JP5435065B2 - 受光装置 - Google Patents
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Description
MarshallJ.Cohen and Gregory H. Olsen "Near-IR imaging cameras operate at roomtemperature", LASER FOCUS WORLD, June 1993, pp.109-113
ここで、受光層の導電型は問わず、第1導電型でもイントリンシックでもよい。
この結果、高輝度光入力によるキャリア飽和状態の持続に起因する画像形成不能状態の発生を回避した受光装置を得ることができる。
マルチプレクサ本体部に入る前に、受光素子アレイの出力を、即座に制御することができる。
これによって、近赤外域またはそれより長波長側に感度をもち、かつ高輝度光入力によるキャリア飽和状態の持続に起因する画像形成不能状態の発生を回避した受光装置を得ることができる。
半導体積層体:(InP基板1/n+InGaAsバッファ層2/GaInNAs受光層3/InP窓層4)
各層の厚みは、大雑把に、InGaAsバッファ層2は1μm〜2μm程度、GaInNAs受光層3は2μm〜3μm、InP窓層4は0.5μm〜1.5μmである。InP窓層4上に、センシング部Sおよびモニタ受光部Mに開口部を有するマスクパターン5をSiNにより形成し、p型不純物のZnを各開口部からInP窓層4を通して導入してp型領域16を形成する。p型領域16は、GaInNAs受光層3に届いており、先端部にpn接合またはpin接合を形成する。その後、InP窓層4のp型領域16上にオーミック接触のp部電極11をPtTi等により、またInP基板1またはInGaAsバッファ層2の周縁部にオーミック接続するn部電極12をAuGeNi等により、それぞれ形成する。
Claims (4)
- 受光層を含む半導体積層体に、複数の受光素子が配列された受光素子アレイと、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備える受光装置であって、
前記受光素子アレイにおいて、前記複数の受光素子の間に位置する1つまたは2つ以上のモニタ受光部を備え、
前記複数の受光素子および前記モニタ受光部は、いずれも、前記半導体積層体の一方の面である表面から前記受光層に届くように位置する不純物領域と、当該不純物領域にオーミック接触する電極と、を持ち、
前記受光素子および前記モニタ受光部は、いずれも、各自pin型フォトダイオードを形成し、
前記半導体積層体の表面と反対側の裏面から光を入射する裏面入射型であり、
前記モニタ受光部および前記受光素子の電極は、各別に前記マルチプレクサの信号入力部に接続され、該信号入力部において、前記受光素子からの直の信号は、前記モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、前記マルチプレクサの本体部へ出力され、
前記信号入力部において、前記モニタ受光部からの直の信号を、増幅+微分回路に通して明るさの時間勾配をとり、その時間勾配の信号の、(1)高さが予め決めた基準値を超えたときに前記受光素子からの直の信号をオフとする出力、または、(2)高さに応じてオートゲイン制御する出力、を行うことを特徴とする、受光装置。 - 平面的に見て、前記モニタ受光部において受光する面積は、前記受光素子におけるそれより小さいことを特徴とする、請求項1に記載の受光装置。
- 前記受光素子アレイの半導体積層体がIII−V族化合物半導体から構成され、前記不純物が亜鉛(Zn)であることを特徴とする、請求項1または2に記載の受光装置。
- 前記受光層が、近赤外域またはそれより長波長側に対応するバンドギャップエネルギをもつIII−V族化合物半導体から構成されることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の受光装置。
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