CN211698154U - 一种超导磁体结构及磁共振设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于磁共振成像技术领域，公开了一种超导磁体结构及磁共振设备。所述超导磁体结构，包括：低温保持器，低温保持器具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；梯度线圈组件，其容纳于通孔中；超导线圈组件，其容纳于容腔中；电屏蔽层，其设置于超导线圈组件和梯度线圈组件之间，用于屏蔽梯度线圈组件向超导线圈组件逸散的交变电磁场。在磁共振设备工作时，电屏蔽层会屏蔽梯度线圈组件的交变场，与现有技术相比，避免出现涡流而引起超导线圈组件失超的情况，以保证系统正常稳定工作。

Description

一种超导磁体结构及磁共振设备

技术领域

本实用新型涉及磁共振成像技术领域，尤其涉及一种超导磁体结构及磁共振设备。

背景技术

超导磁共振设备正常工作时，梯度线圈会通入较大的交变电流，其产生的交变场会在梯度线圈、低温保持器以及超导线圈上产生涡流。由于涡流加热效应引起部件局部温度上升，还有可能引起超导线圈中的磁通跳跃，有可能导致线圈失超。

为了解决这个问题，在梯度线圈的设计中，充分考虑梯度逸散场的分布；同时磁体内部设置的热屏蔽层，可以同时起到屏蔽热辐射和隔热的作用，通过优化铝屏蔽层的位置或厚度，或者采用高电导率材料可屏蔽超导线圈外的交变场。这种方法简单直接，但热屏蔽层始终无法完全屏蔽梯度线圈的杂散场。同时，热屏蔽层与超导线圈之间采用机械连接，并不能保证两者有相同的机械固有频率。超导磁体是静磁场，铝屏蔽层在受到外部激振时，如果相对静磁场运动，会切割静磁场，从而在热屏蔽层上产生涡流，这些涡流会在超导线圈上感应出二次涡流，同样引起失超。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种超导磁体结构及磁共振设备，屏蔽效果好，避免出现失超的情况。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种超导磁体结构，包括：

低温保持器，所述低温保持器具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；

梯度线圈组件，其容纳于所述通孔中；

超导线圈组件，其容纳于所述容腔中；

电屏蔽层，其设置于所述超导线圈组件和所述梯度线圈组件之间，用于屏蔽所述梯度线圈组件向所述超导线圈组件逸散的交变电磁场。

作为优选，所述电屏蔽层采用中空结构的金属材料制成，且所述电屏蔽层沿所述超导线圈组件的轴向整体布置或分段布置。

作为优选，分段布置的每个所述电屏蔽层沿所述超导线圈组件轴向方向的宽度不小于与其相对应的所述超导线圈组件的宽度。

作为优选，所述低温保持器包括：

外容器，所述通孔开设于所述外容器上；

内容器，其设置于所述容腔内；

中间屏蔽层，其设置于所述外容器和所述内容器之间。

作为优选，在所述外容器、所述内容器、所述中间屏蔽层中至少一个的圆周面上设置有所述电屏蔽层，所述电屏蔽层设置于所述圆周面朝向所述超导线圈的一侧。

作为优选，所述电屏蔽层的进口穿过所述外容器的一侧并连通于第一制冷源，所述电屏蔽层的出口穿过所述外容器的另一侧并连通于第二制冷源，形成温度可控的制冷回路；

或者，所述电屏蔽层的进口连通于所述外容器，所述电屏蔽层的出口连通于所述内容器。

作为优选，所述低温保持器还包括制冷机，所述制冷机的制冷极延伸至所述内容器中；

所述制冷极通过导热极连接于所述超导线圈组件，用于所述超导线圈的冷却，所述电屏蔽层的进口和所述电屏蔽层的出口相互连通；

所述电屏蔽层上至少一处与所述制冷极或所述导热极相连接。

为达上述目的，本实用新型还提供了一种磁共振设备，包括低温保持器，所述低温保持器具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；

梯度线圈组件，其容纳于所述通孔中；

超导线圈组件，其容纳于所述容腔中

还包括电屏蔽层，设置在所述低温保持器中，用于屏蔽所述梯度线圈组件向所述超导线圈组件逸散的交变电磁场。

作为优选，所述低温保持器包括：

外容器；

内容器；

中间屏蔽层，其设置于所述外容器和所述内容器之间；

所述电屏蔽层设置在所述外容器朝向所述超导线圈组件的表面；和/或所述电屏蔽层设置在所述内容器朝向所述超导线圈组件的表面；和/或所述电屏蔽层设置在中间屏蔽层的侧面，且所述中间屏蔽层的侧面与所述外容器朝向所述超导线圈组件的表面垂直。

作为优选，所述超导线圈组件包括：

超导线圈；

线圈架，开设有线圈槽，所述线圈槽用于容纳所述超导线圈且所述线圈槽与所述超导线圈接触的底面设置所述电屏蔽层。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提供的超导磁体结构，包括低温保持器、梯度线圈组件、超导线圈组件及电屏蔽层，电屏蔽层设置于超导线圈组件和梯度线圈组件之间，电屏蔽层用于屏蔽梯度线圈组件向超导线圈组件逸散的交变电磁场。在磁共振设备工作时，电屏蔽层会屏蔽梯度线圈组件的交变场，与现有技术相比，避免出现涡流而引起超导线圈组件失超的情况，以保证系统正常稳定工作。

本实用新型提供的种磁共振设备，包括上述的超导磁体结构。该磁共振设备屏蔽效果好，避免出现失超的情况。

附图说明

图1是本实用新型实施例一提供的超导磁体结构的结构示意图；

图2是本实用新型实施例二提供的超导磁体结构的结构示意图；

图3是本实用新型实施例三提供的超导磁体结构的结构示意图；

图4是本实用新型实施例四提供的超导磁体结构的结构示意图。

图中：

1、低温保持器；2、梯度线圈组件；3、超导线圈组件；4、电屏蔽层；5、制冷机；51、制冷极；52、导热极；

11、外容器；12、内容器；13、中间屏蔽层；

111、第一外筒；112、第一内筒；113、第一封头；

121、第二外筒；122、第二内筒；123、第二封头；

131、第三外筒；132、第三内筒；133、第三封头；

31、内骨架；32、外骨架；33、内线圈；34、外线圈；

41、进口；42、出口。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

实施例一

本实施例提供了一种超导磁体结构，适用于超导磁共振设备领域中。如图1所示，该超导磁体结构包括：低温保持器1、梯度线圈组件2及超导线圈组件3，低温保持器1沿其轴向开设有通孔以在低温保持器1内形成容腔，通孔用于容纳梯度线圈组件2，容腔用于容纳超导线圈组件3，使得低温保持器1、梯度线圈组件2、超导线圈组件3三者同轴心装配并固定形成整体结构。

超导线圈组件3包括超导线圈和用于支撑超导线圈的线圈架。为了实现超导线圈组件3的超导，超导磁体结构还包括制冷机5，制冷机5具有温度很低的制冷极(也可称之为冷头)51，低温保持器1内可容纳有冷却介质，制冷机5的制冷极51向低温保持器1以热传递的方式与冷却介质进行热量交换，从而间接冷却超导线圈组件3。其中，低温介质为液氦。或者，在低温保持器1与制冷机5的制冷极51之间也可设置热传导件，通过热传导件实现两者之间的热量交换。

由于在低温保持器1的轴向延伸的通孔内设置有梯度线圈组件2，即梯度线圈组件2设置在低温容器1的外部，梯度线圈组件2在磁共振扫阶段，会在通孔内产生向外逸散的交变电磁场。同时，梯度线圈组件2还会产生高频激振，使得低温保持器1中各部件也产生一定的振动，这种机械振动与磁体的静磁场耦合，会产生涡流，如果交变电磁场和涡流场作用在超导线圈组件3上，严重的情况下会引起超导线圈组件3失超，同时也会给磁场均匀性带来一定的影响。

为了解决这个问题，本实施例提供的超导磁体结构还包括电屏蔽层4，电屏蔽层4设置于超导线圈组件3和梯度线圈组件2之间。本实施例中，电屏蔽层4设置于低温保持器1中，例如电屏蔽层4设置低温保持器1形成的容腔内表面，或者电屏蔽层4设置在形成低温保持器1的壳体夹层内。可选地，形成低温保持器1的壳体夹层可以包括多层。示例性地，低温保持器1的壳体包括内容器、外容器以及设置在内、外容器之间的中间屏蔽层(热屏蔽层)，电屏蔽层4可设置在上述三者中一者或多者的表面。电屏蔽层4用于屏蔽梯度线圈组件2向超导线圈组件3逸散的交变电磁场。在磁共振设备工作时，电屏蔽层4会屏蔽梯度线圈组件2的交变场，与现有技术相比，避免出现涡流而引起超导线圈组件3失超的情况，以保证系统正常稳定工作。

其中，如图1所示，低温保持器1为多层容器结构，低温保持器1包括外容器11、内容器12及中间屏蔽层13。外容器11采用钢材制成，优选碳钢或不锈钢制成。外容器11包括沿其径向方向由中心向外侧分别设置的第一外筒111和第一内筒112，第一外筒111和第一内筒112均为中空的圆柱形结构，在第一外筒111的两端分别设置有第一封头113，第一封头113为环形结构，第一封头113分别连接于第一内筒112和第一外筒111，以对其进行封堵。采用这种设置，外容器11的第一内筒112的内部空间形成上述通孔，在第一内筒112、第一外筒111及第一封头113之间形成容腔。

进一步地，在容腔内设置有内容器12，内容器12包括沿其径向方向由中心向内侧分别设置的第二内筒122和第二外筒121，第二内筒122和第二外筒121均为中空的圆柱形结构，在第二内筒122的两端分别设置有第二封头123，第二封头123为环形结构，第二封头123分别连接于第二内筒122和第二外筒121，以分别对其进行封堵。

在外容器11和内容器12之间设置有中间屏蔽层13，中间屏蔽层13包括沿其径向方向由中心向内侧分别设置的第三内筒132和第三外筒131，第三内筒132和第三外筒131均为中空的圆柱形结构，在第三内筒132的两端分别设置有第三封头133，第三封头133为环形结构，第三封头133分别连接于第三内筒132和第三外筒131，以分别对其进行封堵。具体地，第三内筒132位于第一内筒112和第二内筒122之间，第三外筒131位于第一外筒111和第二外筒121之间，第三封头133位于第一封头113和第二封头123之间。

进一步地，在内容器12的内部设置有超导线圈组件3，超导线圈组件3包括超导线圈和固定该超导线圈的线圈架。可以理解的是，线圈架上开设有线圈槽，线圈槽用于容纳超导线圈，且线圈槽与超导线圈接触的底面设置有电屏蔽层4。

在此实施例中，线圈架包括内骨架31、外骨架32；超导线圈包括内线圈33和外线圈34；内骨架31和外骨架32均为环形结构，内骨架31、外骨架32与内容器12的轴线重合，在内骨架31上绕设有内线圈33，外骨架32设置于内骨架31的外侧，外骨架32上绕设有外线圈34。可选地，外骨架32的径向尺寸大于内骨架31的径向尺寸，即：外骨架32设置在内骨架31的外侧。外线圈34的尺寸大于内线圈33的尺寸。

上述外容器11、内容器12、内骨架31及外骨架32通常由不锈钢等导电或导热差的材料制成，该材料对交变磁场的屏蔽效果差，且与超导线圈组件3的换热效果很差，超导线圈组件3对涡流生热很敏感。中间屏蔽层13采用铝合金材料制成，其导电能力强，可屏蔽一定的交变场，但其在屏蔽涡流场的同时会产生热量，导致自身温度上升，直接影响超导线圈组件3的制冷效率，甚至导致整个超导磁体结构宕机。

为此，在内线圈33的内侧和外线圈34的外侧之间，至少设置一层有电屏蔽层4，用于屏蔽梯度线圈组件2向超导线圈组件3逸散的交变电磁场。为了提高结构稳定性，电屏蔽层4采用焊接或粘接等物理方式进行固定，以将电屏蔽层4固定在其所在的壁面上，起到了进一步提高传热效率的作用。

具体地，电屏蔽层4采用金属材料制成，采用高电导率的材料可以屏蔽交变电磁场。电屏蔽层4优选采用铜或铝制成，使用成本较低。在外容器11、内容器12、中间屏蔽层13中至少一个的圆周面上设置有电屏蔽层4，电屏蔽层4均匀缠绕于圆周面上，电屏蔽层4设置于圆周面朝向超导线圈的一侧。

优选地，本实施例的电屏蔽层4利用细铜线沿超导线圈组件3的轴向方向均匀缠绕在外容器11的第一内筒112的外周上，从而实现交变电磁场的屏蔽。

电屏蔽层4为中空结构，电屏蔽层4采用圆管或矩形管，或者采用其他具有异形截面的中空线材。根据涡流和趋肤效应，该电屏蔽层4的管壁厚度需要尽量小。电屏蔽层4的管壁厚B，优选地，0.5mm≤B≤2mm。为了不影响低温保持器1的层间间隙，电屏蔽层4的内径为d，优选地，d≤5mm。

为了进一步起到交变电磁场的屏蔽效果，电屏蔽层4可以布置在涡流场较强的区域，可选地，电屏蔽层4沿超导线圈组件3的轴向整体布置或分段布置。分段布置的每个电屏蔽层4沿超导线圈组件3的轴向方向的宽度不小于与其相对应的超导线圈组件3的宽度，从而提高交变电磁场的屏蔽效果。

由于电屏蔽层4在屏蔽涡流场的同时会产生热量，导致自身温度上升，为了解决这个问题，电屏蔽层4内的温度可调，使得电屏蔽层4具有控制温度的冷却循环管路。该冷却循环管路不仅可带走梯度交变场的涡流热，同时可冷却外容器11的第一内筒112，降低其由梯度线圈组件2传热引起的升温，保证周围的电子器件的安全，同时起到了对梯度线圈组件2冷却和散热的作用。

可选地，在外容器11中，连续缠绕在第一内筒112上的中空铜线的两端分别穿过两个第一封头113，形成进口41和出口42，使得电屏蔽层4的进口41穿过外容器11的一侧并连通于第一制冷源，电屏蔽层4的出口42穿过外容器11的另一侧并连通于第二制冷源，电屏蔽层4内流通有冷却介质，形成温度可控的制冷回路。在磁共振设备工作时，铜线屏蔽梯度的交变场，涡流的加热作用在铜线上会产生热量，此时第一制冷源和第二制冷源工作，开启制冷回路，热量将由制冷回路很快带走，使得磁共振设备可正常稳定工作。

在某些情况下，需要保持磁共振扫描过程磁场的均匀性，往往需要保持外容器11的第一内筒112的磁导率不发生变化，而外容器11采用碳钢或不锈钢制作，其磁导率跟温度相关，此时可利用上述电屏蔽层4的制冷回路控制外容器11的第一内筒112的温度。可选地，冷却介质为温度恒定的介质，即在制冷回路中通入恒定温度的介质，将第一内筒112的温度稳定在某一温度下，以保证外容器11的磁导率稳定性。由于第一内筒112环抱的梯度线圈2在工作时也会产生较大热量同时温度显著上升，相应地，此冷却介质也间接地冷却梯度线圈，以及那些设置在第一内筒112上或梯度线圈内的铁磁性匀场片或者匀场条。

在某些情况下，上述制冷回路还可用来改变主磁场或调节主磁场的均匀性，可选地，冷却介质内添加有磁性介质，即在制冷回路中通入一定量的磁性介质流体，该磁性介质被磁化后将产生一定的磁场，其与主磁场叠加从而影响主磁场强度或均匀性。可以理解的是，通过调节磁性介质流体的温度，以达到微调叠加场的强度的目的。

实施例二

本实施例与实施例一的结构类似，区别仅在于电屏蔽层4的布置位置，故其他相同结构不再赘述。

如图2所示，本实施例提供的电屏蔽层4布置在中间屏蔽层13的第三内筒132上，采用中空细铜线连续均匀缠绕在第三内筒132的外圆柱面上涡流分布较大的位置，电屏蔽层4设置于圆周面朝向超导线圈的一侧。电屏蔽层4的两端分别设置有进口41和出口42，电屏蔽层4的进口41连通于外容器11或制冷机5，电屏蔽层4的出口42连通于内容器12，从而形成制冷回路。

采用这种方式，该电屏蔽层4可屏蔽由梯度线圈组件2向超导线圈组件3传播的交变场。同时，电屏蔽层4形成的制冷回路可被内容器12中的制冷介质冷却，即涡流产生的热量可被该制冷回路带走，且起到了冷却电屏蔽层4的作用，使得整个磁共振设备的系统热稳定性更好。

实施例三

由于越来越多的超导磁体结构采用低液氦或者传导冷却技术，此时超导线圈组件3对热量和涡流更为敏感，甚至越来越多的超导磁体结构没有设置内容器12，使得由梯度线圈组件2或中间屏蔽层13的振动等激发的交变电磁场将不会被很好的屏蔽，而直接逸散到超导线圈组件3的内线圈33中，极可能引起超导线圈组件3的失超。

如图3所示，为了屏蔽外部交变场，减少涡流对线圈的影响，本实施例提供的超导磁体结构与实施例一的结构类似，区别在于电屏蔽层4的布置位置。电屏蔽层4布置在内容器12的第二内筒122上。细铜管连续缠绕在第二内筒122的圆周面上，电屏蔽层4设置于圆周面朝向超导线圈的一侧。电屏蔽层4的进口41和电屏蔽层4的出口42相互连通，形成自循环的制冷回路，制冷回路内部预先充有冷却介质，如氦气等。

制冷极51通过导热极52连接于超导线圈组件3，用于冷却超导线圈组件3。可选地，电屏蔽层4上至少一处与制冷极51或导热极52相连接。采用这种方式，该电屏蔽层4可屏蔽向梯度线圈组件2逸散的交变场，而制冷回路的内部冷却介质作为可迅速地将交变涡流产生的热量带走，并被制冷极51冷却。

实施例四

本实施例与实施例三类似，区别仅在于电屏蔽层4的布置位置。如图4所示，本实施例提供的超导磁体结构，在超导线圈组件3的内侧和超导线圈组件3的外侧中至少一个设置有电屏蔽层4，用于屏蔽由外向内的交变场，电屏蔽层4内的冷却介质可迅速带走涡流产生的热量。可以理解的是，超导线圈组件3的线圈架上开设有线圈槽，线圈槽用于容纳超导线圈组件3的超导线圈，且线圈槽与超导线圈接触的底面设置有电屏蔽层4。优选地，超导线圈组件3和电屏蔽层4为一体成型结构，以保证具有较好的机械强度和传热特性。

可选地，将细铜线同心绕制在超导线圈组件3中内线圈33的内侧，且细铜线与内线圈33同步灌注环氧树脂胶，加热固化后形成整体线圈结构。采用这种方式制作的电屏蔽层4和内线圈33尺寸可控，制造方便。同时电屏蔽层4和内线圈33两者具有相同的热收缩率，经环氧树脂固化一体后，并具有较好的机械强度和传热特性。在电屏蔽层4和内线圈33共同冷却到极低温度时，电屏蔽层4具有非常优良的导电特性，其对外部交变场的屏蔽作用更好。

可选的，将细铜线同心绕制在超导线圈组件3中外线圈34的外侧，用于屏蔽由外部向外线圈34逸散的交变电磁场。可以预计的是，上述电屏蔽层4还可布置在与超导线圈组件3轴线垂直的壁面上，例如第一封头113、第二封头123及第三封头133等。

实施例五

本实施例提供了一种磁共振设备，包括上述的超导磁体结构。该磁共振设备屏蔽效果好，避免出现失超的情况。

该磁共振设备，包括：低温保持器1、梯度线圈组件2、超导线圈组件3及电屏蔽层4，低温保持器1具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔容腔，梯度线圈组件2容纳于通孔中，超导线圈组件3容纳于容腔中，电屏蔽层4设置在低温保持器1中，用于屏蔽梯度线圈组件2向超导线圈组件3逸散的交变电磁场。

具体地，低温保持器1包括：外容器11、内容器12、中间屏蔽层13，中间屏蔽层13设置于外容器11和内容器12之间。电屏蔽层4设置在外容器11朝向超导线圈组件3的表面；和/或电屏蔽层4设置在内容器12朝向超导线圈组件3的表面；和/或电屏蔽层4设置在中间屏蔽层13的侧面，且中间屏蔽层13的侧面与外容器11朝向超导线圈组件3的表面垂直。

于本文的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

在本说明书的描述中，参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

此外，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种超导磁体结构，包括：

低温保持器(1)，所述低温保持器(1)具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；

梯度线圈组件(2)，其容纳于所述通孔中；

超导线圈组件(3)，其容纳于所述容腔中；

其特征在于，还包括：

电屏蔽层(4)，其设置于所述超导线圈组件(3)和所述梯度线圈组件(2)之间，用于屏蔽所述梯度线圈组件(2)向所述超导线圈组件(3)逸散的交变电磁场。

2.根据权利要求1所述的超导磁体结构，其特征在于，所述电屏蔽层(4)采用中空结构的金属材料制成，且所述电屏蔽层(4)沿所述超导线圈组件(3)的轴向整体布置或分段布置。

3.根据权利要求2所述的超导磁体结构，其特征在于，分段布置的每个所述电屏蔽层(4)沿所述超导线圈组件(3)轴向方向的宽度不小于与其相对应的所述超导线圈组件(3)的宽度。

4.根据权利要求1所述的超导磁体结构，其特征在于，所述低温保持器(1)包括：

外容器(11)，所述通孔开设于所述外容器(11)上；

内容器(12)，其设置于所述容腔内；

中间屏蔽层(13)，其设置于所述外容器(11)和所述内容器(12)之间。

5.根据权利要求4所述的超导磁体结构，其特征在于，在所述外容器(11)、所述内容器(12)、所述中间屏蔽层(13)中至少一个的圆周面上设置有所述电屏蔽层(4)，所述电屏蔽层(4)设置于所述圆周面朝向所述超导线圈的一侧。

6.根据权利要求4所述的超导磁体结构，其特征在于，所述电屏蔽层(4)的进口(41)穿过所述外容器(11)的一侧并连通于第一制冷源，所述电屏蔽层(4)的出口(42)穿过所述外容器(11)的另一侧并连通于第二制冷源，形成温度可控的制冷回路；

或者，所述电屏蔽层(4)的进口(41)连通于所述外容器(11)，所述电屏蔽层(4)的出口(42)连通于所述内容器(12)。

7.根据权利要求4所述的超导磁体结构，其特征在于，所述低温保持器(1)还包括制冷机(5)，所述制冷机(5)的制冷极(51)延伸至所述内容器(12)中；

所述制冷极(51)通过导热极(52)连接于所述超导线圈组件(3)，用于所述超导线圈的冷却，所述电屏蔽层(4)的进口(41)和所述电屏蔽层(4)的出口(42)相互连通；

所述电屏蔽层(4)上至少一处与所述制冷极(51)或所述导热极(52)相连接。

8.一种磁共振设备，包括：

低温保持器(1)，所述低温保持器(1)具有容腔且环绕形成沿轴向延伸的通孔；

梯度线圈组件(2)，其容纳于所述通孔中；

超导线圈组件(3)，其容纳于所述容腔中；

其特征在于，还包括电屏蔽层(4)，设置在所述低温保持器(1)中，用于屏蔽所述梯度线圈组件(2)向所述超导线圈组件(3)逸散的交变电磁场。

9.根据权利要求8所述的磁共振设备，其特征在于，所述低温保持器(1)包括：

外容器(11)；

内容器(12)；

中间屏蔽层(13)，其设置于所述外容器(11)和所述内容器(12)之间；

所述电屏蔽层(4)设置在所述外容器(11)朝向所述超导线圈组件(3)的表面；和/或所述电屏蔽层(4)设置在所述内容器(12)朝向所述超导线圈组件(3)的表面；和/或所述电屏蔽层(4)设置在中间屏蔽层(13)的侧面，且所述中间屏蔽层(13)的侧面与所述外容器(11)朝向所述超导线圈组件(3)的表面垂直。

10.根据权利要求8所述的磁共振设备，其特征在于，所述超导线圈组件(3)包括：

超导线圈；

线圈架，开设有线圈槽，所述线圈槽用于容纳所述超导线圈且所述线圈槽与所述超导线圈接触的底面设置所述电屏蔽层(4)。

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