JP5352941B2 - 光処理素子および光処理装置 - Google Patents
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複数波長の光で構成される信号光を分波する光処理素子として、フォトニック結晶を用いた「フォトニック結晶フィルタ」が提案されている(特許文献1)。
フォトニック結晶フィルタは、サブミクロンオーダの凹凸が一方の面に2次元周期的に形成されたフィルタ用基板上に、屈折率が相対的に異なる高屈折率媒質層と低屈折率媒質層とを交互に形成して「1対のミラー部で1つのキャビティ部を挟む」ようにフォトニック結晶を形成したものであり、一方の面から波長多重信号光を垂直に入射させ「特定の波長を有する信号光」がフォトニック結晶フィルタの他方の主面から選択的に射出するように構成したものであるが、膜構造を変化させ多数積層するため多層膜の層厚や屈折率を精密に制御する必要があり、透過波長のシフト量を大きくすることが困難である。
即ち、請求項1記載の光処理素子は「処理すべき光の波長:λi(i=1〜N、N≧2、i=1〜N−1に対してλi<λi+1)に対し、波長:λiを略共鳴波長とするサイズ:Diを持つ微小な金属構造体STiを複数個、間隔:di(<Di)を隔して所定の配置で配列して単位配列パターンpiとし、この単位配列パターンpiを、直交するx、y方向において、波長:λiよりも十分に小さい間隔:dx、dyを隔して2次元的に配列させた単位処理領域Siが、異なる単位処理領域Si、Sj(j≠i)が互いに分離するようにして、光学基板に形成されてなる。
サイズ:D1は波長:λ1を略共鳴波長とするサイズ、サイズ:D2は波長:λ2を略共鳴波長とするサイズ、以下同様であって、サイズ:DNは波長:λNを略共鳴波長とするサイズである。波長:λi相互には上記の大小関係があるから、
D1<D2<・・・<Di<Di+1<・・・<DN
である。
図2(a)で、符号10、11は金(Au)による直径:40nmの球(以下「Au微小球」という。)であり、x方向において最近接距離:dを隔して空気中に存在するものとしている。
このモデルで、図2(a)の如く、xy面内においてx軸に対してθ=45度をなす面内に電界の振動方向をもつ直線偏光状態の平面波を、図面に直交する方向から照射する場合に付いて数値計算を行った。即ち、入射光の偏光状態が、どのように変化するかを「電磁界の様子を記述するマクスウェル方程式」を時空間の差分方程式に近似して解く、有限時間領域差分法(FDTD法)を利用して調べた。
また、図2(c)に示すように「x方向とy方向の偏光成分の位相差」は、間隔:dが0に近づくにつれて大きくなり、間隔:d=0では「位相差:45度程度」となる。
図1は、光処理素子の実施の1形態を「説明図的」に示している。
図の如く「x、y、z方向」を定めると、z方向は図面に直交する方向であり、処理すべき光Lの入射方向である。
図4を参照すると、図4は、図1における単位処理領域S1における「2個の金属構造体ST1(半球状であってサイズ(直径:D1とする。)のx方向における近接配列(間隔:d1)による単位配列パターンP1の配列状況)を示している。
図4において、符号A1、A2、A3は「x方向およびy方向において隣接して配列された3つの単位配列パターン」を示している。単位配列パターンA3により例示するように、金属構造体ST1はx方向に間隔:d1を隔して配置されて「1つの単位配列パターン」をなしている。
図5は、同一サイズの金属構造体を3個、L字型に配列して単位配列パターンとした例を示している。符号71は光学基板を示す。光学基板71は4個の基板領域A〜Dに分けられて「単位処理領域をなす単位配列パターンの2次元配列」が上記「一般的なルール」に従って形成されている。基板領域Aには、金属構造体ST1による単位配列パターンP1が形成され、基板領域B〜Dには、それぞれ、金属構造体ST2〜ST4による単位配列パターンP2〜P4が形成されている。
図6において、光学基板81は4つの基板領域A〜Dに分けられ、これら基板領域に単位配列パターンP1〜P4が2次元的に配列されている。単位配列パターンP1は4個の金属構造体ST1をL字型に配してなり、単位配列パターンP2〜P4はそれぞれ4個の金属構造体ST2〜ST4をL字型に配してなる。
配列のルールは前記一般的ルールに従う。
T字型の配列は5個以上の金属構造体の配列でもよいし、卍型の配列は「逆周り」の配列でもよい。
光学処理素子における金属構造体の配列による各「単位処理領域」は、電子ビームリソグラフィ、DUV・EUVリソグラフィ、ナノインプリント、材料物性の変質を利用したエッチングなどの微細加工技術を利用して作製することが可能である。
図10に示す光処理装置は、図1に即して説明したような光処理素子121、122、123を「入射光Lの光路上に直列的に配置」したものである。図10においては、光処理素子121、122、123を同一構造のものとして描いてあるが、これらは必ずしも同一構造のものである必要はない。
従って、図11に実施の形態を示す光処理装置のように「光処理素子132の入射面側に、±45度傾いた偏光のみを通過させる偏光板131を配置」することにより、各単位処理領域を形成された基板領域A〜Dから「単位処理領域に応じた波長で効率よく楕円偏光化された光」を選択的に射出させることができる。なお、偏光板131は光制御素子132と一体に形成されていても良い。
図12において、符号140は光学基板の「1個の単位処理領域を形成される部分」であり、この部分はレンズ面をなし、このレンズ面上に単位配列ユニットPiが2次元的に配列されている。このようにすると、光処理素子の機能とレンズ面の機能とを1つの光処理素子で実現することができ、省スペース化を図れると共に、光学調整などの簡便化も可能となる。
図13において、符号150は光学基板の「1個の単位処理領域を形成される部分」であり、この部分はマイクロレンズ面アレイをなし、各マイクロレンズ面上に単位配列ユニットPiが1ユニットずつ形成配列されている。このような構成によっても、光処理素子の機能とレンズ面の機能とを1つの光処理素子で実現することができ、省スペース化を図れると共に、光学調整などの簡便化も可能となる。
A 単位処理領域S1を形成された基板領域
ST1 金属構造体
P1 金属構造体P1による単位配列ユニット
L 入射光
Claims (5)
- 処理すべき光の波長:λi(i=1〜N、N≧2、i=1〜N−1に対してλi<λi+1)に対し、波長:λiを略共鳴波長とするサイズ:Diを持つ微小な金属構造体STiを複数個、間隔:di(<Di)を隔して所定の配置で配列して単位配列パターンpiとし、この単位配列パターンpiを、直交するx、y方向において、波長:λiよりも十分に小さい間隔:dx、dyを隔して2次元的に配列させた単位処理領域Siが、異なる単位処理領域Si、Sj(j≠i)が互いに分離するようにして、光学基板に形成されてなり、
上記単位処理領域Si(i=1〜N)が、波長:λ i の光の偏光状態を選択的に変化させることを特徴とする光処理素子。 - 請求項1記載の光処理素子において、
金属構造体STiの形状が、半球形状、円柱形状、半回転楕円体形状、楕円柱形状、多角柱形状、錐体形状の何れかであることを特徴とする光処理素子。 - 請求項1または2記載の光処理素子において、
単位配列パターンPiにおける金属構造体STiの配置が、
2個の金属構造体STiの近接配置、または、
3個以上の金属構造体STiによるV字型配置もしくはL字型配置、または、
4個以上の金属構造体STiによるT字型配置、または、
5個以上の金属構造体STiによる十字型配置の何れかであることを特徴とする光処理素子。 - 請求項1〜3の任意の1に記載の光処理素子において、
微小な金属構造体が、金(Au)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、クローム(Cr)、もしくは銅(Cu)の何れか、または、これらの組合せで構成されていることを特徴とする光処理素子。 - 請求項1〜4の任意の1に記載の光処理素子の光入射側に配置され、直線偏光のみを通過させる偏光子を有し、
上記偏光子を通過した直線偏光の偏光方向が、金属構造体の単位配列パターンに対して非対称になる偏光成分となるように上記偏光子と光処理素子の相対的な関係を定めたことを特徴とする光処理装置。
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