JP5432429B2 - 磁気共鳴イメージング・システムで使用するための複合封止容器及び、その製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、全般的には医用イメージング・システムに関し、さらに詳細には磁気共鳴イメージング・システムで使用するための複合構造体並びにその製造方法に関する。

ＭＲＩマグネットの真空容器は一般に、圧力境界を形成するようにマグネットの組み上げの間に一体に溶着させる構成要素から製作される。したがって、ＭＲＩマグネットの真空容器の機能は、適正な真空動作を維持するために高信頼性の圧力境界を提供することにある。時間の経過と共にリークすなわち気体の浸透があると真空圧力が上昇し、このためにマグネットの熱負荷が増大する。

当技術分野で周知の真空容器は通常、ステンレス鋼、炭素鋼、アルミニウムなどの金属から製作される。金属製の真空容器は真空力に耐えるだけの十分な強さをもつが、これらはうず電流を発生させると共に、ＡＣ磁場に曝されると撮像ボリューム内に望ましくない磁場歪みを発生させる。

非金属製の真空容器を製作するための試みがなされてきた。しかし非金属製真空容器は、気体や湿気を浸透させ正常な真空動作を阻害する傾向がある。

同様に、非金属製真空複合構造を覆うように薄肉の金属箔を用いて蒸気防止層を提供する試みもなされてきた。こうした複合構造の大きな欠点の１つは、真空複合構造のフランジ結合点における金属箔による封止が適正でないことである。
米国特許第４，７６８，００８号

したがって、うず電流の磁場影響を低減させた不浸透性の真空複合構造に対する要求が存在する。

本技法の一態様では、複合封止容器を提供する。本容器は、非金属製で概して円筒状の内側格納区画と、この内側格納区画の周りに配置させた非金属製で概して円筒状の外側格納区画と、を含む。これら内側及び外側格納区画の端部位置に１対の非金属製フランジを配置させ、キャビティをその内部に画定する閉鎖構造を形成している。本容器はさらに、閉鎖構造の上に配置させて漏出防止性の圧力境界を形成するための金属製外部ライニングを含む。さらに、複合封止容器を製造するための方法を提供する。さらに、磁気共鳴（ＭＲ）システムにおいてうず電流損を低減するためのシステムを提供する。

本技法の別の態様では、複合封止容器を提供する。本複合封止容器は、非金属製内側格納区画と、この内側格納区画の辺縁と結合させてキャビティをその内部に有する複合構造を形成している２つの非金属製フランジと、を含む。複合構造の上に外部ライニングを配置させて、キャビティ内部の真空圧力を維持するための漏出防止性の圧力境界を有する閉鎖複合構造を形成しており、この外部ライニングは、内側格納区画及び２つのフランジの上に溶着した薄肉の金属製シートと、外側格納区画を形成する厚肉の金属製シートと、を備えている。

これらの利点及び特徴、並びにその他の利点及び特徴は、添付の図面に関連して提供した本発明の好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことによってより容易に理解できよう。

以降の段落において、超伝導マグネット・アセンブリを製造するための手順について詳細に説明することにする。以下に記載する手順によれば、うず電流並びにうず電流により誘導される磁場を低減させたモータ用途、発電機用途、パワー超伝導磁場エネルギー蓄積用途、並びに磁気共鳴（ＭＲ）用途（核磁気共鳴スペクトロスコピー（ＮＭＲ）用途、磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）または磁気共鳴スペクトロスコピーを含む）などの超伝導マグネット構造体が製作される。一例として例示的なＭＲ用途に関する本技法の様々な態様について、以降で図面の支援を得ながら説明することにする。本技法についてＭＲ用途に関連して説明することにするが、本技法の教示は高効率動作のためにＡＣ損失の抑制を要するような別の用途に適用することもできることを理解されたい。

図１の全体を参照し、その全体を参照番号１０で表したマグネット・アセンブリに言及しながら製造技法について記載することにする。マグネット・アセンブリ１０は、ボア１４を囲繞する外側シェル（容器）１２を含む。イメージング用途では、撮像のためにこのボア１４内に被検体が配置されることは当業者であれば理解されよう。したがって、ボア１４は被検体に向かう撮像ボリュームへのアクセスを提供する。外側シェル１２は、外側ライニング１６と、内側ライニング１８と、２つの環状の端部ライニング・フランジ２０及び２２と、を含む。外側ライニング１６、内側ライニング１８、並びに２つの環状端部ライニング・フランジ２０及び２２は一緒になって、以下に記載するような排気したボリュームを取り囲む１つの閉鎖複合構造を形成している。

ここで図２を参照すると、図１のマグネット・アセンブリ１０を図１の線ＩＩ−ＩＩに沿って切った断面図を表している。図示したように、マグネット・アセンブリ１０は、ボア１４を囲繞する外側シェル１２を含む。外側シェル１２は、真空ボリュームすなわち真空キャビティ２４を取り囲むように製作される。真空キャビティ２４の内部には、超伝導マグネット・アセンブリ２６を配置させている。外側シェル１２は、複合内側円筒３０の上に複合外側円筒２８を同心円様式で配置させることによって製作される。複合外側円筒２８及び複合内側円筒３０は、１つの閉鎖複合構造を形成するように２つの環状フランジ３２及び３４を介して閉じられている。複合外側円筒２８、複合内側円筒３０、並びに２つのフランジ３２及び３４は、ガラス繊維材料、セラミック材料または合成プラスチック材料（ただし、これらに限らない）などのプラスチックまたは繊維材料から製作することができる。したがって、２つのフランジ３２及び３４は、その全体を参照番号３６で示すコーナーの位置で複合外側円筒２８及び複合内側円筒３０と一体に熱的に融合させること、さらにはこれらと分離可能に結合させることのいずれとすることもできる。

このように形成させた閉鎖複合構造は次いで、閉鎖複合構造の上に外部ライニングを形成する薄肉の金属製シートによって囲繞されかつ封止される。複合外側円筒２８の近傍に外側金属製ライニング１６が配置される一方、複合内側円筒３０の近傍に内側金属製ライニング１８が配置されている。フランジ３２及び３４のそれぞれの近傍には２つの環状端部ライニング２０及び２２が配置されている。外側金属製ライニング１６、内側金属製ライニング１８、並びに２つの環状端部ライニング２０及び２２はステンレス鋼、炭素鋼、アルミニウムなどの金属から製作することができる。これらの構成要素１６、１８、２０及び２２はその全体を参照番号３８で示す辺縁の位置で一体に溶着させることがある。したがって、外側シェル１２は、その全体を矢印４０で示す真空力に耐えるように真空ボリューム２４を取り囲んだ封止真空容器である。

ボア１４の内部で特に重要なＭＲマグネット及び傾斜アセンブリ１０の磁場が受ける影響は、外周縁の位置にある金属製ライニング１６によってかなりの程度まで小さくなることが指摘できよう。したがって、外側金属製ライニング１６は内側金属製ライニング１８と比べてより厚くすることがある。外周縁の位置にある金属製ライニング１６は、傾斜コイル及び撮像ボリューム１４からさらに離れており、したがってこれが受ける傾斜パルス磁場はより小さくなり、これにより撮像ボリューム１４内における磁場のじょう乱がより小さくなる。この金属製ライニングの厚さはその具体的な用途に依存しており、したがって設計上の選択の問題となる。この金属製ライニングの厚さはより低周波数の磁場はシートを貫通できる一方より高周波数の磁場は反射されるようなうず電流の浸透深さ（ｓｋｉｎ−ｄｅｐｔｈ）によって決まる。実際の遮断周波数は、材料の抵抗率とその厚さによって決まる。例えば、このＭＲマグネット・アセンブリ１０向けの様々な金属製ライニング要素は、内側金属製ライニング１８では概ね数分の１ミリメートル厚のステンレス鋼、並びに外側金属製ライニング１６では１〜２ミリメートル厚のステンレス鋼とすることがある。この厚さによって、より低周波数（約１００Ｈｚ未満）の磁場の通過が可能となる。

同様に別の様々な用途では、設計周波数遮断はその具体的な用途に依存する。例えばモータや発電機ではこの周波数は約１００Ｈｚ〜約５００Ｈｚとすることがあり、またパワー超伝導磁場エネルギー蓄積用途では約５００Ｈｚ〜約５ｋＨｚとすることがあり、また核磁気共鳴スペクトロスコピー（ＮＭＲ）システムではその範囲を約２ｋＨｚと約１０ｋＨｚの間とすることがある。

超伝導マグネット・アセンブリ２６は、機械的な支持構造（明瞭とするために図示せず）を介して真空ボリューム２４内で外側シェル１２の内部に配置させている。超伝導マグネット・アセンブリ２６は、複数の窪み４４を含んだ複合ボビン形状構造体４２を含む。複合ボビン４２は、銅などの熱伝導性ストランドをガラス繊維ストランドと巻き合わせ撚り合わせると共にエポキシ（ただし、これに限らない）によって強化して１つの複合体を形成して製作することがある。

窪み４４のそれぞれの中には、ニオブ−チタン製ワイヤなど金属製またはセラミック製のワイヤからなるコイルから製作することがある１つの超伝導コイル４６を配置させている。各窪み４４内に巻きつけた超伝導コイル４６は、電気的結合子やジャンパを介して近くの別の窪み４４内に配置された超伝導コイルと相互連結させている。複合ボビン４２の上には冷媒コイル４８を巻きつけ（すなわち、配置させ）この冷媒コイル４８が窪み４４を含まない箇所で複合ボビン４２の近傍に来るようにしている。

上述したように、超伝導コイル４６は複合ボビン４２の窪み４４内に巻きつけられる。各窪み４４内に配置させた超伝導コイル４６の各セグメントは、超伝導コイル４６が複合ボビン４２と電気的に結合するのを防止する絶縁用ライナー５０の上に配置させることがある。絶縁用ライナー５０はエポキシ製ライナーとすることや、別の電気絶縁材料とすることがある。さらに超伝導コイル４６のワイヤは、絶縁用材料でコーティングされることがあることが指摘できよう。こうして形成させた構造体は、均一な上側層を形成するポッティング（ｐｏｔｔｉｎｇ）材料５２でコーティングされる。その全体を参照番号５４で示した超伝導コイル４６のリード、並びにその全体を参照番号５６で示した冷媒コイル４８のコンジットは、マグネット動作制御回路及び冷媒供給機構（図示せず）のそれぞれと電気的に結合させるようにポッティング５２から出るように導かれることがある。

ここで図３を見ると、図１のマグネット・アセンブリ１０の外側シェル１２の分解図を表している。図示したように、外側シェル１２は、互いにその中心軸に関して同心円状に配列させた複合外側円筒２８と複合内側円筒３０を含む。この複合円筒２８及び３０に対するアキシャル方向に２つの環状フランジ３２及び３４を配列させ、環状フランジ３２及び３４と複合円筒２８及び３０とが一体となって環状内側ボリュームを覆う閉鎖複合構造を形成するようにしている。複合外側円筒２８の直径と環状フランジ３２及び３４の外側直径とは同じであることが指摘できよう。同様に、複合内側円筒３０の直径と環状フランジ３２及び３４の内側直径も同じである。

複合外側円筒２８の半径方向の上側にはこの複合外側円筒２８の外側直径と実質的に等しい直径を有する薄肉の外側金属製ライニング１６を配列させている。複合内側円筒３０の半径方向の上側にも、この複合内側円筒３０の内側直径と実質的に等しい直径を有する別の薄肉の内側金属製ライニング１８を配列させている。次いで、これらの金属製ライニング１６及び１８を、同じく金属製ライニング１６及び１８に対するアキシャル方向に配列させた２つの環状端部ライニング２０及び２２と一体に溶着させている。上で指摘したように、外側金属製ライニング１６は内側金属製ライニング１８と比べてより厚くすることがある。さらに、これらの金属製シート１６、１８、２０及び２２の溶着によって、こうして形成した外側シェルの真空封止が保証される。この金属製シートは単独では、容器内を真空吸引したときに容器壁の両側の圧力差に起因する力に耐えるだけの十分な強さでないため、その下に位置させた複合材料によって必要な強度を提供する。同時に、ライニングは複合材料を通過した容器内へのリークを防止するための気密性の境界を提供する。薄肉の金属を使用することによって、構造体全体に対するＡＣ磁場の影響が低下する。

図４は、図１のマグネット・アセンブリで使用するための外側シェル５８の代替的な一実施形態の断面図である。図示したように、外側シェル５８は、複合内側円筒３０と、外側金属製円筒６０と、を含む。この複合内側円筒３０と外側金属製円筒６０とは環状フランジ３２及び３４を用いて結合させている。次いでそのジョイントまたはコーナー３８の位置において、内側ライニング１８と２つの環状金属製ライニング２０及び２２とを一体に溶着させている。こうして形成した外側シェルは図のようにボア１４を含む。外側円筒６０は金属から製作されるが、この金属製円筒は、真空キャビティ２４の内部に配置させた超伝導マグネット・アセンブリ２６が発生させる強い磁場がＡＣ磁場と重なり合うことによって受ける影響はより小さい。その理由は、その磁場がボア内の中心方向に導かれるからである。したがって、外側円筒６０は磁場のより重要な部分から比較的離間されている。

図５の全体を見ると、マグネット・アセンブリで使用するための外側シェル６２の代替的な一実施形態の分解図を表している。外側シェル６２は、２つのフランジ（上側複合フランジ６６及び下側複合フランジ６８）を介して一体に結合させた複合円筒６４を用いて製作されている。複合円筒６４と複合フランジ６６及び６８とは、ガラス繊維、セラミック、プラスチックなどの繊維材料やプラスチック材料から製作されることがある。これらの構成要素６４、６６及び６８は閉じたパンケーキ状の構造体を形成するように熱的に融合または結合させることがある。次いで、複合円筒６４の外側直径と実質的に等しい内側直径を有する薄肉の金属製外側ライニング７０が、２つの金属製円盤（上側金属製ライニング７２と下側金属製ライニング７４）と溶着される。こうして形成した外側シェル６２は、超伝導マグネット・アセンブリをその内部に配置させる真空ボリュームすなわち真空キャビティを含む。こうしたマグネット・アセンブリは、開放型ＭＲＩや開放型磁気共鳴スペクトロスコピー・システムなどの開放型のＭＲシステムで利用されることがある。

図６は、ＭＲシステムのマグネット・アセンブリの外側シェルの内部で水平方向に配置できる超伝導マグネットの概要図である。図示したように、超伝導マグネット・アセンブリ２６の複合ボビン４２は窪み４４を含んでいる。窪み４４を２つだけ示しているが、複合ボビン４２はこれより多くの窪みを含むことがある。窪み４４には超伝導コイル４６が巻きつけられる。この２つの窪み４４内の超伝導コイル４６は複合ボビン４２の上側に走るジャンパまたは電気結合によって互いに結合させている。超伝導コイル４６のリード５４は、マグネット動作制御回路との電気結合まで導かれている。図示したように複合ボビン４２を覆うようにアンチ蒸気ロック構成で冷媒コイル７６を配列させている。例えば、水平向きにした超伝導マグネット構造体２６では、その冷媒コイル７６はよく知られた冷凍機冷却コイル構成で配置させることがある。水平向き超伝導マグネット構造体２６に関するこの冷凍機冷却コイル構成によって、冷媒の蒸気ロックが防止されることは当業者であれば理解されよう。この冷媒供給機構は、液体ヘリウムまたは当技術分野で周知の別の冷媒をその全体を参照番号７８で示した方向で冷媒コイル７６内に供給する。冷媒は冷媒コイル７６の底部８０まで流れ降りる。冷媒が超伝導マグネット２６を冷却するに連れて、冷媒は気化し蛇行した冷媒コイル７６を通過するが、この際に冷媒蒸気は冷媒コイル７６内でロックされることがない。気化した冷媒はその全体を参照番号８２で示した方向で冷媒供給機構内に脱出する。

上述したような熱伝導材料から製作した複合ボビン４２は、超伝導コイルから熱を取り除くような熱伝達に役立ち、これにより超伝導動作が維持される。発生した熱は冷媒コイル４８の方向に離れるように伝達される。したがって、熱伝導性の複合ボビン４２によって超伝導コイル４６と冷媒コイル４８の間の温度勾配が低下する。

図７は、ＭＲシステムのマグネット・アセンブリの外側シェル内部で垂直方向に配置できる超伝導マグネットの概要図である。図７は、窪み４４を含む超伝導マグネット・アセンブリ２６の複合ボビン４２を表している。図示したように、複合ボビン４２を覆うようにアンチ蒸気ロック構成で冷媒コイル８４が配列されている。この垂直向きの超伝導マグネット構造体２６では、その冷媒コイル８４はらせん構成で配置させている。この場合も、垂直向き超伝導マグネット構造体２６のこのらせん構成によって冷媒の蒸気ロックが防止される。冷媒供給機構はその全体を参照番号８６で示した方向で冷媒を冷媒コイル８４内に供給する。この冷媒は超伝導マグネット２６を冷却し、気化状態となってうずまき状冷媒コイル８４を通る。気化状態となった冷媒はその全体を参照番号８８で示した方向で冷媒供給機構内に脱出する。

上述した構造体は、磁気共鳴イメージング向けなどある範囲のシステム及び用途で使用することができる。図８の全体を見ると、上述した構造体をその内部に組み込んでいる磁気共鳴イメージング向けや磁気共鳴スペクトロスコピー用途などの磁気共鳴（ＭＲ）システム９０を表している。ＭＲシステム９０は被検体９４を受け容れるためのボア９２を有する閉鎖型ＭＲシステムを表している。被検体９４は、ボア９２の内部に導入することができる患者テーブル９６の上に横たえている。ＭＲシステム９０向けの磁場を発生させるためには、上述した技法を介して製作した超伝導マグネット・アセンブリ２６を含むマグネット・アセンブリ１０を利用することができる。この超伝導動作は撮像制御回路９８を介して制御することができる。

ここで図９を参照すると、開放型ＭＲシステム１００を表している。開放型ＭＲシステム１００向けの磁場は、マグネット・アセンブリ１０によって発生させることができる。マグネット・アセンブリ１０は、図５の教示に従って製作された外側シェル６２を含むことがある。外側シェル６２の内部には、ボアの無い厚肉の円盤形状を有することがある超伝導マグネット・アセンブリ２６を配置させることがある。ここでも、この超伝導動作は撮像制御回路９８を介して制御することができる。

ここまでに図示し説明した実施形態は限られた数の実施形態を示すに過ぎないものであり、本発明が開示したこうした実施形態に限定されないことは容易に理解できよう。それどころか本発明は、これまでに記載していないが本発明の精神及び趣旨に相応するような任意の数の変形形態、修正形態、置換形態、等価的機構を組み込むように修正することが可能である。例えば、超伝導マグネット・アセンブリ２６を取り囲む外側シェル１２を含んだマグネット・アセンブリ１０は、例えば従来の患者ボア構成、開放型ＭＲＩ構成、長Ｕ字型構成などで製作することができる。

さらに、本発明に関して様々な実施形態を記載しているが、本発明の態様は記載した実施形態のうちの一部のみを含むこともあり得ることを理解すべきである。したがって、本発明は上述の記述によって限定されるものと理解すべきではなく、添付の特許請求の範囲の趣旨によってのみ限定されるものである。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。

本技法の態様によるマグネット・アセンブリの斜視図である。 図１のマグネット・アセンブリを図１の線ＩＩ−ＩＩに沿って切った断面図である。 本技法の態様による図１のマグネット・アセンブリの外側シェル（容器）の分解図である。 本技法の態様による外側シェル（容器）の代替的な一実施形態を図１の線ＩＩ−ＩＩに沿って切った断面図である。 本技法の態様によるマグネット・アセンブリで使用するための外側シェルの代替的な一実施形態の分解図である。 本技法の態様による水平向きの超伝導マグネットの概要図である。 本技法の態様による垂直向きの超伝導マグネットの概要図である。 本技法の態様によるＭＲシステム内に配置させた超伝導マグネット・アセンブリを表している閉鎖型ＭＲシステムの概要図である。 本技法の態様によるＭＲシステム内に配置させた超伝導マグネット・アセンブリを表している開放型ＭＲシステムの概要図である。

符号の説明

１０ マグネット・アセンブリ
１２ 外側シェル（容器）
１４ ボア
１６ 外側ライニング
１８ 内側ライニング
２０ 端部ライニング・フランジ
２２ 端部ライニング・フランジ
２４ 真空ボリューム、真空キャビティ
２６ 超伝導マグネット構造体
２８ 複合外側円筒
３０ 複合内側円筒
３２ 環状フランジ
３４ 環状フランジ
３６ コーナー
３８ ジョイント、コーナー
４０ 真空力
４２ 複合ボビン形状構造体
４４ 窪み
４６ 超伝導コイル
４８ 冷媒コイル
５０ 絶縁用ライナー
５２ ポッティング
５４ リード
５６ コンジット
５８ 外側シェル
６０ 外側金属製円筒
６２ 外側シェル
６４ 複合円筒
６６ 上側複合フランジ
６８ 下側複合フランジ
７０ 金属製外側ライニング
７２ 上側金属製ライニング
７４ 下側金属製ライニング
７６ 冷媒コイル
７８ 冷媒供給方向
８０ 冷媒コイル底部
８２ 冷媒脱出方向
８４ 冷媒コイル
８６ 冷媒供給方向
８８ 冷媒脱出方向
９０ 閉鎖型ＭＲシステム
９２ ボア
９４ 被検体
９６ 患者テーブル
９８ 撮像制御回路
１００ 開放型ＭＲシステム

Claims (8)

1. 磁気共鳴イメージング・システムで使用するための複合封止容器（１２）であって、
   非金属製で概して円筒状の内側格納区画（３０）と、
   前記内側格納区画（３０）を周りに配置させた非金属製で概して円筒状の外側格納区画（２８）と、
   前記内側及び外側格納区画（２８、３０）の端部位置に配置させて１つのキャビティ（２４）をその内部に画定する閉鎖構造を形成している１対の非金属製フランジ（３２、３４）と、
   前記閉鎖構造の外面に直接隣接するように、前記閉鎖構造の外面上に配置させて漏出防止性の圧力境界を形成している金属製の外部ライニング（１６、１８）と、
   前記１対の非金属製フランジ（３２、３４）の外面に直接隣接するように、前記１対の非金属製フランジ（３２、３４）の外面上に配置させて漏出防止性の圧力境界を形成している１対の環状の金属製端部ライニング・フランジ（２０、２２）と、
   を備え、
   前記閉鎖構造が、前記内側格納区画（３０）と、前記外側格納区画（２８）と、前記１対のフランジ（３２、３４）とを含み、
   前記１対の非金属製フランジ（３２、３４）は、前記内側及び外側格納区画（２８、３０）と一体になるように前記内側及び外側格納区画（２８、３０）と融合しており、
   前記１対の環状の金属製端部ライニング・フランジ（２０、２２）及び前記金属製の外部ライニング（１６、１８）は前記閉鎖構造の外部表面の上で一体に溶着させた薄肉の高抵抗率金属製シート（１６、１８、２０、２２）を含む、
   複合封止容器（１２）。
2. 前記内側格納区画（３０）及び、前記外側格納区画（２８）はガラス繊維材料、炭素繊維材料またはセラミック材料のうちの１つを含む、請求項１に記載の複合封止容器（１２）。
3. 前記１対の非金属製フランジ（３２、３４）はガラス繊維材料、炭素繊維材料またはセラミック材料のうちの１つを含む、請求項１に記載の複合封止容器（１２）。
4. 前記金属製外部ライニング（１６、１８）は前記閉鎖構造の外側格納区画（２８）の近傍に厚肉の高抵抗率金属製シート（１６）を含む、請求項１に記載の複合封止容器（１２）。
5. 前記金属製外部ライニング（１６、１８）は低周波数の貫通を可能としかつ高周波数を遮蔽している、請求項１乃至４のいずれかに記載の複合封止容器（１２）。
6. 前記キャビティ（２４）内に配置させた超伝導マグネット（２６）を備える請求項１乃至５のいずれかに記載の複合封止容器（１２）。
7. 磁気共鳴イメージング・システムで使用するための複合封止容器（１２）を製造するための方法であって、
   非金属製内側格納区画（３０）及び非金属製外側格納区画（２８）を同心円構成で配置させる工程と、
   前記非金属製内側格納区画（３０）と前記非金属製外側格納区画（２８）とを２つの非金属製フランジ（３２、３４）を介して結合させることによって閉鎖複合構造を形成する工程と、
   前記閉鎖複合構造の周りに漏出防止性の圧力境界を形成するために、封止した薄肉金属製外部ライニング（１６、１８）と、該金属製外部ライニング（１６、１８）に溶着させた１対の環状の金属製端部ライニング・フランジ（２０、２２）であって、前記２つの非金属製フランジ（３２、３４）の外面上に配置させた前記１対の環状の金属製端部ライニング・フランジ（２０、２２）とにより該閉鎖複合構造を階層化する工程と、
   を含み、
   前記外部ライニング（１６、１８）が前記閉鎖構造の外面に直接隣接し、前記閉鎖構造の外面上に配置され、
   前記閉鎖構造が、前記内側格納区画（３０）と、前記外側格納区画（２８）と、前記１対のフランジ（３２、３４）とを含む、方法。
8. 前記１対の非金属製フランジ（３２、３４）が、前記内側及び外側格納区画（２８、３０）と一体になるように熱的に両者を融合させる工程を含む、請求項７に記載の方法。

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