JP5394680B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
また、MOSFETからなるA/Dコンバータにおいて、全てのMOSトランジスタが埋め込みチャネルであり、ゲート電極の一端部とソース・ドレインを形成する高濃度不純物領域の一端部がオフセットしていることを特徴とする半導体集積回路装置とした。
但し、Kは製造プロセスに依存した定数で、Coxはゲート電極と基板間の容量である。
また、P型ウェル層2上にNMOSを形成しているが、ゲート電極をP型のポリシリコン9及び金属シリサイド膜10の積層構造としており、エンハンス型のNMOSで埋め込みチャネル型を実現した、埋め込みチャネル型N型MOSFET100となっている。
2 P型ウェル層
3 フィールド絶縁膜
4 N−型不純物領域
5 N+型不純物領域
6 P−型不純物領域
7 P+型不純物領域
8 ゲート絶縁膜
9 P型多結晶シリコンゲート電極
10 金属シリサイドゲート電極
12 酸化膜スペーサー
13 N型多結晶シリコンゲート電極
100 埋め込みチャネル型N型MOSFET
101 埋め込みチャネル型P型MOSFET
102 表面チャネル型N型MOSFET
103 表面チャネル型P型MOSFET
104 グラウンド端子
105 入力端子1
106 入力端子2
107 出力端子
108 電源端子
109 抵抗
110 増幅回路
701 基準電圧回路
702 ブリーダー抵抗回路
703 電流原
704 誤差増幅器
706 ボルテージレギュレータ
709 寄生ダイオード
710 P型トランジスタ
Claims (4)
- 第1の埋め込みチャネル型トランジスタで構成される低ノイズ回路のアナログ回路と、
第2の埋め込みチャネル型トランジスタまたは第1の表面チャネル型トランジスタで構成される低ノイズ回路以外のアナログ回路と、
第2の表面チャネル型トランジスタで構成されるデジタル回路と、
を半導体基板上に備え、
前記低ノイズ回路のアナログ回路のトランジスタのゲート酸化膜厚は、前記低ノイズ回路以外のアナログ回路及び前記デジタル回路のトランジスタのゲート酸化膜厚よりも薄く、
前記第1の埋め込みチャネル型トランジスタでは、N型MOSFETにおいて、P型のゲートの一端部とソース・ドレインを形成するN型の高濃度不純物領域の一端部との間に0.5um以上のN型の低濃度不純物領域からなるオフセットが設けられている半導体集積回路装置。 - 前記低ノイズ回路は、増幅回路である請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記低ノイズ回路は、A/Dコンバータである請求項1記載の半導体集積回路装置。
- 前記低ノイズ回路は、D/Aコンバータである請求項1記載の半導体集積回路装置。
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