JP5419211B2 - エナメル被覆絶縁電線およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)前記熱処理は非酸化性雰囲気中300℃以上500℃以下の温度で行われる。
(2)前記熱処理は酸化性雰囲気中150℃以上200℃以下の温度で紫外線を照射しながら行われる。
(3)前記処理溶液中の前記金属成分の濃度が0.001質量%以上1.0質量%以下である。
(4)前記中間層は有機非晶質マトリックス中に前記金属酸化物粒子が分散した構造を有する。
(5)前記中間層の平均厚さが20 nm以上2000 nm以下である。
(6)前記絶縁被膜がポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタンのいずれかを主成分とする樹脂組成物からなる。
(7)前記金属導体が銅(Cu)、銅合金、アルミニウム(Al)またはアルミニウム合金からなる。
図1は、本発明に係るエナメル被覆絶縁電線の1例を示す横断面模式図である。図1に示すように、本発明に係るエナメル被覆絶縁電線1は、金属導体2の外周に金属酸化物粒子を含有する中間層3が設けられ、その中間層3の外周に絶縁被覆4が設けられたものである。金属酸化物粒子は、亜鉛(Zn)もしくは錫(Sn)の金属酸化物、および/または亜鉛もしくは錫と導体金属(金属導体2の金属種)との複合金属酸化物からなり、金属酸化物粒子の平均粒子径は1 nm以上50 nm以下である。
図2は、本発明に係るエナメル被覆絶縁電線の製造方法の1例を示すフロー図である。はじめに、金属導体2の表面に付着している有機物等を除去して清浄化する。表面清浄化の方法に特段の限定はないが、製造の自動化や製造速度を考慮すると(例えば、インラインで表面清浄化工程を行う場合を想定すると)、陰極電解脱脂洗浄や紫外線照射などにより有機付着物を分解除去する方法が好ましい。
一般的に滑らかな状態の金属表面(特に、良導電体である銅、銀、金などの場合)は、高分子樹脂との接着力が低いことから、シランカップリング剤処理などによる中間層を金属表面上に形成して高分子樹脂との接合が行われていた。しかしながら、シランカップリング剤等から形成された従来の中間層は、有機官能基を介して高分子樹脂と化学結合しているため、高温(例えば、150℃以上)で数時間(例えば、1時間以上)の加熱を受けると有機官能基自体が構造変化したり分解したりして結合力(接着性)が低下する場合があった。
後述する手順で作製したエナメル被覆絶縁電線(実施例1〜9および比較例1〜8)に対して次のような密着特性試験を行った。各エナメル被覆絶縁電線を250 mm離れた2つのクランプに固定し、電線長手方向と平行になるように2片の絶縁被膜を全長にわたって除去した。その後、室温環境において、一方のクランプを回転させ(他方は固定)、除去していない絶縁被膜が金属導体から浮いた時点(部分的な剥離が生じた時点)の回転回数を初期密着性として評価した。また、耐熱信頼性の評価として加熱後の密着性を調べた。各エナメル被覆絶縁電線に対して160℃の恒温槽中で6時間の加熱処理を行った後、上述と同様の密着特性試験を行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、はじめに陰極電解脱脂洗浄による表面清浄化を行った。電解洗浄液は10%水酸化ナトリウム水溶液を用いた。電解脱脂条件は、電流密度を5 A/dm2とし、洗浄時間を約2秒とし、温度を40〜50℃とした。その後、水洗・乾燥を行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:35 mW/cm、照射距離:10 cm)による紫外線照射を10分間行った後、該紫外線を照射しながら窒素雰囲気中500℃で1分間保持する表面清浄化 兼 焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸亜鉛をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Zn濃度=0.5質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で30分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸錫をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Sn濃度=0.5質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で30分間保持とした。紫外線照射は、5 HzのArFレーザー(波長:193 nm、出力:50 mJ/cm2)をビームスプリッタで2分割し、ミラーで方向を調節して被熱処理体の左右から行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、アセチルアセトン亜鉛をメタノール溶媒で希釈した処理溶液(Zn濃度=0.5質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で30分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリエステルイミド樹脂組成物塗料を用い、金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例1)を作製した。すなわち、比較例1は、実施例2と比較して中間層を具備しないエナメル被覆絶縁電線である。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、メルカプトシラン化合物を用いて金属導体の表面にシランカップリング処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリエステルイミド樹脂組成物塗料を用い、シランカップリング処理した金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例2)を作製した。すなわち、比較例2は、実施例2と比較して従来の有機中間層を具備するエナメル被覆絶縁電線である。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、ゾル−ゲル法による処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。ゾル−ゲル法による処理溶液としては、亜鉛イソプロポキシドをイソプロパノールに加え、更にジエタノールアミンを加えて室温で10時間撹拌したもの(Zn濃度=0.5 mol/L)を用いた。アミンは安定化のために加えており、亜鉛イソプロポキシドとジエタノールアミンは等モル量とした。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で100分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例1と同様の手順により表面清浄化工程を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸亜鉛をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Zn濃度=0.1質量%)を用いた。熱処理条件は、窒素雰囲気中300℃で20分間保持とした。本実施例では「中間層形成のための熱処理」をもって「焼鈍熱処理」を代用した。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸亜鉛をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Zn濃度=0.1質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中150℃で40分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリアミドイミド樹脂組成物塗料を用い、金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例4)を作製した。すなわち、比較例4は、実施例5と比較して中間層を具備しないエナメル被覆絶縁電線である。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、メルカプトシラン化合物を用いて金属導体の表面にシランカップリング処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリアミドイミド樹脂組成物塗料を用い、シランカップリング処理した金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例5)を作製した。すなわち、比較例5は、実施例5と比較して従来の有機中間層を具備するエナメル被覆絶縁電線である。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸亜鉛をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Zn濃度=0.01質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で30分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリイミド樹脂組成物塗料を用い、金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例6)を作製した。すなわち、比較例6は、実施例7と比較して中間層を具備しないエナメル被覆絶縁電線である。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸亜鉛をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Zn濃度=1.0質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で30分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリエステル樹脂組成物塗料を用い、金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例7)を作製した。すなわち、比較例7は、実施例8と比較して中間層を具備しないエナメル被覆絶縁電線である。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。その後、有機金属化合物を含有する処理溶液中に金属導体を浸漬して該処理溶液を塗布し、溶媒乾燥後、中間層形成のための熱処理を行った。有機金属化合物を含有する処理溶液中に処理溶液としては、2エチルヘキサン酸錫をアセトンとトルエンとの1対1混合溶媒で希釈した処理溶液(Sn濃度=0.1質量%)を用いた。熱処理条件は、紫外線を照射しながら大気中200℃で30分間保持とした。紫外線照射は、熱処理炉に取り付けた低圧水銀ランプ(主波長:254 nm、ランプ強度:40 mW/cm、照射距離:10 cm)により行った。
金属導体として線径1.0 mmの銅線を用い、実施例2と同様の手順により表面清浄化工程と焼鈍熱処理を行った。次に、絶縁塗料としてポリウレタン樹脂組成物塗料を用い、金属導体の外周に該絶縁塗料を塗布・焼き付けする工程を行って厚さ30μmの絶縁被膜を有するエナメル被覆絶縁電線(比較例8)を作製した。すなわち、比較例8は、実施例9と比較して中間層を具備しないエナメル被覆絶縁電線である。
Claims (9)
- 金属導体上に絶縁被膜塗料を塗布・焼き付けして絶縁被膜を形成するエナメル被覆絶縁電線の製造方法であって、
金属成分が亜鉛または錫である有機金属化合物を含有する処理溶液を前記金属導体の直上に塗布する工程と、
塗布した前記有機金属化合物に熱処理を施して前記金属成分の酸化物を含む中間層を前記金属導体に密着形成する工程と、
ポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタンのいずれかを主成分として含む樹脂組成物からなる前記絶縁被膜塗料を前記中間層上に塗布する工程とを含み、
前記有機金属化合物が有機カルボン酸金属錯体またはβ―ジケトン金属錯体であることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線の製造方法。 - 請求項1に記載のエナメル被覆絶縁電線の製造方法において、
前記熱処理は非酸化性雰囲気中300〜500℃の温度で行われることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線の製造方法。 - 請求項1に記載のエナメル被覆絶縁電線の製造方法において、
前記熱処理は酸化性雰囲気中150〜200℃の温度で紫外線を照射しながら行われることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線の製造方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエナメル被覆絶縁電線の製造方法において、
前記処理溶液中の前記金属成分の濃度が0.001〜1.0質量%であることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線の製造方法。 - 金属導体の外周に絶縁被膜が形成されたエナメル被覆絶縁電線であって、
前記金属導体と前記絶縁被膜との間で該金属導体の直上に金属酸化物粒子を含有する中間層が形成され、
前記金属酸化物粒子は亜鉛もしくは錫の金属酸化物および/または亜鉛もしくは錫と導体金属との複合金属酸化物からなり、
前記金属酸化物粒子の平均粒子径が1〜50 nmであり、
前記中間層は前記金属酸化物粒子に起因する表面凹凸を有する層であることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線。 - 請求項5に記載のエナメル被覆絶縁電線において、
前記中間層は、有機非晶質マトリックス中に前記金属酸化物粒子が分散した構造を有することを特徴とするエナメル被覆絶縁電線。 - 請求項5または請求項6に記載のエナメル被覆絶縁電線において、
前記中間層の平均厚さが20〜2000 nmであることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線。 - 請求項5乃至請求項7のいずれかに記載のエナメル被覆絶縁電線において、
前記絶縁被膜がポリエステルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタンのいずれかを主成分とする樹脂組成物からなることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線。 - 請求項5乃至請求項8のいずれかに記載のエナメル被覆絶縁電線において、
前記金属導体が銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とするエナメル被覆絶縁電線。
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