JP5414390B2 - 有機el表示装置 - Google Patents

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本発明は、有機EL表示装置に関するものである。
有機EL表示装置の構成部材である有機EL素子は、EL発光性能を持つ有機低分子化合物あるいは有機高分子化合物を含む発光層を有する電子素子である。また有機EL素子は自ら発光する素子であるため、広い視野角性能を有し、耐衝撃性に優れる等、ディスプレイ用電子素子として理想的な特長を有している。このため有機EL素子は、各種の分野において研究開発が精力的に進められている。
ところで有機EL素子を製造する方法としては、現在実用化されている真空蒸着法の他に、印刷法、インクジェット法、ディスペンス法等の湿式法による製造方法が広く研究開発されている。ここで湿式法とは、有機溶剤に有機EL素子の構成材料を溶解して塗布する製造方法であるが、画素間の塗り分けを可能にする目的で、通常はバンク(隔壁)が設けられている。さらに、画素間の混色を防ぐ目的で、通常はバンク等に撥液処理が施されている(特許文献1)。
ここで湿式法を用いて有機EL材料をバンク間に塗布した場合、溶媒が乾燥する過程で、バンクの側壁部には必ずメニスカスと呼ばれるそり上がり部分が形成される。このメニスカスが形成された部分の膜厚は、他の部分に対して大きいため、非発光部となる。従って、このメニスカスの発生により、発光素子の開口率が大きく低下する。
そこで、このメニスカスを低減する試みがこれまでになされてきた。具体的には、特許文献2に示されるバンクの撥液性を変化させた積層バンクを形成する方法、特許文献3に示される溝の端部に溝を形成する方法等が提案されている。しかしこれらの方法では、実用的に許容なレベルにまでメニスカスが低減されたとはいえない。
特許3646510号公報 特開2007−095606号公報 特開2006−171086号公報
本発明は、上記課題に鑑みて鋭意検討した結果得られたものであり、その目的は、バンク側壁に発生し得るメニスカスが極めて小さい有機EL表示装置を提供することである。
本発明の有機EL表示装置は、基板と、
該基板上に設けられる有機EL素子部と、
該基板上に設けられ、該有機EL素子部を区画するバンクと、から構成され、
該バンクが、該バンク下部に設けられる第一の側壁と、該バンク上部に設けられる第二の側壁と、を有し、
該バンクが、撥液性を有しており、
該第一の側壁のテーパ角が鈍角であり、
該第二の側壁のテーパ角がほぼ垂直であり、
該第一の側壁の高さが50nm乃至500nmであり、
該第一の側壁の該基板面への投影長さが50nm乃至500nmであることを特徴とする。
本発明によれば、バンク側壁に発生し得るメニスカスが極めて小さい有機EL表示装置を提供することができる。このため、VGAレベルの様な画素サイズが極めて小さい有機EL表示装置の場合でも、開口率が50%以上確保することができる。
本発明の有機EL表示装置における実施形態の一例を示す断面模式図である。 図1の有機EL表示装置に設けられているバンクの配置領域の一例を示す平面概略図である。 本発明の有機EL表示装置を構成する下部電極の態様の他の例を示す断面模式図である。 (a)は、図1中の点線で囲まれた領域の部分拡大図であり、(b)は、(a)中に示されるバンク及びその周辺を拡大した断面模式図である。 従来の有機EL表示装置を示す断面模式図である。 有機化合物層までを形成した基板の断面を示すSEM写真である。
本発明の有機EL表示装置は、基板と、該基板上に設けられる有機EL素子部と、該基板上に設けられ、該有機EL素子部を区画するバンクと、から構成される。本発明の有機EL表示装置において、バンクは、二種類の側壁、即ち、バンク下部に設けられる第一の側壁と、バンク上部に設けられる第二の側壁と、を有する。ここで第一の側壁のテーパ角は鈍角である。一方、第二の側壁のテーパ角はほぼ垂直である。以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。尚、各層や各部材を図面で認識可能な大きさに拡大しているため、各部材の寸法比は実際のものとは異なることがある。
図1は、本発明の有機EL表示装置における実施形態の一例を示す断面模式図である。また図2は、図1の有機EL表示装置に設けられているバンクの配置領域の一例を示す平面概略図である。
図1の有機EL表示装置1は、基板10上の所定の領域にバンク12が設けられている。より具体的には、図1及び図2に示されるように、バンク12は、一定の間隔を設けたストライプ形状に加工されている。
バンク12とバンク12との間には、下部電極13と、有機化合物層11と、上部電極14とがこの順に設けられている有機EL素子部15が設けられている。また図1の有機EL表示装置1には、有機EL素子部15を大気中の酸素や水分から保護するための封止部材16が設けられている。
本発明の有機EL表示装置において、下部電極13又は上部電極14は反射電極として機能し、もう一方は光透過性電極として機能する。ただしどちらが反射電極(光透過性電極)にすべきかについては特に限定されるものではない。例えば、図1(a)のように、下部電極13を光透過性電極とし、上部電極14を反射電極とすれば、ボトムエミッション型の有機EL表示装置となる。また図1(b)のように、下部電極13を反射電極とし、上部電極14を光透過性電極とすれば、トップエミッション型の有機EL表示装置となる。尚、下部電極13は、図1(a)及び(b)に示されるように、基板10の平面に内蔵されている態様に限定されるものではない。例えば、図3に示されるように、TFT17を含む駆動回路を有する基板10とは別個に、当該基板(10)上に下部電極13が形成される態様であってもよい。図3の態様の場合、下部電極13の端部はバンク12に覆われる構成となる。また図3に示されるように、下部電極13の表面より上側(基板10と反対側)にあるバンク(12)部分に第一の側壁12aと第二の側壁12bとを設けるとよい。
本発明の有機EL表示装置において、反射電極は、反射率が高い金属材料からなる電極又は当該金属材料の薄膜に後述する光の透過率が高い材料を積層した積層型電極である。ここで反射率が高い金属材料として、例えば、Al等の金属材料が挙げられる。
本発明の有機EL表示装置において、光透過電極とは、光の透過率が高い材料、例えば、ITO、IZO、IWZO、IGO、IGZO、ZnO等からなる電極である。
有機化合物層11は、発光層又は発光機能を有する層を有していれば、その層構成は、一層構成であってもよいし、複数層構成であってもよい。また有機化合物層11の構成材料は、塗布法に適用できる材料であれば特に限定されるものではない。例えば、汎用の正孔注入層材料、中間層材料、発光層材料等が適用できる。
上述した有機化合物層11の構成材料を塗布する際に使用する塗布装置としては、インクジェット方式、ディスペンス方式、各種印刷方式等を採用する塗布装置が適用可能である。
尚、有機EL素子部に含まれる有機化合物層11、特に、発光層11bを形成する際に、発光層11bのバンク近傍の断面形状は順テーパ形状であることが好ましい。こうすることで、有機化合物層上に積層される上部電極の断線を防止することができる。
封止部材16は、有機EL素子部15を封止するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、図1(a)に示されるガラス材(カバーガラス)16aで封止してもよいし、図1(b)に示されるように有機EL素子部全体をSiN膜や、SiN膜と樹脂膜との積層膜等のいずれからなる保護材16bで覆うようにしてもよい。
次に、有機EL表示装置を構成するバンクについて詳細に説明する。
図4(a)は、図1中の点線で囲まれた領域の部分拡大図であり、図4(b)は、図4(a)中に示されるバンク及びその周辺を拡大した断面模式図である。ただし、図4において、説明の都合上バンク12と、バンク12間に設けられる有機化合物層11以外の部材は一部図示を省略している。
本発明の有機EL表示装置において、バンク12は2種類の側壁、即ち、バンク下部に設けられる第一の側壁12aと、バンク上部に設けられる第二の側壁12bと、を有する。
本発明において、第一の側壁12aのテーパ角θ12は鈍角である。即ち、バンク12は、第一の側壁12aが設けられている領域においては逆テーパ形状となっている。一方、本発明において、第二の側壁12bのテーパ角θ11はほぼ90°である。これにより、有機発光材料等の溶液が第二の側壁12b部分に残るのを防止することができるため、メニスカス量を低減することができる。ここでいうほぼ90°とは、θ11が80°以上100°以下であることをいう。
バンク12の高さd11は、特に限定されるものではないが、例えば、0.1μm〜3.0μmとする。バンク12近傍に生じるメニスカス量を小さくしたい場合は、バンク12の高さd11は低い方が好ましい。バンク12の高さd11は、特に、1.5μm以下が好ましい。一方、バンク12の幅d17やバンク12間の距離d15も、バンク12の高さd11と同様に特に限定されるものではない。例えば、バンク12の幅d17は2μm〜30μmとし、バンク12間の距離d15は10μm〜300μmとする。
他方、第一の側壁12aの高さd12は、有機化合物層11の総膜厚d14以上であればよく、好ましくは、総膜厚d14以上かつ総膜厚d14の4倍以下である。具体的には、第一の側壁12aの高さd12は、好ましくは、50nm〜500nmである。ここでd12が50nm未満であるとメニスカス低減効果がなくなる場合がある。一方、d12が500nmを超えると有機化合物層11を形成する際に順テーパ形状のメニスカスが生じなくなるため、上部電極14の断線が発生するという問題が生じ得る。また、第一の側壁12aを設ける幅d13は、第一の側壁12aの高さd12とほぼ同じであることが好ましい。具体的には、d13は、好ましくは、50nm〜500nmである。ここでd13が50nm未満であるとメニスカス低減効果がなくなる場合がある。一方、d13が500nmを超えるとバンク12と下地となる基板10との間の密着性が低下して、バンク12が剥離する可能性がある。
バンク12は、通常、フォトリソプロセスで形成される。ここで第二の側壁12bと基板平面とでなす断面角θ11をほぼ垂直(90°)とする方法として、例えば、バンク12の構成材料として、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ポリカーボネート等の感光性樹脂が用いられ、この中でもネガ型の感光性樹脂を選ぶことで容易に達成できる。その中でも特に、エポキシ樹脂を用いることで、より容易に実現することができる。ただし、ポジ型の感光性樹脂を使用した場合でも、露光条件や現像条件を選ぶことで、テーパ角θ11をほぼ垂直(90°)とすることは可能である。尚、テーパ角θ11は、断面SEM観察で計測することができる。
またバンク12の構成材料がエポキシ材料等のネガ型の感光性材料である場合、第一の側壁12aとバンク12の底面とでなすテーパ角θ12を鈍角にする方法として、例えば、現像時間を調整する方法がある。具体的には、現像時間を、第二の側壁12bを形成するために要する現像時間よりもやや長めにする。こうすることで、第一の側壁12aが設けられている領域を逆テーパ形状とすることができる。一方、バンク12の構成材料がポリイミド材料等のポジ型の感光性材料である場合は、逆に、露光時間を短くすれば、ネガ型の感光性材料と同様に第一の側壁12aが設けられている領域を逆テーパ形状とすることができる。
尚、バンク12の表面には、隣接画素間の混色を防止する目的で、一般に撥液性を持たせる方が好ましい。バンク12に撥液性を持たせる方法として、例えば、フッ素系のゾルゲル材料をバンク12の構成材料であるエポキシ樹脂に混ぜる方法がある(特許文献3)。こうすると、バンク12の構成材料を基板10上に塗布して、露光/現像を行った後に、表面のみが撥液性を有するバンク12を形成することができる。また他の手法として、バンク12を形成した後に、このバンク12をフッ素ラジカルに曝露して、バンク12の表面をフッ化処理する方法も採用できる。
以上のように、本発明の有機EL表示装置は、構造的特徴が異なる二種類の側壁(第一の側壁12a、第二の側壁12b)を有するバンク12を備えている。このため有機化合物層11を塗布法で形成した場合に、図3に示されるように、メニスカスと呼ばれる溶液のそり上がりの幅d18を極力小さくすることができる。このためバンク間の距離d15のうち発光領域として利用できる領域(開口部)d16(=d15−2×d18)を従来よりも広くすることができる。
ここで構造的特徴が異なる二種類の側壁を有する意義について説明する。図5は、従来の有機EL表示装置を示す断面模式図である。ただし、図5において、説明の都合上バンク21と、バンク21間に設けられる有機化合物層11以外の部材は一部図示を省略している。
図5に示されるように、従来の有機EL表示装置100に備わっているバンク101は、テーパ角θ100が鋭角である断面台形形状(順テーパ形状)である。図5のように断面台形形状とするのは、隣接画素間の混色を防止すると同時に上部電極の断切れを防止するためである。しかし図5において、高さd101(≒d11)幅d105(≒d17)のバンク101間に、層膜厚d102(≒d14)の有機化合物層11(正孔注入層11a、発光層11b)を塗布形成すると、バンク101の側壁部分には幅d106のメニスカスが生じる。ここでメニスカスの部分は、発光層11b等の有機化合物層11の膜厚が厚く電気抵抗が大きいために発光しない。このため、バンク間の距離d103のうち発光領域として利用できる領域(開口部)d104(=d103−2×d106)が制限される。これに対して、本発明の有機EL表示装置は、構造的特徴が異なる二種類の側壁(第一の側壁12a、第二の側壁12b)を有するバンク12を備えていることによりメニスカスを極力小さくすることができる。
全体構造が図1、部分構造が図4に示される有機EL表示装置を以下に示す方法により作製した。TFT回路(図示せず)及びAlからなる下部電極13等を備える基板10上に、感光性のエポキシ樹脂を塗布した。次に、フォトリソ工程により、平面形状が図2に示される外枠付きストライプ形状となるように上記エポキシ樹脂を加工してバンク12を形成した。具体的には、バンク用レジストである上記エポキシ樹脂の現像時間を、断面矩形状バンクを形成する条件の2倍(60秒)とした。こうすることで、バンク下部に第一の側壁12aを形成した。このときバンク12の高さd11は1.5μmであり、バンク12の幅d17は5μmであった。また、バンク12の上部に形成される第二の側壁12bのテーパ角θ11は約90°であり、バンク12間の距離d15は27μmであった。一方、第一の側壁12aの幅d13は0.3μmであり、第一の側壁12aの高さd12は0.2μmであった。次に、バンク12の表面に、フッ素ラジカルを用いた撥液処理を行った。
次に、バンク12とバンク12との間に設けられている下部電極13上に、有機EL材料を塗布して有機化合物層11を形成した。具体的には、まずPEDOT/PSS溶液(ホール注入材料)を、ディスペンサーを用いて下部電極13上に塗布しホール注入層11aを形成した。このときバンク12間に設けられているホール注入層11aの膜厚は50nmであった。次に、ポリパラフェニレンビニレン誘導体(poly[2−methoxy−5−(2’−ethylhexoxy)−1,4−phenylen vinylene])を4−メチルアニソールで希釈した。尚、この溶液には、溶質が1.5重量%含まれている。次に、上記溶液をホール注入層11a上に塗布して発光層11bを形成した。このときバンク12間に設けられている発光層11bの膜厚は40nmであった。
図5は、有機化合物層までを形成した基板の断面を示すSEM写真である。このSEM写真によると、有機化合物層を形成するときに形成されるメニスカスの幅d18は、約0.65μmであり、極めて小さかった。これは、バンク12の上部にある第二の側壁12bのテーパ角θ11が約90°であること、及びバンク12の下部にテーパ角θ12が鈍角である第一の側壁12aを形成したことに起因する。また本実施例において、第一の側壁12aの高さd12(0.2μm)は、塗布形成した有機化合物層11の総膜厚(90nm)より高いのでメニスカスを極めて小さくすることができた。
一方、有機化合物層11を塗布形成した後に現れる小さなメニスカスは、下部電極13と有機化合物層11との後に形成する上部電極(共通電極)14とのショートを防止すると共に、上部電極(共通電極)14の断線を防止する役割を果たす。
次に、スパッタ法により、有機化合物層11上にIZOを成膜し上部電極14を形成した。このとき上部電極14の膜厚を100nmとした。最後に、CVD法により、上部電極14上に、SiNを成膜し保護膜16bを形成した。このとき保護膜16bの膜厚を5μmとした。尚、この保護膜16bは封止部材16として機能する。以上のようにして有機EL表示装置を得た。
得られた有機EL表示装置について発光特性を調べた。その結果、発光領域は、メニスカスの無い部分の全面(溝幅で25.7μm)であることが確認された。この時の開口率は、ストライプ方向の同色間の画素分離部分(配線幅)による低減も加味すると、68%であった。
[比較例1]
実施例1において、第一の側壁を設けず、第二の側壁のテーパ角(θ21)を鋭角としたこと以外は、実施例1と同様の方法により有機EL表示装置を得た。得られた有機EL表示装置は、図5に示した断面構造を有している。具体的には、図5において、バンク高さd101が1.5μm、バンク幅d105が5μm、テーパ角θ100が60°であるバンクを形成した。
本比較例において、有機化合物層11を塗布形成した後、実施例1と同様にSEM測定を行った。その結果、メニスカスが非常に大きくその幅d106は約6μmであった。また、実施例1と同様に、装置の発光特性を調べたところ、発光している領域は、面積(開口率)は溝幅で15μm(全溝幅の55%)であった。また、その開口率は、ストライプ方向の同色間の画素分離(配線幅)による低減も加味すると、40%であった。
以上より、図5で示したような台形型のバンク間に、有機化合物層を塗布形成すると、そのメニスカスが非常に大きいために、開口率が大きく低下し、実用的ではなかった。
[比較例2]
実施例1において、第一の側壁を設けなかったこと以外は、実施例1と同様の方法により有機EL表示装置を得た。
本比較例において、有機化合物層11を塗布形成した後、実施例1と同様にSEM測定を行った。その結果、メニスカスが非常に大きくその幅は4.2μmであった。
続いて、実施例1と同様に、上部透明電極と封止用の保護膜を形成し、トップエミッション構造の発光素子を形成し、その発光特性を調べたところ、面積(開口率)は溝幅で21μmであり、本来の溝幅の78%であった。また、その開口率は、ストライプ方向の同色間の画素分離(配線幅)による低減も加味すると、49%であった。
以上より、第一の側壁を設けなかった場合、メニスカスを十分に回避することができないことがわかった。
本発明は、有機化合物層を塗布法で形成して有機EL表示装置を製造する際に生じるメニスカスを低減することができる。即ち、本発明によれば、有機化合物層の膜厚が均一である有機EL表示装置を提供することができる。また本発明によって得られる有機EL表示装置は、デジタルカメラ、携帯端末、テレビ等の表示装置、電子機器に利用することができる。
1:有機EL表示装置、10:基板、12:バンク、12a:第一の側壁、12b:第二の側壁、15:有機EL素子部

Claims (5)

  1. 基板と、
    該基板上に設けられる有機EL素子部と、
    該基板上に設けられ、該有機EL素子部を区画するバンクと、から構成され、
    該バンクが、該バンク下部に設けられる第一の側壁と、該バンク上部に設けられる第二の側壁と、を有し、
    該バンクが、撥液性を有しており、
    該第一の側壁のテーパ角が鈍角であり、
    該第二の側壁のテーパ角がほぼ垂直であり、
    該第一の側壁の高さが50nm乃至500nmであり、
    該第一の側壁の該基板面への投影長さが50nm乃至500nmであることを特徴とする、有機EL表示装置。
  2. 前記有機EL素子部に含まれる発光層のバンク近傍の断面形状が、順テーパ形状であることを特徴とする、請求項1に記載の有機EL表示装置。
  3. 前記バンクがネガ型の感光性樹脂からなることを特徴とする、請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
  4. 前記バンクの高さが1.5μm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
  5. 前記第一の側壁の高さが前記有機EL素子部に含まれる有機化合物層の総膜厚の4倍以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL表示装置。
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