JP5426898B2 - 摺動部材及びその製造方法 - Google Patents
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、表面側ほど硬さが小さくなるように変化する傾斜構造を有することが好ましい。
炭素皮膜を被覆する領域において凹部を有するものであることが好ましい。
図3の装置において、基材として焼入れを施した後鏡面にラッピングしたSUS420J2プレートを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を基材の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施した後鏡面にラッピングしたSUS420J2プレートを用い、また出発原料として、前半の膜厚0.5μmの形成はC2H2:25%、H2:75%の流量比の混合ガスを、後半の膜厚0.5μmの形成はC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにて、合計膜厚が1μmのダイヤモンド状炭素皮膜を基材の表面に形成した。
基材として焼入れを施した後鏡面にラッピングしたSUS420J2プレートを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、徐々にガス圧を4Paから12Paに上げる条件の下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を基材の表面に1μm厚で形成した。
(実施例4)
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2:50%、H2:50%の流量比で供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧5Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧3Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に0.5μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2の女性用産毛剃り刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を女性用産毛剃り刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSKD11の軸受けを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を軸受けの表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSKD11の軸受けを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を軸受けの表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施した後鏡面にラッピングしたSUS420J2プレートを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数150kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を基材の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施した後鏡面にラッピングしたSUS420J2プレートを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧5kV、電流250mA、周波数20kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を基材の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施した後鏡面にラッピングしたSUS420J2プレートを用い、また出発原料としてCH4のみを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を基材の表面に1μm厚で形成した。
(比較例3)
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧5kV、電流250mA、周波数20kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2:25%、H2:75%の流量比で混合ガスを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにて膜厚が1μmのダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2のバリカン刃を用い、また出発原料としてC2H2:25%、H2:75%の流量比で混合ガスを供給し、DCパルス電源から、電圧0.75kV、電流400mA、周波数250kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDによって、合計膜厚が1μmのダイヤモンド状炭素皮膜をバリカン刃の表面に形成した。
基材として焼入れを施したSUS420J2の女性用産毛剃り刃を用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧5kV、電流250mA、周波数20kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を女性用産毛剃り刃の表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSKD11の軸受けを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧5kV、電流250mA、周波数20kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を軸受けの表面に1μm厚で形成した。
基材として焼入れを施したSKD11の軸受けを用い、また出発原料としてC2H2のみを供給し、DCパルス電源から、電圧5kV、電流250mA、周波数20kHzの条件で電圧を印加することによって、ガス圧4Paの下、パルスプラズマCVDにてダイヤモンド状炭素皮膜を軸受けの表面に1μm厚で形成した。
B 表面にナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜
C 表面粗さがナノレベル以下のダイヤモンド状炭素皮膜
5 凹部
Claims (7)
- 表面にナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜によって、基材の表面が被覆されている摺動部材であって、前記ダイヤモンド状炭素皮膜のナノレベルの凹凸構造は、凹凸の最大高さRyが、1nm≦Ry≦100nmであり、前記基材の表面に、表面粗さが前記ナノレベル未満のダイヤモンド状炭素皮膜を介して、前記ナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜が被覆されていることを特徴とする摺動部材。
- 前記ナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜は、表面側ほど硬さが小さくなるように変化する傾斜構造を有することを特徴とする請求項1に記載の摺動部材。
- 前記基材の表面には、前記ナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜を被覆する領域において凹部を有するものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の摺動部材。
- 前記基材が刃物であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の摺動部材。
- 基材の表面にナノレベルの凹凸構造を有するダイヤモンド状炭素皮膜を形成した請求項1乃至4のいずれか1項に記載される摺動部材を製造する方法であって、出発原料に主成分として炭化水素を用い、前記炭化水素を分解させる原料分解工程と、分解した前記炭化水素を前記基材の表面に針状ダイヤモンド状炭素皮膜として堆積させる堆積工程とを有することを特徴とする摺動部材の製造方法。
- 出発原料に用いる前記炭化水素がアセチレン(C 2 H 2 )であることを特徴とする請求項5に記載の摺動部材の製造方法。
- 前記出発原料が、アセチレン(C 2 H 2 )のモル分率が50%以上であるアセチレン(C 2 H 2 )と水素(H 2 )の混合ガス、あるいはアセチレン(C 2 H 2 )のみからなることを特徴とする請求項5に記載の摺動部の製造方法。
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