JP5414061B2 - パストランジスタを用いた論理回路、セレクター回路及び集積回路 - Google Patents
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特には、論理信号振幅の小さな、低い電源電圧回路の場合にハイレベル、ローレベルとも論理レベルの転送効率の高いパストランジスタ(Path Transistor→PTと略記)、およびこのPTを用い、低電源電圧の論理回路から出力される低論理信号振幅の論理信号を入力に印加しても動作可能なセレクター(Selector)、マルチプレクサー(Multiplexer、MUXと略記)およびルックアップテーブル(Lookup Table→LUTと略記)回路等のパストランジスタを用いた論理回路に関する。
図5はCMOSインバータの回路図とそれを表す記号を示している。MPはP形の絶縁ゲート電界効果トランジスタ(PMOST)であり、NPはN形の絶縁ゲート電界効果トランジスタ(NMOST)である。INはその入力ノード、OUTはその出力ノードを示す。VDDは高電位側電源線の電位であり、VSSは低電位側電源線の電位である。VDDーVSSを電源電圧と称することがある。なお、VSS<VDDである。また電源線については、その電位を表す記号と同じ記号で示す。例えば、電源線VDDと述べるときは、電位がVDDである電源線を表す。
さらに、VDDとVSSとの差、すなわち電源電圧の値が大きい回路を高電源電圧回路、小さい場合を低電源電圧回路と称する。
遷移領域(TR)とは出力電圧がVDDからVSSに、あるいはこの逆の場合に変化する途中の段階にある入力電圧範囲を言い、通常次のように定義される。すなわち、この入出力特性曲線には接線の傾きが−1となる入力電圧値が通常2カ所あるが、電圧の低い方を遷移領域下限(TRL)とし、電圧の高い方を遷移領域上限(TRH)とし、これらの電圧で挟まれた入力電圧範囲を遷移領域(TR)とする。
一般に、CMOSインバータが確実に動作するためにはその遷移領域を渡りきるように入力電圧を変化させねばならない。
また、パストランジスタ(PT)とは、図7のように絶縁ゲート電界効果トランジスタ(MOST)を、ノードNGのゲートに印加された論理信号でノードNDのドレインからノードNSのソース(またはその逆)への論理信号の転送、非転送を制御するのに用いたものである。普通はNMOSTが用いられる。
ここで、例えば外部入力ノードAおよびノードBがハイレベル(VDD)および外部入力ノードCがローレベル(VSS)とすると、ノードN14にはハイレベルである外部入力ノードBの電位、VDDが転送されねばならない。しかし、パストランジスタMN11のしきい値電圧をVthnとすると、ノードN14の電位はVDD−Vthnまでしか上昇しない、すなわちハイレベルがパストランジスタのしきい値電圧分だけ低下する。
すなわち、ノードN14がVDDとなっている時、外部入力ノードAをローレベル、すなわちMN11はオフ、MN12はオンにして外部入力ノードCのローレベルをノードン14に転送したいとき、すなわちノードN14の電位を外部入力ノードCのローレベルにしたいとき、MP1とMN12が同時にオンとなる状況があるのでMP1の電流駆動力が大きいとN14の電位をインバータINV5が反転するに十分な電位に下げることができず、動作に支障が出ることである。
LOOKUP TABLE WITH TRANSMISSION GATE STRUCTURE FOR RELIABLE LOW−VOLTAGE OPERATION”」)に開示されている。
構成1:パストランジスタを用いた論理回路は、低電源電圧回路の低論理信号振幅の第一の論理信号がドレインに印加され、その論理信号のソースへの転送を行うかまたは非転送とするかのどちらかをゲートに印加される第二の論理信号で制御するパストランジスタを用いた論理回路であって、前記低電源電圧回路の低論理信号振幅の第三の論理信号を入力ノードに印加して高電源電圧で動作する第一のCMOSインバータを有し、前記第三の論理信号の電圧変化範囲が前記高電源電圧の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位に挟まれ、かつ前記第一のCMOSインバータの遷移領域を含むように前記高電源電圧の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位が設定され、かつ前記高電源電圧の高電位側の電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差が前記パストランジスタのしきい値電圧よりも大きく設定された前記第一のCMOSインバータの出力信号を前記第二の論理信号とする。
構成8:構成5乃至7のセレクター回路において、前記第一のCMOSインバータのNMOSTのしきい値電圧を前記低電源電圧回路の高電位側電源電位と前記高電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも小さく、前記第一のCMOSインバータのPMOSTのしきい値電圧の絶対値を前記高電源電圧回路の高電位側電源電位と前記低電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも小さく設定する。
前記第一及び第二のパストランジスタの各ソースはそれぞれ前記第五のパストランジスタのドレインに接続され、前記第三及び第四のパストランジスタの各ソースはそれぞれ前記第六のパストランジスタのドレインに接続され、前記第一及び第三のパストランジスタの各ゲートはそれぞれ前記第一のCMOSインバータの出力ノードに接続され、前記第二及び第四のパストランジスタの各ゲートはそれぞれ前記第三のCMOSインバータの出力ノードに接続され、前記第五のパストランジスタのゲートは前記第二のCMOSインバータの出力ノードに接続され、前記第六のパストランジスタのゲートは前記第四のCMOSインバータの出力ノードに接続されており、
前記第一及び第二のCMOSインバータは、入力ノードに入力される前記第五及び第六の論理信号の電圧変化範囲がそれぞれ前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位とに挟まれ、かつ、前記第一及び第二のCMOSインバータの遷移領域を含むように前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位とが設定されるとともに、前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差が、前記第一乃至第六のパストランジスタのしきい値電圧以上に設定されている。
また、本発明のセレクター回路、4入力ルックアップテーブル回路または4入力マルチプレクサー回路、集積回路は、上記パストランジスタを用いた論理回路に基づいて構成するので、上記論理回路が奏する効果を奏する。
VDDLおよびVSSLが既に設定されているものとする時、まず、INVH1とINVH3の電源電圧VDDHおよびVSSHは、パストランジスタMN1およびMN2のしきい値電圧をVthnpt(基板バイアス効果を考慮したときの最大値)とするとき、次の二つの条件式を満たすように設定する。
しかし、INVH1はLPSで動作する論理回路、例えばLPS_INVERTERで駆動されるので、INVH1が正しく動作するためにはさらに条件が必要である。
図2はその条件を説明するための図である。図2はHPS_INVERTERの入出力特性曲線(実線)とLPS_INVERTERの入出力特性曲線(点線)を模式的に示している。横軸はHPS_INVERTERの入力電圧(VIN)、縦軸は出力電圧(VOUT)である。LPS_INVERTERについてはその出力電圧がHPS_INVERTERの入力電圧になるように入力電圧軸と出力電圧軸とを逆転して描いている。
VDDL−VSSL=LSL(低電源電圧回路側、LPS_INVERTERの論理振幅)、
VDDH−VSSH=LSH(高電源電圧回路側、HPS_INVERTERの論理振幅)
である。
条件式(7):
特別な場合としてLPS_INVERTERの論理しきい値をVTLL、INVH1の論理しきい値をVTLHとするとき、上記条件式(1)ないし(4)を満たし、かつVTLH=VTLLとすることができる。例えば雑音余裕をハイレベル側およびローレベル側に均等に配分するためにVTLH=(VDDH+VSSH)/2、VTLL=(VDDL+VSSL)/2に設定するのが望ましい。VTLLとVTLHは素子の製造工程おけるバラツキなどで必ずしも正確に一致しない場合があるが、動作原理を逸脱しない範囲内であれば一致していると見なして差し支えない。そこで、VSSHについては条件式(2)を満たすように設定すると、
条件式(9):
なお、Vthnptの値が大きいとVDDHの値を大きくせねばならず、動的な消費電力が増加し、不利なのでできるだけ小さい方が良い。場合によっては負であってもVSSHを十分低くとれば漏洩電流を小さくできるので可能である。サブしきい値領域では漏洩電流はゲート電圧の指数関数で変化するので、VDDHの増加よりもVSSHの変化の方が小さくできる点が利点である。
さらに、INVH2についてはINVH1と同じ条件でしきい値電圧などを設定しても良いが、INVH1の出力が既に高電源電圧、VDDHとVSSHに対応しているので、同じ電源電圧で動作する通常のCMOSインバータでの設定を用いても動作に差し支えない。
INVH4とINVH6は図1の実施例のINVH1と同じ条件を満たすHPS_INVERTERである。INVH5とINVH7は図1の実施例のINVH1と同じ条件を満たすHPSインバータであっても、または通常のHPS_INVERTERであっても良い。
また、ノードN12にはパストランジスタMN9のゲートが接続される。INVH6の入力ノードはこの回路の外部入力ノードBに接続され、INVH6の出力ノードはノードN10に接続され、さらにノードN10にINVH7の入力ノードが接続され、その出力ノードはノードN11に接続され、さらにノードN11にはパストランジスタMN6とMN8の各ゲートが接続される。
パストランジスタMN9とMN10のソースはノードN9に接続され、各ドレインはそれぞれノードN7およびN8に接続される。
さらに、ノードN9にはバッファとしてのLPS_INVERTER、INV3の入力ノードが接続され、その出力ノードがこの回路の外部出力ノードOUTに接続されている。
上で説明したパストランジスタを用いた回路はバルク形MOSTだけでなく、例えば、特許文献1、2に開示されているような基板上の絶縁層上の結晶シリコンに構成され、電流が基板に平行に流れるいわゆるフィン型の二重絶縁ゲートゲート電界効果トランジスタ(二つのゲート電極がチャネルを挟んで一体となって形成されているものと、それぞれ電気的に分離されているものとがある)においても適用できる。
MN、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8、MN9、MN10、MN11、MN12、MN13、MN14、MN15、MN16、MN17、MN18:N形MOSトランジスタ
MOST:MOSトランジスタ
VDD、VDDL、VDDH:高電位側の電源電圧
VSS、VSSL、VSSH:低電位側の電源電圧
GND:接地
VTL、VTLL、VTLH:CMOSインバータの論理しきい値電圧
LS、LSL、LSH:CMOSインバータの論理信号振幅
TR、TRH:CMOSインバータの遷移領域
TRHL、TRHH:遷移領域の境界値
A、B、C、D、E、F、G、IN、LC_IN、LC_INB:外部入力ノード
Q、QB、OUT:外部出力ノード
N0、N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9、N10、N11、N12、N13、N14、N15、N16、N17、N18、N19、N20:内部ノード
ND:パストランジスタのドレインノード
NS:パストランジスタのソースノード
NG:パストランジスタのゲートノード
VIN:CMOSインバータの入力電圧
VOUT:CMOSインバータの出力電圧
LPS_INVERTER:低電源電圧側回路のCMOSインバータ
HPS_INVERTER:高電源電圧側回路のCMOSインバータ
LC:レベル変換回路
INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、INV7、INV8、INV9、INV10、INV11、INV12:低電源電圧のCMOSインバータ
INVH1、INVH2、INVH3、INVH4、INVH5、INVH6、INVH7:高電源電圧のCMOSインバータ
Claims (9)
- 低電源電圧回路の低論理信号振幅の第一の論理信号がドレインに印加され、その論理信号のソースへの転送を行うかまたは非転送とするかのどちらかをゲートに印加される第二の論理信号で制御するパストランジスタを用いた論理回路であって、
前記低電源電圧回路の低論理信号振幅の第三の論理信号を入力ノードに印加して高電源電圧回路の電源電圧で動作する第一のCMOSインバータを有し、前記第三の論理信号の電圧変化範囲が前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位に挟まれ、かつ、前記第一のCMOSインバータの遷移領域を含むように前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位が設定され、かつ、前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差が前記パストランジスタのしきい値電圧以上に設定された前記第一のCMOSインバータの出力信号を前記第二の論理信号とすることを特徴とするパストランジスタを用いた論理回路。 - 前記第一のCMOSインバータのNMOSTのしきい値電圧を前記低電源電圧回路の低電位側電源電位と前記高電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも大きくし、前記第一のCMOSインバータのPMOSTのしきい値電圧の絶対値を前記高電源電圧回路の高電位側電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差よりも大きく設定したことを特徴とする請求項1記載のパストランジスタを用いた論理回路。
- 前記第一のCMOSインバータのNMOSTのしきい値電圧を前記低電源電圧回路の高電位側電源電位と前記高電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも小さく、前記第一のCMOSインバータのPMOSTのしきい値電圧の絶対値を前記高電源電圧回路の高電位側電源電位と前記低電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも小さく設定したことを特徴とする請求項1又は2記載のパストランジスタを用いた論理回路。
- 前記第一のCMOSインバータの出力ノードを前記高電源電圧回路の電源電圧で動作する第二のCMOSインバータの入力ノードに接続し、前記第二のCMOSインバータの出力信号を前記第二の論理信号とすることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載のパストランジスタを用いた論理回路。
- 低電源電圧回路の低論理信号振幅の第一及び第二の論理信号がドレインに印加され、その論理信号のソースへの転送を行うかまたは非転送とするかのどちらかをゲートに印加される第三及び第四の論理信号で制御される第一及び第二のパストランジスタと、
入力ノードに前記低電源電圧回路の前記低論理信号振幅の第五の論理信号が印加され、高電源電圧回路の電源電圧で動作する第一のCMOSインバータと、
前記第一のCMOSインバータの出力ノードから出力された信号が入力ノードに印加され前記高電源電圧回路の電源電圧で動作する第二のCMOSインバータと、
を有し、前記第五の論理信号の電圧変化範囲が前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位とに挟まれ、かつ、前記第一のCMOSインバータの遷移領域を含むように前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位とが設定されるとともに、前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差が、前記第一及び第二のパストランジスタのしきい値電圧以上に設定された前記第一及び第二のCMOSインバータのうち前記第一のCMOSインバータの出力信号を前記第三の論理信号とし、前記第二のCMOSインバータの出力信号を前記第四の論理信号とすることを特徴とするセレクター回路。 - 前記第一及び第二のパストランジスタの各ソースに入力ノードが接続され前記低電源電圧回路の電源電圧で動作して出力信号を外部出力ノードに出力する第三のCMOSインバータを更に有することを特徴とする請求項5に記載のセレクター回路。
- 前記第一のCMOSインバータのNMOSTのしきい値電圧を前記低電源電圧回路の低電位側電源電位と前記高電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも大きくし、前記第一のCMOSインバータのPMOSTのしきい値電圧の絶対値を前記高電源電圧回路の高電位側電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差よりも大きく設定したことを特徴とする請求項5又は6記載のセレクター回路。
- 前記第一のCMOSインバータのNMOSTのしきい値電圧を前記低電源電圧回路の高電位側電源電位と前記高電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも小さく、前記第一のCMOSインバータのPMOSTのしきい値電圧の絶対値を前記高電源電圧回路の高電位側電源電位と前記低電源電圧回路の低電位側の電源電位との差よりも小さく設定したことを特徴とする請求項5乃至7のうちいずれか一項記載のセレクター回路。
- 低電源電圧回路の低論理信号振幅の第一乃至第四の論理信号が各ドレインに印加され、その論理信号のソースへの転送を行うかまたは非転送とするかのどちらかを各ゲートに印加される論理信号で制御される第一乃至第六のパストランジスタと、
入力ノードに前記低電源電圧回路の前記低論理信号振幅の第五及び第六の論理信号がそれぞれ印加され、高電源電圧回路の電源電圧でそれぞれ動作する第一及び第二のCMOSインバータと、
前記第一のCMOSインバータの出力ノードから出力された信号が入力ノードに印加され前記高電源電圧回路の電源電圧で動作する第三のCMOSインバータと、
前記第二のCMOSインバータの出力ノードから出力された信号が入力ノードに印加され前記高電源電圧回路の電源電圧で動作する第四のCMOSインバータと、
前記第五及び第六のパストランジスタの各ソースに入力ノードが共通に接続されており、その出力ノードが外部出力ノードに接続された前記低電源電圧回路の電源電圧で動作する第五のCMOSインバータと
を有し、前記第一及び第二のパストランジスタの各ソースはそれぞれ前記第五のパストランジスタのドレインに接続され、前記第三及び第四のパストランジスタの各ソースはそれぞれ前記第六のパストランジスタのドレインに接続され、前記第一及び第三のパストランジスタの各ゲートはそれぞれ前記第一のCMOSインバータの出力ノードに接続され、前記第二及び第四のパストランジスタの各ゲートはそれぞれ前記第三のCMOSインバータの出力ノードに接続され、前記第五のパストランジスタのゲートは前記第二のCMOSインバータの出力ノードに接続され、前記第六のパストランジスタのゲートは前記第四のCMOSインバータの出力ノードに接続されており、
前記第一及び第二のCMOSインバータは、入力ノードに入力される前記第五及び第六の論理信号の電圧変化範囲がそれぞれ前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位とに挟まれ、かつ、前記第一及び第二のCMOSインバータの遷移領域を含むように前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と低電位側の電源電位とが設定されるとともに、前記高電源電圧回路の高電位側の電源電位と前記低電源電圧回路の高電位側の電源電位との差が、前記第一乃至第六のパストランジスタのしきい値電圧以上に設定されていることを特徴とする集積回路。
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