JP5426583B2 - 波長可変レーザ光源 - Google Patents
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Description
ここで、mは回折次数、Λは単位長さあたりの格子線数の逆数を示す。回折格子の配置方法としては、良く知られているものにリトロー配置およびリットマン配置がある。リットマン配置では、式(1)において、θとδとは異なる値を持つ。一方、図1に示したようなリトロー配置では、θ=δとなるように回折格子を配置する。
2Λsinθ=λ 式(2)
回折格子への入射角θは、θ0から偏向部4によって生じる偏向角αおよび出射角βを考慮して、θ0+βmaxまで変化する。
ここで、回折格子5で回折される波長λ1は、次式で表される。
λ1=2Λsin(θ0+β) 式(3)
次に、光路長で決まる外部共振器モードの波長λ2は次式で表される。
λ2=λ0・x/x0 式(4)
式(4)において、x0は屈折率変調部3および偏向部4に電圧を印加する前の、発振器全体の光路長である。すなわち、x0は、半導体レーザ部2の端部にある図1には示していない反射ミラー面から回折格子5の反射面までの光路長である。xは、屈折率変調部3および偏向部4にそれぞれ制御電圧を印加した後の発振器全体の光路長である。λ0は、β=0すなわち偏向部4により偏向しないときに、リトロー配置によってきまる選択波長である。
x0=x1+n0x2+n0x3+x4 式(5)
ここで、X1は、半導体レーザ部2のミラー面から屈折率変調部2の入射面までの距離を、x2は屈折率変調部3の屈折率変調がないときの光路長を、x3は偏向部4の偏向がないときの光路長をそれぞれ示す。
n1=n0―0.5n0 3g11ε0 2εr2E1 2 式(9)
n2=n0―0.5n0 3g11ε0 2εr2E2 2 式(10)
式(9)、式(10)では、屈折率変調部3および偏向部4にはそれぞれ別々の電界E1、E2を印加し、半導体レーザの偏向方向が屈折率変調部3および偏向部4の電界の印加方向に一致しているとして、KTNを電気光学結晶の材料として用いた場合を示している。
従って、制御電圧を印加した後の全光路長xは、上述の各式を用いて下の式(13)で与えられる。
f1=c/λ1 式(14)
f2=c/λ2 式(15)
式(14)および式(15)で表される2つの周波数の差の絶対値が外部モード周波数の周期c/2x0の半分未満となれば、モードホップフリーの発振を実現できる。すなわち下記の不等式の関係を満足すれば、モードホップフリーの発振が可能となる。
|f1−f2|<c/4x0 式(16)
ここで、所望の波長可変帯域を確保するために偏向部4の制御電圧E2を印加し、さらに、式(16)の関係式を満たすように屈折率変調部3の制御電圧E1を印加して、屈折率を調整ことによって、モードホップフリーな波長可変光源が実現できる。従って、波長可変帯域の設定と、モードホップフリー発振の条件とを、各制御電圧E1、E2で別個に独立に行なうことができる。
2 半導体レーザ部
3 屈折率変調部
4 偏向部
5、106 回折格子
6a、6b、7a、8b 制御電極
101 利得媒質
102、111 集光レンズ
112 出力結合鏡
120 ポリゴンミラー
Claims (3)
- 発振波長において対応する利得を有する利得媒質と、回折格子とを少なくとも含む外部共振型波長可変レーザ光源において、
前記回折格子と前記利得媒質との間の光路上に配置され、第1の制御電圧によって電気光学結晶材料の屈折率を変調する屈折率変調部と、
前記回折格子と前記利得媒質との間の光路上で、前記屈折率変調部よりも前記回折格子側に配置され、第2の制御電圧によって電気光学結晶中の光路を前記第2の制御電圧の印加方向に偏向する偏向部と
を備え、
前記電気光学結晶材料は、タンタル酸ニオブ酸カリウム(KTa 1−x Nb x O 3 (0<x<1):KTN)、またはリチウムをドープしたタンタル酸ニオブ酸カリウム(K 1−y Li y Ta 1−x Nb x O 3 (0<x<1、0<y<1))であることを特徴とするレーザ光源。 - 前記第1の制御電圧を印加する電極の第1の構成材料と、前記第2の制御電圧を印加する電極の第2の構成材料とが異なることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。
- 前記屈折率変調部の電気光学結晶と、前記偏向部の電気光学結晶が、一体のものであることを特徴とする請求項1に記載のレーザ光源。
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