JP5344609B2 - イオン化スパッタ真空ポンプ - Google Patents
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Description
ードやアノードを動かす必要なしに活性なカソード表面を容易に形成することのできるようにした開放されたカソード面を設計、排気速度を維持して極高真空にまで排気できるように工夫したもの(特開平7−312202号公報)。新しい真空容器材料やゲッター合金、仕事関数(¢)の小さなゲッター材を使用し極高真空域まで放電が停止しないように工夫し、非蒸発型ゲッターの活性化や再活性化を不要にして、非蒸発型ゲッターの寿命1年程度に対しスパッタイオンポンプの長寿命化10年以上を達成(特開2001−357814号公報)した方式、電子を導入した方式(特開平4−154036号公報)、極高真空域の排気のためチタンサブリメーションポンプに変わって非蒸発型ゲッターを内蔵した型式に加えて電子を増幅して導入した。その理由として、熱陰極や陰極裏側からの電子導入は、陰陽極の加熱、ガス放出につながり極高真空領域では効果が限定的であったがイオンポンプ素子から遠く離れた熱効果のすくない位置に電子源を設置することによりこれを解決した(特開2003−343436号公報)。
せていろいろなスパッタイオンポンプが市販されている。
上のために、平板マグネトロンと高周波を組み合わせたスパッタ装置が工夫されたが(特開平6−240452号公報)、これは真空排気装置として考えられたものではなく、また、残留ガスの性質や分圧の多少に対応、配慮したものではないので真空排気装置としては動作し難い。
オポンプ、スパッタイオンポンプ、非蒸発型ゲッターポンプ、壁ポンプなどであるが、高真空領域までは問題ないが、超高真空領域になるとほころびがめだち始め、得手不得手が生じる。極高真空領域になると、単一機種ではこれらの変化に対応しきれていないのが現状である。そのために、表面計測機器の一部では我慢できるものの、半導体製造機器や産業機械、大型計測真空機器には適用できないか大幅に能力不足である。このような状態が最近15年以上続いている。
れているゲッター金属、ゲッター合金のスパッタ速度が遅く必要量の1/10程度しか確保されていない。特にスクロールポンプ、ターボ分子ポンプと組み合わせたイオンスパッタポンプの場合、スパッタするガスの量は、真空度が高くなるに従って小さくなり、スパッタ量をより多く確保したい要求に対しスパッタ量が少なくなる。さらに残留ガス量が少なくなるため陰陽極間抵抗が増し電流は流れにくくなり、残留ガスイオンの陰極との衝突の減少は、2次電子の発生を少なくするので放電の継続も怪しくなってくる。これらの欠点は解消されつつあるが、超高真空域から極高真空域に入ると、スパッタする能力が最低の水素ガスが大部分となるため極高真空域の真空ポンプとしては限界があった。水素はイオン化電圧も13.5Vと比較的高くは決してイオン化が楽なガスではないなどの問題があった。
コニウムゲッター合金と併用することにより、水素や一酸化炭素、メタンの排気速度を上げることが可能となる。合金のほうが単一金属より化学反応が早く進むことを利用する。
とが望ましい。平板マグネトロンだけでなく、従来型のペニング放電も利用することが可能で、スパッタ位置の偏りがちな平板マグネトロンの欠点を幾分解消することができる。
(1)誘電体のスパッタが可能となることである。ゲッターとして用いるチタンと残留ガスの反応によってできる化合物の中にはゲッター作用をもつものがある。例えばTiO,Ti203,しかしこれらは誘電体であるためスパッタされず、ゲッター作用に関与することが少なかった。そこで高周波を導入し、円筒陽極8に向けて再スパッタすることにし、TiO2迄完全に酸化するようにし、ゲッター作用を発揮させ排気能力を増加させることとした。
100〜800V程度の直流電圧)を印加し、熱電子を円筒陽極8の内部に放射するためのものである。これにより、高真空領域で熱電子を円筒陽極8の内側に入射して高周波電界により有機物などの分子を高効率に分解、更に、イオン化させたり、極高真空では放電が停止することを回避できる。
(2)高周波電源ON
(3)陰極電圧、高周波出力調整。分析室・試料導入室のヒーター(図示せず)ON。
場合、ゲートバルブGVl,GV2,V2を閉じターボ分子ポンプ、スクロールポンプを止める。
イオン化スパッタ真空ポンプのみ稼動。完全に止めたい場合は、イオン化スパッタ真空ポンプも止める。
・気体:
・速い吸着:
・遅い吸着:
・吸着しない金属:
について、実験などで確認または公知のものである。
2:永久磁石外側
3:ゲッター合金構成材料(ゲッターまたはゲッター合金)
4:高周波管
6:熱電子源
7:電源
8:円筒陽極
9:真空容器
11:平板マグネトロン型イオンポンプ素子
14:スパッタ電極
15:永久磁石台
16:高周波電源
17:整合器
18:シールドカバー
Claims (7)
- 対向する一対の平板マグネトロン型イオンポンプ素子の組を複数個並べその中間部分に円筒陽極を配置したイオン化スパッタ真空ポンプであって、
前記中間部分に高周波コイルを配置し高周波電力を供給して発生させた高周波電界によるイオンおよび電子の衝突確率を向上させてプラズマ濃度を高くかつ誘電体のイオン化促進すると共に、前記中間部分の周辺に配置した熱電子供給源から熱電子を前記円筒陽極の内部に供給して超高真空域におけるイオンポンプの動作としての放電を継続させる
ことを特徴とするイオン化スパッタ真空ポンプ。 - 前記対向する一対の平板マグネトロン型イオンポンプ素子における対向する一対の陰極金属板を、異なるゲッター金属Zr,Ti,Ta、または異なるゲッター金属Zr−AL,Ti−SUS,Ta−Mo、とすることを特徴とする請求項1記載のイオン化スパッタ真空ポンプ。
- 残留水素を排気するため、請求項2に掲げる前記ゲッター金属の1枚をジルコニウムあるいはジルコニウム合金あるいはジルコニウム合金構成材料とし、もう1枚をチタニウムあるいはチタニウム合金あるいはチタニウム合金構成材料とし、たことを特徴とするイオン化スパッタ真空ポンプ。
- 請求項1の高周波電力は、工業的に汎用されている13.56MHzとしたことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のイオン化スパッタ真空ポンプ。
- 超高真空域で導入する熱電子は、排気量100L/秒のとき、100〜800Vに加速した熱電子で前記円筒陽極に向かって照射し、主に水素、一酸化炭素、メタンの排気を促すことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のイオン化スパッタ真空ポンプ。
- 前記対向する一対の平板マグネトロン型イオンポンプ素子における対向する一対の永久磁石を、複数の組に使用する対向する一対の磁石が異なる極性、かつ中心とその外周との磁石が異なる極性にし、ペニング放電も利用可能にしたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のイオン化スパッタ真空ポンプ。
- 前記対向する一対の平板マグネトロン型イオンポンプ素子の複数の組の中間部分に円筒陽極を配置し、Ta,Moまたはニクロム厚さ0.3mm位としベークアウト時に通電し、内部ヒーターとして用いることを特徴する請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のイオン化スパッタ真空ポンプ。
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