JP5381816B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5381816B2
JP5381816B2 JP2010046935A JP2010046935A JP5381816B2 JP 5381816 B2 JP5381816 B2 JP 5381816B2 JP 2010046935 A JP2010046935 A JP 2010046935A JP 2010046935 A JP2010046935 A JP 2010046935A JP 5381816 B2 JP5381816 B2 JP 5381816B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
electrode
unevenness
bonding method
ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010046935A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011181839A (ja
Inventor
純司 藤野
洋暁 一戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2010046935A priority Critical patent/JP5381816B2/ja
Publication of JP2011181839A publication Critical patent/JP2011181839A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5381816B2 publication Critical patent/JP5381816B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、半導体パッケージや電子部品の基板実装で用いられるワイヤボンディング方法に関し、特に接合性を向上することができるワイヤボンディング方法に関する。
従来のワイヤボンディングでは、まず、キャピラリから導出されたワイヤの先端をアーク放電や火炎によって溶融させてボールを形成する。次に、ボールを第１の電極に接触させてキャピラリにより超音波振動を印加しながら押し潰して、ワイヤを第１の電極にボンディングする。次に、キャピラリにより加重及び超音波振動を印加することにより、ワイヤを第２の電極にボンディングする。この際に、第１の電極と第２の電極との間においてワイヤが屈曲部を有するループ状になる。
なお、機械部品等の密着面の密着性を向上させるために、フェムト秒レーザを用いて密着面に微細周期構造を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、ワイヤと電極との接合性を向上させることについては何ら開示されていない。
特許４０９２２５６号公報
ワイヤボンドのボールは、溶融した後に大気中への自然放熱によって融点以下まで冷却されて凝固する。これは緩やかな凝固のため、結晶の寸法は数十μｍにおよぶ場合が多い。結晶寸法が大きいと、荷重によるズレが生じやすい結晶粒界が少ないため、塑性変形しにくい。さらに、金属拡散速度の大きい粒界が少ないため、金属接合しにくい。
特に、高密度実装を実現しようとするとワイヤボンドの狭ピッチ化が必要となり、ボールサイズが小さくなると、ボールに含まれる結晶の数が少なくなり、この傾向が顕在化する恐れがある。また、高密度実装の目的で半導体チップを積層する場合、チップが薄くなるため、チップ破壊を防止するために低荷重での接合が重要となり、塑性変形のしやすさが必須となる。
また、半導体素子やプリント基板の電極は、めっきや蒸着により数μｍ以下の薄さで形成される。このため、電極の結晶寸法は１μｍ程度となることが多い。Ａｕ線をワイヤとして用いる場合、電極がＡｕであれば比較的良好な接合性が期待できる。しかし、ボールと電極で結晶寸法が大きく違う場合には、相互拡散が遅くなり、接合性が低下する可能性がある。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、接合性を向上することができるワイヤボンディング方法を得るものである。
本発明は、ワイヤの先端に形成されたボールの表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸を形成する工程と、前記ボールを第１の電極に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、前記ワイヤを前記第１の電極にボンディングする工程とを備え、前記第１の凹凸が延びる方向は、前記超音波振動の振幅方向に直交することを特徴とするワイヤボンディング方法である。
本発明により、接合性を向上することができる。
本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。 本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。
本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法について図面を参照しながら説明する。図１〜６は、本発明の実施の形態に係るワイヤボンディング方法を説明するための断面図である。
まず、図１に示すように、キャピラリ１０から導出されたワイヤ１２の先端に、照射出力を大きくしたフェムト秒レーザを照射して溶融させて、ボール１４を形成する。
次に、図２に示すように、ワイヤ１２の先端に形成されたボール１４の下半分の表面にフェムト秒レーザを照射する。ここで、例えばフェムト秒レーザの波長を８００ｎｍ、パルスエネルギーを１ｍＪ、繰り返しを１ｋＨｚ、パルス幅を２００ｆｓとする。これにより、ボール１４の表面に、１μｍ以下の縞状の第１の凹凸１６が形成される。この凹凸は、ボール１４の表面に形成されたリップル又はナノ周期構造である。
この際に、レーザ光の出力を制御することで、ボール１４の溶融状態から一旦冷却されて固体化する前に表面に第１の凹凸１６を形成する。これにより、凝固に伴う残留応力を低減させ、信頼性の高いワイヤボンド部を形成することができる。
次に、図３に示すように、半導体チップ１８上に形成された第１の電極２０の表面に、フェムト秒レーザを照射して縞状の第２の凹凸２２を形成する。この際に、第１の凹凸１６の形成時とレーザの波長を同じにし、更に好ましくは第１の電極２０の構造、材質、厚み、及びメタライズの製法などに応じてレーザの波長及び出力を調整して、第１の凹凸１６と第２の凹凸２２をほぼ等しい寸法（周期）にする。
次に、図４に示すように、ボール１４を第１の電極２０に接触させてキャピラリ１０により超音波振動を印加しながら押し潰す。これにより、ワイヤ１２を第１の電極２０にボンディングする。ここで、第１の凹凸１６及び第２の凹凸２２が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、低荷重でも良好な接合性を得ることができる。なお、半導体チップ１８はプリント基板２４上に搭載されている。プリント基板２４上には第２の電極２６が形成されている。
次に、図５に示すように、ワイヤ１２の屈曲部（後述）となる部分にフェムト秒レーザを照射して屈曲方向に直交する縞状の第３の凹凸２８を形成する。また、１回目のワイヤボンディングと同様に、ワイヤ１２のボンディング部分及び第２の電極２６の表面にフェムト秒レーザを照射して、超音波振動の振幅方向に直交する縞状の凹凸を形成する。
次に、図６に示すように、キャピラリ１０により加重及び超音波振動を印加することにより、第２の電極２６にワイヤ１２をボンディングする。この際に、第１の電極２０と第２の電極２６との間においてワイヤ１２が屈曲部３０を有するループ状になる。なお、プリント基板２４はホットプレート上に置かれ、加熱された状態である。
以上説明したように、本実施の形態では、ボールの表面にフェムト秒レーザを照射して、超音波振動の振幅方向に直交する縞状の凹凸を形成する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。
また、レーザを照射して接合部のワイヤや電極の温度を上昇させることで、塑性変形しやすくなり、接合性を高めることができる。さらに、塑性変形に伴う残留応力を低減することもできる。
また、ワイヤボンドする電極の表面にもレーザを照射することにより、ボールの表面と結晶寸法を揃えて接合性を高めることができる。さらに、第１の電極の構造及び材質などに応じてレーザの波長及び出力を調整することで、第１の凹凸と第２の凹凸をほぼ等しい寸法にすることができる。
また、ボールの形成と凹凸の形成を同じレーザによって行うことで、生産性を改善することができる。
また、ループ状のワイヤの屈曲部にもレーザを照射することで、塑性変形に伴う粒界を起点としたクラックの発生を抑制することができる。
なお、フェムト秒レーザの光源として、例えばCyber Laser社製の光源を用いる。ただし、リップル形成可能なレーザであれば他の波長・出力のレーザでも同様の効果が得られる。また、ワイヤは例えばＡｕ線だが、ＡｌやＣｕなど他の金属ワイヤでも同様の効果が得られる。また、明確な縞状の凹凸（ナノ周期構造）が形成されなくても、レーザを照射された最表面の結晶寸法が微細化されれば同様の効果が得られる。
１２ ワイヤ
１４ ボール
１６ 第１の凹凸
２２ 第２の凹凸
２６ 第２の電極
２８ 第３の凹凸
３０ 屈曲部

Claims (5)

  1. ワイヤの先端に形成されたボールの表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸を形成する工程と、
    前記ボールを第１の電極に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、前記ワイヤを前記第１の電極にボンディングする工程とを備え、
    前記第１の凹凸が延びる方向は、前記超音波振動の振幅方向に直交することを特徴とするワイヤボンディング方法。
  2. 前記第１の電極の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第２の凹凸を形成する工程を更に備え、
    前記第２の凹凸が延びる方向は、前記超音波振動の振幅方向に直交することを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング方法。
  3. 前記第１の電極の構造及び材質に応じて前記フェムト秒レーザの波長及び出力を調整して、前記第１の凹凸と前記第２の凹凸をほぼ等しい寸法にすることを特徴とする請求項２に記載のワイヤボンディング方法。
  4. 前記第１の凹凸を形成する前に、前記ワイヤの先端にフェムト秒レーザを照射して前記ボールを形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のワイヤボンディング方法。
  5. 前記ワイヤを前記第１の電極にボンディングした後に前記ワイヤを第２の電極にボンディングして、前記第１の電極と前記第２の電極の間において前記ワイヤが屈曲部を有するループ状になるようにする工程と、
    前記ワイヤを前記第２の電極にボンディングする前に、前記ワイヤの前記屈曲部となる部分にフェムト秒レーザを照射して屈曲方向に直交する縞状の第３の凹凸を形成する工程とを更に備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のワイヤボンディング方法。
JP2010046935A 2010-03-03 2010-03-03 ワイヤボンディング方法 Active JP5381816B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010046935A JP5381816B2 (ja) 2010-03-03 2010-03-03 ワイヤボンディング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010046935A JP5381816B2 (ja) 2010-03-03 2010-03-03 ワイヤボンディング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011181839A JP2011181839A (ja) 2011-09-15
JP5381816B2 true JP5381816B2 (ja) 2014-01-08

Family

ID=44693017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010046935A Active JP5381816B2 (ja) 2010-03-03 2010-03-03 ワイヤボンディング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5381816B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5546670B1 (ja) * 2013-06-13 2014-07-09 田中電子工業株式会社 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造
CN109332901B (zh) * 2018-09-14 2021-01-08 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 陶瓷劈刀及其制作方法和应用

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6248033A (ja) * 1985-08-28 1987-03-02 Nec Corp ワイヤボンデイング方法
JP4092256B2 (ja) * 2003-06-04 2008-05-28 財団法人レーザー技術総合研究所 金属密着面表面処理方法
JP2006210534A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Sumitomo Electric Hardmetal Corp 実装工具
JP5597946B2 (ja) * 2008-10-03 2014-10-01 日産自動車株式会社 金属の低温接合方法
JP5310515B2 (ja) * 2009-12-07 2013-10-09 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011181839A (ja) 2011-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6578900B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5689514B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI395313B (zh) 銲球凸塊結構及其形成方法
JP5658898B2 (ja) ウェハ接合半導体装置の製造方法
JP4764983B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6485397B2 (ja) 電子装置及びその製造方法
JP7368450B2 (ja) 半導体装置および接合方法
JP2011077193A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012515441A5 (ja)
JP4765853B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2016092791A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2011018823A (ja) ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング用のレーザ溶接装置
JP5381816B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JP2006302963A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4572984B2 (ja) レーザ溶接構造およびレーザ溶接方法
JP2007305620A (ja) 半導体装置の製造方法
CN104465427A (zh) 封装结构及半导体工艺
JP2014187308A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI455264B (zh) 晶片接合結構及晶片接合的方法
CN204632803U (zh) 一种csp led及基板
JP2006332151A (ja) 半導体装置の実装方法
JP2006114649A (ja) 半導体装置の製造方法およびその製造装置
JP2007019103A (ja) 半導体モジュールの製造方法
JP2006286666A (ja) 半導体装置の製造方法
US20100148364A1 (en) Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130916

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5381816

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250