JP5353403B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5353403B2 JP5353403B2 JP2009102790A JP2009102790A JP5353403B2 JP 5353403 B2 JP5353403 B2 JP 5353403B2 JP 2009102790 A JP2009102790 A JP 2009102790A JP 2009102790 A JP2009102790 A JP 2009102790A JP 5353403 B2 JP5353403 B2 JP 5353403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode plate
- semiconductor device
- metal
- metal electrode
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
一般的な電気自動車(電動車両)では、バッテリーからの直流電源をモーターへ3相交流に変換して流すためインバータが用いられている。このインバータには、電流の変換を行うためのパワーモジュールが搭載されており、そのパワーモジュール中のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのスイッチング素子の導通、非導通を制御することにより電流の変換を行っている。また、パワーモジュール中の半導体素子は通電により非常に高温になるため、半導体素子の耐熱上の故障を防ぐのに、冷却器により、効率よく冷却をする必要があった。
図2は実施形態2の半導体装置の断面図、図3は両面冷却型の半導体装置をインバータで使用する場合の構成例を示す図である。実施形態2は、半導体素子3を金属部5(5A、5B)が設けられた金属電極板2(2A、2B)でその両側から挟み込んだ積層構造とした例である。
図4は実施形態3の両面冷却型の半導体装置をインバータで使用する場合の構成例を示す図である。実施形態3は、基本的には実施形態2と同様であるが、絶縁性を確保するために半導体素子3を挟む両側の半田4A、4Bのサイズが他方に対して一方を小さくした構造を採用している。
図5は実施形態4の半導体装置の断面図である。実施形態4の半導体装置(半導体モジュール)1は、基本的には実施形態1と同様、図5に示すように、金属電極板2の上に半導体素子3を半田4にて実装させた構造としている。
2(2A、2B)…金属電極板
3…半導体素子
4(4A、4B)…半田
5(5A、5B)…金属部
7(7A、7B)…冷却器
Claims (6)
- 金属電極板に半導体素子が実装されてなる半導体装置において、
前記金属電極板と前記半導体素子との線膨張係数が異なり、
前記金属電極板の半導体素子実装面に、前記金属電極板の剛性よりも低い剛性とした金属部を圧延処理して接合し、該金属部に半田にて前記半導体素子を実装させた
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記金属部のヤング率が、前記金属電極板のヤング率よりも小である
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置であって、
前記金属部の面積を、少なくとも前記半導体素子の面積よりも大とした
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項3の何れか1項に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子を前記金属部が設けられた前記金属電極板で挟み込んだ積層構造とし、
前記半導体素子を挟んで両側に配置された前記金属部の厚みを、前記金属電極板の厚みより薄くした
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子を挟んで両側に配置された前記半田の面積が大小異なり、小とされた半田を載せる一方の金属部の面積をこの半田面積とほぼ同じ面積とし、大とされた半田を載せる他方の金属部の面積をこの半田面積とほぼ同じ面積とした
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項4又は請求項5に記載の半導体装置であって、
前記金属部の厚みを、前記金属電極板の厚みの10%以下とした
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009102790A JP5353403B2 (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009102790A JP5353403B2 (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258015A JP2010258015A (ja) | 2010-11-11 |
JP5353403B2 true JP5353403B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=43318636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009102790A Expired - Fee Related JP5353403B2 (ja) | 2009-04-21 | 2009-04-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5353403B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017006916A1 (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-12 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116621A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
-
2009
- 2009-04-21 JP JP2009102790A patent/JP5353403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010258015A (ja) | 2010-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20100187680A1 (en) | Heat radiator | |
JP2007019203A (ja) | 放熱装置 | |
JP4989552B2 (ja) | 電子部品 | |
JP4402602B2 (ja) | キャパシタの冷却構造及び電力変換装置 | |
JP2010161203A (ja) | 放熱装置、パワーモジュール、パワーモジュールの製造方法 | |
JPWO2015029511A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011054732A (ja) | 半導体モジュール | |
WO2013108718A1 (ja) | 熱伝導部材およびこれを備えた半導体装置 | |
JP5851599B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP4180980B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5807432B2 (ja) | 半導体モジュール及びスペーサ | |
JP6759784B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP5353403B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019134018A (ja) | 半導体装置 | |
JP6056286B2 (ja) | 半導体モジュール及び半導体モジュール製造方法 | |
JP2008124187A6 (ja) | パワーモジュール用ベース | |
JP2009170645A (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
JP2009117701A (ja) | パワーモジュール | |
JP2014041876A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2005005400A (ja) | 半導体装置 | |
JP6380076B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2020174741A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5724415B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2008277317A (ja) | パワーモジュール及び車両用インバータ | |
JP4667723B2 (ja) | パワーモジュール用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130812 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |