JP2009099914A - 受光素子アレイおよび撮像装置 - Google Patents
受光素子アレイおよび撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009099914A JP2009099914A JP2007272568A JP2007272568A JP2009099914A JP 2009099914 A JP2009099914 A JP 2009099914A JP 2007272568 A JP2007272568 A JP 2007272568A JP 2007272568 A JP2007272568 A JP 2007272568A JP 2009099914 A JP2009099914 A JP 2009099914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- element array
- monitor
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】受光層を含む1つの半導体積層体に、複数の受光素子が、配列された受光素子アレイであって、複数の受光素子Sの間に位置する1つまたは2つ以上のモニタ受光部Mを備え、複数の受光素子および1つまたは2つ以上のモニタ受光部は、それぞれ、半導体積層体の一方の面である表面から受光層に届くように位置するp型領域16と、当該p型領域にオーミック接触する電極11と、を持つ。
【選択図】図1
Description
Marshall J.Cohen and Gregory H.Olsen "Near-IR imaging cameras operate at room temperature",LASER FOCUS WORLD, June 1993, pp.109-113
半導体積層体:(InP基板1/n+InGaAsバッファ層2/GaInNAs受光層3/InP窓層4)
各層の厚みは、大雑把に、InGaAsバッファ層2は1μm〜2μm程度、GaInNAs受光層3は2μm〜3μm、InP窓層4は0.5μm〜1.5μmである。InP窓層4上に、センシング部Sおよびモニタ受光部Mに開口部を有するマスクパターン5をSiNにより形成し、p型不純物のZnを各開口部からInP窓層4を通して導入してp型領域16を形成する。p型領域16は、GaInNAs受光層3に届いており、先端部にpn接合またはpin接合を形成する。その後、InP窓層4のp型領域16上にオーミック接触のp部電極11をPtTi等により、またInP基板1またはInGaAsバッファ層2の周縁部にオーミック接続するn部電極12をAuGeNi等により、それぞれ形成する。
Claims (5)
- 第1導電型半導体層および該第1導電型半導体層上に位置する受光層を含む1つの半導体積層体に、複数の受光素子が配列された受光素子アレイであって、
前記複数の受光素子の間に位置する1つまたは2つ以上のモニタ受光部を備え、
前記複数の受光素子および前記1つまたは2つ以上のモニタ受光部は、それぞれ、前記半導体積層体の一方の面である表面から前記受光層に届くように位置する第2導電型領域と、当該第2導電型領域にオーミック接触する電極と、を持つことを特徴とする、受光素子アレイ。 - 平面的に見て、前記モニタ受光部の前記第2導電型領域の面積は、前記受光素子におけるそれより小さいことを特徴とする、請求項1に記載の受光素子アレイ。
- 前記半導体積層体がIII−V族化合物半導体から構成され、前記第2導電型不純物がZnであることを特徴とする、請求項1または2に記載の受光素子アレイ。
- 前記受光素子がpin型フォトダイオードであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の受光素子アレイ。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の受光素子アレイと、前記受光素子アレイを駆動する駆動回路とを備える撮像装置であって、前記駆動回路は、前記モニタ受光部からの光入力レベル信号に基づいて、前記受光素子アレイの受光素子に制御信号を送り、当該受光素子におけるゲインの制御またはオンオフ制御を行うことを特徴とする、撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007272568A JP2009099914A (ja) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | 受光素子アレイおよび撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007272568A JP2009099914A (ja) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | 受光素子アレイおよび撮像装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012092981A Division JP5435065B2 (ja) | 2012-04-16 | 2012-04-16 | 受光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009099914A true JP2009099914A (ja) | 2009-05-07 |
Family
ID=40702597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007272568A Pending JP2009099914A (ja) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | 受光素子アレイおよび撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009099914A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6377171A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信器 |
JPH06165049A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-10 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JPH11275466A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Nikon Corp | 撮像装置 |
JP2007201432A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
-
2007
- 2007-10-19 JP JP2007272568A patent/JP2009099914A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6377171A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光受信器 |
JPH06165049A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-10 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JPH11275466A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Nikon Corp | 撮像装置 |
JP2007201432A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8044435B2 (en) | Sub-pixel nBn detector | |
US8293566B1 (en) | Strained layer superlattice focal plane array having a planar structure | |
US9111830B1 (en) | Perforated blocking layer for enhanced broad band response in a focal plane array | |
US11205668B2 (en) | Light receiving device, method of manufacturing light receiving device, imaging device, and electronic apparatus | |
Walther et al. | 256× 256 focal plane array midwavelength infrared camera based on InAs/GaSb short-period superlattices | |
JP2014521216A (ja) | InGaAsフォトダイオード・アレイ | |
JP2015119067A (ja) | 固体撮像装置、光検出器、および電子機器 | |
Inada et al. | MOVPE grown InGaAs/GaAsSb type II quantum well photodiode for SWIR focal plane array | |
US20230018071A1 (en) | Dual band photodiode element and method of making the same | |
US7968963B2 (en) | Photodiode array and image pickup device using the same | |
JP6904017B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP5435065B2 (ja) | 受光装置 | |
US20150021731A1 (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
CN104956484A (zh) | 具有电荷吸收掺杂区域的光电二极管阵列 | |
TWI601277B (zh) | 用於光電子材料中之垂直整合電荷轉移閘極技術之磊晶結構 | |
JP2009099914A (ja) | 受光素子アレイおよび撮像装置 | |
US20130009045A1 (en) | Self-Aligned Contacts for Photosensitive Detection Devices | |
US8039780B2 (en) | Photodiode array and image pickup device using the same | |
JP6633437B2 (ja) | 量子型赤外線センサ | |
JP5298499B2 (ja) | 受光素子アレイおよび撮像装置 | |
JP2009283603A (ja) | 検出装置、受光素子アレイおよびその製造方法 | |
JP4138853B2 (ja) | 赤外線センサic | |
JP2000503170A (ja) | 大規模光子放射検出器 | |
JP2616707B2 (ja) | 赤外線検出器の製造方法 | |
KR20060093445A (ko) | 양자구조 적외선 수광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110629 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110823 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120119 |