JP5420148B2 - 磁気源の位置を突き止める方法 - Google Patents
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Description
ジェイソン・ティー・シャーマン等(Jason T. Sherman et al.)により2005年12月30日に出願された米国実用特許出願(願番は未付与、発明の名称はコンピュータ支援整形外科手術システムを用いて患者の骨を登録するシステムおよび方法(SYSTEM AND METHOD FOR REGISTERING A BONE OF A PATIENT WITH A COMPUTER ASSISTED ORTHOPAEDIC SURGERY SYSYTEM))、ジェイソン・ティー・シャーマン等により2005年12月30日に出願された米国実用特許出願(願番は未付与、発明の名称はコンピュータ支援整形外科手術システムを用いて患者の骨を登録する装置および方法(APPARATUS METHOD FOR REGISTERING A BONE OF A PATIENT WITH A COMPUTER ASSISTED ORTHOPAEDIC SURGERY SYSYTEM))およびジェイソン・ティー・シャーマン等により2005年12月30日に出願された米国実用特許出願(願番は未付与、発明の名称は磁気センサアレイ(MAGNETIC SEMSOR ARRAY))を参照されたい。
本発明は、一般に整形外科手技の実施において用いられるコンピュータ支援手術システムに関する。
低侵襲整形外科手技がますます普及している。かかる手術手技は一般に、外科医が手術野を見る能力を制限するので、外科医は、外科手術を助けるコンピュータシステム、例えば、コンピュータ支援整形外科手術(CAOS)システムをますます利用している。
一態様によれば、コンピュータ支援整形外科手術システムを作動させる方法は、患者の骨に結合された磁気源の位置を突き止めるステップを含む。磁気源の位置を磁気源により生じた磁界に基づいて突き止めることができる。磁気源の位置を突き止めるステップは、磁界を検出するステップを含むのがよい。例えば、磁気源の位置を突き止めるステップは、三次元磁束密度またはその一部を検出するステップを含むのがよい。磁気源は、1つまたは2つ以上の磁石を含むのがよい。例えば、磁気源は、円筒形双極磁石を含むのがよい。磁気源を骨の中に植え込むことにより磁気源を骨に結合するのがよい。ジグを用いて磁気源を植え込むのがよい。磁気源が2つまたは3つ以上の磁石を含む実施形態では、磁石を互いに対して任意の向きに植え込むのがよい。例えば、磁石を互いに垂直に植え込むのがよい。加うるに、磁石を個々の磁界が互いに実質的に干渉し合わないように互いに距離を離して植え込むのがよい。例えば、磁気センサまたは磁気センサの集合体、例えば磁気センサアレイの最大検出距離の2倍以上離して、磁石を植え込むのがよい。
本発明の技術的思想は、種々の改造および変形形態で実施できるが、本発明の具体的な例示の実施形態が、図面に例示的に示されており、本明細書においてこれら例示の実施形態を詳細に説明する。しかしながら、本発明の技術的思想を開示した特定の形態に限定しようとするものではなく、これとは逆に、本発明は、特許請求の範囲に記載された本発明の精神および範囲に属する全ての改造例、均等例および変形例を含むものである。
nは、測定された磁束密度成分の個数であり、
Bthは、所与のセンサ位置のところにおける磁石450のi番目の磁束密度成分の理論的大きさであり、
Bmeは、所与の位置における磁石450のi番目の磁束密度成分の測定された大きさであり、
wiは、i番目の磁束密度成分に関する重み係数である。
重み係数wiを用いると、或る特定の磁気センサ350の効果を強調しまたは最小限に抑えることができる。例えば、幾つかの実施形態では、センサボード370の中心寄りに位置決めされた磁気センサ350に、センサボード370の周囲寄りに位置決めされた磁気センサ350よりも高い重み係数を与えるのがよい。特定の一実施形態では、重み係数wiは、標準化された重み係数である(即ち、0という値と1という値の範囲内にある)。加うるに、他の重み方式を用いてもよい。例えば、各重み係数wiは、i番目の磁束密度成分を測定する特定の磁気センサ350の磁界感度に基づくものであるのがよい。変形例として、重み係数wiは、各磁気センサ350に関してサンプルの所定の個数の平均で除算した標準偏差に基づくものであってもよい。他の実施形態では、重み係数wiを用いて飽和状態にありまたは磁気センサ350のノイズフロアを下回っているセンサを選択的に無視することができる。さらに、これら重み方式の組み合わせを幾つかの実施形態において使用できる。
本発明の具体的な実施態様は、次の通りである。
(A1)患者の骨に結合された磁気源の位置を突き止める方法において、
(i)磁気センサアレイを用いて前記磁気源により生じた磁界を測定するステップであって、前記磁界が、複数の三次元磁束密度で定められる、ステップと、
(ii)前記測定ステップに基づいて空間中の複数の点のところでの前記磁気源の前記三次元磁束密度の成分を表す第1のデータを生成するステップと、
(iii)前記磁気源の推定位置を突き止めるステップと、
(iv)前記推定位置に基づいて前記磁気源の前記三次元磁束密度の前記成分の理論的値を表す第2のデータを計算するステップと、
(v)前記第1のデータと前記第2のデータの差を計算するステップと、
(vi)前記ステップ(iii)〜ステップ(v)を繰り返し実施して前記第1のデータと前記第2のデータの差が所定の最小しきい値よりも小さくなるようにするステップと、を有する、方法。
(A2)実施態様(A1)記載の方法において、
前記測定ステップは、空間中の一点のところの前記磁気源の前記三次元磁束密度のX成分およびY成分を測定するステップと、前記X成分測定値および前記Y成分測定値が最小限に抑えられるよう前記磁気センサアレイを前記磁気源の長手方向軸線上に位置決めするステップと、を含む、方法。
(A3)実施態様(A1)記載の方法において、
第1のデータを生成する前記ステップは、空間中の前記複数の点のところにおける前記磁気源の前記三次元磁束密度のX成分値、Y成分値、およびZ成分値を表す電圧値を生じさせるステップを含む、方法。
(A4)実施態様(A1)記載の方法において、
推定位置を突き止める前記ステップは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの少なくとも1つの磁気センサの配設場所のX座標値、Y座標値、およびZ座標値を推定するステップを含む、方法。
(A5)実施態様(A4)記載の方法において、
推定位置を突き止める前記ステップは、前記磁気源のX軸回りの回転量を表す第1の値および前記磁気源のY軸回りの回転量を表す第2の値を推定するステップを含む、方法。
(A6)実施態様(A1)記載の方法において、
前記推定ステップは、前記磁気源の少なくとも5つの自由度に関する値を推定するステップを含む、方法。
(A7)実施態様(A1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、空間中の一点のところの前記磁界の前記三次元磁束密度のX成分、Y成分、およびZ成分の理論的値を計算するステップを含む、方法。
(A8)実施態様(A1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Bxは、X成分の理論的値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサの推定位置のX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する磁気センサのY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、方法。
(A9)実施態様(A1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Byは、Y成分の理論的値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサの推定位置のX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、方法。
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Bzは、Z成分の理論的値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサのX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、方法。
(A11)実施態様(A1)記載の方法において、
前記第1のデータと前記第2のデータの差を計算する前記ステップは、空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定X成分と推定X成分の差を計算するステップと、空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定Y成分と推定Y成分の差を計算するステップと、空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定Z成分と推定Z成分の差を計算するステップと、を含む、方法。
(A12)実施態様(A1)記載の方法において、
前記第1のデータと前記第2のデータの差を計算する前記ステップは、前記第1のデータと前記第2のデータの差の二乗の合計を計算するステップを含む、方法。
(A13)実施態様(A12)記載の方法において、
前記第1のデータと前記第2のデータの差の二乗の合計を計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Fは、加重和であり、
nは、測定される磁界強度成分の数であり、
wiは、i番目の測定成分に関する重み係数であり、
Bthは、i番目の測定成分の理論的値であり、
Bmeは、i番目の測定成分の測定値である、方法。
(A14)実施態様(A1)記載の方法において、
前記第1のデータと前記第2のデータの差を計算する前記ステップは、前記差の二乗の加重二乗根の和を計算するステップを含む、方法。
(A15)実施態様(A12)記載の方法において、
前記磁気源の位置を突き止める前記ステップは、小域的最適化アルゴリズムを用いて前記推定位置を調節することにより前記第1のデータと前記第2のデータの前記差の二乗の前記和の最小値を求めるステップを含む、方法。
(A16)実施態様(A12)記載の方法において、
前記磁気源の位置を突き止める前記ステップは、大域的最適化アルゴリズムを用いて前記推定位置を調節することにより前記第1のデータと前記第2のデータの前記差の二乗の前記和の最小値を求めるステップを含む、方法。
空間中の複数の点における前記磁気源により生じた磁界の三次元磁束密度成分を測定するステップと、
前記磁気源の推定位置に基づいて空間中の前記複数の点の各々における理論的三次元磁束密度の成分を計算するステップと、
前記測定した三次元磁束密度成分と前記理論的三次元磁束密度成分の差の二乗の和を計算するステップと、
前記和が所定の最小しきい値よりも小さくなるように、前記和を最適化するステップと、を有する、方法。
(A18)実施態様(A17)記載の方法において、
前記和を最適化する前記ステップは、前記推定位置を調節することにより前記和の局所最小値を求めるステップと、前記局所最小値に基づいて前記磁気源の前記位置を突き止めるステップと、を含む、方法。
(A19)実施態様(A17)記載の方法において、
前記磁気源の前記位置を突き止める前記ステップは、前記磁気源の少なくとも5つの自由度の値を求めるステップを含む、方法。
空間中の多数の点において前記磁気センサアレイを用いて前記磁気源により生じた磁界の三次元磁束密度成分を測定するステップと、
前記磁気センサアレイに対する前記磁気源の推定位置を突き止めるステップと、
空間中の前記複数の点の各々における前記推定位置に基づいて理論的な三次元磁束密度成分を計算するステップと、
前記推定位置を調節することにより、前記和が所定のしきい値よりも小さくなるまで、空間中の各点における前記測定された三次元磁束密度成分とこれらに対応した前記理論的三次元磁束密度成分の差の二乗の和を減少させるステップと、を有する、方法。
(i)磁気センサアレイを用いて前記磁気源により生じた磁界を測定するステップであって、前記磁界が、複数の三次元磁束密度で定められる、ステップと、
(ii)前記測定ステップに基づいて空間中の複数の点のところでの前記磁気源の前記三次元磁束密度の成分を表す第1のデータを生成するステップと、
(iii)前記磁気源の推定位置を突き止めるステップと、
(iv)前記推定位置に基づいて前記磁気源の前記三次元磁束密度の前記成分の理論的値を表す第2のデータを計算するステップと、
(v)前記第1のデータと前記第2のデータとの差を計算するステップと、
(vi)前記ステップ(iii)〜ステップ(v)を繰り返し実施して前記第1のデータと前記第2のデータとの差が所定の最小しきい値よりも小さくなるようにするステップと、
を有する、方法。
(B2)実施態様(B1)記載の方法において、
前記測定ステップは、
空間中の一点のところの前記磁気源の前記三次元磁束密度のX成分およびY成分を測定するステップと、
前記X成分測定値および前記Y成分測定値が最小限に抑えられるよう前記磁気センサアレイを前記磁気源の長手方向軸線上に位置決めするステップと、
を含む、
方法。
(B3)実施態様(B1)記載の方法において、
第1のデータを生成する前記ステップは、空間中の前記複数の点のところにおける前記磁気源の前記三次元磁束密度のX成分値、Y成分値、およびZ成分値を表す電圧値を生じさせるステップを含む、方法。
(B4)実施態様(B1)記載の方法において、
推定位置を突き止める前記ステップは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの少なくとも1つの磁気センサの配設場所のX座標値、Y座標値、およびZ座標値を推定するステップを含む、方法。
(B5)実施態様(B1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、空間中の一点のところの前記磁界の前記三次元磁束密度のX成分、Y成分、およびZ成分の理論的値を計算するステップを含む、方法。
(B6)実施態様(B1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Bxは、X成分の理論的値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサの推定位置のX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する磁気センサのY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、
方法。
(B7)実施態様(B1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Byは、Y成分の理論的値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサの推定位置のX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、
方法。
(B8)実施態様(B1)記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Bzは、Z成分の理論的値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサのX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、
方法。
(B9)実施態様(B1)記載の方法において、
第1のデータと第2のデータの差を計算する前記ステップは、
空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定X成分と推定X成分との差を計算するステップと、
空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定Y成分と推定Y成分との差を計算するステップと、
空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定Z成分と推定Z成分との差を計算するステップと、
を含む、
方法。
(B10)実施態様(B1)記載の方法において、
前記第1のデータと前記第2のデータとの差を計算する前記ステップは、前記第1のデータと前記第2のデータとの差の二乗の合計を計算するステップを含む、方法。
Claims (12)
- 固定構造物に結合された磁気源の位置を突き止める方法において、
(i)複数の磁気センサを有する磁気センサアレイを用いて前記磁気源の空間のある一点における三次元磁束密度のX成分およびY成分を測定し、前記磁気センサアレイを前記磁気源の長手方向軸線上に位置させるように前記磁気センサアレイを動かすことによって、前記X成分測定値および前記Y成分測定値を最小限に抑え、かつ、前記磁気センサアレイを前記磁気源の磁気モーメント上に位置させる、ステップと、
(ii)前記磁気センサアレイを用いて前記磁気源によってより形成された磁界を測定するステップであって、前記磁界は、前記最小限のX成分およびY成分の測定値となるように前記磁気センサアレイを位置させた後の前記複数の磁気センサに対応する複数の三次元磁束密度によって規定される、ステップと、
(iii)前記測定ステップに基づいて、前記複数の磁気センサに対応する空間中の複数の点での前記磁気源の前記三次元磁束密度の成分を表す第1のデータを生成するステップと、
(iv)前記磁気源の推定X座標がゼロ、推定Y座標がゼロであることを含む初期推定位置を突き止めるステップと、
(v)前記推定位置に基づいて前記磁気源の前記三次元磁束密度の前記成分の理論値を表す第2のデータを計算するステップと、
(vi)前記第1のデータと前記第2のデータとの差を計算するステップと、
(vii)前記第1のデータと前記第2のデータとの計算された前記差が所定の最小のしきい値より小さいかどうかを判定し、もしそうであれば停止する、ステップと、
(viii)前記第1のデータと前記第2のデータとの計算された前記差が所定の最小しきい値以上であれば、前記磁気源の推定位置を調節して前記ステップ(v)〜ステップ(vii)を繰り返し実施する、ステップと、
を有する、方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記ステップ(i)は、
前記磁気センサアレイの中央の磁気センサが前記磁気源の前記磁気モーメントと実質的に同一の軸上にあるように前記磁気センサアレイを位置させることを含む、
方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記ステップ(i)は、
前記磁気センサアレイの前記中央の磁気センサにおける前記磁気源の前記三次元磁束密度の前記X成分および前記Y成分を測定し、前記測定された前記X成分および前記Y成分がしきい値未満であるときに前記磁気センサアレイの前記中央の磁気センサが前記磁気源の前記磁気モーメントと実質的に同一の軸上にあると判定することを含む、
方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記ステップ(i)は、
前記磁気センサアレイの2つ以上の磁気センサにおける前記磁気源の前記三次元磁束密度の前記X成分および前記Y成分を測定し、前記測定された前記X成分および前記Y成分の合計が最小値であるときに前記磁気センサアレイが前記磁気源の前記磁気モーメントと実質的に同一の軸上にあると判定することを含む、
方法。 - 請求項1記載の方法において、
第1のデータを生成する前記ステップは、空間中の前記複数の点における前記磁気源の前記三次元磁束密度のX成分値、Y成分値、およびZ成分値を表す電圧値を生じさせることを含む、方法。 - 請求項1記載の方法において、
推定位置を突き止める前記ステップは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの少なくとも1つの磁気センサの位置のZ座標値を推定することを含む、方法。 - 請求項1記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、空間中の一点での前記磁界の前記三次元磁束密度のX成分、Y成分、およびZ成分の理論値を計算するステップを含む、方法。 - 請求項1記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Bxは、X成分の理論値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサの推定位置のX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する磁気センサのY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、
方法。 - 請求項1記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Byは、Y成分の理論値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサの推定位置のX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、
方法。 - 請求項1記載の方法において、
第2のデータを計算する前記ステップは、以下の方程式、即ち、
Bzは、Z成分の理論値であり、
xは、前記磁気源に対する前記磁気センサアレイの磁気センサのX座標値であり、
yは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のY座標値であり、
zは、前記磁気源に対する前記磁気センサの推定位置のZ座標値であり、
Θは、前記磁気源の前記推定位置のX軸回りの回転値であり、
Φは、前記磁気源の前記推定位置のY軸回りの回転値であり、
μは、自由空間の透磁率であり、
mは、前記磁気源の磁界強度であり、
である、
方法。 - 請求項1記載の方法において、
第1のデータと第2のデータの差を計算する前記ステップは、
空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定X成分と推定X成分との差を計算するステップと、
空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定Y成分と推定Y成分との差を計算するステップと、
空間中の一点における前記磁気源の前記三次元磁束密度の測定Z成分と推定Z成分との差を計算するステップと、
を含む、
方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1のデータと前記第2のデータとの差を計算する前記ステップは、前記第1のデータと前記第2のデータとの差の二乗の合計を計算するステップを含む、方法。
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