JP5356168B2 - 車両用リニアソレノイドの制御装置 - Google Patents

Description

本発明は、車両用リニアソレノイドの電流値を指示値に応じて変化させる制御装置に関する。

特許文献１には、リニアソレノイドの電流値を指示値に応じて制御する装置において、現在の電流値よりも低い電流値に減少させる指示が発生すると、所定時間だけリニアソレノイドへの通電を遮断した後に指示値にまで電流値を増大させることで、リニアソレノイドの電流値を増減制御するときに生じる推力ヒステリシスを抑制するようにした通電制御方法の開示がある。

特開平８−０３１６３７号公報

上記のように、リニアソレノイドの電流値の減少要求に対して一時的に通電を遮断する場合、指示値の減少変化が頻発（連続）すると、通電遮断状態が長く継続したり、通電遮断状態が繰り返されたりして、リニアソレノイドをアクチュエータとする機器の制御量の制御精度が低下するという問題が生じる。

例えば、前記リニアソレノイドが、エンジンで駆動される車両用可変容量ポンプの容量を変化させるアクチュエータとして使用され、リニアソレノイドへの通電遮断によってソレノイド推力が低下しポンプ容量が増えるように構成される場合、通電遮断状態が継続すると、ポンプ容量が過渡的に増えることでポンプを駆動するための負荷（トルク）が増え、エンジンの燃費性能を低下させてしまうという問題が生じ、また、通電遮断状態が繰り返されると、ポンプ容量の制御安定性が損なわれてしまうという問題が生じる。

本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、リニアソレノイドの通電制御において制御量のヒステリシスが生じることを抑制しつつ、電流指示値の減少変化が頻発（連続）する場合であっても、高い制御精度を維持できる車両用リニアソレノイドの制御装置を提供することを目的とする。

そのため、本願発明では、車両用リニアソレノイドの電流値の指示値が減少変化したときに、前記車両用リニアソレノイドの電流値を前記指示値よりも低いリセット電流値に第１所定時間だけ制御するヒス低減制御を開始させ、前記ヒス低減制御の開始後の前記第１所定時間内で前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を延長せずに終了させ、前記第１所定時間経過後の第２所定時間内において前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を開始させないようにした。
また、本願発明では、前記ヒス低減制御の開始後の前記第１所定時間内で前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を延長せずに終了させ、前記車両用リニアソレノイドのヒステリシスの幅が設定値よりも小さい領域に前記指示値が含まれる場合には前記ヒス低減制御を開始させないようにした。
また、本願発明では、前記ヒス低減制御の開始後の前記第１所定時間内で前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を延長せずに終了させ、前記第１所定時間経過後の第２所定時間内において前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を開始させず、前記車両用リニアソレノイドのヒステリシスの幅が設定値よりも小さい領域に前記指示値が含まれる場合には前記ヒス低減制御を開始させないようにした。

上記発明によると、リニアソレノイドの通電制御においてヒステリシスが生じることを抑制しつつ、電流指示値の減少変化が頻発（連続）する場合であっても、高い制御精度を維持できる。

実施形態において車両用リニアソレノイドとしてのポンプ容量制御用ソレノイドを含む車両用自動変速機のポンプ容量制御装置を示す全体システム図である。 実施形態におけるポンプ容量制御用ソレノイドのヒステリシス特性を示す線図である。 実施形態におけるヒステリシス低減制御を示すフローチャートである。 実施形態におけるヒステリシス低減制御を示すフローチャートである。 実施形態におけるカウント時間と指示電流との相関を示す線図である。 実施形態における指示電流の減少変化に対する実電流の変化を示すタイムチャートである。

以下に本発明の実施の形態を説明する。
図１は本願発明に係る制御装置を適用する車両用リニアソレノイドを含んで構成される車両用自動変速機のポンプ容量制御装置を示す全体システム図である。

図１に示すポンプ容量制御装置は、ポンプ容量制御用ソレノイド１、図外のエンジンのスロットル開度ＴＶＯを検出するスロットル開度センサ２、車両の走行速度（車速）ＶＳＰを検出する車速センサ３、自動変速機の作動油（ＡＴＦ）の温度ＴＯを検出する油温センサ４、ライン圧ＰＬを検出するライン圧センサ５、シフトレバー位置を検出するシフトスイッチ６、Ａ／Ｔコントロールユニット７を含んで構成される。

前記ポンプ容量制御用ソレノイド１は、通電量がデューティ制御されるリニアソレノイドバルブであって、パイロットバルブ１０からの一定圧によるパイロット圧をベースとし、Ａ／Ｔコントロールユニット７から出力されるデューティ制御信号に応じてコントロールピストン圧を作り出す。

そして、前記コントロールピストン圧を可変容量ポンプ１１のコントロールピストン室１１ａに供給し、コントロールピストン１１ｂを介して支点１１ｃを中心として揺動するカムリング１１ｄの揺動位置（偏心量）を制御することで、可変容量ポンプ１１からの吐出油量（容量）を制御する。

尚、図１において、符号１２はパイロット圧油路、符号１３はコントロールピストン圧油路、符号１４はライン圧油路を示す。
前記Ａ／Ｔコントロールユニット７は、マイクロコンピュータを含んで構成され、前記スロットル開度センサ２，車速センサ３，油温センサ４，ライン圧センサ５，シフトスイッチ６などからの検出信号を入力し、これらの検出信号に基づき、目標ポンプ流量Ｑtgを設定し、ポンプ流量が前記目標ポンプ流量Ｑtgになるように、前記ポンプ容量制御用ソレノイド１の指示電流を設定する。

そして、前記指示電流に対応するデューティ比のパルス信号（操作量）で、ポンプ容量制御用ソレノイド１への通電をスイッチングするスイッチング素子（トランジスタ）を駆動制御することで、可変容量ポンプ１１からの吐出油量（制御量、容量）を制御する。

前記指示電流に応じたポンプ容量制御用ソレノイド１のデューティ制御においては、実際にポンプ容量制御用ソレノイド１に流れる電流を検出し、該電流検出値が指示電流に近づくように、デューティ比を変化させるフィードバック制御を行わせることができ、また、予め設定された指示電流とデューティ比との相関から、デューティ比をフィードホワード制御してもよい。

前記ポンプ容量制御用ソレノイド１（車両用リニアソレノイド）は、電流値の増減変化に対してヒステリシス特性を有し、図２に示すように、前記ポンプ容量制御用ソレノイド１の指示電流（電流の指示値）の増減変化に対する可変容量ポンプ１１の吐出流量にヒステリシスが生じ、吐出流量（ポンプ容量）の制御精度を低下させる要因になってしまう。

そこで、本実施形態では、前記Ａ／Ｔコントロールユニット７によるポンプ容量制御用ソレノイド１の通電制御において、前記ヒステリシスを抑制するための制御（ヒステリシス低減制御）を、図３，図４のフローチャートに示すルーチンに従って実行する。

前記ヒステリシス低減制御は、概略的に述べると、ポンプ容量制御用ソレノイド１への通電を一時的に遮断することで、残留磁束を減少させ、電流減少時に前記残留磁束の影響を受けて発生するヒステリシスを抑制するものである。

尚、図３，４のフローチャートに示すルーチンは、一定時間毎に割り込み実行されるものとする。
まず、ステップＳ１０１では、前記目標ポンプ流量Ｑtgに応じてポンプ容量制御用ソレノイド１の指示電流（電流値の指示値・目標電流値）を算出する。

ステップＳ１０２では、そのときの指示電流が予め設定されたヒステリシス補正範囲内であって、かつ、ヒス補正禁止フラグ＝０であるか否かを判断する。
前記ヒステリシス補正範囲とは、リニアソレノイドのヒステリシスの幅が許容最大値よりも小さい領域を除く指示電流範囲、換言すれば、リニアソレノイドのヒステリシスの幅が許容最大値よりも大きくなる指示電流範囲である。

図２に示す例では、指示電流がＩＬow及びＩHigh（ＩＬow＜＜ＩHigh）であるときにヒステリシスの幅が許容最大値になり、指示電流がＩＬow以下の場合にヒステリシスの幅が許容最大値よりも小さくなり、また、指示電流がＩHigh以上の場合にもヒステリシスの幅が許容最大値よりも小さくなり、ＩＬow＜指示電流＜ＩHighである場合に、ヒステリシスの幅が許容最大値よりも大きくなるから、前記ヒステリシス補正範囲は、ＩＬow＜指示電流＜ＩHighの範囲である。

尚、ヒステリシスの幅とは、電流を増大変化させているときと電流を減少変化させているときと間における、同じ電流値に対する制御量（ポンプ吐出流量）の差である。
また、ヒステリシスの幅の許容最大値とは、前記可変容量ポンプ１１の吐出流量制御における許容最大誤差に対応するヒステリシス幅であり、許容最大値以下のヒステリシス幅の発生は、前記可変容量ポンプ１１の吐出流量制御（容量制御）の制御誤差を許容値内に抑制できるように、前記許容最大値が予め適合されている。

ステップＳ１０２で、指示電流がヒステリシス補正範囲内（ＩＬow＜指示電流＜ＩHigh）であって、かつ、ヒス補正禁止フラグ＝０であると判断されると、ステップＳ１０３へ進んで、ヒス補正フラグに１をセットし、指示電流がヒステリシス補正範囲内でなくヒステリシスの幅が許容最大値よりも小さい領域に含まれているか、及び／又は、ヒス補正禁止フラグ＝１である場合には、ステップＳ１０４へ進んで、ヒス補正フラグに０をセットする。

指示電流がヒステリシス補正範囲内でない場合には、ヒステリシスを抑制するための制御（ヒステリシス低減手段）を実行しなくても、発生するヒステリシス（ポンプ吐出流量の誤差）が充分に小さいので、後述するヒステリシスを抑制するための制御（ヒステリシス低減制御）は不要と判断し、ヒステリシスを抑制するための制御が許可状態であるか否かを示すヒス補正フラグに対し、不許可状態を示す０をセットする。

また、ヒス補正禁止フラグ＝１である場合には、ヒステリシスを抑制するための制御の禁止が要求されているので、ヒス補正フラグに対し、不許可状態を示す０をセットする。
前記ヒス補正禁止フラグの設定処理は後述するステップで行われる。

一方、指示電流がヒステリシス補正範囲内（ＩＬow＜指示電流＜ＩHigh）であって、かつ、ヒス補正禁止フラグ＝０であれば、指示電流のレベル及びヒス補正禁止フラグの状態からは、ヒステリシスを抑制するための制御を許可できる状態であると判断して、ヒス補正フラグに対し、許可状態を示す１をセットする。

ここで、ヒステリシスを抑制するための制御（ヒステリシス低減制御）の実行中であっても、ＩＬow≧指示電流となるか、又は、指示電流≧ＩHighとなった場合には、ステップＳ１０４に進むことで、ヒス補正フラグが０にクリアされ、後述するように、ステップＳ１０５からステップＳ１１４へ進むことで、ヒステリシス低減制御が中止されることになり、無用なヒステリシス低減制御の実行が抑制され、ポンプ容量制御用ソレノイド１の制御応答が高められる。

ポンプ容量制御用ソレノイド１の制御応答を高めることができれば、可変容量ポンプ１１の吐出流量（容量）を高応答で変化させることができて目標ポンプ流量Ｑtgへの収束応答が高まり、本実施形態の自動変速機では油圧制御性が向上し、変速性能を改善できる。

ＩＬow≧指示電流又は指示電流≧ＩHighである場合には、前述のように、ヒステリシスの幅が許容最大値よりも小さく、ヒステリシス低減制御を実行しなくても、必要充分な制御精度を維持できる一方、ヒステリシス低減制御を実行することで、指示電流に対する実電流の追従応答性が低下するので、ＩＬow≧指示電流又は指示電流≧ＩHighである場合にはヒステリシス低減制御を開始せず、また、ヒステリシス低減制御の実行中にＩＬow≧指示電流又は指示電流≧ＩHighになった場合には、ヒステリシス低減制御を中止するようになっている。

ステップＳ１０５では、前記ヒス補正フラグに１がセットされているか否かを判断し、ヒス補正フラグに０がセットされているヒステリシス低減制御の不許可状態のときには、ステップＳ１１４へ進み、第１カウント処理、カウントフラグ、カウント時間更新禁止フラグをクリアする。

前記第１カウント処理、カウントフラグ、カウント時間更新禁止フラグの詳細については、後で説明する。
一方、ヒス補正フラグに１がセットされているヒステリシス低減制御の許可状態のときには、ステップＳ１０６へ進み、指示電流が減少変化しているか、又は、ヒス補正予約フラグに１がセットされているかを判断する。

前記指示電流の減少変化は、最新の指示電流と所定周期前の指示電流との差（単位時間当たりの変化量、変化速度）と、閾値との比較によって判断される。
前記指示電流の減少変化判定に用いる閾値は、可変容量ポンプ１１の吐出流量（容量）制御における要求分解能などに基づいて設定され、例えば、要求分解能を下回る指示電流の減少変化については、指示電流の減少変化がないと判断され、前記要求分解能を下回る指示電流の減少変化に対して指示電流の減少変化を判断するように、前記閾値を適合することができる。

指示電流の減少変化が発生すると、ヒステリシス低減制御を実行するが、過剰なヒステリシス低減制御の実行は、電流変化の応答性を低下させる可能性があるため、ヒステリシス低減制御が有効に作用する場合に限定して行うことが望まれる。ここで、吐出流量（容量）要求分解能を下回る指示電流の減少変化に対しても、ヒステリシス低減制御を実行させると、過剰な精度で流量（容量）を制御することになり、かえって制御応答の低下を招くことになってしまう。そこで、前記指示電流の減少変化判定に用いる閾値は、可変容量ポンプ１１の吐出流量（容量）制御における要求分解能を基準として設定するとよい。

本実施形態では、後述するように、指示電流の減少変化に対して、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）の電流値を、第１所定時間だけ指示値よりも低いリセット電流値（例えば、電流遮断による０アンペア）に制御するヒステリシス低減制御を行うようになっており、指示電流の減少変化は、係るヒステリシス低減制御の開始条件となる。

また、ヒス補正予約フラグは、後述するように、ヒステリシス低減制御の遅延実行が要求されるときに、１がセットされるようになっている。
従って、指示電流が減少変化しているか、又は、ヒス補正予約フラグに１がセットされている場合には、ヒステリシス低減制御を実行させるべくステップＳ１０７へ進む。

一方、指示電流の減少変化がなく、かつ、ヒス補正予約フラグに０がセットされている場合（予約が設定されていない場合）には、前記ヒステリシス低減制御は不要であると判断し、ステップＳ１０９へ進む。

尚、ヒステリシス低減制御を行わない場合（後述するステップＳ１１３を迂回する場合）、ステップＳ１０１で設定されるそのときの指示電流に実際の電流を追従変化させるように、ポンプ容量制御用ソレノイド１の電流値（オンデューティ）が制御されるものとする。

ステップＳ１０７では、カウント時間更新禁止フラグに１がセットされているか否かを判断する。
前記カウント時間更新禁止フラグが０であるとき、即ち、ヒステリシス低減制御の開始時においては、ステップＳ１０８へ進み、第１カウント時間（第１所定時間）の算出、カウントフラグのセット（カウントフラグ←１）、カウント時間更新禁止フラグのセット（カウント時間更新禁止フラグ←１）を行う。

即ち、ヒステリシス低減制御の開始時に、ステップＳ１０７からステップＳ１０８へ進み、ヒステリシス低減制御の継続中は、開始時にカウント時間更新禁止フラグに１がセットされることから、ステップＳ１０８を迂回して処理を進めることになる。

前記第１カウント時間は、ヒステリシス低減制御においてリセット電流値に制御する時間（通電遮断時間）であり、ステップＳ１０７からステップＳ１０８へ進んだ時点から前記第１カウント時間が経過するまでがヒステリシス低減制御の実行期間として設定される。

前記第１カウント時間は、図５に示すように、減少変化直前の指示電流Ｉが高いほど長い時間に設定され、かつ、前記第１カウント時間は、ポンプ容量制御用ソレノイド１の電流値の変化（操作量変化）に対する前記可変容量ポンプ１１の吐出流量（容量・制御量）の応答変化における無駄時間を上限値として、該上限値以下に設定される。

即ち、前記リセット電流値を、通電遮断による電流のゼロ状態（０アンペア）とした場合、電流がゼロにまで低下するのに要する時間が、初期電流が高いほど長くなるため、電流がゼロ（リセット電流）まで低下するのに要する時間が長いほど前記第１カウント時間を長くし、前記第１カウント時間内でリセット電流値まで落とせる最小時間に対応させて、前記第１カウント時間が設定される。

また、ポンプ容量制御用ソレノイド１の電流値を前記リセット電流値（０アンペア）まで低下させるときに、これに応答して可変容量ポンプ１１の吐出流量が変化しないように、吐出流量（容量）の応答変化における無駄時間以下に第１カウント時間の最大値を制限している。従って、前記第１カウント時間だけポンプ容量制御用ソレノイド１への通電を遮断しても、通電遮断状態に対応するレベルに向けて可変容量ポンプ１１の吐出流量が変化することはない。

尚、前記無駄時間とは、可変容量ポンプ１１の吐出流量の変化を発生させる電流変化を発生させてから、実際に吐出流量の変化が発生するまでの時間である。
前記カウントフラグに１がセットされた場合には、前記第１カウント時間の経過を計測中であること、換言すれば、ヒステリシス低減制御の開始から第１カウント時間内であることを示す。

前記カウント時間更新禁止フラグは、ヒステリシス低減制御の開始から第１カウント時間内で指示電流の減少が発生しても、その時点から改めて第１カウント時間の経過を検出することがないようにするためのフラグ、換言すれば、第１カウント時間内における指示電流の減少変化に対するヒステリシス低減制御の応答動作を禁止するためのフラグである。

前記カウント時間更新禁止フラグは、ヒステリシス低減制御の開始時に１がセットされ、後述するように、第１カウント時間の経過が検出された時点で０にリセットされるから、第１カウント時間の経過するまでの間は、ステップＳ１０７でカウント時間更新禁止フラグ＝１であると判断されることで、ステップＳ１０８を迂回してステップＳ１０９へ進むことになり、第１カウント時間内で指示電流の減少変化が判断されても、その時点から新たに第１カウント時間の経過が計測され、途中からヒステリシス低減制御の終期が延期されることがないようにしている。

上記のように、前記カウント時間更新禁止フラグの設定・判定処理を行うステップＳ１０７、ステップＳ１０８によって制御禁止手段が構成される。
ステップＳ１０９では、前記カウントフラグに１がセットされている状態であるか否かを判断する。

カウントフラグ＝１である場合は、第１カウント時間の経過が計測されている途中（第１カウント時間内）であり、ステップＳ１１０へ進んで、前記第１カウント時間の計測（カウント処理）を実行する。

ステップＳ１１１では、指示電流の減少を検出してから第１カウント時間だけ経過したか否かを判断し、第１カウント時間が経過していない場合には、ステップＳ１１３へ進んで、指示電流をステップＳ１０１で設定される値に代えて強制的に０（リセット電流値）に設定し、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）への通電を強制的に遮断させる。

即ち、指示電流の減少を検出すると、第１カウント時間だけポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）への通電を強制的に遮断させ、減少後の指示電流よりも低い電流０Ａ（リセット電流）に制御する。

そして、第１カウント時間が経過すると、ステップＳ１１２へ進み、前記第１カウント時間のカウント処理、カウントフラグ、カウント時間更新禁止フラグをそれぞれクリアし、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）への通電を遮断する制御（ヒステリシス低減制御）を終了させる。

上記ステップＳ１０６〜ステップＳ１１３の各ステップによって、ヒステリシス低減手段としての機能が実現される。
ヒステリシス低減制御の終了によって、指示電流がステップＳ１０１で設定される値に戻ることになり、ステップＳ１０１で設定される指示電流に、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）の電流値が制御される。

従って、図６に示すように、指示電流の減少変化を時刻ｔ１で検出すると、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）への通電を遮断し、通電遮断状態を第１カウント時間だけ継続させ、第１カウント時間が経過した時刻ｔ２の時点で、そのときの指示電流に向けて電流値を変化させる。

上記のように、電流値の減少要求（指示電流の減少）に対して、一時的に通電遮断状態とすれば、電流値が高い状態での残留磁束が減少し、電流を減少させるときの残留磁束の影響を小さくでき、ヒステリシスの発生（指示電流に対するポンプ吐出流量の誤差）を抑制できる。

ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）の磁気回路を構成するハウジング・コア・プランジャなどは、磁場を受けることで磁化され、磁場が強くなると磁束密度が増えていくが、磁場を切っても最初の磁化が無い状態には戻らず磁化が残り、この磁化を残留磁化又は残留磁束という。そして、前記残留磁束の影響で、電流を増大変化させるときと電流を減少変化させるときとでは、外部磁場に対して異なる磁化履歴を示すことになり、これが、推力ヒステリシスを発生させることになる。そこで、電流を減少変化させる場合には、一時的に通電遮断状態とすることで、残留磁束を減らし、電流増大変化時に近い、指令電流と流量（容量）との相関が得られるようにするものである。

また、指示電流の減少を検出してヒステリシス低減制御を開始すると、カウント時間更新禁止フラグに１がセットされることで、ステップＳ１０６で指示電流の減少が検出されても、第１カウント時間が更新されることがなく、最初に設定した第１カウント時間を超えてヒステリシス低減制御の実行時間が延長されることがない。

カウント時間更新禁止フラグによる第１カウント時間の更新禁止を行わないと、指示電流の減少を検出してヒステリシス低減制御（通電遮断状態）に入った後で、再度指示電流の減少を検出したときに、その時点から更に第１カウント時間だけヒステリシス低減制御（通電遮断）を行う設定がなされる。

このため、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の終了タイミングが延び、第１カウント時間よりも長い時間に亘ってヒステリシス低減制御（通電遮断）がなされることになり、第１カウント時間を前述のように無駄時間内に制限しても、無駄時間を越えて通電遮断されることで、通電遮断状態に対応する吐出量に向けて可変容量ポンプ１１の吐出量が変化してしまう。

本実施形態の場合、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）の通電遮断状態は、可変容量ポンプの吐出量が最大吐出量となる状態であるから、通電遮断時間が無駄時間を越えて長引くと、可変容量ポンプ１１の吐出量（容量）が増大変化し、可変容量ポンプ１１を駆動するエンジンの負荷が一時的に増え、エンジンの燃費性能を低下させると共に、その後に、そのときの指示電流に向けて電流値を増大させることで、吐出量（容量）の減少変化が生じ、吐出量（容量）が脈動することになってしまう。

これに対し、上記のように、カウント時間更新禁止フラグによる第１カウント時間の更新禁止を実行すれば、ヒステリシス低減制御（通電遮断）を開始してからの指示電流の減少変化に対して、その時点から更に第１カウント時間だけヒステリシス低減制御（通電遮断）を行う設定は実行されず、第１カウント時間、引いては、無駄時間を越えて通電遮断が継続されることがない。

従って、上記実施形態によると、指示電流の減少が頻発（継続）する状態であっても、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の継続時間が過剰に延びてしまうことがなく、通電遮断状態の過剰継続によって可変容量ポンプ１１の駆動負荷が増え、可変容量ポンプ１１を駆動するエンジンの燃費性能が低下することを抑制でき、更に、可変容量ポンプ１１の吐出量（容量）が脈動することを抑制できる。

更に、上記実施形態では、第１カウント時間を、無駄時間内に制限すると共に、指示電流減少直前の電流値が低いときほど第１カウント時間を短くするので、電流を０アンペア（リセット電流値）まで低下させる最小時間に第１カウント時間を設定でき、通電遮断時間を最小限として、指示電流に対する実際の電流の応答性を確保できる。

尚、上記実施形態では、リセット電流値を０アンペアとし、ヒステリシス低減制御において、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）への通電を遮断させるようにしたが、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）に対して指示電流とは逆向きに流れる電流（逆電流）をリセット電流値に設定し、指示電流の減少変化が検出されたときに、第１カウント時間だけ逆電流を流すようにすることで、残留磁束の減少を図ることができる。

また、第１カウント時間として電流を０アンペアまで落とすのに要する時間よりも無駄時間が短い場合には、第１カウント時間内で追従可能な電流値であって、減少後の指示電流よりも低い電流値をリセット電流値として設定することができる。

この場合、電流を遮断させる場合に比べて、残留磁束の低減効果は低下するが、可変容量ポンプの応答性の低下を抑制できる。
即ち、ヒステリシス低減制御において通電遮断を行う設定としたときに、実際の電流が０アンペアに落ちる前に第１カウント時間が経過し、指示電流への制御を開始した場合、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）としては、電流低下の過渡状態から、電流を増大変化させることになるため、指示電流への応答が遅くなってしまい、係る応答悪化を抑制するためには、制御器の内部変数の最適化などが必要になってしまう。

これに対し、リセット電流値として、第１カウント時間内で追従可能な０アンペアよりも高い電流値を設定した場合、リセット電流値までは第１カウント時間内で低下するから、指示電流への制御を開始させるときに、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）の電流は定常状態から指示電流に切り換えることによって、応答悪化を抑制できる。

リセット電流値を０アンペア以外に設定する場合には、残留磁束を減少させるのに要する時間が変化するので、第１カウント時間は、ヒステリシスを許容範囲内に抑制できる時間として、リセット電流値に応じて設定する必要がある。

ステップＳ１１５では、カウントフラグが前回の１から今回０に切り替わったか否かを判断する。
前記カウントフラグは、指示電流の減少変化を検出し、ヒステリシス低減制御（通電遮断）を開始するときに１がセットされ、制御開始から第１カウント時間だけ経過し、ヒステリシス低減制御（通電遮断）を終了させるときに０にリセットされるから、カウントフラグの１から０への切り替わりは、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の終了時点（第１カウント時間の経過時点）であることを示す。

ステップＳ１１５でカウントフラグが１から０への切り替わったと判断されると、ステップＳ１１６へ進み、第２カウント時間（第２所定時間）を算出し、また、ヒス補正禁止フラグに１をセットする。

前記第２カウント時間は、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の終了時点から再度のヒステリシス低減制御（通電遮断）の開始を禁止する時間であり、第１カウント時間と同様に、可変容量ポンプの流量制御における無駄時間を上限値とし、そのときの指示電流が低いほど短い時間に設定される。

即ち、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の終了時点で通電遮断を停止し、そのときの指示電流に向けて電流を増大変化させる場合には、ヒステリシス（残留磁束）の影響を受けず、指示電流が減少していてもヒステリシス低減制御（通電遮断）を行うことは、可変容量ポンプ１１の吐出量（容量）の応答低下を生じさせることになってしまうと共に、ヒステリシス低減制御（通電遮断）がハンチングすることになってしまう。

ここで、そのときの指示電流が低いほど、指示電流付近にまで電流増加させるのに要する時間が短く、指示電流付近まで電流が増大した後に、指示電流の減少変化に追従させて電流を低下させる場合には、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の実行が要求されるから、そのときの指示電流が低いほど第２カウント時間が短い時間に設定される。

但し、無駄時間を超えると、可変容量ポンプ１１の吐出量（容量）が応答変化し始めるから、ヒステリシス低減制御（通電遮断）によって残留磁束を減少させて吐出量（容量）の制御精度を確保することが望まれるため、第２カウント時間の上限値を無駄時間に設定している。

前記ヒス補正禁止フラグに１がセットされている状態は、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の終了直後で再度のヒステリシス低減制御が禁止されていることを示し、ヒス補正禁止フラグに１がセットされると、前述のステップＳ１０２からステップＳ１０４へ進んで、ヒス補正フラグが０にリセットされ、ステップＳ１０５でヒス補正フラグ＝０の判定がなされることで、ステップＳ１０６〜ステップＳ１１３の指示電流減少判断及びヒステリシス低減制御（通電遮断）に進むことがなく、ヒステリシス低減制御が禁止される。

上記のように、ヒス補正禁止フラグの設定・判定を行うステップＳ１０２、ステップＳ１１５、ステップＳ１１６によって、制御禁止手段が構成される。
ステップＳ１１７では、前記ヒス補正禁止フラグに１がセットされているか否かを判断し、ヒス補正禁止フラグ＝１であれば、ステップＳ１１８へ進む。

ステップＳ１１８では、ヒステリシス低減制御（通電遮断）の終了時点からの時間経過を計測するカウント処理を実行し、ステップＳ１１９では、第２カウント時間内での指示電流の減少変化の有無を判断する。

ステップＳ１１９で指示電流の減少変化を検出すると、ステップＳ１２０へ進んでヒス補正予約フラグに１をセットすることで、現時点ではヒステリシス低減制御を伴う電流値の減少制御、即ち、第１カウント時間だけの通電遮断した後での指示電流に向けた制御を行わずに、前記第２カウント時間経過後の実行を予約する。

ステップＳ１２１では、前回のヒステリシス低減制御の終了時点から前記第２カウント時間だけ経過したか否かを判断する。
そして、前記第２カウント時間の経過を判断すると、ステップＳ１２２へ進んで、前記ヒス補正禁止フラグを０にリセットし、第２カウント時間のカウント処理をクリアする
ヒス補正禁止フラグが０にリセットされると、ステップＳ１０２からステップＳ１０３へ進んでヒス補正フラグに１がセットされるようになり、また、ヒス補正予約フラグに１がセットされているから、ステップＳ１０５からステップＳ１０６へ進み、更に、ステップＳ１０６からステップＳ１０７へ進むことになり、ヒステリシス低減制御が実行されることになる。

また、ヒス補正禁止フラグが０にリセットされると、本ルーチンの次回実行時に、ステップＳ１２３へ進んで、ヒス補正予約フラグがクリアされるが、その前にカウントフラグに１がセットされることで、ヒス補正予約フラグによってヒステリシス低減制御（通電遮断）が開始される。

即ち、前記第２カウント時間内で指示電流の減少変化が検出されると、第２カウント時間の経過を待ってから、前記指示電流の減少に対応するヒステリシス低減制御（通電遮断）が実行され、第２カウント時間が経過した時点から第１カウント時間だけ通電遮断を行い、残留磁束を低減させる。

以上のように、指示電流の減少変化を検出し、ヒステリシス低減制御（通電遮断）を開始した時点から第１カウント時間内で、再度の指示電流の減少変化が発生しても、これに対応してヒステリシス低減制御（通電遮断）を新たに開始することはなく、第１カウント時間が経過した時点でそのときの指示電流に制御するから、ヒステリシス低減制御（通電遮断）が過剰に継続されることがない。

また、第１カウント時間が経過した直後の第２カウント時間内で指示電流が減少変化すると、係る指示電流の減少変化に対応するヒステリシス低減制御が、第２カウント時間経過直後に行われるから、過剰なヒステリシス低減制御を抑制しつつ、ヒステリシス影響を抑制した制御を行える。

更に、第１カウント時間及び第２カウント時間を、指示電流及び可変容量ポンプ１１の無駄時間に応じて可変に設定することで、ヒステリシス低減制御を過不足なく行わせて、ヒステリシスの影響を抑制した高応答かつ高精度な制御を行える。

また、ヒステリシス幅が小さい領域に指示電流が含まれる場合には、ヒステリシス低減制御を禁止するので、ヒステリシス幅が小さくヒステリシス低減制御を実行しなくても、ポンプ容量制御用ソレノイド１（リニアソレノイド）によって高い精度で制御量を制御できる状態で、ヒステリシス低減制御が無用に実行されることを抑制でき、通電制御の収束安定性を確保することができる。

尚、上記実施形態では、車両用リニアソレノイドを、可変容量ポンプの容量を変化させるためのアクチュエータとしたが、車両用リニアソレノイドは、例えばエンジンバルブの開特性を可変とする可変動弁機構のアクチュエータとして使用するものや、車両のブレーキ液圧を制御するためのバルブのアクチュエータとして使用するものであってもよい。

ここで、上記実施形態から把握し得る請求項以外の技術的思想について、以下に効果と共に記載する。
（イ）請求項１〜３のいずれか１つに記載の車両用リニアソレノイドの制御装置において、
前記第１所定時間と第２所定時間との少なくとも一方を、車両用リニアソレノイドで駆動される制御対象の無駄時間を上限値として設定する、車両用リニアソレノイドの制御装置。

上記発明によると、制御対象の過渡応答の無駄時間を越える時間に第１所定時間及び／又は第２所定時間が設定されることで、過渡応答性が低下したり、ヒステリシスの影響を受けて制御精度が低下したりすることを抑制できる。
（ロ）請求項１〜３、（イ）のいずれか１つに記載の車両用リニアソレノイドの制御装置において、
前記第１所定時間と第２所定時間との少なくとも一方を、指示電流が高いほどより長い時間に設定する、車両用リニアソレノイドの制御装置。

上記発明によると、リセット電流値と、指示電流との差に応じて、リセット電流値まで低下する時間、又は、リセット電流値から指示電流まで増加する時間が変化することに対応して、第１，第２所定時間を設定でき、これにより、リセット電流値に制御する時間（第１所定時間），再度のヒス低減制御の開始を禁止する時間（第２所定時間）を適切に設定でき、ヒステリシスの影響を抑制しつつ、制御応答性を維持できる。
（ハ）請求項１〜３のいずれか１つに記載の車両用リニアソレノイドの制御装置において、
前記リセット電流値が０アンペアであって、前記第１所定時間だけ前記車両用リニアソレノイドへの通電を遮断する、車両用リニアソレノイドの制御装置。

上記発明によると、通電遮断によって残留磁束を低減し、ヒステリシスの影響を抑制できる。
（ニ）請求項１〜３のいずれか１つに記載の車両用リニアソレノイドの制御装置において、
前記指示電流とは逆向きの電流をリセット電流値とする、車両用リニアソレノイドの制御装置。

上記発明によると、指示電流とは逆向きの電流を流すことで残留磁束を低減し、ヒステリシスの影響を抑制できる。
（ホ）請求項１〜３のいずれか１つに記載の車両用リニアソレノイドの制御装置において、
前記車両用リニアソレノイドが、車両に設けた可変容量ポンプの容量を可変とするアクチュエータである車両用リニアソレノイドの制御装置。

上記発明によると、ヒステリシス影響を抑制して、ポンプ容量を高精度に制御できる。

１…ポンプ容量制御用ソレノイド（車両用リニアソレノイド）、７…Ａ／Ｔコントロールユニット（ヒステリシス低減手段、制御禁止手段）、１１…可変容量ポンプ

Claims (3)

1. 車両用リニアソレノイドの電流値を指示値に応じて変化させる制御装置であって、
   前記指示値が減少変化したときに、前記車両用リニアソレノイドの電流値を前記指示値よりも低いリセット電流値に第１所定時間だけ制御するヒス低減制御を開始させ、
   前記ヒス低減制御の開始後の前記第１所定時間内で前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を延長せずに終了させ、前記第１所定時間経過後の第２所定時間内において前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を開始させない、車両用リニアソレノイドの制御装置。
2. 車両用リニアソレノイドの電流値を指示値に応じて変化させる制御装置であって、
   前記指示値が減少変化したときに、前記車両用リニアソレノイドの電流値を前記指示値よりも低いリセット電流値に第１所定時間だけ制御するヒス低減制御を開始させ、
   前記ヒス低減制御の開始後の前記第１所定時間内で前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を延長せずに終了させ、
   前記車両用リニアソレノイドのヒステリシスの幅が設定値よりも小さい領域に前記指示値が含まれる場合には前記ヒス低減制御を開始させない、車両用リニアソレノイドの制御装置。
3. 車両用リニアソレノイドの電流値を指示値に応じて変化させる制御装置であって、
   前記指示値が減少変化したときに、前記車両用リニアソレノイドの電流値を前記指示値よりも低いリセット電流値に第１所定時間だけ制御するヒス低減制御を開始させ、
   前記ヒス低減制御の開始後の前記第１所定時間内で前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を延長せずに終了させ、前記第１所定時間経過後の第２所定時間内において前記指示値が減少変化した場合には前記ヒス低減制御を開始させず、
   前記車両用リニアソレノイドのヒステリシスの幅が設定値よりも小さい領域に前記指示値が含まれる場合には前記ヒス低減制御を開始させない、車両用リニアソレノイドの制御装置。

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