JP5357118B2 - 半導体レーザ駆動制御回路 - Google Patents
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Description
また、レーザプリンタで使用される半導体レーザ装置では、基準パワー調整後、温度の変化によってレーザダイオードの射出パワーが変化することがある。基準パワー調整後の射出パワーの変化を防ぎ、レーザダイオードの射出パワーを一定にするための技術として、従来から、APC(Auto Power Control)がある。図5に示した構成において、レーザダイオード6で発生する射出パワーの温度による変動をAPCによって確実に吸収するため、検出部9に温度依存の少ないトリマブル抵抗器12を使用する場合もある。
また、調整後の抵抗値の把握も難しい上に、調整後のトリマブル抵抗器の状態を、振動や衝撃を始め如何なる環境下においても物理的に保持しなくてはならない。さらに、図5に示したレーザダイオード6が複数個存在する装置では、各レーザダイオードを基準パワーに調整するために、複数個分のトリマブル抵抗器が必要になる。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであって、トリマブル抵抗器を用いずに、レーザの射出パワーを高精度で簡単に調整できる、半導体レーザ駆動制御回路を提供することを目的とする。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記電流−電流変換器は、前記ミラー電流のミラー比を設定するスイッチ群(620、720)を備え、該スイッチ群による設定に応じて、前記光電流を所定の範囲に正規化されたミラー電流に変換することを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、請求項1,2又は3に記載の発明において、前記電流−電流変換器と前記D/A変換器と前記比較器とが、前記レーザ光の検出部(9)を構成し、該検出部は、集積回路化されていることを特徴とする。
(半導体レーザ駆動制御回路)
図1は、本実施形態の半導体レーザ駆動制御回路を含む半導体レーザ装置全体の構成示すブロック図である。図1において、図5中に示した構成と同様の構成については同様の符号を付して示す。
図1に示したように、本実施形態の半導体レーザ装置は、半導体レーザモジュール10と、半導体レーザモジュール10を制御する半導体レーザ駆動制御回路11と、半導体レーザ駆動制御回路11を外部から制御するコントローラ(図中に外部制御装置とも記す)4と、半導体レーザモジュール10から出力されるレーザ光のパワーをモニタするパワーメータ8を含んでいる。以上の構成のうち、半導体レーザ駆動制御回路11が本実施形態の半導体レーザ駆動制御回路を構成する。
検出部9から抽出された電流Imは、電流−電流変換器1に入力される。電流−電流変換器1では、電流Imが、その値に比例したミラー電流Ipdに変換されて比較器3に注入される。また、比較器3には、D/A変換器2によって出力された所定の値のリファレンス電流Irefが注入される。比較器3は、ミラー電流Ipdと電流Irefとを比較し、その差分をレーザ駆動制御部5に出力する。なお、電流−電流変換器1のミラー比nと、電流Irefの値は、コントローラ4によって設定される。
レーザ駆動制御部5は、比較器3の出力に基づいて駆動電流Ildを設定し、前記、IpdとIrefが一致するように、レーザダイオード6にて発生する射出パワーを制御する。
図2は、図1に示した半導体レーザ装置の検出部9の、電流―電流変換器1をより具体的に示した図である。電流―電流変換器1は、光電変換素子7に対して一定のバイアス電圧を供給するバイアス供給部310と、比較器3に供給されるミラー電流Ipdを生成するミラー電流生成部311を含んでいる。
バイアス供給部310は、定電流源301、MOSトランジスタ302、303を備えている。定電流源301からは、MOSトランジスタ302にオフセット電流が供給される。MOSトランジスタ302のゲート端子には一定のバイアス電圧Vaが供給されている。定電流源301と、MOSトランジスタ302のソースと、光電変換素子7のカソードとが接続されていて、このような構成がソースフォロアを形成することから、光電変換素子7には一定のバイアス電圧が供給される。
ミラー電流生成部311は、MOSトランジスタ304と、定電流源305とを備えている。定電流源305は、定電流源301の1/n倍のオフセット電流をMOSトランジスタ304に供給する。このとき、MOSトランジスタ303に流れる電流と、MOSトランジスタ304に流れる電流とは、n:1のミラーの関係になる。このような構成により、MOSトランジスタ304に流れる電流と定電流源305によって供給される電流との差分、すなわち、光電変換素子7で発生する電流Imを1/n倍にした電流のみが比較器3に供給される。
ソースフォロア回路610は、定電流源601、MOSトランジスタ602、603を備えている。MOSトランジスタ602のソース端子には定電流源601が接続され、MOSトランジスタ602、603はそのドレイン端子同士が接続されている。MOSトランジスタ603のドレイン端子とゲート端子とが接続されている。
MOSトランジスタ703のゲート端子にはスイッチ群720のスイッチング素子720aが、MOSトランジスタ703のゲート端子にはスイッチ群720のスイッチング素子720bが接続されている。スイッチング素子720aの切替えにより、MOSトランジスタ703のゲート端子には、正の電源電圧VDDまたはMOSトランジスタ503のゲート端子及びドレイン端子に供給される電圧が供給される。また、スイッチング素子720bの切替えにより、MOSトランジスタ702のゲート端子には、バイアス電圧Vaまたはグラウンド電圧が供給される。
スイッチ群620のスイッチング素子620a、620bは、ミラー比設定K[0]の極性“H”、“L”によって切り換えられる。また、スイッチ群720のスイッチング素子720a、720bは、ミラー比設定K[1]の極性“H”、“L”によって切り換えられる。
K=0
Imの範囲 :1×Im_min〜2×Im_min, Ipd:Im_min〜2×Im_min
K=1
Imの範囲:2×Im_min〜4×Im_min, Ipd:Im_min〜2×Im_min
K=2
Imの範囲:4×Im_min〜8×Im_min, Ipd:Im_min〜2×Im_min
K=3
Imの範囲:8×Im_min〜16×Im_min, Ipd:Im_min〜2×Im_min
K=4
Imの範囲:16×Im_min〜32×Im_min, Ipd:Im_min〜2×Im_min
図4に示したフローチャートでは、先ず、ミラー比設定K[0](K=0)とし、図1に示したD/A変換器2のコードを最小コードに設定する。レーザダイオード6の射出パワーは、光電変換素子7によって電流Imに変換される。このとき、電流―電流変換器1によって1(20)倍された出力電流と、コードが最低値に設定されたD/A変換器2の出力電流と、比較器3による大小比較の結果に基づいてレーザ駆動制御部5が制御される。この結果、レーザ駆動制御部5により、パワーメータ8でモニタされるレーザダイオード6の射出パワーが、一定の最低パワーになるようなフィードバック制御が行われる(ステップS401)。
目標光量に到達した際のミラー比設定K、およびD/A変換器2のコードはデジタルデータである。このことから、本実施形態では、半導体レーザ駆動制御回路11の固有のデータとしてD/A変換器2のコードをコントローラ4によって記録できる。なお、ミラー比設定KとD/A変換器2のコードとが共に最大に設定されるまでにレーザ光のパワーが目標光量に到達しなければ、予め想定されたIm_max〜Im_minの範囲を超えた半導体レーザモジュール10であることが判る。
例えば、図1におけるレーザダイオード6が複数個存在する装置において、各レーザダイオードに対する基準パワーの調整を時分割でおこない、検出部9は1個とし、時分割で抽出した複数個分のデータを、集積回路に複数個具備したレジスタにデータ格納することもできる。コントローラ4は、調整完了後、格納されたレジスタデータを読み出せばよい。
2 D/A変換器
3 比較器
4 コントローラ
5 レーザ駆動制御部
6 レーザダイオード
7 光電変換素子
8 パワーメータ
9 検出部
10 半導体レーザモジュール
11 半導体レーザ駆動制御回路
12 トリマブル抵抗器
301、305、501、601 定電流源
302、303、304、502、503、602、603、702、703 MOSトランジスタ
310 バイアス供給部
311 ミラー電流生成部
510、610、710 ソースフォロア回路
620、720イッチ群
620a、620b、720a、720b スイッチング素子
Claims (4)
- レーザ光を光電変換して得られる光電流を検出し、当該検出によって得られた検出値と所定の基準値との相違に基づいて、前記レーザ光を射出した半導体レーザ装置をフィードバック制御する半導体レーザ駆動制御回路において、
前記光電流を入力し、変更可能に設定されるミラー比に基づいて、前記光電流に比例するミラー電流を出力する電流−電流変換器と、
変更可能に設定される前記基準値を示すリファレンス電流が出力されるD/A変換器と、
前記電流−電流変換器の出力電流と前記D/A変換器のリファレンス電流とを比較する比較器と、
該比較器による比較の結果に基づいて、前記半導体レーザ装置から射出されるレーザ光の照射パワーが基準パワーに到達するように、前記半導体レーザ装置をフィードバック制御するレーザ駆動制御部とを備え、
前記D/A変換器のコードは、前記ミラー比が設定された後に調整されることを特徴とする半導体レーザ駆動制御回路。 - 前記電流−電流変換器は、前記ミラー電流のミラー比を設定するスイッチ群を備え、該スイッチ群による設定に応じて、前記光電流を所定の範囲に正規化されたミラー電流に変換することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ駆動制御回路。
- 前記電流―電流変換器は、前記レーザ光を光電変換する光電変換素子に一定のバイアス電圧を与え、前記光電流を1/n倍の電流に変換するミラー比n:1の複数のミラー回路を備え、前記光電流は、前記ミラー比に応じて前記複数のミラー回路に分配されることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ駆動制御回路。
- 前記電流−電流変換器と前記D/A変換器と前記比較器とが、前記レーザ光の検出部を構成し、該検出部は、集積回路化されていることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の半導体レーザ駆動制御回路。
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