JP5410085B2 - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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(A)エポキシ樹脂。
(B)下記の一般式(2)で表されるフェノール樹脂および下記の一般式(3)で表されるフェノール樹脂からなるフェノール樹脂。
(D)下記の一般式(1)で表される化合物からなる離型剤。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量186)
前記一般式(3)で表されるフェノール樹脂〔式(3)中のm=0.6、フェノールビフェニレン樹脂、水酸基当量203〕
前記一般式(2)で表されるフェノール樹脂〔式(2)中のn=0、フェノール−p−キシリレングリコールジメチルエーテル重縮合物、水酸基当量172〕
2−エチル−4−メチルイミダゾール
前記一般式(1)で表される化合物〔式(1)中、x=24.0(平均値)、y=0.0(平均値)、z=6.4(平均値)、A1 =水素原子:式(1)における各構造単位x,y,zはブロック重合である。〕
後記の表1〜表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機で溶融混練(50〜150℃)を行ない、熟成した後、室温(25℃)にて放冷した後に粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、専用金型によりトランスファー成形(150℃×4分間成形、150℃×3時間後硬化)で光半導体素子(SiNフォトダイオード:1.8mm×2.3mm×厚み0.25mm)をモールドすることにより表面実装型光半導体装置を作製した。この表面実装型光半導体装置は、8ピンのスモールアウトラインパッケージ〔SOP−8:4.9mm×3.9mm×厚み1.5mm、リードフレーム:42アロイ合金素体の表面全面に銀メッキ層(厚み0.5μm)〕である。
上記専用金型を用いて、トランスファー成形(150℃×4分間成形)にてSOP−8のパッケージをモールドすることにより評価した。すなわち、ノニオン系強アルカリ溶液にて金型表面を洗浄した後、型慣れ材によるダミーショットを2ショット実施した後、上記各エポキシ樹脂組成物を用いて、上記専用金型にてSOP−8のパッケージをトランスファー成形した(150℃×4分間成形)。そして、成形物(SOP−8パッケージ)を金型から取り出す際に要した操作により離型性を評価した。評価は、エアーブロー(エアースプレー)のみで離型するという離型性が良好な場合を○、エアースプレーのみでは完全に離型しないが手作業により容易に離型する場合を△、離型が著しく困難であった場合を×として表示した。
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008321492A JP5410085B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
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JP2010144016A JP2010144016A (ja) | 2010-07-01 |
JP5410085B2 true JP5410085B2 (ja) | 2014-02-05 |
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ID=42564767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008321492A Active JP5410085B2 (ja) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5410085B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07118366A (ja) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH09208805A (ja) * | 1994-11-09 | 1997-08-12 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP3192953B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2001-07-30 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及びその製造方法 |
JPH1045872A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-02-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JP3392068B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2003-03-31 | 松下電工株式会社 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2007238924A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Hitachi Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置用パッケージ、電子部品装置 |
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2008
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Publication number | Publication date |
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JP2010144016A (ja) | 2010-07-01 |
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