JP5435613B2 - 電子装置製造装置 - Google Patents
電子装置製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5435613B2 JP5435613B2 JP2008327018A JP2008327018A JP5435613B2 JP 5435613 B2 JP5435613 B2 JP 5435613B2 JP 2008327018 A JP2008327018 A JP 2008327018A JP 2008327018 A JP2008327018 A JP 2008327018A JP 5435613 B2 JP5435613 B2 JP 5435613B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- alloy
- electronic device
- device manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
72 フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜
73 陽極酸化膜
74 AlMgCeZr合金
75 装置外部
Claims (7)
- Al合金部材を容器の少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Al合金部材は、Mg、ZrおよびCeを、質量%で、Mg濃度が0.01%超で5.0%以下、Ce濃度が0.01%超で15.0%以下、Zr濃度が0.01%超で0.15%以下、それぞれ含み、残部がAlおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ0.01%以下であり、前記Al合金部材の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜で覆われ、かつ該陽極酸化膜はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜で覆われ、前記Al合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の薬液や腐食性のガス、プラズマにさらされることになる部分であり、塩素ガスに対する耐食性を改善したことを特徴とする電子装置製造装置。
- 前記Al合金部材は、Mg、ZrおよびCeを、質量%で、Mg濃度が0.01%超で5.0%以下、Ce濃度が0.01%超で5.0%以下、Zr濃度が0.01%超で0.15%以下、それぞれ含み、残部がAlおよび不可避不純物からなり、前記不可避不純物の元素がそれぞれ0.01%以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子装置製造装置。
- 前記陽極酸化膜の厚さが0.01μm〜0.6μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置製造装置。
- 前記フロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜の厚さが0.01μm〜10μmであることを特徴とする請求項1〜3の一つに記載の電子装置製造装置。
- 前記容器は、ウエットプロセス用の容器であり、該容器は、プロセス実施中に内部空間が大気を遮断するように密閉される構成を有することを特徴とする請求項1〜4の一つに記載の電子装置製造装置。
- 前記容器に薬液又は純水を供給するための樹脂配管を更に含み、前記樹脂配管は酸素透過係数が5×106[個・cm/(cm2secPa)]以下であることを特徴とする請求項1〜5の一つに記載の電子装置製造装置。
- 前記樹脂配管は、内面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、外面がETFE、PTFE、PVDC、FEP、PFAのいずれかによって形成された層を有し、中間にナイロンで形成された層を有することを特徴とする請求項6に記載の電子装置製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008327018A JP5435613B2 (ja) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | 電子装置製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008327018A JP5435613B2 (ja) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | 電子装置製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010153424A JP2010153424A (ja) | 2010-07-08 |
JP5435613B2 true JP5435613B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=42572234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008327018A Expired - Fee Related JP5435613B2 (ja) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | 電子装置製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5435613B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012161266A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2014-07-31 | 国立大学法人東北大学 | 反応容器、および該容器を用いた重合体の製造方法 |
WO2017135939A1 (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Anodization involving a lubricant |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000144292A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アルミニウム合金およびアルミニウム合金部材の製造方法 |
JP2004193172A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 供給配管、気体または液体の供給方法および薬液供給装置 |
JP2004149927A (ja) * | 2003-11-28 | 2004-05-27 | Mitsubishi Alum Co Ltd | フロロカーボン膜が形成された金属材料並びにその材料を用いた装置 |
JP2005136437A (ja) * | 2005-01-04 | 2005-05-26 | Tadahiro Omi | 半導体製造システム及びクリーンルーム |
JP5019391B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2012-09-05 | 国立大学法人東北大学 | 金属酸化物膜、積層体、金属部材並びにその製造方法 |
JP2007287876A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Tohoku Univ | 薬液または純水供給装置、基板処理システム、基板処理装置または基板処理方法 |
-
2008
- 2008-12-24 JP JP2008327018A patent/JP5435613B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010153424A (ja) | 2010-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5382677B2 (ja) | 金属部材の保護膜構造及び保護膜構造を用いた金属部品並びに保護膜構造を用いた半導体又は平板ディスプレイ製造装置 | |
KR101295174B1 (ko) | 성막 방법, 성막 장치 및, 성막 장치의 사용 방법 | |
JP5720406B2 (ja) | ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法 | |
KR101070666B1 (ko) | 클리닝 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2768952B2 (ja) | 金属酸化処理装置及び金属酸化処理方法 | |
JP2013527326A (ja) | プラズマ電解酸化コーティングにおける銅または微量金属汚染物質の低減 | |
WO2005093120A1 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
JP2012060036A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
CN109072432B (zh) | 抗等离子蚀刻膜及其制造方法 | |
JP2020065079A (ja) | プラズマ処理装置および大気開放方法 | |
JP5435613B2 (ja) | 電子装置製造装置 | |
JP4790812B2 (ja) | アルミニウム合金の表面処理法およびマグネシウム合金の表面処理法 | |
JP3017301B2 (ja) | 不動態膜の形成方法 | |
JP7460771B2 (ja) | フッ化マグネシウム領域が形成させる金属体 | |
CN116426900A (zh) | 清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 | |
US20220010426A1 (en) | Coatings that contain fluorinated yttrium oxide and a metal oxide, and methods of preparing and using the coatings | |
US20150096589A1 (en) | Method of non-destructive post tungsten etch residue removal | |
KR20230057348A (ko) | 에칭 방법 | |
KR20220166331A (ko) | 이트륨 플루오라이드 막 및 이트륨 플루오라이드 막의 제조 및 사용 방법 | |
TWI835093B (zh) | 具有氟化釔塗層之基板及製備及使用基板之方法 | |
EP4354490A1 (en) | Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method | |
JP2009302555A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法 | |
JP2002252261A (ja) | 半導体検査装置及び半導体露光装置 | |
CN115910735A (zh) | 基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质 | |
JP4704701B2 (ja) | フロロカーボン被膜の製造方法、それを用いた工業材料又は工業製品並びに、その工業材料を用いた装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130306 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130501 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131106 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131205 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |