JP5398025B2 - 微小構造体、その製造方法、磁気メモリ、電荷蓄積型メモリ及び光情報記録媒体 - Google Patents
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Description
Hitoshi SATO,他,JORNALOF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN Vol.75,No.5,May,2006,pp.053702/1-4
図1は、微小構造体1を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)装置に載せて観察したときのSEM像である。この微小構造体1は、約10μm程度の粒子形状からなり、その表面が凹凸状に形成された構成を有する。実際上、この微小構造体1は、粒子径が例えば約10〜20nm程度のナノサイズからなる複数の酸化チタン粒子2が結合しており、これら複数の酸化チタン粒子2が結合することにより所定の粒子形状となり得る。
次に、このような微小構造体1の製造方法について以下説明する。具体的には、アナターゼ型の結晶構造を有しナノサイズのTiO2粒子からなる粉末体を所定量用意する。ここで、例えば、図3に示すような粉末体3を構成するTiO2粒子としては、粒子径が約7nm程度のアナターゼ型のTiO2粒子(石原産業株式会社製の商品名「ST−01」)が用いられ、これらTiO2粒子を約3〜9g用意する。
上述した製造方法によって作製された本発明による微小構造体1は、実験によって、次のような特性を有することが明らかになった。
0〜300Kの温度領域において、微小構造体1のXRDの測定を行った。ここで、図4は、微小構造体1のXRDパターンの解析結果であり、横軸に回折角を示し、縦軸に回折X線強度を示している。図4に示すように、XRDパターンでは、ピークの現れた箇所が、α−Ti3O5のXRDパターン(図示せず)とは異なることから、結晶構造がα−Ti3O5ではないことが確認できた。その一方で、このXRDパターンでは、その一部にβ相と同じピークが現れていることから、β相が数%だけ発現していることが確認できた。
ここで本発明の微小構造体1について、XRDパターンの回折X線強度を基に、0〜650Kの温度領域におけるλ相とα相との割合を調べたところ、図7に示すような結果を得た。因みに、微小構造体1では、作製したときに0〜300Kの温度領域において、β−Ti3O5が数%程度発現している。しかしながら、β−Ti3O5についてはλ−Ti3O5の発現量と比べると僅かであることから、ここではλ−Ti3O5についてのみ着目する。
次に温度を変化させたときの微小構造体1の磁気特性について調べた。具体的にはSQUID(Superconducting Quantum Interference Device)を用いた磁束計を用いて、微小構造体1の磁化率を測定した。これにより、図5に示す曲線c2のような結果が得られた。図5から、微小構造体1は、0〜800Kの全ての温度範囲でパウリ常磁性であり、常磁性金属の状態が保たれていることが分かった。
次に、室温時における微小構造体1の電気伝導率について調べた。この場合、微小構造体1からなる粉末試料(以下、これをλ−Ti3O5粉末試料と呼ぶ)を用意し、電導性探針を備えた原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、室温時におけるλ−Ti3O5粉末試料の電気伝導率を測定した。ここで、図9は、横軸に電気抵抗率を示しており、約10−3[Ωcm]以下が金属の電気伝導率を示し、約108[Ωcm]以上が絶縁体の電気伝導率を示し、約10−3を超えて108[Ωcm]未満までの間が半導体の電気伝導率を示している。
次に、室温において微小構造体1に対し、圧力を加える前のXRDパターンと、約3.5GPaの圧力を加えた後のXRDパターンとについて測定した。具体的には、λ−Ti3O5粉末試料に対し約3.5GPaの圧力を加えてペレットを作製し、このλ−Ti3O5ペレットサンプルのXRDパターンを大気圧下で測定した。その結果、λ−Ti3O5粉末試料に圧力を加える前は、図10(A)に示すように、XRDパターンのピークの現れた箇所が、λ−Ti3O5のXRDパターンのピークと一致することから、λ−Ti3O5粉末試料がλ相であることを確認した。
次に、室温において微小構造体1に対し、光を照射する前のXRDパターンと、光を照射した後のXRDパターンとについて測定した。具体的には、λ−Ti3O5粉末試料に対し0.1GPaの圧力を加えて厚さ約1〜2mm程度の黒いペレットサンプルを作製した。なお、ペレットサンプルを作製する前のλ−Ti3O5粉末試料には、ほとんどβ相が無いものの、ペレットサンプルを作製する際に圧力が加えられることから、ペレットサンプルを作製した後のλ−Ti3O5粉末試料には僅かにβ相が発現している。
以上の構成において、本発明では、アナターゼ型の結晶構造を有したナノサイズのTiO2粒子からなる粉末体3を、0.1L/min以上の水素雰囲気下で約1100℃〜1400℃の温度で1時間以上焼成処理する。これにより、この製造方法では、Ti3O5の組成を有し、低温域でλ相となり高温域でα相となる結晶構造からなる微小構造体1を作製できる。
このような微小構造体1は、当該微小構造体1の有する光特性や電気伝導特性、磁性特性を基に、以下のような用途に利用することができる。本発明による微小構造体1は、図15に示すように、温度が約460Kよりも低いとき、常磁性金属の特性を有するλ相の結晶構造を有しており、例えば光や圧力、電磁、磁場等による外部刺激を与えることで、非磁性半導体の特性を有するβ相に結晶構造を変化させ、磁気特性を可変させることができる。
次に、上述した「(3−6)微小構造体の光照射効果」について、さらに詳しく検証した。ここでは、図16(A)に示すように、λ相の結晶構造を有する黒色の試料を用意した。次いで、この試料に対し532nmのパルスレーザー光(Nd3+ YAG レーザー)を照射し、当該パルスレーザー光により所定の光強度を与えた箇所について観察した。この場合、上述したように試料は、パルスレーザー光の照射箇所が黒色からβ相を示す茶色に変色した(図16(B))。
ここでは、λ−Ti3O5の生成機構を理解するために、ギブスの自由エネルギー対電荷非局在ユニットの割合(x)を、平均場理論モデルのSlichter and Drickamerモデルを用いて計算した。
本願発明による微小構造体1は、図22に示すように、パルス光によって結晶構造をλ相からβ相に相転移させることができると共に、CW光によってβ相からα相に相転移させ、温度が低下することでα相から再びλ相に相転移させることができるという特徴を有している。このことから微小構造体1は、例えばCD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)及びBlu−ray Disc(登録商標、以下BDと呼ぶ)等の光情報記録媒体の記録層に用いることができる。この場合、光情報記録媒体は、記録層の初期化、記録層に対する情報の記録、及び記録層からの情報の再生といった3段階を実行し得るようになされている。
光情報記録媒体は、情報を記録する前準備として、当該光情報記録媒体全体又はその一部を初期化する。この場合、光情報記録媒体には、光情報記録再生装置の初期化光源から初期化光を記録層の片面側から照射することにより、記録層の初期化を行う。このとき初期化光は、初期化光照射前の照射部分がβ相又はλ相のいずれかであってもα相に転移するのに十分なエネルギーを有する。記録層では、初期化光が照射された部分においてβ相からα相、さらにα相からλ相に相転移させると共に、λ相からα相、さらにα相からλ相に相転移させ、初期化光が照射された部分を全てλ相とすることで、反射率を一様にする。
光情報記録媒体に情報を記録する際には、光情報記録再生装置によって所定の光強度からなる記録用の記録光が記録層内に集光される。光情報記録媒体では、記録光が照射されることにより、目標位置を中心とした局所的な範囲で微小構造体1の結晶構造が変化してλ相からβ相に相転移し、記録光の焦点近傍(β相)と、その周囲(λ相)との屈折率が異なることとなる。この結果、光情報記録媒体の記録層には微小構造体1がλ相からβ相に相転移してなる記録マークが形成される。
光情報記録媒体に記録された情報を読み出す際には、光情報記録再生装置から所定の光強度でなる読出用の読出光が記録層内に集光される。光情報記録媒体は、記録層から戻ってくる戻り光を、光情報記録再生装置の受光素子により検出させ、微小構造体1の結晶構造の相違(記録マークの有無)により生じる反射率の違いから、記録層に記録された情報を再生することができる。なお、ここで用いる読出光は、記録層に照射した際に、当該記録層の微小構造体1がλ相からβ相に相転移されない程度の光強度を有している。因みに、上述した実施の形態においては、微小構造体がβ相となった状態を記録マークが形成された状態とした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、微小構造体1がλ相となった状態を記録マークが形成された状態としてもよい。ここで、記録光、読出光及び初期化光は、波長が355〜1064nmであればよい。
Claims (11)
- Ti3O5の組成を有し、460K以下になっても非磁性半導体の特性を有するβ相には相転移せずに、0〜800Kの全ての温度領域で常磁性金属状態を維持する結晶構造からなる複数の酸化チタン粒子から構成され、前記複数の酸化チタン粒子が結合することにより粒子形状に形成されている
ことを特徴とする微小構造体。 - 前記結晶構造は、
少なくとも500K以上の温度領域で常磁性金属状態の斜方晶系の結晶構造となり、少なくとも300K以下の温度領域で常磁性金属状態の単斜晶系の結晶構造となる
ことを特徴とする請求項1記載の微小構造体。 - 前記常磁性金属状態の単斜晶系の結晶構造は、外力又は光からなる外部刺激が与えられることにより、非磁性半導体である単斜晶系のβ相に相転移する
ことを特徴とする請求項1又は2記載の微小構造体。 - 前記β相に相転移した結晶構造は、温度上昇によって、前記常磁性金属状態の斜方晶系の結晶構造に相転移する
ことを特徴とする請求項3記載の微小構造体。 - 前記結晶構造は、TiO2粒子を、0.1L/min以上の水素雰囲気下で1時間以上、1100℃〜1400℃で焼成することにより生成する
ことを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項記載の微小構造体。 - ナノサイズのTiO2粒子からなる粉末体を、0.1L/min以上の水素雰囲気下で1時間以上、1100℃〜1400℃で焼成する焼成工程を備え、
前記焼成工程によって、Ti3O5の組成を有し、460K以下になっても非磁性半導体の特性を有するβ相には相転移せずに、0〜800Kの全ての温度領域で常磁性金属状態を維持する結晶構造からなる複数の酸化チタン粒子から構成され、前記複数の酸化チタン粒子が結合することにより粒子形状に形成されている微小構造体を作製する
ことを特徴とする微小構造体の製造方法。 - 支持体上に磁性材料を固定してなる磁性層を備え、
前記磁性材料に、請求項1〜5のうちいずれか1項記載の微小構造体が使用されている
ことを特徴とする磁気メモリ。 - 支持体上に電荷蓄積材料を固定してなる電荷蓄積層を備え、
前記電荷蓄積材料に、請求項1〜5のうちいずれか1項記載の微小構造体が使用されている
ことを特徴とする電荷蓄積型メモリ。 - 請求項1〜5のうちいずれか1項記載の微小構造体からなり、情報の記録時に所定の記録光が集光されると、前記記録光の焦点近傍における前記微小構造体の結晶構造を変化させることにより記録マークを形成し、前記情報の再生時に所定の読出光が照射されることに応じた戻り光を基に該情報を再生させる記録層を備える
ことを特徴とする光情報記録媒体。 - 前記記録層は、
前記記録光が集光されると、前記常磁性金属状態の単斜晶系の結晶構造が、前記記録光の焦点近傍で非磁性半導体である単斜晶系のβ相に相転移して前記記録マークが形成され、
前記β相への初期化光の集光により、該β相が前記常磁性金属状態の斜方晶系へと転移した後、前記常磁性金属状態の単斜晶系へと転移し、前記記録マークが消去される
ことを特徴とする請求項9記載の光情報記録媒体。 - 前記記録光、前記読出光及び前記初期化光は、波長が355〜1064nmである
ことを特徴とする請求項9又は10記載の光情報記録媒体。
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