JP5387927B2 - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
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Description
200 サセプタ
300 シャワーヘッド
400 電源供給部
410 高周波電源
420 給電ロッド
430 高周波整合器
440 高周波ライン
500 位相可変部材
510 接続ロッド
520 電気ライン
530 可変キャパシター
540 インダクタ
600 ガス分配部材
Claims (20)
- 処理室と、
前記処理室内に位置され、基板が置かれるサセプタと、
前記処理室内に位置され、前記基板にガスを供給するシャワーヘッドと、
高周波ラインを通じて前記シャワーヘッドの第1側面に連結された高周波電源と、
電気ラインを通じて前記シャワーヘッドの第1側面とは反対側を向く第2側面に連結された可変キャパシターと、を含み、
前記電気ラインには高周波電源が提供されないように設け、
前記シャワーヘッドは単一で配され、前記シャワーヘッドの第1側面には複数の給電ロッドが配され、
前記高周波ラインは前記給電ロッドに各々連結された複数の高周波分岐ラインを有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記給電ロッドは前記シャワーヘッドの第1側面に沿って互に離隔して配されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記シャワーヘッドの第2側面には複数の接続ロッドが前記シャワーヘッドの第2側面に沿って互に離隔して配され、
前記電気ラインは複数の接続ロッドに各々連結された電気分岐ラインを有することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記給電ロッドと前記接続ロッドとは各々一対一で対応され、互に対向するように配置されることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記高周波電源と前記高周波分岐ラインとの間の区間で前記高周波ラインに提供される高周波整合器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記電気ラインに提供されるインダクタをさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 処理室と、
前記処理室内に位置され、基板が置かれるサセプタと、
前記処理室内に位置され、前記基板にガスを供給するシャワーヘッドと、
高周波ラインを通じて前記シャワーヘッドの第1側面に連結された高周波電源と、
電気ラインを通じて前記シャワーヘッドの第1側面とは反対側を向く第2側面に連結された可変キャパシターと、を含み、
前記電気ラインには高周波電源が提供されないように設け、
前記シャワーヘッドは複数個が同一高さで互に離隔して配され、
前記シャワーヘッドの第1側面には単一の給電ロッドが各々配され、前記シャワーヘッドの第2側面には単一の接続ロッドが各々配され、
前記高周波ラインは前記給電ロッドに各々連結された高周波分岐ラインを有し、
前記電気ラインは前記接続ロッドに各々連結された分岐電気ラインを有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記給電ロッドと前記接続ロッドとは一対一で対応されて互に対向するように配置されることを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 隣接する前記シャワーヘッドの間に位置され、前記シャワーヘッドを電気的に絶縁させる絶縁部材をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記電気ラインに提供されるインダクタをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記サセプタの上面と前記シャワーヘッドの底面の間の間隔は10mm以上20mm以下であることを特徴とする請求項1又は7に記載の基板処理装置。
- シャワーヘッドの第1側面に連結された給電ロッドを通じて前記シャワーヘッドに高周波電力を印加し、前記シャワーヘッドの第1側面とは反対側を向く第2側面に連結された可変キャパシターの大きさを調節し、前記シャワーヘッドから基板にプラズマを供給し、
前記基板にプラズマが供給される間において、前記可変キャパシターの容量は、第1工程時間の間には第1大きさに維持され、第2工程時間の間には前記第1大きさと異なる第2大きさに維持され、
前記可変キャパシターの容量が
前記第1大きさに維持される間に、前記シャワーヘッドの第1領域は前記シャワーヘッドの第2領域よりプラズマ密度が高くなり、
前記第2大きさに維持される間に、前記シャワーヘッドの第1領域は前記シャワーヘッドの第2領域よりプラズマ密度が低くなり、
前記給電ロッドは前記シャワーヘッドの第1側面に沿って互に離隔して複数配され、
前記高周波電力は前記給電ロッドへ同時に印加されることを特徴とする基板処理方法。 - 前記第1工程時間と前記第2工程時間とでは、工程時間が互に異なることを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記第1領域は前記シャワーヘッドの第1側面に隣接し、前記第2領域は前記シャワーヘッドの第2側面に隣接することを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記可変キャパシターの容量は、前記第1大きさと前記第2大きさとが交互に反複されることを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記高周波電力は30MHz以上60MHz以下であることを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記基板にプラズマが供給される間において、前記シャワーヘッドが位置される処理室の内部圧力は1Torr以上10Torr以下であることを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記可変キャパシターが設置され前記シャワーヘッドの第2側面に連結される電気ラインには高周波電源が提供されないことを特徴とする請求項12に記載の基板処理方法。
- シャワーヘッドの第1側面に連結された給電ロッドを通じて前記シャワーヘッドに高周波電力を印加し、前記シャワーヘッドの第1側面とは反対側を向く第2側面に連結された可変キャパシターの大きさを調節し、前記シャワーヘッドから基板にプラズマを供給し、
前記基板にプラズマが供給される間において、前記可変キャパシターの容量は、第1工程時間の間には第1大きさに維持され、第2工程時間の間には前記第1大きさと異なる第2大きさに維持され、
前記シャワーヘッドは単一で配され、
前記給電ロッドは複数配されて前記シャワーヘッドの第1側面に沿って互に離隔された地点で前記高周波電力を印加することを特徴とする基板処理方法。 - 処理室と、
前記処理室内に位置され、基板が置かれるサセプタと、
前記処理室内に位置され、前記基板にガスを供給するシャワーヘッドと、
高周波ラインを通じて前記シャワーヘッドの第1側面に連結された高周波電源と、
前記高周波電源と前記シャワーヘッドとの間の区間で前記高周波ラインに設置される高周波整合器と、
前記シャワーヘッドの第1側面とは反対側を向く第2側面に連結された電気ラインに提供される可変キャパシター及び可変インダクタのうち少なくとも一方と、を含み、
前記電気ラインには高周波電源が提供されないように設け、
前記シャワーヘッドは単一で配され、
給電ロッドは複数配されて前記シャワーヘッドの第1側面に沿って互に離隔して配置され、
前記高周波ラインは前記給電ロッドに各々連結された高周波分岐ラインを有することを特徴とする基板処理装置。
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