JP5427253B2 - 有機el素子、若しくはそれを備えた表示パネル及び表示装置 - Google Patents
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Description
28の材料としては、ガラスや石英、セラミックス等の無機材料、若しくはポリエチレンテレフタレート等の樹脂材料等が挙げられる。
む第3導電層12aを設けることにより、ソースライン12がシリコン層11から剥離することを効果的に抑制することができる。従って、第3導電層12aを設けることにより、ソースライン12とシリコン層11とを確実に電気的に接続させることができる。また、第1導電層12bと第1絶縁層17aとの間にチタン(Ti)やタングステン(W)等を含む第2導電層12cを設けることにより、ソースライン12と第1絶縁層17aとの間で剥離が発生することを効果的に抑制することができる。
を実現することができる。
NPD)等の芳香族第3級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンサルフォネート(PEDT/PSS)、ポリ(トリフェニルアミン誘導体)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等の高分子材料、ポリ(P−フェニレンビニレン)前駆体、ポリ(P−ナフタレンビニレン)前駆体等の高分子材料前駆体が挙げられる。尚、ホール注入層141は、単層構造に限られるものではなく、多層構造でも勿論構わない。
を使用して測定した。
酸素等に対する耐久性を向上することができる。
10、110 第1基板
11 シリコン層
12、112 ソースライン
12a 第3導電層
12b 第1導電層
12c 第2導電層
13 ゲートライン
14 電源ライン
15、16 TFT
17a、117a 第1絶縁層
17b 第2絶縁層
18 ドレイン電極
19 第3絶縁層
20、120 樹脂層
21、121 画素電極
22 第4絶縁層
23 バンク
24 有機機能層
25 ホール輸送層
26 有機EL発光層
27 上部共通電極
28、128 封止基板
29、129 シール
30、130 ソース引き出し電極
31 ゲート引き出し電極
32 電源引き出し電極
33、133 ソース端子部
34 ゲート端子部
35 電源端子部
Claims (6)
- 第1基板と、
前記第1基板と離間して対向する封止基板と、
前記第1基板と前記封止基板とを封止し、前記第1基板と前記封止基板との間に封止空間を形成するシールと、
前記第1基板上にそれぞれ設けられたソースライン、ゲートライン、電源ライン、上部共通電極、及び画素電極と、
前記ソースラインに接続された第1TFTと、
前記電源ラインに接続され、前記電源ラインから前記画素電極へと電流を供給する第2TFTと、
前記画素電極と前記上部共通電極との間に形成された有機機能層と、
前記ゲートラインと前記画素電極との間に形成された樹脂層と
を少なくとも有し、
前記ソースライン、前記ゲートライン、前記電源ライン、前記画素電極、前記上部共通電極、及び、前記有機機能層が前記封止空間内に設けられた有機EL素子であって、
前記封止空間内において、前記ソースラインと電気的に接続されたソース引き出し電極を有し、
前記ソース引き出し電極は前記ゲートラインと同一膜で前記ソースラインよりも薄い層厚に形成されて前記シールの形成領域を横切り、前記第1基板上のソース端子部に電気的に接続されており、
前記樹脂層は、前記シールと前記第1基板との間に介在しないよう形成されており、
前記ソースラインは、第1導電層と、前記第1導電層の上に設けられた第2導電層とを有し、
前記第1導電層の幅は、前記第2導電層の幅よりも狭い有機EL素子。 - 請求項1に記載された有機EL素子において、
前記電源ラインと前記封止空間内において電気的に接続された電源引き出し電極を有し、前記電源引き出し電極は前記ゲートラインと同一膜で前記ソースラインよりも薄い層厚に形成されて前記シールの形成領域を横切り、前記第1基板上の電源端子部に電気的に接続されている有機EL素子。 - 請求項1に記載された有機EL素子において、
前記ソース引き出し電極の層厚が300nm以下である有機EL素子。 - 請求項1に記載された有機EL素子において、
前記第2導電層は、アルミニウム又は銅を含む有機EL素子。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載された有機EL素子を備えた表示パネル。
- 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載された有機EL素子を備えた表示装置。
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