JP5408039B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板をモールド樹脂で封止してなるＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）タイプの電子装置に関し、特に、回路基板をヒートシンクに搭載し、ヒートシンクをハーフモールドしてなるものに関する。

一般に、この種のＱＦＰタイプの電子装置は、半導体素子などを搭載する回路基板と、回路基板とボンディングワイヤを介して結線され電気的に接続された複数本のリード端子とを備え、これら回路基板、ボンディングワイヤおよび各リード端子のインナーリード部がモールド樹脂により封止されてなる。

ここで、モールド樹脂は、金型のゲートから金型のキャビティ内へ溶融樹脂を射出・充填して成形するトランスファーモールド法により成形されて矩形板状をなすものであり、各リード端子のアウターリード部は、モールド樹脂の４辺に位置する各端面にてモールド樹脂より突出している。

このようなＱＦＰの場合、モールド樹脂の４辺すべてからリード端子が突出していること、また、リード端子等の高密度配置のため、金型のゲートの配置に制約があり、一般には、１個のゲートがモールド樹脂のコーナー部に対応する位置に設けられることになる。つまり、成形後のモールド樹脂においては、当該成形によるゲート痕は１個であって当該ゲート痕は、モールド樹脂のコーナー部に存在していることになる。

そのため、ゲートから金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入して、モールド樹脂でキャビティを十分に満たすことができず、モールド樹脂が不足するという問題が発生しやすい。

このような問題に対して、特許文献１では、小型ＱＦＰにおいて、半導体素子を搭載するタブに連結された吊りリードにエアベントを設けることにより、成形時にキャビティ内のエアを当該エアベントを介してキャビティ外部に送り出すことで、モールド樹脂の不足を防止するようにしている。

特開平１１−２２００８７号公報

近年、回路基板の高集積化、回路基板に搭載される半導体素子の高発熱化などに伴い、回路基板をヒートシンクに搭載し、ヒートシンクによって回路基板の放熱を行うようになってきている。

この場合、回路基板をヒートシンクの一面上に搭載し、ヒートシンクの一面側は回路基板とともにモールド樹脂で封止するが、ヒートシンクの一面とは反対側の他面はモールド樹脂より露出するハーフモールド構造とする。

そこで、本発明者は、一般的なハーフモールド構造のＱＦＰに基づいて試作検討を行った。図７は本発明者が試作したこの種の典型的な電子装置の概略を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）はモールド樹脂５０の端面を示す概略平面図である。なお、図７（ａ）では、モールド樹脂５０を透過してその内部を示している。

半導体素子などの各種の電子部品１、２を搭載する回路基板１０と、回路基板１０を搭載するヒートシンク２０と、ヒートシンク２０とは離れて配置され、回路基板１０とＡｌのボンディングワイヤ４０を介して結線されて電気的に接続された複数本のリード端子３０とが備えられている。

そして、これら回路基板１０、ボンディングワイヤ４０および各リード端子３０のインナーリード部がモールド樹脂５０により封止されてなる。ここで、ヒートシンク２０の一面側は回路基板１０とともにモールド樹脂５０で封止されているが、ヒートシンク２０の一面とは反対側の他面はモールド樹脂５０より露出している。

このようなＱＦＰタイプにおいては、上述したようにモールド樹脂５０はトランスファーモールド法により成形された矩形板状のものである。そして、モールド樹脂５０の第１の板面５１はヒートシンク２０の一面側に位置し、第２の板面５２はヒートシンク２０の他面側に位置して、第２の板面５２にてヒートシンク２０の他面が露出している。

また、各リード端子３０は板状のものであり、リード端子３０の板厚方向とモールド樹脂５０の板厚方向とが揃えて配置されるとともに、リード端子３０のアウターリード部は、モールド樹脂５０の４辺に位置する各端面にて突出している。

そして、モールド樹脂成形用の金型については、その全体は図示しないが、図７（ａ）中のモールド樹脂５０の第１のコーナー部５０ａに相当する部位にゲート１００を１個有し、他の３個のコーナー部５０ｂ、５０ｃ、５０ｄにエアベント１０１を有するものである。

そして、成形時には、その第１のコーナー部５０ａに位置する上記ゲート１００から、図７中の白矢印に示されるように、モールド樹脂５０が流れて上記金型のキャビティに充填され、モールド樹脂５０が成形される。そのため、当該樹脂成形によるゲート痕Ｇは１個であって、当該ゲート痕Ｇは、モールド樹脂５０の第１のコーナー部５０ａに存在している。

このように、ハーフモールド構造の場合、ヒートシンク２０の他面は露出させ、ヒートシンク２０の一面側をモールド樹脂５０で封止するため、ヒートシンク２０の一面上に樹脂を流し、当該一面からヒートシンク２０の側面へ樹脂を回り込ませるようにする。

そのため、リード端子３０における封止については、図７（ｃ）中の矢印に示されるように、樹脂が、リード端子３０のうちモールド樹脂５０の第１の面５１と同方向に面する一方の板面から、リード端子３０の側面を回ってリード端子３０の他方の板面に回り込むことでなされる。

ここで、本発明者の検討によれば、たとえば図７（ａ）中の丸Ｋで囲まれている、成形時にゲート１００から遠い位置にあるリード端子３０、すなわち、リード端子３０のうちモールド樹脂５０における第１のコーナー部５０ａと対角線上に位置する第２のコーナー部５０ｂを挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、モールド樹脂５０の端部でボイドＢが発生しやすいことが確認された。

このモールド樹脂５０の端面にてリード端子３０の部分にボイドＢが発生するのは、成形時に上記ゲート１００から流れてくる樹脂が、上記第２のコーナー部５０ｂ近傍では、図７（ｃ）に示されるように、当該部分にてリード端子３０の一方の板面から他方の板面へ向かうため、当該樹脂による空気の巻き込みが発生するためである。

このことは、高密度実装化に伴い、ヒートシンク２０とは離れて配置されているリード端子３０について、リード端子３０と回路基板１０およびヒートシンク２０との間隔が小さくなることによる。つまり、当該間隔が小さくなるため、成形時において、リード端子３０の一方の板面上を流れる樹脂に比べて、回路基板１０上から当該間隔を介してリード端子３０の他方の板面側に回り込む樹脂の量が少なくなることによる。

また、リード端子３０はモールド樹脂５０内にて、ボンディングワイヤ４０で回路基板１０と接続されるが、回路規模が大きくなると、大電流化に伴い、Ａｕよりも太いＡｌワイヤでボンディングされる。これにともなって、リード端子３０の板幅は大きくなる傾向にあり、上記ボイドＢがより発生しやすくなると予想される。

また、上記図７において、ボイドＢが発生しやすいのは、回路基板１０とワイヤボンディングで導通するリード端子３０、すなわち機能リードとなるものである。ここで、上記した特許文献１では、機能リードではない吊りリードにエアベントを設けて、このエアベントを介してキャビティ内のエアを排除するようにしているものの、機能リードの部分にてボイドが発生するのを回避できないと予想される。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、ハーフモールド構造のＱＦＰタイプの電子装置において、モールド樹脂の成形時に、ゲートから遠い位置にある機能リードにてモールド樹脂の端面にボイドが発生するのを極力防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、回路基板（１０）と、一面上に回路基板（１０）を搭載し、回路基板（１０）の放熱を行うヒートシンク（２０）と、ヒートシンク（２０）とは離れて配置され、回路基板（１０）とボンディングワイヤ（４０）を介して結線されて電気的に接続された複数本の板状のリード端子（３０）とを備え、回路基板（１０）、ヒートシンク（２０）、ボンディングワイヤ（４０）および各リード端子（３０）のインナーリード部がモールド樹脂（５０）により封止されるとともに、ヒートシンク（２０）における一面とは反対側の他面はモールド樹脂（５０）より露出しており、モールド樹脂（５０）はトランスファーモールド法により成形されたものであって、ヒートシンク（２０）の一面側に位置する第１の板面（５１）とヒートシンク（２０）の他面側に位置しヒートシンク（２０）の他面が露出している第２の板面（５２）とを有する矩形板状をなすものであり、リード端子（３０）は、その板厚方向をモールド樹脂（５０）の板厚方向に揃えて配置されるとともに、リード端子（３０）のアウターリード部は、モールド樹脂（５０）の４辺に位置する各端面にて突出しており、さらに、モールド樹脂（５０）は、成形によるゲート痕（Ｇ）が１個であって、当該ゲート痕（Ｇ）はモールド樹脂（５０）の第１のコーナー部（５０ａ）に存在する半導体装置において、次のような点を備えたことを特徴としている。

すなわち、本発明の電子装置においては、リード端子（３０）のうちモールド樹脂（５０）における第１のコーナー部（５０ａ）と対角線上に位置する第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、当該リード端子（３０）におけるモールド樹脂（５０）の端面に位置する部位では、当該リード端子（３０）の一方の板面から他方の板面まで貫通する貫通穴（３１）が、インナーリード部からアウターリード部に渡って開口するように設けられていることを特徴とする。以下、本欄において、請求項１の電子装置における、ここまでの構成を「構成Ａ」ということにする。

それによれば、ゲートから遠い位置にあるリード端子（３０）については、成形時に、モールド樹脂（５０）の端面となる部位において、樹脂が機能リードであるリード端子（３０）の貫通穴（３１）を通って、リード端子（３０）の一方の板面から他方の板面へ流れるので、リード端子（３０）の他方の板面側における樹脂による空気の巻き込みが防止される。

よって、本発明によれば、モールド樹脂（５０）の成形時に、ゲート（Ｇ）から遠い位置にあるリード端子（３０）にてモールド樹脂（５０）の端面にボイドが発生するのを極力防止することができる。また、ゲート（Ｇ）に近いリード端子（３０）には、貫通穴（３１）を設けなくてもよいから、貫通穴（３１）による電気抵抗の増加が好ましくない大電流用等のリード端子（３０）については、当該ゲート（Ｇ）に近い位置に配置して電子装置に組み込むことができる。

さらに、請求項１に記載の発明では、上記構成Ａに加えて、貫通穴（３１）が設けられているリード端子（３０）においては、モールド樹脂（５０）の端面に位置する部位であって貫通穴（３１）の開口縁部に位置する残り部が、当該リード端子（３０）における残り部以外の部位よりも板厚が大きい厚肉部（３２）とされていることを特徴とする。

それによれば、貫通穴（３１）を形成することによるリード端子（３０）の機械的強度の低下や電気抵抗の増加を厚肉部（３２）によって補填することができるから、貫通穴（３１）を設けたリード端子（３０）を大電流用のリード端子として適用することが容易に行える。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置において、貫通穴（３１）が設けられているリード端子（３０）においては、貫通穴（３１）とリード端子（３０）の外郭との距離である残り部の幅が、リード端子（３０）における厚肉部（３２）以外の部位の板厚以上の大きさであることを特徴とする。

それによれば、貫通穴（３１）が設けられているリード端子（３０）の残り部において、当該残り部の幅方向に加わる荷重に対する機械的強度を、厚肉部（３２）以外の通常のリード端子（３０）の板厚部分における当該板厚方向の機械的強度と同等以上の強度とすることができる。

また、請求項３に記載の発明では、上記構成Ａを有する電子装置において、貫通穴（３１）が設けられているリード端子（３０）においては、モールド樹脂（５０）の端面に位置する部位であって貫通穴（３１）の開口縁部に位置する部位を残り部としたとき、貫通穴（３１）とリード端子（３０）の外郭との距離である残り部の幅が、リード端子（３０）の板厚以上の大きさであることを特徴とする。

それによれば、貫通穴（３１）が設けられているリード端子（３０）の残り部において、当該残り部の幅方向に加わる荷重に対する機械的強度を、リード端子（３０）の板厚方向の機械的強度と同等以上の強度とすることができる。

また、請求項５に記載の発明では、請求項１ないし３および後述の請求項４のいずれか１つに記載の電子装置において、ボンディングワイヤ（４０）はＡｌまたはＣｕよりなるワイヤであることを特徴とする。

比較的太いＡｌやＣｕよりなるボンディングワイヤ（４０）の場合、リード端子（３０）の幅も広くなり上記ボイドが発生しやすくなるので、貫通穴（３１）を設けた構成を採用するのに適している。

また、請求項４に記載の発明では、上記構成Ａを有する電子装置において、貫通穴（３１）は、リード端子（３０）のうちモールド樹脂（５０）における第１のコーナー部（５０ａ）と対角線上に位置する第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置し且つ第２のコーナー部（５０ｂ）寄りに位置するものについてのみ、設けられていることを特徴とする。

それによれば、モールド樹脂（５０）における第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置するリード端子（３０）のうち、さらに第２のコーナー部（５０ｂ）寄りに位置するもののみに、貫通穴（３１）を設けることになるから、貫通穴（３１）を設けたくない大電流用等のリード端子（３０）の配置に関する制約が緩和される。

また、上記請求項１〜５の電子装置を製造する製造方法としては、モールド樹脂（５０）の成形時に、貫通穴（３１）を有するリード端子（３０）に対して、貫通穴（３１）と金型（１０２）の外部とが金型（１０２）のエアベント（１０３）を介して連通するように、金型（１０２）を接触させた状態で、当該成形を行うことが望ましい。

それによれば、成形時に貫通穴（３１）からモールド樹脂（５０）内の空気がエアベント（１０３）を介して排出されるので、上記空気巻き込み低減の点で好ましい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。 （ａ）は図１中のリード端子を拡大して示す概略平面図、（ｂ）は図１の電子装置におけるモールド樹脂の端面を示す概略平面図である。 本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。 第２実施形態の他の例としてのリード端子３０の概略平面図である。 本発明の第３実施形態に係るリード端子の種々の例を示す概略平面図である。 本発明の第４実施形態に係るモールド工程を示す工程図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ概略断面図である。 本発明者が試作した電子装置の概略を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）はモールド樹脂の端面を示す概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図および上記図７において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。なお、図１（ａ）では、モールド樹脂５０を透過してその内部を示している。また、図２において、（ａ）は図１中の貫通穴３１を有するリード端子３０を拡大して示す概略平面図、（ｂ）は図１の電子装置におけるモールド樹脂５０の端面を示す概略平面図である。

本実施形態の電子装置は、ハーフモールド構造のＱＦＰタイプのものであり、大きくは、回路基板１０と、回路基板１０を搭載するヒートシンク２０と、回路基板１０と外部とを電気的に接続するための複数本のリード端子３０と、回路基板１０とリード端子３０とを結線するボンディングワイヤ４０と、これら各部１０〜４０を封止するモールド樹脂５０とを備えて、構成されている。

回路基板１０は、一般的な回路基板であり、セラミック基板、プリント基板、金属基板などを採用できる。典型的には、この回路基板１０上には、ＩＣチップやパワー素子などの半導体チップ１や、抵抗、コンデンサなどの受動素子２などの電子部品が搭載されている。

ヒートシンク２０は、一方の板面を一面（図１（ｂ）中の上面）とし、他方の板面を他面（図１（ｂ）中の下面）とするＣｕやＭｏなどの放熱性に優れた金属よりなる板状のものであり、ここでは、回路基板１０よりも一回り大きい矩形板状をなす。

そして、ヒートシンク２０の一面上に、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などよりなる接着剤６０を介して回路基板１０が搭載・固定されており、回路基板１０に発生する熱はヒートシンク２０を介して放熱されるようになっている。

また、複数本のリード端子３０は、回路基板１０およびヒートシンク２０とは離れて配置されている。ここでは、各リード端子３０は、回路基板１０の側面側から外方に延びる短冊板状をなしており、回路基板１０およびヒートシンク２０の各辺の外側にて、リード端子３０の長手を揃えた状態で複数本のリード端子３０は配列されている。

そして、回路基板１０と各リード端子３０とは、ボンディングワイヤ４０を介して結線されて電気的に接続されている。このボンディングワイヤ４０はＡｌやＣｕよりなるワイヤであり、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。

そして、モールド樹脂５０は、これら回路基板１０、ヒートシンク２０、ボンディングワイヤ４０および各リード端子３０のインナーリード部を封止している。ここで、ヒートシンク２０の一面側は回路基板１０とともにモールド樹脂５０で封止されているが、ヒートシンク２０の一面とは反対側の他面はモールド樹脂５０より露出している。

このモールド樹脂５０は、一般的なエポキシ樹脂などのモールド樹脂よりなり、金型のゲートから金型のキャビティ内へ溶融樹脂を射出・充填して成形するトランスファーモールド法により成形されたものである。

そして、モールド樹脂５０は、ヒートシンク２０の一面側に位置する第１の板面５１とヒートシンク２０の他面側に位置する矩形板状をなすものであり、このモールド樹脂５０の第２の板面５２にてヒートシンク２０の他面が露出している。

また、板状の各リード端子３０は、その板厚方向をモールド樹脂５０の板厚方向に揃えて配置されている。つまり、リード端子３０の一方の板面はモールド樹脂５０の第１の板面５１と同方向に面しており、リード端子３０の他方の板面はモールド樹脂５０の第２の板面５２と同方向に面している。

そして、典型的なＱＦＰと同様に、各リード端子３０のアウターリード部は、モールド樹脂５０の４辺に位置する各端面にて、モールド樹脂５０より突出し、露出している。

このようなモールド樹脂５０は、上述したように金型を用いたトランスファーモールド法により形成される。具体的には、回路基板１０に上記電子部品１、２を搭載し、回路基板１０をヒートシンク２０の一面に接着剤６０を介して固定し、また、ヒートシンク２０とリード端子３０を含むリードフレームとを、かしめや接着などにより固定し、回路基板１０とリード端子３０とをボンディングワイヤ４０で結線する。

その後、このものをモールド樹脂成形用の金型に設置し、モールド樹脂５０の成形を行い、モールド樹脂５０による封止を行う。ここで、この金型については、その全体は図示しないが、上記図７と同様、モールド樹脂５０の第１のコーナー部５０ａに相当する部位に、樹脂注入口としてのゲート１００を１個有し、他の３個のコーナー部５０ｂ、５０ｃ、５０ｄにキャビティ内の空気排出口としてのエアベント１０１を有するものである。

そして、モールド樹脂５０の成形時には、上記図７と同様、モールド樹脂５０の第１のコーナー部５０ａに相当する位置にある上記ゲート１００から、第１のコーナー部５０ａ以外の各コーナー部５０ｂ、５０ｃ、５０ｄに相当する位置にあるエアベントに向かってモールド樹脂５０が流れて上記金型のキャビティに充填される。

こうしてモールド樹脂５０が成形され、モールド樹脂５０による封止が完成する。このようにして成形される本実施形態のモールド樹脂５０は、典型的なＱＦＰタイプと同様に、樹脂成形によるゲート痕Ｇが１個であって、当該ゲート痕Ｇはモールド樹脂５０の第１のコーナー部５０ａに存在するものとなっている。

このような本電子装置において、図１、図２に示されるように、複数本のリード端子３０のうちモールド樹脂５０における第１のコーナー部５０ａと対角線上に位置する第２のコーナー部５０ｂを挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、貫通穴３１が設けられている。

この貫通穴３１は、リード端子３０におけるモールド樹脂５０の端面に位置する部位において、当該リード端子３０の一方の板面から他方の板面までリード端子３０をその板厚方向に貫通する穴として、インナーリード部からアウターリード部に渡って開口するように設けられている。

つまり、貫通穴３１を開口部上からみたとき、図２（ａ）に示されるように、貫通穴３１の一部がモールド樹脂５０の内部に位置し、残部がモールド樹脂５０の外部に位置する。そして、モールド樹脂５０の内部に位置する貫通穴３１の部分には、貫通穴３１の内部にモールド樹脂５０が充填されている。このような貫通穴３１はプレスやエッチングなどにより形成される。

このように、本実施形態によれば、ゲート１００の位置にあるモールド樹脂５０の第１のコーナー部５０ａと対角線上に位置する第２のコーナー部５０ｂ側に位置することでボイドが発生しやすいリード端子３０について、上記貫通穴３１を設けている。

そのため、樹脂成形時には、モールド樹脂５０の端面となる部位において、図２（ｂ）中の矢印に示されるように、樹脂が、機能リードであるリード端子３０の貫通穴３１を通って、リード端子３０の一方の板面から他方の板面へ流れるから、当該他方の板面側における樹脂による空気の巻き込みが防止される。

よって、本実施形態によれば、モールド樹脂５０の成形時に、ゲート１００から遠い位置にあるリード端子３０にてモールド樹脂５０の端面にボイドが発生するのを極力防止することができる。

また、貫通穴３１はすべてのリード端子３０に設けてもかまわないが、上記したようにモールド樹脂５０における第２のコーナー部５０ｂを挟んで隣り合う２辺に位置するリード端子３０のみに設けることが望ましい。この位置のリード端子３０がゲート１００から遠く、ボイドが発生しやすいためである。

また、当該２辺に位置するリード端子３０のみに貫通穴３１を設ければ、ゲート１００に近いリード端子３０、すなわち、第１のコーナー部５０ａを挟んで隣り合うモールド樹脂５０の２辺に位置するリード端子３０には、貫通穴３１を設けなくてもよい。

そのため、貫通穴３１による電気抵抗の増大が好ましくない大電流用等のリード端子については、ゲート１００に近い位置に配置すればよく、そうすることで、たとえば大電流用のリード端子を、適切に本電子装置に組み込むことができる。

さらに、モールド樹脂５０における第２のコーナー部５０ｂを挟んで隣り合う２辺に位置するリード端子３０のうち、よりボイドが発生しやすい第２のコーナー部５０ｂ寄りに位置するもののみに貫通穴３１を設けるようにしてもよい。

このことは、言い換えれば、当該２辺の各辺の両端に位置する２つのコーナー部のうち第２のコーナー部５０ｂの方に近い位置にあるリード端子３０のみ、さらに言うならば、当該各辺を２等分して第２のコーナー部５０ｂに近い方の部位に位置するリード端子３０のみに、貫通穴３１を設けてもよいということである。

それによれば、モールド樹脂５０における第２のコーナー部５０ｂを挟んで隣り合う２辺に位置するリード端子３０のうち、さらに第２のコーナー部５０ｂ寄りに位置するもののみに、貫通穴３１を設けることになるから、貫通穴３１を設けたくない大電流用等のリード端子３０の配置に関する制約が緩和される。

また、本実施形態においては、貫通穴３１が設けられているリード端子３０において、モールド樹脂３０の端面に位置する部位であって貫通穴３１以外の部位が、貫通穴３１の開口縁部に位置する部位である残り部とされる。このとき、図２に示されるように、この残り部の幅Ｗ２、すなわち、貫通穴３１とリード端子３０の外郭との距離Ｗ２が、リード端子３０の板厚Ｔ１以上の大きさであることが望ましい。

それによれば、貫通穴３１が設けられているリード端子３０の残り部において、当該残り部の幅方向に加わる荷重に対する機械的強度を、リード端子３０の板厚方向の機械的強度と同等以上の強度とすることができる。たとえば、図２において、リード端子３０の幅Ｗ１は０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であり、板厚Ｔ１は０．２５ｍｍであるが、このとき、上記残り部の幅Ｗ２を０．２５ｍｍ以上とすればよい。

また、本実施形態では、上述したように、ボンディングワイヤ４０はＡｌやＣｕよりなるワイヤとしているが、これらＡｌやＣｕボンディングワイヤの場合、Ａｕのワイヤに比べて、たとえば１５０μｍ〜５００μｍ程度の太い線径とされる。それに伴って、リード端子３０の幅も広くなり、上記ボイドが発生しやすくなるが、本実施形態のような貫通穴３１を設けた構成を採用することで、ボイド発生を抑制できる。

（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る電子装置の要部、すなわち貫通穴３１を有するリード端子３０の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。

なお、図３（ａ）および後述の図４では、リード端子３０における厚肉部３２の表面に識別の容易化をはかるため、便宜上ハッチングを施してある。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リード端子３０に厚肉部３２を設けたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。

機能リードであるリード端子３０に貫通穴３１を設ける場合、その貫通穴３１によりリード端子３０が細くなることから、機械的強度の低下や電気抵抗の増加などが懸念される。そこで、機能リードの機械的強度や電気抵抗を適切に確保しつつ、機能リードにおけるボイド防止を行うために、本実施形態では厚肉部３２を設けている。

図３に示されるように、この厚肉部３２は、貫通穴３１が設けられているリード端子３０において、モールド樹脂５０の端面に位置する部位であって貫通穴３１の開口縁部に位置する残り部に設けられており、当該リード端子３０における残り部以外の部位よりも板厚が大きい部位として構成されている。このような貫通穴３１および厚肉部３２はプレスやエッチングなどにより形成される。

それによれば、貫通穴３１を形成する分、細くなるリード端子３０の機械的強度の低下や電気抵抗の増加を、厚肉部３２によってリード端子３０を太くすることで補填できる。そのため、貫通穴３１を設けたリード端子３０を大電流用のリード端子として容易に適用することができる。

また、本実施形態においても、貫通穴３１が設けられているリード端子３０においては、残り部の幅が、リード端子３０の板厚以上の大きさであることが望ましい。本実施形態の場合には、残り部の幅は、リード端子３０における厚肉部３２以外の部位の板厚以上の大きさであればよい。

それによれば、残り部の幅方向に加わる荷重に対する機械的強度を、厚肉部３２以外の通常のリード端子３０の板厚部分における当該板厚方向の機械的強度と同等以上の強度とすることができる。

また、図４は、本実施形態の他の例としてのリード端子３０の概略平面図である。このように、１個のリード端子３０についてモールド樹脂５０の端面に位置する部位に、貫通穴３１は複数個あってもよい。この場合には、各貫通穴３１の残り部を厚肉部３２とすればよい。

（第３実施形態）
図５（ａ）〜（ｈ）は、本発明の第３実施形態に係るリード端子３０の種々の例を示す概略平面図である。

上記第１実施形態では、１個のリード端子３０について１個の断面円形の貫通穴３１が形成されていたが、貫通穴３１は複数個でもよいし、その穴形状も円形に限定されるものではない。

図５（ａ）は２個の断面円形の貫通穴３１を設けたもの、図５（ｂ）は１個の断面矩形の貫通穴３１を設けたもの、図５（ｃ）は１個の断面三角形の貫通穴３１を設けたもの、図５（ｄ）は１個の断面楕円形の貫通穴３１を設けたものである。

また、図５（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）に示されるように、貫通穴３１はリード端子３０の一方の板面から他方の板面まで貫通するものであればよく、スリット状の孔であってもよい。また、図５（ｈ）に示されるように、スリット状の孔と通常の貫通穴との組み合わせであってもよい。

（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係る電子装置の製造方法における樹脂成形を行うモールド工程を示す工程図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿った概略断面図である。本実施形態では、上記第１実施形態に示した製造方法との相違点を中心に述べる。

本製造方法のモールド工程においても、電子部品１、２を搭載した回路基板１０をヒートシンク２０の一面に固定し、回路基板１０とリード端子３０とのワイヤボンディングを行ったものを、金型１０２に設置してモールド樹脂５０による封止を行う。

このとき、図６に示されるように、金型１０２のキャビティ１０４の外側に位置するリード端子３０のアウターリード部を金型１０２で押さえて固定する。ここで、金型１０２における空気の排出口であるエアベント１０３を、リード端子３０の貫通穴３１と接続する。

これにより、モールド樹脂５０の成形時には、リード端子３０の貫通穴３１と金型１０２の外部とがエアベント１０３を介して連通するように、金型１０２がリード端子３０に接触しリード端子３０を押さえた状態でとなる。そして、この状態で当該成形を行えば、成形時に貫通穴３１からモールド樹脂５０内の空気がエアベント１０３を介して排出されるので、上記空気巻き込み低減の点で効果的である。

（他の実施形態）
なお、上記図６に示した金型１０２のエアベント１０３は無いものであってもよく、その場合でも、上述のように貫通穴３１による空気巻き込み防止がなされ、ボイド発生が抑制される。

１０ 回路基板
２０ ヒートシンク
３０ リード端子
３１ 貫通穴
３２ 厚肉部
４０ ボンディングワイヤ
５０ モールド樹脂
５０ａ モールド樹脂の第１のコーナー部
５０ｂ モールド樹脂の第２のコーナー部
５１ モールド樹脂の第１の板面
５２ モールド樹脂の第２の板面
Ｇ ゲート痕

Claims (5)

1. 回路基板（１０）と、
   一面上に前記回路基板（１０）を搭載し、前記回路基板（１０）の放熱を行うヒートシンク（２０）と、
   前記ヒートシンク（２０）とは離れて配置され、前記回路基板（１０）とボンディングワイヤ（４０）を介して結線されて電気的に接続された複数本の板状のリード端子（３０）とを備え、
   前記回路基板（１０）、前記ヒートシンク（２０）、前記ボンディングワイヤ（４０）および前記各リード端子（３０）のインナーリード部がモールド樹脂（５０）により封止されるとともに、前記ヒートシンク（２０）における一面とは反対側の他面は前記モールド樹脂（５０）より露出しており、
   前記モールド樹脂（５０）はトランスファーモールド法により成形されたものであって、前記ヒートシンク（２０）の一面側に位置する第１の板面（５１）と前記ヒートシンク（２０）の他面側に位置し前記ヒートシンク（２０）の他面が露出している第２の板面（５２）とを有する矩形板状をなすものであり、
   前記リード端子（３０）は、その板厚方向を前記モールド樹脂（５０）の板厚方向に揃えて配置されるとともに、前記リード端子（３０）のアウターリード部は、前記モールド樹脂（５０）の４辺に位置する各端面にて突出しており、
   さらに、前記モールド樹脂（５０）は、前記成形によるゲート痕（Ｇ）が１個であって、当該ゲート痕（Ｇ）は前記モールド樹脂（５０）の第１のコーナー部（５０ａ）に存在する半導体装置において、
   前記リード端子（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）における前記第１のコーナー部（５０ａ）と対角線上に位置する第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、
   当該リード端子（３０）における前記モールド樹脂（５０）の端面に位置する部位では、当該リード端子（３０）の一方の板面から他方の板面まで貫通する貫通穴（３１）が、前記インナーリード部から前記アウターリード部に渡って開口するように設けられており、
   前記貫通穴（３１）が設けられている前記リード端子（３０）においては、前記モール
   ド樹脂（５０）の端面に位置する部位であって前記貫通穴（３１）の開口縁部に位置する残り部が、当該リード端子（３０）における前記残り部以外の部位よりも板厚が大きい厚肉部（３２）とされていることを特徴とする電子装置。
2. 前記貫通穴（３１）が設けられている前記リード端子（３０）においては、前記貫通穴（３１）と前記リード端子（３０）の外郭との距離である前記残り部の幅が、前記リード端子（３０）における前記厚肉部（３２）以外の部位の板厚以上の大きさであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 回路基板（１０）と、
   一面上に前記回路基板（１０）を搭載し、前記回路基板（１０）の放熱を行うヒートシンク（２０）と、
   前記ヒートシンク（２０）とは離れて配置され、前記回路基板（１０）とボンディングワイヤ（４０）を介して結線されて電気的に接続された複数本の板状のリード端子（３０）とを備え、
   前記回路基板（１０）、前記ヒートシンク（２０）、前記ボンディングワイヤ（４０）および前記各リード端子（３０）のインナーリード部がモールド樹脂（５０）により封止されるとともに、前記ヒートシンク（２０）における一面とは反対側の他面は前記モールド樹脂（５０）より露出しており、
   前記モールド樹脂（５０）はトランスファーモールド法により成形されたものであって、前記ヒートシンク（２０）の一面側に位置する第１の板面（５１）と前記ヒートシンク（２０）の他面側に位置し前記ヒートシンク（２０）の他面が露出している第２の板面（５２）とを有する矩形板状をなすものであり、
   前記リード端子（３０）は、その板厚方向を前記モールド樹脂（５０）の板厚方向に揃えて配置されるとともに、前記リード端子（３０）のアウターリード部は、前記モールド樹脂（５０）の４辺に位置する各端面にて突出しており、
   さらに、前記モールド樹脂（５０）は、前記成形によるゲート痕（Ｇ）が１個であって、当該ゲート痕（Ｇ）は前記モールド樹脂（５０）の第１のコーナー部（５０ａ）に存在する半導体装置において、
   前記リード端子（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）における前記第１のコーナー部（５０ａ）と対角線上に位置する第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、
   当該リード端子（３０）における前記モールド樹脂（５０）の端面に位置する部位では、当該リード端子（３０）の一方の板面から他方の板面まで貫通する貫通穴（３１）が、前記インナーリード部から前記アウターリード部に渡って開口するように設けられており、
   前記貫通穴（３１）が設けられている前記リード端子（３０）においては、前記モールド樹脂（５０）の端面に位置する部位であって前記貫通穴（３１）の開口縁部に位置する部位を残り部としたとき、前記貫通穴（３１）と前記リード端子（３０）の外郭との距離である前記残り部の幅が、前記リード端子（３０）の板厚以上の大きさであることを特徴とする電子装置。
4. 回路基板（１０）と、
   一面上に前記回路基板（１０）を搭載し、前記回路基板（１０）の放熱を行うヒートシンク（２０）と、
   前記ヒートシンク（２０）とは離れて配置され、前記回路基板（１０）とボンディングワイヤ（４０）を介して結線されて電気的に接続された複数本の板状のリード端子（３０）とを備え、
   前記回路基板（１０）、前記ヒートシンク（２０）、前記ボンディングワイヤ（４０）および前記各リード端子（３０）のインナーリード部がモールド樹脂（５０）により封止されるとともに、前記ヒートシンク（２０）における一面とは反対側の他面は前記モールド樹脂（５０）より露出しており、
   前記モールド樹脂（５０）はトランスファーモールド法により成形されたものであって、前記ヒートシンク（２０）の一面側に位置する第１の板面（５１）と前記ヒートシンク（２０）の他面側に位置し前記ヒートシンク（２０）の他面が露出している第２の板面（５２）とを有する矩形板状をなすものであり、
   前記リード端子（３０）は、その板厚方向を前記モールド樹脂（５０）の板厚方向に揃えて配置されるとともに、前記リード端子（３０）のアウターリード部は、前記モールド樹脂（５０）の４辺に位置する各端面にて突出しており、
   さらに、前記モールド樹脂（５０）は、前記成形によるゲート痕（Ｇ）が１個であって、当該ゲート痕（Ｇ）は前記モールド樹脂（５０）の第１のコーナー部（５０ａ）に存在する半導体装置において、
   前記リード端子（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）における前記第１のコーナー部（５０ａ）と対角線上に位置する第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置するものについては、
   当該リード端子（３０）における前記モールド樹脂（５０）の端面に位置する部位では、当該リード端子（３０）の一方の板面から他方の板面まで貫通する貫通穴（３１）が、前記インナーリード部から前記アウターリード部に渡って開口するように設けられており、
   前記貫通穴（３１）は、前記リード端子（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）における前記第１のコーナー部（５０ａ）と対角線上に位置する第２のコーナー部（５０ｂ）を挟んで隣り合う２辺に位置し且つ前記第２のコーナー部（５０ｂ）寄りに位置するものについてのみ、設けられていることを特徴とする電子装置。
5. 前記ボンディングワイヤ（４０）はＡｌまたはＣｕよりなるワイヤであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置。

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