2キャパシタユニット11の各キャパシタセルの均等回路101〜118と充電動作について説明する。
第1キャパシタユニット28は、上述したように18個のキャパシタC1〜C18が電力を貯蓄するために直列に接続され、各キャパシタセルでは、バイパス回路101a〜118aがそれぞれキャパシタC1〜C18に並列に接続されている。以下では、キャパシタC1を含むキャパシタセルについて説明する。
バイパス回路101aは、キャパシタC1の端子間に並列に接続されている。バイパス回路101aは、シャントレギュレーターX1と、抵抗R1〜R7と、トランジスタQ1と、ダイオードD1とにより主に構成されている。バイパス回路101aは、抵抗R1とR2からなる分圧回路と、シャントレギュレーターX1によりキャパシタC1の端子電圧の検出が行われる。そして、シャントレギュレーターX1の制御端子に抵抗R1とR2からなる分圧回路の分圧電圧が入力される。
充電制御回路7のCPU7aは、画像形成装置制御部50(図2参照)からの指示、または充電電圧検出回路16により第1キャパシタユニット28の充電電圧が予め設定された電圧値以下の電圧値(本実施の形態の場合には40V以下の電圧)が検出されると、入出力ポート7fから、第1開閉回路12を閉じる信号をパワーMOSFET12aに出力し、第2開閉回路13を開放する信号をパワーMOSFET13aに出力する。そして、充電制御回路7のCPU7aの制御に基づいて充電部9が第1キャパシタユニット28を充電する。
キャパシタC1の端子電圧が所定の電圧(2.5V)に充電されると、シャントレギュレーターX1がONになる。シャントレギュレーターX1がONになると、トランジスタQ1に抵抗R4を通してベース電流が流れて、トランジスタQ1がONになる。トランジスタQ1がONになると、抵抗R6により決まる電流で、キャパシタC1の充電電流がバイパス(迂回)される。また、トランジスタQ1がONになると、トランジスタQ2もONになり、ホトカプラーTLP1、TPL2の発光ダイオードに抵抗R8、R9を通して電流が流れる。キャパシタC2〜C16を含むキャパシタセルも同様の構成となっている。
均等回路101〜116は、バイパス回路101a〜116aのうちいずれかのバイパス回路に接続されたキャパシタが所定の電圧に充電され、該いずれかのバイパス回路が作動した場合、そのいずれかのキャパシタセルが満充電になったことを示す単セル満充電信号24を出力し、単セル満充電信号24は充電制御回路7に入力される。そして、充電制御回路7は、単セル満充電信号24を受信すると、所定の定電流充電動作を行う制御を充電部9に対して行う。なお、単セル満充電信号24の出力線は、バイパス回路101a〜116aのそれぞれと並列に接続されている。
また、均等回路101〜116は、バイパス回路101a〜116aの全てのバイパス回路に接続されたキャパシタが所定の電圧に充電され、該全てのバイパス回路(バイパス回路101a〜116a)が作動した場合、その全てのバイパス回路が満充電になったことを示す全セル満充電信号25を出力し、全セル満充電信号25は充電制御回路7に入力される。そして、充電制御回路7は、全セル満充電信号25を受信すると、所定の定電圧充電動作を一定期間行った後、充電動作を停止する制御を充電部9に対して行う。つまり、充電制御回路7は、PWM信号のONデューティを一定時間ある一定幅にした後、0にする。なお、全セル満充電信号25の出力線は、バイパス回路101a〜118aと直列並列に接続されている。
第2キャパシタユニット11は、上述したように2個のキャパシタC17、18が電力を貯蓄するために直列に接続され、各キャパシタセルでは、バイパス回路117a、118aがそれぞれキャパシタC17、C18に並列に接続されている。キャパシタC17、C18を含むキャパシタセルの構成については、キャパシタC1を含むキャパシタセルと同様である。
充電制御回路7のCPU7aは、画像形成装置制御部50(図2参照)からの指示、または充電電圧検出回路23により第2キャパシタユニット11の充電電圧が予め設定された電圧値以下の電圧値(本実施の形態の場合には4V以下の電圧)が検出されると、入出力ポート7fから、第2開閉回路13を閉じる信号をパワーMOSFET13aに出力し、第1開閉回路12を開放する信号をパワーMOSFET12aに出力する。そして、充電制御回路7のCPU7aの制御に基づいて充電部9が第2キャパシタユニット11を充電する。
第2キャパシタユニット11も第1キャパシタユニット28と同様に、均等回路117、118は、バイパス回路117a、118aのうちいずれかのバイパス回路に接続されたキャパシタが所定の電圧に充電され、該いずれかのバイパス回路が作動した場合、そのいずれかのキャパシタセルが満充電になったことを示す単セル満充電信号24を出力し、単セル満充電信号24は充電制御回路7に入力される。そして、充電制御回路7は、単セル満充電信号24を受信すると、所定の定電流充電動作を行う制御を充電部9に対して行う。なお、単セル満充電信号24の出力線は、バイパス回路117a、118aのそれぞれと並列に接続されている。
また、均等回路117、118は、バイパス回路117a、118aの全てのバイパス回路に接続されたキャパシタが所定の電圧に充電され、該全てのバイパス回路(バイパス回路117a、118a)が作動した場合、その全てのバイパス回路が満充電になったことを示す全セル満充電信号25を出力し、全セル満充電信号25は充電制御回路7に入力される。そして、充電制御回路7は、全セル満充電信号25を受信すると、所定の定電圧充電動作を一定期間行った後、充電動作を停止する制御を充電部9に対して行う。なお、全セル満充電信号25の出力線は、バイパス回路117a、118aと直列並列に接続されている。
そして、充電制御回路7のCPU7aは、画像形成装置制御部50からの指示により、第3開閉回路29を閉じる信号をパワーMOSFET29aに出力する。この出力は定電圧生成回路21により一定電圧にされ、画像形成装置制御部50の特定負荷(省エネルギーモード(以下、省エネモードという)時、停電時等に作動される負荷)に電力が供給される。
次に、第1キャパシタユニット28の充電電圧の検出、充電電流の検出およびバイパス回路の動作を検出し、第1キャパシタユニット28に定電流充電、定電力充電または定電圧充電を行うPWM発生回路7eの動作を説明する。
PWM発生回路7eは、第1キャパシタユニット28の充電電圧の検出、充電電流の検出およびバイパス回路の動作を検出し、第1キャパシタユニット28に定電流充電または定電力充電または定電圧充電を行うためのPWM信号を発生させる回路である。
つまり、PWM発生回路7eは、第1キャパシタユニット28の端子間電圧を充電電圧検出回路16の出力により充電電圧を検出し、第1キャパシタユニット28の端子間電圧が、予め設定された電圧値以下である場合には、第1キャパシタユニット28と直列に接続された抵抗R10の端子間電圧を逐次検出し、この端子間電圧に対応した、予め設定された定電流充電にするためのPWM信号を、パワーMOSFET14のゲートに出力する。
なお、この予め設定された定電流充電にするためのPWM信号は、抵抗R10の端子間電圧と、PWM信号のONデューティとの関係を予め作成した、テーブルを使用してもよいし、演算により算出してもよい。また、充電電流のみを参照して、予め設定された充電電流になるようにPWM信号を制御してもよい。また、第1キャパシタユニット28が充電されてない状態の場合は、大きな突入電流が第1キャパシタユニット28に流れるのを防止しするために、初めは出力電圧を低くし、徐々に出力電圧を高くするようにPWM信号を出力してもよい。
第1キャパシタユニット28の端子間電圧が、予め設定された値以上になると、PWM発生回路7eは、定電力充電を行うために、第1キャパシタユニット28の充電電流と、第1キャパシタユニット28の端子間電圧の検出を逐次行ない、検出した充電電流と充電電圧から、予め設定された定電力充電を行うためのPWM信号を、パワーMOSFET14のゲートに出力する。
なお、このPWM信号は、第1キャパシタユニット28の充電電流と、第1キャパシタユニット28の端子間電圧を検出し、この検出した充電電流と充電電圧から、予め設定された定電力充電を行うためPWM信号を演算して決定する。
次に、PWM発生回路7eは、いずれかの単セル満充電信号24を検出すると、再び予め設定された定電流充電にするPWM信号を、パワーMOSFET14のゲートに出力する。また、PWM発生回路7eは、全セル満充電信号25を検出すると、一定期間定電圧充電を行い、その後充電動作を停止する信号をパワーMOSFET14のゲートに出力する。
なお、PWM発生回路7eは、充電電圧検出回路16が満充電電圧(本実施の形態では、2.5V×18個であるため45V)を超える電圧を検出しても単セル満充電信号24または全セル満充電信号25が検出されない場合は、定電圧充電を行うPWM信号を、パワーMOSFET14のゲートに出力する。また、PWM発生回路7eは、定電圧充電移行後においても、さらに充電電圧検出回路16が充電電圧の上昇を検知した場合は、充電の停止を行うPWM信号を、パワーMOSFET14のゲートに出力する。また、PWM発生回路7eは、充電停止後もさらに充電電圧が上昇した場合は、図示はしないが、充電電圧異常上昇検出回路により充電を遮断する。そしてこの場合には再充電が禁止される。
次に、画像形成装置について説明する。図2は、実施の形態1にかかる電源装置を用いた画像形成装置の構成図である。ここで、図1の構成図と同一符号が付された構成は、説明を省略する。
画像形成装置制御部50は、画像形成装置全体を制御するものであり、図示はしないが、画像形成装置の全体を制御するコントローラ部、画像形成動作を行うエンジン制御部、操作パネルを操作することで利用者が行うシステム設定等の入力や、利用者に対するシステムの設定内容や状態の表示の制御を行う操作部制御回路部、原稿を光学的に読み取る読取制御部、画像データをドラム上に書き込む書込制御部により主に構成されている。本実施の形態では、これらの構成を合わせて画像形成装置制御部50としている。
また、画像形成装置制御部50は、停電時に電力供給される特定回路51が備えられており、特定回路51は、CPU52およびLAN、HDDの制御部53等を主に備えている。CPU52には、シリアルコントローラ(SCI)50cと、入出力ポート50dと、A/Dコンバータ50aと、割り込み制御回路(INT)50bと、不図示のNV−RAMおよびROM、RAM、タイマ等が内部バスで接続されている。
また、画像形成装置は、停電時に電力供給される制御部として、LAN(Local Area Network)制御部46と、HDD(Hard Disk Drive)制御部47を備えている。
LAN制御部46は、外部機器との通信を行うものであり、社内LANとコントローラとの通信インターフェースボードであり、PHYチップを搭載している。LAN制御部46とコントローラとは、標準的な通信インターフェースで接続されている。また、LAN制御部46と外部機器との通信中に停電になると通信が中断してデータが消去されるため、LAN制御部46は、通信が完了するまで第2キャパシタユニット11から電力が供給される。
HDD制御部47は、システムのアプリケーションプログラムや、プリンタ、作像プロセス機器の機器付勢情報を格納するアプリケーションデータベースとして用いられている。また、HDD制御部47は、読取り画像や書込み画像のイメージデータ、すなわち画像データおよびドキュメントデータを蓄える画像データベースとしても用いられる。また、これらのデータ等を格納中に停電になるとデータが欠落するため、HDD制御部47は、必要なデータを格納するまで第2キャパシタユニット11から電力が供給される。
また、画像形成装置制御部50は、電源OFF時においても各種データを記憶可能な電池でバックアップされたメモリ部48を備えている。停電時には、このメモリ部48にも第2キャパシタユニット11から電力が供給され、実行中の必要なデータが保存されて、復帰時に読み出され利用される。
次に、画像形成装置制御部50の周辺回路を説明する。本実施の形態の画像形成装置は、定着装置の加熱部としてAC定着ヒータ43と、補助ヒータとしてDC定着ヒータ55とを備えている。また、CPU52のA/Dコンバータ50aには、定着ローラ(不図示)の表面温度(定着温度)を検出する温度検出回路41が接続されている。
温度検出回路41は、サーミスタ41aと、サーミスタ41aと直列に接続された抵抗とで構成され、AC定着ヒータ43と、DC定着ヒータ55に対応する測定領域の温度を検出する回路である。
DC定着ヒータ55は、立ち上げ時および連続コピー時の温度落ち込み時等に補助ヒータとして使用される。DC定着ヒータ55は、立ち上げ時および連続コピー時の温度落ち込み時に、第1キャパシタユニット28に蓄電された電力がリレー56と放電回路(FET)57を介して供給される。
AC定着ヒータ43には、主電源がON時および通常のコピー時に商用電源8から電力が供給されてコピー動作が行われる。
次に第2キャパシタユニット11から画像形成装置制御部50への電力の供給について説明する。商用電源8の両端に接続された停電検知回路30は、商用電源8の電圧が低下した場合、またはゼロクロス信号が欠落した場合に信号を発生する回路であり、この信号は割り込み制御回路(INT)50bに入力される。
この割り込み信号が発生すると、CPU52は入出力ポート50dより、充電制御回路7を介して第3開閉回路29のパワーMOSFET29aのゲートにON信号を出力する。パワーMOSFET29aのON動作により第2キャパシタユニット11の蓄電電力は定電圧生成回路21により一定電圧に安定化され、停電時に電力を供給される負荷54、メモリ部48、LAN制御部46、HDD制御部47、および特定回路51に供給される。
次に、図1、2を参照して、第1開閉回路12および第2開閉回路13の開閉動作を行って、第1キャパシタユニット28および第2キャパシタユニット11を充電する動作を説明する。
充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により検出された電圧値、および充電電圧検出回路23により検出された電圧値とに基づいて、第1キャパシタユニット28を充電するか、第2キャパシタユニット11を充電するかを切り替える切替手段による切替えの制御をCPU7aにより実行する。本実施の形態では、切替手段として、充電部9から第1キャパシタユニット28への充電路を開閉する第1開閉回路12と、充電部9から第2キャパシタユニット11への充電路を開閉する第2開閉回路13とが備えられている。つまり、充電制御回路7は、第1開閉回路12および第2開閉回路13の開閉動作を制御することで、第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニットに11への充電を制御する。
具体的には、充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により第1キャパシタユニット28の充電電圧を検出し、定着立ち上げ時、または連続コピー時に電力補助する所定の電圧値に達してないと判断すると、第1開閉回路12を閉じて(ONにして)、第2開閉回路13を開放する(OFFにする)指示信号をパワーMOSFET12aおよびパワーMOSFET13aそれぞれのゲートに送出して充電を制御する。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する。そして、充電部9は、第1開閉回路12を介して第1キャパシタユニット28を充電する。
また、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の電圧値が所定値に達していても、充電電圧検出回路23により第2キャパシタユニット11の充電電圧を検出し、停電時および省エネモード時に使用する電力に不足していると判断すると、第1開閉回路12を開放し(OFFにして)、第2開閉回路13を閉じる(ONにする)指示信号をパワーMOSFET12aおよびパワーMOSFET13aそれぞれのゲートに送出して充電を制御する。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する。そして、充電部9は、第2開閉回路13を介して第2キャパシタユニット11を充電する。
また、一連の画像形成動作が終了し、一定時間が経過すると画像形成装置が省エネモードに入るが、この時、充電制御回路7は、第3開閉回路29を閉じる(ONにする)指示信号をパワーMOSFET29aのゲートに出力する。この動作により、省エネモードに電力を必要とする負荷に対して第2キャパシタユニット11の蓄電力が供給される。また、省エネモード解除SW44が閉じられる(ONにされる)と、充電制御回路7は、第3開閉回路29を開放する(OFFにする)指示信号をパワーMOSFET29aのゲートに出力する。充電制御回路7は、この省エネモードが解除された直後に第1キャパシタユニット28の充電電圧の確認を行い、充電電圧が不足している場合は充電してもよい。
図3は、実施の形態1にかかるキャパシタユニット10と第2キャパシタユニット11とを接続して実装した場合の説明図である。図3に示すように、本実施の形態の画像形成装置では、第2キャパシタユニット11がコネクタ99により取り付けられており、第2キャパシタユニット11は、画像形成装置から着脱可能となっている。つまり、コネクタ99を外すことで第2キャパシタユニット11を取り外すことができる。
また、第2キャパシタユニット11は、蓄電容量の異なるキャパシタを含むキャパシタユニットに変更可能となっている。従って、キャパシタの蓄電容量を用途により変更すれば、利用範囲をさらに広げることができる。ただし、この場合は、単セル満充電信号24と全セル満充電信号25の検出時間がキャパシタユニット10と第2キャパシタユニット11では異なるため、そのことを考慮して充電制御を行う必要がある。
次に、本実施の形態にかかる電源装置における第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11への充電動作を説明する。図4は、実施の形態1にかかる電源装置における充電処理の流れを示すフローチャートである。
まず、画像形成装置制御部50は、画像形成装置が待機モードか否かを判断する(ステップS11)。待機モードでない場合(ステップS11:No)、そのまま処理を終了する。一方、待機モードである場合(ステップS11:Yes)、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下であるか否かを判断する(ステップS12)。
第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合(ステップS12:Yes)、充電制御回路7は、第1開閉回路12を閉じて(ステップS13)、第2開閉回路13を開放する(ステップS14)。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する(ステップS15)。そして、充電指示信号を受信した充電部9が第1キャパシタユニット28を充電する(ステップS16)。充電が完了すると、再度ステップS12の処理に戻る。
一方、ステップS12において、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値より大きい場合(ステップS12:No)、充電制御回路7は、第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下であるか否かを判断する(ステップS17)。
第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合(ステップS17:Yes)、充電制御回路7は、第1開閉回路12を開放して(ステップS18)、第2開閉回路13を閉じる(ステップS19)。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する(ステップS20)。そして、充電指示信号を受信した充電部9が第2キャパシタユニット11を充電する(ステップS21)。充電が完了すると、再度ステップS17の処理に戻る。
一方、ステップS17において、第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値が所定値より大きい場合(ステップS17:No)、充電制御回路7は、充電部9に充電を停止する旨の充電停止信号を送出する(ステップS22)。そして、充電制御回路7は、第1開閉回路12を開放して(ステップS23)、第2開閉回路13を開放して(ステップS24)処理を終了する。
このように、実施の形態1の電源装置は、第1キャパシタユニット28と第2キャパシタユニット11の充電電圧を検出し、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合は、第1キャパシタユニット28を充電する。そして、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値より大きく、かつ第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合は、第2キャパシタユニット11のみを充電することができる。これにより、キャパシタC17、18を含む第2キャパシタユニット11のみを充電する際に、キャパシタユニット10におけるバイパス回路101a〜116aに充電電流を流す必要がなくなるため、バイパス回路を迂回することによるバイパス回路のおける電力の損失を抑制して所望のキャパシタのみを充電することができる。
(実施の形態2)
実施の形態1の電源装置では、第1キャパシタユニット28と第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下か否かにより充電動作を制御するものであった。これに対して、実施の形態2の電源装置では、第1キャパシタユニット28と第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値を比較して充電動作を制御する。
本実施の形態の電源装置の構成図および該電源装置を用いた画像形成装置の構成図は、実施の形態と同様である(図1、2参照)。従って、以下に、実施の形態1における充電制御回路7の異なる部分および充電制御回路7による充電動作の制御について図1、2を参照して説明する。
第1開閉回路12および第2開閉回路13の開閉動作を行って、第1キャパシタユニット28および第2キャパシタユニット11を充電する動作を説明する。
充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により検出された電圧値、および充電電圧検出回路23により検出された電圧値とを比較する比較処理をCPU7aにより実行する。そして、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28を充電するか、第2キャパシタユニット11を充電するかを切り替える切替手段による切替えの制御をCPU7aにより実行する。切替手段については、実施の形態1と同様である。つまり、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の電圧値と第2キャパシタユニット11の電圧値の比較結果に基づいて、第1開閉回路12および第2開閉回路13の開閉動作を制御することで、第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11への充電を制御する。
具体的には、充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により第1キャパシタユニット28の充電電圧を検出し、充電電圧検出回路23により第2キャパシタユニット11の充電電圧を検出する。そして、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値と、第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値を比較して、第2キャパシタユニット11の電圧値が低い場合、第1開閉回路12を開放し(OFFにして)、第2開閉回路13を閉じる(ONにする)指示信号をパワーMOSFET12aおよびパワーMOSFET13aそれぞれのゲートに送出して充電を制御する。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する。そして、充電部9は、第2開閉回路13を介して第2キャパシタユニット11を充電する。
また、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の電圧値より第2キャパシタユニット11の電圧値が低く、かつ第1キャパシタユニット28の電圧値が所定値以下である場合、第1開閉回路12を閉じて(ONにして)、第2開閉回路13を開放する(OFFにする)指示信号をパワーMOSFET12aおよびパワーMOSFET13aそれぞれのゲートに送出して充電を制御する。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する。そして、充電部9は、第1開閉回路12を介して第1キャパシタユニット28を充電する。
次に、本実施の形態にかかる電源装置における第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11への充電動作を説明する。図5は、実施の形態2にかかる電源装置における充電処理の流れを示すフローチャートである。
まず、画像形成装置制御部50は、画像形成装置が待機モードか否かを判断する(ステップS31)。待機モードでない場合(ステップS31:No)、そのまま処理を終了する。一方、待機モードである場合(ステップS31:Yes)、充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により第1キャパシタユニット28の充電電圧を検出し(ステップS32)、充電電圧検出回路23により第2キャパシタユニット11の充電電圧を検出する(ステップS33)。
次に、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値と第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値とを比較して、第1キャパシタユニット28の電圧値より第2キャパシタユニット11の電圧値が低いか否かを判断する(ステップS34)。そして、第2キャパシタユニット11の電圧値の方が低かった場合(ステップS34:Yes)、充電制御回路7は、第1開閉回路12を開放して(ステップS35)、第2開閉回路13を閉じる(ステップS36)。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する(ステップS37)。そして、充電指示信号を受信した充電部9が第2キャパシタユニット11を充電する(ステップS38)。充電が完了すると、再度ステップS34の処理に戻る。
一方、ステップS34において、第1キャパシタユニット28の電圧値の方が低かった場合(ステップS34:No)、充電制御回路7は、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下であるか否かを判断する(ステップS39)。
第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合(ステップS39:Yes)、充電制御回路7は、第1開閉回路12を閉じて(ステップS40)、第2開閉回路13を開放する(ステップS41)。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する(ステップS42)。そして、充電指示信号を受信した充電部9が第1キャパシタユニット28を充電する(ステップS43)。充電が完了すると、再度ステップS39の処理に戻る。
一方、ステップS39において、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値より大きい場合(ステップS39:No)、充電制御回路7は、充電部9に充電を停止する旨の充電停止信号を送出する(ステップS44)。そして、充電制御回路7は、第1開閉回路12を開放して(ステップS45)、第2開閉回路13を開放して(ステップS46)処理を終了する。
このように、実施の形態2の電源装置は、検出した第1キャパシタユニット28と第2キャパシタユニット11の充電電圧を比較して、第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値の方が低かった場合は、第2キャパシタユニット11のみを充電することができる。そして、第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値の方が大きく、かつ第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合は、第1キャパシタユニット28を充電する。これにより、キャパシタC17、18を含む第2キャパシタユニット11のみを充電する際に、キャパシタユニット10におけるバイパス回路101a〜116aに充電電流を流す必要がなくなるため、バイパス回路を迂回することによるバイパス回路のおける電力の損失を抑制して所望のキャパシタのみを充電することができる。
(実施の形態3)
実施の形態1の電源装置では、第1キャパシタユニット28と、第1キャパシタユニット28に含まれる第2キャパシタユニット11の充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下か否かにより充電動作を制御するものであった。これに対して、実施の形態3の電源装置では、第1キャパシタユニット28と、第1キャパシタユニットの一部のキャパシタユニットと並列に接続された第3キャパシタユニットの充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下か否かにより充電動作を制御する。
図6は、実施の形態3にかかる電源装置の構成図である。図7は、実施の形態3にかかる電源装置を用いた画像形成装置の構成図である。図6、7に示すように、本実施の形態の電源装置は、キャパシタC1〜C18をそれぞれ含む複数のキャパシタセルが直列に接続された第1キャパシタユニット28と、第1キャパシタユニット28の接地側にダイオードD5、6を介して並列に接続された第3キャパシタユニット32を備え、第1開閉回路12、第2開閉回路13を介してこの2つのキャパシタユニットを充電するものである。ここで、充電関連部31、充電電圧検出回路16、充電電流検出回路4、第1キャパシタユニット28、均等回路101〜120、バイパス回路101a〜118a、PWM発生回路7e、画像形成装置制御部50、LAN制御部46、HDD制御部47、画像形成装置制御部50の周辺回路等の構成は、実施の形態1と同様である。
第3キャパシタユニット32に充電された充電電圧を検出する充電電圧検出回路15の構成および動作を説明する。抵抗R13と抵抗R14により分圧回路を構成した充電電圧検出回路15は、第3キャパシタユニット32の端子間電圧を検出し、検出した電圧値は、定電圧出力、定電流充電及び定電力充電用のPWM発生回路7eのA/Dコンバータ7c、および画像形成装置制御部50のA/Dコンバータ50a(図2参照)に入力される。
次に、第3キャパシタユニット32について説明する。第3キャパシタユニット32は、第1キャパシタユニット28における複数のキャパシタセルのうちの接地側のキャパシタセルに並列に接続された2つのキャパシタC19、20を含むキャパシタセルである。
充電制御回路7のCPU7aは、画像形成装置制御部50(図7参照)からの指示、または充電電圧検出回路15により第3キャパシタユニット32の充電電圧が予め設定された電圧値以下の電圧値が検出されると、入出力ポート7fから、第2開閉回路13を閉じる信号をパワーMOSFET13aに出力し、第1開閉回路12を開放する信号をパワーMOSFET12aに出力する。そして、充電制御回路7のCPU7aの制御に基づいて充電部9が第3キャパシタユニット32を充電する。
第3キャパシタユニット32も第1キャパシタユニット28と同様に、均等回路119、120は、バイパス回路119a、120aのうちいずれかのバイパス回路に接続されたキャパシタが所定の電圧に充電され、該いずれかのバイパス回路が作動した場合、そのいずれかのキャパシタセルが満充電になったことを示す単セル満充電信号24を出力し、単セル満充電信号24は充電制御回路7に入力される。そして、充電制御回路7は、単セル満充電信号24を受信すると、所定の定電流充電動作を行う制御を充電部9に対して行う。なお、単セル満充電信号24の出力線は、バイパス回路119a、120aのそれぞれと並列に接続されている。
また、均等回路119、120は、バイパス回路119a、120aの全てのバイパス回路に接続されたキャパシタが所定の電圧に充電され、該全てのバイパス回路(バイパス回路119a、120a)が作動した場合、その全てのバイパス回路が満充電になったことを示す全セル満充電信号25を出力し、全セル満充電信号25は充電制御回路7に入力される。そして、充電制御回路7は、全セル満充電信号25を受信すると、所定の定電圧充電動作を一定期間行った後、充電動作を停止する制御を充電部9に対して行う。なお、全セル満充電信号25の出力線は、バイパス回路119a、120aと直列並列に接続されている。
次に、図6、7を参照して、第1開閉回路12および第2開閉回路13の開閉動作を行って、第1キャパシタユニット28および第3キャパシタユニット32を充電する動作を説明する。
充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により検出された電圧値、および充電電圧検出回路15により検出された電圧値とに基づいて、第1キャパシタユニット28を充電するか、第3キャパシタユニット32を充電するかを切り替える切替手段による切替えの制御をCPU7aにより実行する。切替手段については、実施の形態1と同様である。つまり、充電制御回路7は、第1開閉回路12および第2開閉回路13の開閉動作を制御することで、第1キャパシタユニット28または第3キャパシタユニットに32への充電を制御する。
具体的には、充電制御回路7は、充電電圧検出回路16により第1キャパシタユニット28の充電電圧を検出し、定着立ち上げ時、または連続コピー時に電力補助する所定の電圧値に達してないと判断すると、第1開閉回路12を閉じて(ONにして)、第2開閉回路13を開放する(OFFにする)指示信号をパワーMOSFET12aおよびパワーMOSFET13aそれぞれのゲートに送出して充電を制御する。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する。そして、充電部9は、第1開閉回路12を介して第1キャパシタユニット28を充電する。
また、充電制御回路7は、充電電圧検出回路15により第3キャパシタユニット32の充電電圧を検出し、第3キャパシタユニット32の蓄電力が、停電時および省エネモード時に使用する電力に不足していると判断すると、第1開閉回路12を開放し(OFFにして)、第2開閉回路13を閉じる(ONにする)指示信号をパワーMOSFET12aおよびパワーMOSFET13aそれぞれのゲートに送出して充電を制御する。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する。そして、充電部9は、第2開閉回路13を介して第3キャパシタユニット32を充電する。
本実施の形態の第3キャパシタユニット32は、実施の形態1と同様に、コネクタにより取り付けられており、画像形成装置から着脱可能となっている(図3参照)。また、第3キャパシタユニット32は、実施の形態1と同様に、蓄電容量の異なるキャパシタを含むキャパシタユニットに変更可能となっている。
次に、本実施の形態にかかる電源装置における第1キャパシタユニット28または第3キャパシタユニット32への充電動作を説明する。図8は、実施の形態3にかかる電源装置における充電処理の流れを示すフローチャートである。
まず、画像形成装置制御部50による待機モードか否かの判断から、第1キャパシタユニット28への充電までの処理(ステップS51〜56)は、実施の形態1と同様であるため説明を省略する(ステップS11〜16)。
ステップS52において、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値より大きい場合(ステップS52:No)、充電制御回路7は、第3キャパシタユニット32の充電電圧の電圧値が予め定めた所定値以下であるか否かを判断する(ステップS57)。
第3キャパシタユニット32の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合(ステップS57:Yes)、充電制御回路7は、第1開閉回路12を開放して(ステップS58)、第2開閉回路13を閉じる(ステップS59)。次に、充電制御回路7は、充電部9に充電を行う指示である充電指示信号を送出する(ステップS60)。そして、充電指示信号を受信した充電部9が第3キャパシタユニット32を充電する(ステップS61)。充電が完了すると、再度ステップS57の処理に戻る。
一方、ステップS57において、第3キャパシタユニット32の充電電圧の電圧値が所定値より大きい場合(ステップS57:No)、充電制御回路7は、充電部9に充電を停止する旨の充電停止信号を送出する(ステップS62)。そして、充電制御回路7は、第1開閉回路12を開放して(ステップS63)、第2開閉回路13を開放して(ステップS64)処理を終了する。
このように、実施の形態3の電源装置は、第1キャパシタユニット28と第3キャパシタユニット32の充電電圧を検出し、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合は、第1キャパシタユニット28を充電する。そして、第1キャパシタユニット28の充電電圧の電圧値が所定値より大きく、かつ第3キャパシタユニット32の充電電圧の電圧値が所定値以下であった場合は、第3キャパシタユニット32のみを充電することができる。これにより、第1キャパシタユニット28に並列する、キャパシタC19、20を含む第3キャパシタユニット32のみを充電する際に、第1キャパシタユニット28におけるバイパス回路101a〜118aに充電電流を流す必要がなくなるため、バイパス回路を迂回することによるバイパス回路のおける電力の損失を抑制して所望のキャパシタのみを充電することができる。
また、実施の形態3の電源装置を、実施の形態2と同様に、第1キャパシタユニット28と第3キャパシタユニット32の充電電圧の電圧値を比較して、第3キャパシタユニット32の電圧値の方が低い場合に、第3キャパシタユニット32のみに充電を行うように充電動作を制御する構成としてもよい。
上述した実施の形態では、充電電圧検知回路16、23が検出した第1キャパシタユニット28、第2キャパシタユニット11、第3キャパシタユニット32の電圧値に基づいて、充電制御回路7が第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11、32のいずれを充電するのかを判断して充電動作を制御する構成となっていたが、これに限定されることなく、他の制御回路により充電動作を制御する構成としてもよい。
具体的には、例えば、充電電圧検知回路16、23が、検出した第1キャパシタユニット28、第2キャパシタユニット11、第3キャパシタユニット32の電圧値を画像形成装置制御部50に送出し、画像形成装置制御部50がこの電圧値に基づいて、第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11、第3キャパシタユニット32のいずれを充電するかを判断して、充電制御回路7を介さずに、直接、充電動作を制御してもよい。
また、例えば、充電電圧検知回路16、23が、検出した第1キャパシタユニット28、第2キャパシタユニット11、第3キャパシタユニット32の電圧値を画像形成装置制御部50に送出し、画像形成装置制御部50がこの電圧値に基づいて、第1キャパシタユニット28または第2キャパシタユニット11、第3キャパシタユニット32のいずれを充電するかを判断する。そして、画像形成装置制御部50が、いずれを充電するかの指示を充電制御回路7に送出し、充電制御回路7が受信した指示に従って充電動作を制御してもよい。