JP5429269B2 - ボンディングワイヤの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、ボンディングワイヤの製造方法に関し、特に、銅を主成分とする芯材の周囲に被覆層を形成した被覆済みワイヤを複数のダイスに挿通させて段階的に伸線する伸線工程を有するボンディングワイヤの製造方法に関する。
従来から、銅を主成分とする芯材の周囲をパラジウム等の被覆層で被覆した複層銅ボンディングワイヤが知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
かかる複層銅ボンディングワイヤは、銅からなる芯材の周囲をめっき等により被覆層で被覆した後、伸線工程を経て伸線加工され、所望の線径となるように細径化されて製造される。かかる複層銅ボンディングワイヤの伸線加工においては、金線および銅線に代表される単層ボンディングワイヤと同様のダイス設計にて伸線加工されてきた。
特許4554724号公報 特許4617375号公報
しかしながら、上述のような単層ボンディングワイヤを伸線するために設計されたダイスは、複層ボンディングワイヤを伸線加工する際、ワイヤの引抜時にかかる負荷が大きくなるという問題があった。特に、被覆層を形成した直後の線径が100μmある複層ボンデシングワイヤの連続伸線においては、ワイヤの引抜時にかかる負荷が非常に大きくなり、被覆層が芯材から脱落することがあるという問題があった。更に、被覆層が脱落し、芯材が露出することによって、ボンディングワイヤ表面の熱伝導性および金属流体への濡れ性が不均一となり、ボンディングにおけるボール形成時にボールの芯ズレや異形状を誘発するためにワイヤボンディング工程での収率および作業性を著しく悪化させるという問題があった。
ところで、発明者等の実験において、被覆層が芯材から脱落したボンディングワイヤを伸線方向と平行に断面加工し、走査型電子顕微鏡(SEM、Scanning Electron Microscope)で観察したところ、ダイスのベアリング部との摩擦により被覆層にしわが入ったり折り重なったりして、被覆層が芯材から脱落している部分が観察された。
また、従来の単層ボンディングワイヤのダイス設計を用いた評価では、被覆層の状態により被覆層が芯材から脱落し、ワイヤボンディングにおいて異常が発生することで収率および作業性が不安定になることが確認された。
そこで、本発明は、複層ボンディングワイヤの伸線工程において、被覆層が芯材から脱落することを抑制し、ワイヤボンディングにおける収率及び作業性を向上させることができるボンディングワイヤの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るボンディングワイヤの製造方法は、銅を主成分とする芯材の周囲に被覆層を形成した被覆済みワイヤを複数のダイスに挿通させて段階的に伸線する伸線工程を有するボンディングワイヤの製造方法であって、
前記伸線工程における前記ダイスのリダクション率を下記(1)式で定義したときに、
1つ目のダイスのリダクション率が5%以上10%以下の範囲にあり、
2つ目以降のダイスのリダクション率が5%以上15%以下の範囲にあり、
前記1つ目のダイスのリダクション率が前記2つ目のダイスのリダクション率よりも小さく設定されたことを特徴とする。
ここで、前記1つ目のダイスのリダクション率が5%以上8%以下の範囲で設定され、
前記2つ目以降のダイスのリダクション率が8%より大きく13%以下の範囲で設定されることが好ましい。
また、前記被覆層は、パラジウムを主成分とする構成としてもよい。
更に、前記被覆層は、めっきにより形成されるめっき層であることとしてもよい。
なお、前記芯材は、リンを含有して構成されてもよい。
本発明によれば、被覆層が芯材から脱落することを防止することができ、ワイヤボンディングにおける収率を高めることができるとともに、ワイヤボンディング工程における作業性を向上させることができる。
本発明の実施形態1に係るワイヤボンディングの製造方法の伸線加工が行われる被覆済みワイヤの一例を示した断面図である。 本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の伸線工程の一例を示した図である。 本発明の実施例1〜7及び比較例1〜6に係るボンディングワイヤの製造方法により製造されたボンディングワイヤを用いたワイヤボンディングの評価に用いた半導体パッケージを示した平面図である。 本発明の実施例8〜10及び比較例7に係るボンディングワイヤの製造方法により製造されたボンディングワイヤの外観検査の結果を示した図である。図4(A)は実施例8に係るボンディングワイヤの外観検査結果である。図4(B)は実施例9に係るボンディングワイヤの外観検査結果である。図4(C)は比較例6に係るボンディングワイヤの外観検査結果である。図4(D)は実施例10に係るボンディングワイヤの外観検査結果である。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
図1は、本発明の実施形態1に係るワイヤボンディングの製造方法において、伸線加工が行われる被覆済みワイヤの一例を示した断面図である。図1において、被覆済みワイヤ30は、芯材10と、被覆層20とを有する。被覆済みワイヤ30は、芯材10の周囲を被覆層20が被覆して構成される。
芯材10は、銅(Cu)を主成分とする金属線から構成され、銅の純度は99.99%以上である。また、芯材10は、微量のリン(P)を含有してもよい。なお、リンを銅からなる芯材10に含有させるには、例えば、ダイカストで金型に溶融した銅を圧入し、芯材10を連続鋳造により製造する際に、板状のリンを加えて銅と一緒に溶融させ、芯材10に添加させるようにしてもよい。
被覆層20は、銅を主成分とする芯材10を被覆できれば、種々の材料を用いることができるが、例えば、パラジウム(Pd)を用いるようにしてもよい。銅を主成分とする芯材10の被覆材としては、パラジウムが優れていることが判明しているので、被覆層20はパラジウムで構成してもよい。
被覆層20は、芯材10の周面を覆って被覆することができれば、種々の形成方法により形成されてよいが、例えば、めっきにより形成されてもよい。めっきは、例えば、パラジウムめっき液を保持しためっき槽に芯材10を浸漬させ、めっき槽内にアノードを浸漬させ、芯材10を負電極に接触させてカソードとすれば、芯材10の周囲にパラジウム膜が堆積し、パラジウムめっき層が被覆層20として形成される。被覆層20が他の金属で構成される場合であっても、同様にめっきを用いて、めっき層として形成することができる。
また、被覆層20は、芯材10の表面を確実に被覆することができれば、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成するようにしてもよい。但し、めっきは蒸着法やスパッタリング法と比較して安価であるので、特別な事情が無ければ、めっきにより被覆層20を形成することが好ましい。
このように、被覆済みワイヤ30は、例えば、銅を主成分とする芯材10の周囲に、被覆層20をめっきで形成することにより得ることができる。
被覆済みワイヤ30の線径は、100μm以上500μm以下の範囲とすることが好ましい。最終的な製品となるボンディングワイヤは、用途により要求される線径は異なるが、例えば、10〜80μmの範囲にあることが多い。かかる製品ニーズに合致させるため、最終の伸線工程で10〜80μmの線径まで細径化できるように、被覆済みワイヤ30の線径は100μm以上500μm以下の範囲であることが好ましい。
図2は、本発明の実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の伸線工程の一例を示した図である。図2において、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の伸線工程に用いられる伸線装置が示されているが、伸線装置は、キャプスタン50、51と、複数のダイス60〜67とを備える。また、図2において、関連構成要素として、被覆済みワイヤ30と、ボンディングワイヤ31と、スプール40、41とが示されている。
キャプスタン50、51は、被覆済みワイヤ30を支持するとともに、ダイス60〜67に送り出すための搬送支持手段である。キャプスタン50、51は、円筒形状を有し、2つのキャプスタン50、51が略平行に距離を空けて配置される。略平行に配置された2つのキャプスタン50、51に跨るように被覆済みワイヤ30が巻き回され、キャプスタン50、51が同一方向に回転することにより、被覆済みワイヤ30が送られる。
ダイス60〜67は、被覆済みワイヤ30を伸線し、細径化するための伸線加工手段である。ダイス60〜67は、複数備えられ、図2においては、8つのダイス60〜67が設けられている。ダイス60〜67は、入口側の径が広く、出口側の径が入口側よりも狭くなったテーパー形状部分を有する穴を備え、穴に被覆済みワイヤ30を挿通することにより、被覆済みワイヤ30が縮径(減面)されてゆく。1つのダイスの減面率は限界があるため、複数個のダイス60〜67を用意し、これに連続的に挿通させることにより、段階的に伸線加工を行う。つまり、1つのダイス60〜67を通過する度に、被覆済みワイヤ30は減面される。図2においては、8つのダイス60〜67が設けられ、被覆済みワイヤ30は、これをダイス60から順に通過してゆくため、8段階で縮径されることになる。
被覆済みワイヤ30は、スプール40に巻回された状態で伸線装置に供給される。また、ダイス60〜67を通過して伸線加工されたボンディングワイヤ31も、スプール41に巻き取られて収納される。ここで、スプール40、41は、ワイヤを巻き取るための円筒形又はローラ型の部材である。
かかる伸線装置を用いた本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては、被覆済みワイヤ30は、スプール40から巻き出され、キャプスタン50、51により搬送支持されて複数のダイス60〜67を順に連続的に通過し、伸線済みのボンディングワイヤ31がスプール41に巻き取られて伸線工程を終了する。
次に、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法に用いられるダイス60〜67の構成についてより詳細に説明する。図2に示したダイス60〜67の縮径率は、リダクション率又は減面率とも呼ばれるが、(1)式のように定義される。
本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては、1つ目のダイス60、2つ目のダイス61、3つ目のダイス62、4つ目のダイス63、5つ目のダイス64、6つ目のダイス65、7つ目のダイス66、8つ目のダイス67は、全てが同一のリダクション率に設定されている訳ではなく、1つ目のダイス60のリダクション率は、2つ目以降のダイス61〜67よりも、小さなリダクション率を有している。具体的には、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては、1つ目のダイス60のリダクション率は5%以上10%以下の範囲内にあり、2つ目以降のダイス61〜67のリダクション率は5%以上15%以下の範囲内にあり、かつ1つ目のダイス60のリダクション率が2つ目以降のダイス61〜67のリダクション率よりも小さく設定されている。そして、かかるリダクション率のダイス60〜67を用いて、伸線工程を行う。
また、より好ましくは、1つ目のダイス60のリダクション率が5%以上8%以下の範囲内で設定され、2つ目以降のダイス61〜68のリダクション率が8%より大きく13%以下の範囲内で設定される。
なお、被覆済みワイヤ30の線径は、上述のように、100μm以上500μm以下の範囲であり、その範囲の線径を有する被覆済みワイヤ30に対し、上述のリダクション率が有効となる。
このように、1つ目のダイス60のリダクション率を、2つ目以降のダイス61〜67のリダクション率よりも小さく設定するとともに、所定の範囲内にあるように制限を加えることにより、1つ目のダイス60において、大きな減面率で伸線加工を行うことが無くなる。被覆層20を有するボンディングワイヤにおいては、1つ目のダイス60による伸線加工において、大きな減面率で伸線を行うと、被覆層20から芯材10が露出するおそれが出てくる。1つ目のダイス60による伸線加工では、被覆層20が芯材10を確実に被覆した状態を維持しつつ、可能な範囲で伸線を行うことが重要である。1つ目のダイス60による伸線加工で、被覆層20をあまり薄くすることなく伸線できれば、2つ目以降のダイス61〜67のよる伸線加工では、大きな制約無く、伸線加工を行うことができる。
一方、1つ目のダイス60と2つ目以降のダイス61〜67とで大きな差が無い、全体が平均化したリダクション率で伸線を行った場合には、伸線工程全体で上述の場合と同じリダクション率となるように設定すると、1つ目のダイス60による伸線加工のリダクション率が大きくなってしまい、1つ目の伸線加工で被覆層20が薄くなり過ぎてしまう。そうすると、2つ目以降のダイス61〜67においてリダクション率が小さくても、被覆層20が芯材10から脱落する結果を招いてしまう。
このように、発明者等は、芯材10の表面に被覆層20を形成した直後の、被覆済みワイヤ30の線径が100μm以上500μm以下の範囲において連続伸線加工を行う際、1つ目のダイス60のリダクション率が10%以下かつ2つ目以降のセットダイス61〜67のリダクション率が15%以下であれば、ダイス60〜67から被覆済みワイヤ30にかかる負荷が低減され芯材10から被覆層20が脱落することを低減できることを経験的に把握した。
一方でリダクション率を5%未満とした場合、伸線を行ううえでダイス60〜67の個数が増加し、生産性、経済性を損ねる。また、リダクション率が5%以上の場合には、ダイス60〜67をワイヤが通過する際には、ワイヤには外側から内側に向かう応力が殆どを占めるが、リダクション率が5%未満になると、内側から外側に向かう応力がワイヤ内部に発生することが発明者等の実験により確かめられている。そうすると、ワイヤ内部で外側へとかかる応力、内側へとかかる応力の双方が発生することで、その界面に引張応力を生じる。引張応力を生じる場所が特に芯材10と被覆層20の界面であった場合、被覆層20が芯材10より脱落し易くなると考えられる。よって、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法においては、ダイス60〜67のリダクション率の下限を5%に設定している。
このように、被覆層20を有する複層ボンディングワイヤ31においては、単層ボンディングワイヤと異なり、1つ目のダイス60による伸線加工において、リダクション率を2つ目以降のダイス61〜67よりも小さく設定するとともに、適切な所定範囲内に設定することが重要であり、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の伸線工程においては、そのような伸線加工を行うことにより、被覆層20の芯材10からの脱落の少ないボンディングワイヤ31を製造することができる。
また、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法は、伸線槽内でキャプスタン50、51やダイス60〜67を伸線液中に沈めた状態で伸線したり、ダイス60〜67やキャプスタン50、51上に伸線液を吹き付けて伸線したりするといった伸線機の形態に左右されずに適用できる。また、円筒状のストレート型キャプスタンであるか、ワイヤ径が細くなるに従いキャプスタン径が大きくなるコーン型キャプスタンであるかといったキャプスタン形状には左右されずに適用できる。
次に、本発明のボンディングワイヤの製造方法を実施した実施例について説明する。なお、理解の容易のため、今まで説明した本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法の構成要素と同様の構成要素には同一の参照符号を付す。
本実施例に係るボンディングワイヤの製造方法においては、ボンディングワイヤ31の原材料として、芯材10に用いる銅は純度が99.999%以上の無酸素銅を用い、被覆層20のパラジウムの素材には市販のパラジウムめっき液を用いた。
ある線径まで伸線した銅を主成分としたボンディングワイヤを芯材10とし、そのワイヤの表面に、電解めっき法を用いてパラジウムの被覆層20を形成した。その後、さまざまなダイス60〜67を用意して連続伸線加工を行った。
直径が100〜500μmのリンを含有する銅を主成分としたボンディングワイヤを別途作製し、電解めっき法により、その表面にパラジウムを被覆した。その後、最終径25μmまで伸線加工し、最後に加工ゆがみを取り除き伸び値が5〜15%となるように熱処理を施した。
表1は、本実施例に係るボンディングワイヤの製造方法の実施条件と評価結果を示している。
表1に示すように、実施例1〜7に係るボンディングワイヤの製造方法で製造されたボンディングワイヤ31は、1個目のダイス60による減面率(リダクション率)が5.0%以上10.0%以下となっており、2個目以降のダイス61〜67による減面率(リダクション率)が8.8%以上14.7%以下となっており、かつ1個目のダイス60のリダクション率が2個目以降のダイス61〜67のリダクション率よりも小さく設定され、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法で述べたリダクション率となっている。
表2は、比較例に係るボンディングワイヤの製造方法の実施条件と評価結果を示している。
表2に示すように、比較例1〜4に係るボンディングワイヤの製造方法で製造されたボンディングワイヤは、1個目のダイスによる減面率(リダクション率)が10.0%以上となっており、本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法で述べたリダクション率に入っていない。同様に、比較例5、6に係るボンディングワイヤの製造方法で製造されたボンディングワイヤは、2個目以降のダイス61〜67による減面率(リダクション率)が15.0%以上の16.0%となっており、やはり本実施形態に係るボンディングワイヤの製造方法で述べたリダクション率に入っていない。
本実施例及び比較例において、ボンディングワイヤ31の評価はワイヤ表面の元素マッピング(オージェ電子分光による面分析、Auger Electron Spectroscopy、以下「AES分析」と呼ぶ。)、およびボール形状により評価を行った。
AES分析による評価においては、最終径まで伸線した後、熱処理を施したボンディングワイヤ31を、被覆元素と芯材元素を全体として、被覆元素の割合が98%を超える領域が観察視野内の99%以上を占める場合をA、95−99%の場合をB、95%未満の場合をCとして評価した。
ボンディングワイヤ31のボールの評価においては、固定電気トーチを持つカイジョー製ワイヤボンダFB780を用いて、通常の銅ワイヤボンディングに用いられる5%の水素と95%の窒素ガスからなる雰囲気ガス(以下、「5%H−N」、又は「フォーミングガス」と呼ぶ。)を用いて1000ワイヤ連続ボンディングを行った。そして、ワイヤボンダ装置が途中でボンディング不良により停止しなかったものをA、接合不良などにより装置が1−3回停止したものをBとして評価した。また、接合不良などにより装置が4回以上停止したもの、又は1回以上ワイヤがボンディング中キャピラリより抜けてワイヤボンダ装置が停止したものをCとして評価した。
図3は、本発明の実施例1〜7及び比較例1〜6に係るボンディングワイヤの製造方法により製造されたボンディングワイヤを用いた連続ボンディングについて、ワイヤボンディングの評価に用いた半導体パッケージを示した平面図である。
図3において、評価用の半導体パッケージは、銅ボンディングワイヤ31と、ボール70と、シリコンチップ80と、アルミニウム電極90と、パラジウムめっき付リード100を有する。評価に当たっては、厚さ0.8μmのアルミニウム電極90と、アルミニウム電極90とシリコン層との間に50nm厚のチタン層と50nmの酸化シリコン層とを有するシリコンチップ80の間に、各種銅ボンディングワイヤ31の超音波熱圧着ボールボンディングを行った。
表1の結果から、本実施においては、AES分析において銅露出を抑制し連続ボンディングにおける作業性を向上させる効果が見られた。
一方、表2の結果から、比較例ではAES分析において銅露出が確認され、結果連続ボンディングにおける作業性が悪化した。
このように、実施例1〜7、比較例1〜6による結果から、本実施例に係るボンディングワイヤの製造方法で製造されたボンディングワイヤを用いたワイヤボンディングの優位性を確認することができた。
表3は、実施例8〜10及び比較例7に係るボンディングワイヤの製造方法により製造されているボンディングワイヤついて、1つ目のダイス60による伸線加工の後の外観検査の結果を示している。実施例8〜10及び比較例7に係るボンディングワイヤの製造方法においても、実施例1〜7及び比較例1〜6と同様の被覆済みワイヤ30を用いて伸線工程を実施している。
表3に示すように、実施例8〜10、比較例7とも、被覆層20のめっき厚は0.8μmであるが、めっき後の線径は各例で異なっている。具体的には、実施例8及び9では、めっき後の線径は225.0μmであるが、実施例10では190.0μm、比較例7では216.0μmとなっている。
また、実施例8〜10では、1つ目のダイス60の減面率がそれぞれ7.84%、9.79%、5.81%であり、総て5%以上10%以下の範囲にあるが、比較例7では2.12%であり、原面率が5%未満の条件で伸線加工を行った。なお、1つ目のダイス60を通過した後の外観検査であるので、2つ目以降のダイス61〜67の減面率は特に示されていない。
評価結果は、表面に銅露出が無い場合をA、一部銅露出がある場合をB、全体に亘り銅露出がある場合をCとして示した。表3において、実施例8〜10においては銅露出が無かったが、比較例7では全体に亘り銅露出が存在する結果となっている。
図4は、本発明の実施例8〜10及び比較例7に係るボンディングワイヤの製造方法により製造されたボンディングワイヤの外観検査の結果を示した図である。図4(A)は実施例8に係るボンディングワイヤの外観検査結果であり、図4(B)は実施例9に係るボンディングワイヤの外観検査結果であり、図4(C)は比較例7に係るボンディングワイヤの外観検査結果であり、図4(D)は実施例10に係るボンディングワイヤの外観検査結果である。
図4(A)〜(D)において、各々3箇所の外観が示されている。図4(A)〜(D)に示すように、実施例8〜10に係る図4(A)、(B)、(D)は、3箇所とも良好な外観結果を示し、表面に銅の露出が見られない。しかしながら、比較例7に係る図4(C)においては、3箇所とも銅の露出が見られ、銅の露出が全体に見られる状態となっていることが分かる。
このように、1つ目のダイス60のリダクション率を5%未満とした場合にも、被覆層20が剥がれ易くなり、銅の露出が発生してしまう。
図4(A)〜(D)に示されるように、外観検査においても、本実施例に係るボンディングワイヤの製造方法により製造されたボンディングワイヤ31の優位性が確認され、被覆層20の表面への芯材10の露出が殆ど無いボンディングワイヤを製造することができることが分かる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
本発明は、半導体チップを実装するワイヤボンディングに使用するボンディングワイヤに利用することができる。
10 芯材
20 被覆層
30 被覆済みワイヤ
31 ボンディングワイヤ
40、41 スプール
50、51 キャプスタン
60〜67 ダイス
70 ボール
80 シリコンチップ
90 アルミニウム電極
100 パラジウムめっき付きリード

Claims (5)

  1. 銅を主成分とする芯材の周囲に被覆層を形成した被覆済みワイヤを複数のダイスに挿通させて段階的に伸線する伸線工程を有するボンディングワイヤの製造方法であって、
    前記伸線工程における前記ダイスのリダクション率を下記(1)式で定義したときに、
    1つ目のダイスのリダクション率が5%以上10%以下の範囲にあり、
    2つ目以降のダイスのリダクション率が5%以上15%以下の範囲にあり、
    前記1つ目のダイスのリダクション率が前記2つ目のダイスのリダクション率よりも小さく設定されたことを特徴とするボンディングワイヤの製造方法。
  2. 前記1つ目のダイスのリダクション率が5%以上8%以下の範囲で設定され、
    前記2つ目以降のダイスのリダクション率が8%より大きく13%以下の範囲で設定されたことを特徴とする請求項1に記載のボンディングワイヤの製造方法。
  3. 前記被覆層は、パラジウムを主成分とすることを特徴とする請求項1又は2に記載のボンディングワイヤの製造方法。
  4. 前記被覆層は、めっきにより形成されるめっき層であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のボンディングワイヤの製造方法。
  5. 前記芯材は、リンを含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のボンディングワイヤの製造方法。
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