JP5333056B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

半導体装置の製造工程において、基板上に回路を形成したチップを搭載する方法としては、ワイヤボンディングを行わずに、チップの回路を基板に向けるような、いわゆるフェイスダウン状態で直接にチップを基板に実装するフリップチップ実装が知られている。この場合には、チップ側の電極にバンプといわれる突起電極を形成し、バンプと基板側の電極とを接合させる。   In the manufacturing process of a semiconductor device, as a method of mounting a chip on which a circuit is formed on a substrate, the chip is directly mounted on the substrate in a so-called face-down state in which the chip circuit is directed to the substrate without performing wire bonding. Flip chip mounting for mounting is known. In this case, a bump electrode called a bump is formed on the chip-side electrode, and the bump and the substrate-side electrode are joined.

ここで、フリップチップ実装を行う場合の半導体装置の製造方法の従来例について、以下に説明する。
まず、ウェハに多数形成した回路の電極にバンプを形成し、その後にウェハをダイシングしてチップを複数形成する。
一方、基板には、電極を覆うように熱硬化性接着剤をディスペンサーなどで塗布、又は印刷、あるいは転写する。 Here, a conventional example of a method of manufacturing a semiconductor device when performing flip chip mounting will be described below.
First, bumps are formed on circuit electrodes formed on the wafer, and then the wafer is diced to form a plurality of chips.
On the other hand, a thermosetting adhesive is applied, printed, or transferred onto the substrate with a dispenser or the like so as to cover the electrodes.

次に、接合ツールでチップを吸着保持し、基板に形成した熱硬化性接着剤の上に、チップをバンプが基板に向くように配置する。このとき、接合ツールを加熱し、チップを基板に向けて押圧する。これにより、バンプと電極とが電気的に接続される。さらに、基板に塗布しておいたペースト接着剤を所定の硬化率になるまで熱硬化させる。   Next, the chip is sucked and held with a bonding tool, and the chip is placed on the thermosetting adhesive formed on the substrate so that the bumps face the substrate. At this time, the joining tool is heated and the chip is pressed toward the substrate. Thereby, the bump and the electrode are electrically connected. Further, the paste adhesive applied to the substrate is thermally cured until a predetermined curing rate is obtained.

この後、チップを搭載させた基板をポストキュアし、ペースト接着剤を完全に硬化させる。さらに、基板のチップを搭載した面とは反対側の面にＢＧＡ（Ball Grid Array）を形成してから、切断ラインに沿って基板にダイシングにより個別化する。   Thereafter, the substrate on which the chip is mounted is post-cured to completely cure the paste adhesive. Further, a BGA (Ball Grid Array) is formed on the surface of the substrate opposite to the surface on which the chip is mounted, and then the substrate is individualized by dicing along a cutting line.

ここで、半導体装置の製造工程では、チップを実装した後に基板上のチップを樹脂材料からなる樹脂部で封止する工程が実施されることがある。樹脂部は、熱硬化性樹脂を一端熱融解させた後に硬化させることで形成される。さらに、複数個のチップを封止フィルムで一括して封止する。   Here, in the semiconductor device manufacturing process, there is a case where a chip on the substrate is sealed with a resin portion made of a resin material after the chip is mounted. The resin part is formed by curing the thermosetting resin after it is once melted. Furthermore, a plurality of chips are collectively sealed with a sealing film.

また、樹脂材料からなる封止フィルムを用いてチップを封止する工程では、浸入工程と封止工程とを備えるものが知られている。浸入工程では、基板及びチップ並びに封止フィルムを袋に収容し、この袋を、例えば、硬化温度未満である１５０℃未満まで加熱して封止フィルムを軟化させる。これにより、軟化した封止フィルムが袋の内外の圧力差によって押圧されてチップ間に侵入する。次に、硬化工程で封止フィルムを硬化させる。   Moreover, what is equipped with the penetration process and the sealing process is known in the process of sealing a chip | tip using the sealing film which consists of resin materials. In the infiltration step, the substrate, the chip, and the sealing film are accommodated in a bag, and the bag is heated to, for example, less than 150 ° C., which is lower than the curing temperature, to soften the sealing film. Thereby, the softened sealing film is pressed by the pressure difference inside and outside the bag and enters between the chips. Next, the sealing film is cured in a curing process.

なお、チップを実装する際には、ペースト状の熱硬化性接着剤を使用する代わりに、熱硬化性樹脂を貼り付けツールで基板の電極上に貼り付けることもある。この場合は、熱硬化性樹脂を貼り付けた後、加熱された接合ツールでチップを基板に対して、２０ｇｆの荷重で押し付ける。接合ツールの押圧力でバンプが熱硬化性樹脂内に進入すると共に、熱により熱硬化樹脂が溶融する。これにより、チップのバンプが基板側の電極に接合される。   When mounting the chip, instead of using a paste-like thermosetting adhesive, a thermosetting resin may be attached to the electrode of the substrate with an attaching tool. In this case, after pasting the thermosetting resin, the chip is pressed against the substrate with a load of 20 gf with a heated joining tool. The bumps enter the thermosetting resin by the pressing force of the joining tool, and the thermosetting resin is melted by heat. As a result, the bumps of the chip are bonded to the electrodes on the substrate side.

特開２００４−３２７６２３号公報JP 2004-327623 A 国際公開ＷＯ９７／０２５９６明細書International Publication WO 97/02596 Specification 国際公開ＷＯ２００５／０７１７３１明細書International Publication WO2005 / 071731 Specification 国際公開ＷＯ９８／３００７３明細書International Publication WO98 / 30073 Specification

しかしながら、チップの接続にペースト状の接着剤を用いると、チップを基板に搭載させる工程で、チップを１つ仮搭載させるごとにペースト状の接着剤を硬化させる必要があるので、チップの搭載に要する時間が長くなる。また、熱硬化性樹脂を用いる場合でも、チップを１つ仮搭載させるごとに熱硬化性樹脂を硬化させる必要があるので、作業時間が長くなる。このような課題は、１つの基板に搭載するチップ数が多いときに特に顕著に現れる。例えば、シートにチップを３００個から４００個搭載させる場合には、圧着に１時間くらいかかってしまうことがあった。   However, if a paste adhesive is used for chip connection, it is necessary to cure the paste adhesive each time a chip is temporarily mounted in the process of mounting the chip on the substrate. It takes longer time. Even when a thermosetting resin is used, it is necessary to cure the thermosetting resin every time one chip is temporarily mounted, so that the operation time becomes long. Such a problem is particularly noticeable when the number of chips mounted on one substrate is large. For example, when 300 to 400 chips are mounted on a sheet, it may take about one hour for pressure bonding.

また、ペースト状の接着剤を使用する場合には、チップを配置してから接着剤を硬化させるまでの間に、チップの位置がずれる可能性もあった。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、チップの搭載を短時間で確実に実施できるようにすることを主な目的とする。 Further, when using a paste-like adhesive, there is a possibility that the position of the chip may be shifted between the time when the chip is placed and the time when the adhesive is cured.
The present invention has been made in view of such circumstances, and a main object of the present invention is to make it possible to reliably mount a chip in a short time.

本願の一観点によれば、Ｂステージ化した接着剤層をチップ上又は基板上に設ける工程と、前記接着剤層を用いて複数の前記チップを前記基板に固定する工程と、前記基板に固定する工程の後、複数の前記チップを覆うようにＢステージ化した封止フィルムを前記基板上に形成する工程と、前記封止フィルムを軟化させ、隣り合う前記チップ間であって前記基板上に前記封止フィルムを構成する材料を配置させる工程と、前記封止フィルムを軟化させる工程の後に、前記封止フィルムを介して前記チップを前記基板に押圧し、前記チップに形成された突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程と、前記接着剤層と前記封止フィルムを硬化させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present application, a step of providing a B-staged adhesive layer on a chip or a substrate, a step of fixing a plurality of the chips to the substrate using the adhesive layer, and fixing to the substrate A step of forming a B-staged sealing film on the substrate so as to cover a plurality of the chips , and softening the sealing film between the adjacent chips and on the substrate. After the step of disposing the material constituting the sealing film and the step of softening the sealing film, the chip is pressed against the substrate through the sealing film, and the protruding electrode terminal formed on the chip And a step of electrically connecting the electrodes of the substrate, and a step of curing the adhesive layer and the sealing film.

本発明によれば、Ｂステージ化した接着剤層を設けることでチップと基板を仮固定したので、従来のようにチップを仮搭載するたびに硬化させる必要がなくなり、製造時間を短縮できる。   According to the present invention, since the chip and the substrate are temporarily fixed by providing the B-staged adhesive layer, it is not necessary to cure each time the chip is temporarily mounted as in the prior art, and the manufacturing time can be shortened.

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。FIG. 1 is a flowchart showing manufacturing steps of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. 図２は、チップにバンプを形成する工程を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a process of forming bumps on the chip. 図３は、基板の製造工程を説明する図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a substrate manufacturing process. 図４は、基板にフィルム接着剤を貼り付ける工程を説明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a process of attaching a film adhesive to the substrate. 図５は、基板にチップを仮搭載する工程を説明する図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a process of temporarily mounting a chip on a substrate. 図６は、基板にチップを仮搭載した状態を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a state where the chip is temporarily mounted on the substrate. 図７は、封止フィルムを供給した図である。FIG. 7 is a diagram in which a sealing film is supplied. 図８は、チップの封止工程を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a chip sealing process. 図９は、チップの封止後にバンプを形成した図である。FIG. 9 is a diagram in which bumps are formed after sealing the chip. 図１０は、基板を切断して半導体装置を完成させた図である。FIG. 10 is a view of the semiconductor device completed by cutting the substrate. 図１１は、バンプを形成したウェハを示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a wafer on which bumps are formed. 図１２は、図１１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。12 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図１３は、印刷マスクとスキージを用いて樹脂からなる接着剤層を形成する工程を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a process of forming an adhesive layer made of a resin using a printing mask and a squeegee. 図１４は、ウェハにバンプを形成した後で、個別化する前にウェハに樹脂からなる接着剤層を形成した図である。FIG. 14 is a diagram in which an adhesive layer made of resin is formed on the wafer after the bumps are formed on the wafer and before individualization. 図１５は、チップの封止工程を説明する図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a chip sealing process.

発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解すべきである。 The objects and advantages of the invention will be realized and attained by means of the elements and combinations particularly pointed out in the appended claims.
It should be understood that the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory only and are not intended to limit the invention.

以下に、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
（第１実施の形態） Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, similar components are given the same reference numerals.
(First embodiment)

最初に、この実施の形態に係る半導体装置の製造方法の概略について、図１のフローチャートを参照して説明する。
まず、半導体プロセスで形成した回路を有するチップを製造する（ステップＳ１０１）。また、これと平行して、チップを搭載させる基板を作製する（ステップＳ１０２）。チップに対しては、バンプの形成を行い（ステップＳ１０３）、基板にはフィルム接着剤を供給して貼り付ける（ステップＳ１０４）。なお、チップ側の処理であるステップＳ１０１及びステップＳ１０３と、基板側の処理であるステップＳ１０２及びステップＳ１０４は、必ずしも平行して実施する必要はない。 First, an outline of a method of manufacturing a semiconductor device according to this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG.
First, a chip having a circuit formed by a semiconductor process is manufactured (step S101). In parallel with this, a substrate on which a chip is mounted is manufactured (step S102). Bumps are formed on the chip (step S103), and a film adhesive is supplied and attached to the substrate (step S104). Note that steps S101 and S103, which are chip-side processes, and steps S102 and S104, which are substrate-side processes, do not necessarily have to be performed in parallel.

次に、フリップチップ実装によりチップを基板に仮搭載させる（ステップＳ１０５）。続いて、チップを仮搭載させた基板に封止フィルムを供給し（ステップＳ１０６）、チップのバンプ接続及びチップの封止を行う（ステップＳ１０７）。そして、基板にボールを形成し（ステップＳ１０８）、その後に基板を所定のサイズに切断する（ステップＳ１０９）。   Next, the chip is temporarily mounted on the substrate by flip chip mounting (step S105). Subsequently, a sealing film is supplied to the substrate on which the chip is temporarily mounted (step S106), and the bump connection of the chip and the sealing of the chip are performed (step S107). Then, a ball is formed on the substrate (step S108), and then the substrate is cut into a predetermined size (step S109).

以下、各工程について詳細に説明する。
まず、ステップＳ１０１のチップの製造工程では、最初にウェハ上に半導体技術を用いて回路を形成する。この後に、ウェハをバックグラインドし、タイシングにてチップに個別化する。 Hereinafter, each step will be described in detail.
First, in the chip manufacturing process in step S101, a circuit is first formed on a wafer using semiconductor technology. After this, the wafer is back-ground and individualized into chips by typing.

続いてステップＳ１０３について図２を参照して説明する。個別化されたチップ１の所定位置に、例えば、ボールボンディング法を用いて突起電極端子であるバンプ２が形成される。ボールボンディング法では、図示を省略する金材料等からなるボンディンワイヤをキャピラリー３に通し、キャピラリー３の下部から引き出したボンディングワイヤを溶融等させることでボールを形成する。ボールをチップ１に形成された電極上に接触させることでバンプ２が形成される。   Next, step S103 will be described with reference to FIG. A bump 2 that is a protruding electrode terminal is formed at a predetermined position of the individual chip 1 by using, for example, a ball bonding method. In the ball bonding method, a ball is formed by passing a bonding wire made of a gold material (not shown) through the capillary 3 and melting the bonding wire drawn from the lower part of the capillary 3. The bump 2 is formed by bringing the ball into contact with the electrode formed on the chip 1.

一方、ステップＳ１０２では、チップを搭載する基板を作製する。図３に示すように、基板１０には、例えば、エポキシ樹脂などからなるシート材１１が用いられる。基板１０を製造するときは、シート材１１に穴あけ加工によりビアホール１２を形成すると共に、表面に印刷技術などを用いて回路パターン１３を形成する。その上に絶縁性の保護膜１４を形成する。保護膜１４の一部に開口部１４Ａを形成することで、下層の回路パターン１３の一部を露出させる。このようにして露出させた回路パターン１３の一部が、バンプ２などを電気的に接続させるための電極パッド１３Ａとなる。   On the other hand, in step S102, a substrate on which a chip is mounted is manufactured. As shown in FIG. 3, a sheet material 11 made of, for example, an epoxy resin is used for the substrate 10. When the substrate 10 is manufactured, the via hole 12 is formed in the sheet material 11 by drilling, and the circuit pattern 13 is formed on the surface using a printing technique or the like. An insulating protective film 14 is formed thereon. By forming the opening 14A in a part of the protective film 14, a part of the lower circuit pattern 13 is exposed. A part of the circuit pattern 13 exposed in this way becomes an electrode pad 13A for electrically connecting the bump 2 and the like.

続いて行われるステップＳ１０４では、図４に示すように、基板１０上の所定位置に接着剤層となるフィルム接着剤２１を取り付ける。フィルム接着剤２１は、例えば、リールテープ２２上に着脱自在に取り付けられたものを使用する。フィルム接着剤２１を貼り付
けるときは、最初にカッター２３でフィルム接着剤２１を所定の大きさに切断する。なお、フィルム接着剤２１の膜厚及び体積は、後に詳細を説明するように、チップ１と基板１０との間に形成されるギャップを埋めるのに適切な厚さとする。 In subsequent step S104, as shown in FIG. 4, a film adhesive 21 serving as an adhesive layer is attached to a predetermined position on the substrate 10. The film adhesive 21 is, for example, one that is detachably attached on the reel tape 22. When affixing the film adhesive 21, the film adhesive 21 is first cut into a predetermined size with a cutter 23. In addition, the film thickness and volume of the film adhesive 21 are set to an appropriate thickness to fill a gap formed between the chip 1 and the substrate 10 as will be described in detail later.

この後に、切断したフィルム接着剤２１を基板１０表面のチップ１の搭載位置に貼り付ける。搭載位置のフィルム接着剤２１の周囲には、電極パッド１３Ａが露出している。なお、フィルム接着剤２１は、例えば、エポキシ樹脂系の熱硬化樹脂が用いられる。リールテープ２２には、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やテフロン（登録商標）などが用いられる。フィルム接着剤２１を貼り付けたリールテープ２２は、巻き回された状態で図示を省略する貼付装置に取り付けられる。フィルム接着剤２１を自動処理により切断し、基板１０側に供給される。なお、フィルム接着剤２１の貼り付けは、公知の貼り付け機を用いても良いし、作業者が手作業でフィルム接着剤２１を基板１０に貼り付けても良い。   Thereafter, the cut film adhesive 21 is attached to the mounting position of the chip 1 on the surface of the substrate 10. The electrode pad 13A is exposed around the film adhesive 21 at the mounting position. The film adhesive 21 is, for example, an epoxy resin thermosetting resin. For example, PET (polyethylene terephthalate) or Teflon (registered trademark) is used for the reel tape 22. The reel tape 22 to which the film adhesive 21 is attached is attached to an attaching device (not shown) in a wound state. The film adhesive 21 is cut by automatic processing and supplied to the substrate 10 side. The film adhesive 21 may be affixed using a known affixing machine, or the operator may affix the film adhesive 21 to the substrate 10 manually.

ここで、フィルム接着剤２１には、常温ではＢステージを保ち、１８０℃以上でＣステージに移行するような接着剤、例えば、エポキシ系樹脂が用いられ、これをベースに硬化剤や硬化促進剤、フィラーなどを添加した構成を有する。このような接着剤としては、例えば、ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス社製の商品名「ＤＳ９９」があげられる。   Here, as the film adhesive 21, an adhesive that maintains the B stage at room temperature and shifts to the C stage at 180 ° C. or higher, for example, an epoxy resin, is used, and a curing agent or a curing accelerator is used as a base. In addition, it has a configuration in which a filler or the like is added. An example of such an adhesive is a product name “DS99” manufactured by Sony Chemical & Information Device.

なお、Ｂステージ及びＣステージは、樹脂材料の状態を示し、この他にＡステージがある。より詳細には、Ａステージは、液体状または固体状で加熱により溶融する状態である。三次元架橋構造を有する高分子の前躯体としても位置付けられる。Ｂステージは、Ａステージからさらに加熱された状態で、通常、室温では固体状態にある。Ｃステージに比べて架橋が不十分な状態になっており、半硬化状態といわれることもある。そして、Ｃステージは、Ｂステージからさらに加熱された状態で、この段階で溶剤には不溶になり、膨潤も生じない。さらに、これ以上加熱しても溶融することはない。なお、Ｃステージの状態は、硬化状態ともいわれる。   The B stage and the C stage indicate the state of the resin material, and there are other A stages. More specifically, the A stage is in a liquid or solid state and melts by heating. It is also positioned as a polymer precursor having a three-dimensional crosslinked structure. The B stage is further heated from the A stage and is usually in a solid state at room temperature. Compared with the C stage, crosslinking is insufficient, and it is sometimes referred to as a semi-cured state. The C stage is further heated from the B stage, becomes insoluble in the solvent at this stage, and does not swell. Furthermore, it will not melt even if heated further. The state of the C stage is also referred to as a cured state.

ステップＳ１０５では、チップ１を基板１０に仮搭載させる。まず、図示を省略するトレイにチップ１を多数収容させる。このとき、チップ１は、バンプ２が下に向くように、つまりチップ１の背面が上に配置されるようにトレイに収容される。次に、図５に示すように、フリップチップボンダーのボンディングツール３１でチップ１の背面を保持する。チップ１の保持には、例えばボンディングツール３１に形成した吸着穴３１Ａを用いた吸着保持を用いることができる。   In step S <b> 105, the chip 1 is temporarily mounted on the substrate 10. First, a large number of chips 1 are accommodated in a tray (not shown). At this time, the chip 1 is accommodated in the tray so that the bumps 2 face downward, that is, the back surface of the chip 1 is disposed on the upper side. Next, as shown in FIG. 5, the back surface of the chip 1 is held by the bonding tool 31 of the flip chip bonder. For holding the chip 1, for example, suction holding using a suction hole 31A formed in the bonding tool 31 can be used.

次に、ボンディングツール３１でチップ１を吊り下げてから、図示を省略する撮像装置の上方にチップ１を移動させ、チップ１の位置を確認する。さらに、チップ１側、基板１０側に形成してある認識マークを確認して基板１０とチップ１の位置合わせを行う。この後、ボンディングツール３１を移動させ、チップ１を基板１０上に搭載位置に仮搭載する。なお、搭載位置とは、基板１０に形成された電極パッド１３Ａの上方に、チップ１に形成されたバンプ２が配置されるような位置である。また、ボンディングツール３１は、所定の圧力でチップ１を基板１０側に押し付ける。これにより、図６に示すように、Ｂステージ化した、つまり未硬化状態のフィルム接着剤２１が変形してフィルム接着剤２１がバンプ２を覆うように広がる。   Next, after suspending the chip 1 with the bonding tool 31, the chip 1 is moved above an imaging device (not shown) to confirm the position of the chip 1. Further, the recognition marks formed on the chip 1 side and the substrate 10 side are confirmed, and the substrate 10 and the chip 1 are aligned. Thereafter, the bonding tool 31 is moved to temporarily mount the chip 1 on the substrate 10 at the mounting position. The mounting position is a position at which the bump 2 formed on the chip 1 is disposed above the electrode pad 13A formed on the substrate 10. The bonding tool 31 presses the chip 1 against the substrate 10 with a predetermined pressure. As a result, as shown in FIG. 6, the B-staged, that is, uncured film adhesive 21 is deformed and spreads so that the film adhesive 21 covers the bumps 2.

ここで、チップ１が搭載される位置は、ステップＳ１０４でフィルム接着剤２１が供給された位置である。これにより、チップ１は、未硬化状態で接着性のあるフィルム接着剤２１を介して、基板１０に固定される。したがって、この後に基板１０を移動等させてもチップ１に形成されたバンプ２の位置と、基板１０上の電極パッド１３Ａの位置とがずれ
が防止される。なお、このときの基板１０からのチップ１までの高さは、５０μｍ〜１００μｍとする。そして、この処理は、基板１０上に必要な数だけチップ１を仮搭載するまで繰り返して行われる。従来のように、１つのチップ１を搭載するごとに接着剤を乾燥させる必要がなくなるので、作業時間を短縮できる。 Here, the position where the chip 1 is mounted is the position where the film adhesive 21 is supplied in step S104. As a result, the chip 1 is fixed to the substrate 10 via the film adhesive 21 that is adhesive in an uncured state. Therefore, even if the substrate 10 is moved after this, the position of the bump 2 formed on the chip 1 and the position of the electrode pad 13A on the substrate 10 are prevented from shifting. In addition, the height from the board | substrate 10 to the chip | tip 1 at this time shall be 50 micrometers-100 micrometers. This process is repeated until a necessary number of chips 1 are temporarily mounted on the substrate 10. Since it is not necessary to dry the adhesive each time one chip 1 is mounted as in the prior art, the working time can be shortened.

続くステップＳ１０６では、図７に示すように、チップ１を仮搭載した基板１０の上に、封止フィルム４１を供給する。封止フィルム４１を基板１０及びチップ１を覆う大きさに予め切断したものが使用される。この状態では、バンプ２と電極パッド１３Ａは接続されていなくても良い。   In subsequent step S106, as shown in FIG. 7, the sealing film 41 is supplied onto the substrate 10 on which the chip 1 is temporarily mounted. What sealed the sealing film 41 beforehand to the magnitude | size which covers the board | substrate 10 and the chip | tip 1 is used. In this state, the bump 2 and the electrode pad 13A may not be connected.

封止フィルム４１は、エポキシ系の熱硬化性のフィルムで、常温から８０℃の温度領域では、弾性を保ちつつ半硬化状態のＢステージ化した状態を維持し、８０℃から１５０℃の温度領域では、軟化して半液状になり、１５０℃以上の温度領域で硬化を開始するものが使用される。なお、このような封止フィルム４１としては、例えば、ナガセケムテクス社製のエポキシシート（商品名）があげられる。   The sealing film 41 is an epoxy-based thermosetting film, and maintains a semi-cured B-stage state while maintaining elasticity in a temperature range from room temperature to 80 ° C., and a temperature range from 80 ° C. to 150 ° C. Then, a material that softens and becomes semi-liquid and starts to cure in a temperature range of 150 ° C. or higher is used. Examples of such a sealing film 41 include an epoxy sheet (trade name) manufactured by Nagase ChemteX Corporation.

この工程は、常温で行われるため、チップ１上で封止フィルム４１はＢステージ化したシート状態を保つ。このため、隣り合う２つのチップ１の間には、空間４０が形成される。なお、封止フィルム４１の厚さは、例えば、封止後の膜厚の目標値が２００μｍ程度である場合には、３００μｍ程度にする。   Since this process is performed at room temperature, the sealing film 41 maintains a B-staged sheet state on the chip 1. For this reason, a space 40 is formed between two adjacent chips 1. Note that the thickness of the sealing film 41 is, for example, about 300 μm when the target value of the thickness after sealing is about 200 μm.

ステップＳ１０７では、チップ１のバンプ２と基板１０の電極パッド１３Ａとを接続すると共に、チップ１の封止を行う。この工程は、ヘッド加熱工程と、チップ間封止工程と、加圧接続工程と、硬化工程の４つにさらに分けることができる。
まず、図８（ａ）に示すように、第１段階目のヘッド加熱工程では、加温可能なステージ４２上に基板１０を載置し、温度制御が可能なプレスヘッド４３を封止フィルム４１の上方に配置する。この段階では、プレスヘッド４３は、封止フィルム４１には接触していない。ステージ４２の温度は、フィルム接着剤２１及び封止フィルム４１の硬化が進まない温度、例えば、７０℃程度にする。さらに、プレスヘッド４３の温度は、８０℃とする。なお、プレスヘッド４３は、基板１０上方の封止フィルム４１に一様に接触可能な大きさとする。 In step S107, the bump 2 of the chip 1 and the electrode pad 13A of the substrate 10 are connected and the chip 1 is sealed. This process can be further divided into four processes: a head heating process, an interchip sealing process, a pressure connection process, and a curing process.
First, as shown in FIG. 8A, in the first stage head heating step, the substrate 10 is placed on a stage 42 that can be heated, and a press head 43 that can be controlled in temperature is attached to a sealing film 41. It arranges above. At this stage, the press head 43 is not in contact with the sealing film 41. The temperature of the stage 42 is set to a temperature at which the film adhesive 21 and the sealing film 41 are not cured, for example, about 70 ° C. Further, the temperature of the press head 43 is 80 ° C. Note that the press head 43 has a size that can uniformly contact the sealing film 41 above the substrate 10.

次に、第２段階としてチップ間封止工程を実施する。図８（ｂ）に示すように、８０℃に加熱したプレスヘッド４３を下降させる。この温度領域では、封止フィルム４１がＢステージから軟化して半液状になるので、プレスヘッド４３により溶融させられた封止フィルム４１の材料がチップ１の間の空間４０に充填される。このときの封止フィルム４１の厚さは、基板１０からチップ１の背面までの距離の目標値が２００μｍである場合には、約２５０μｍ〜３００μｍとする。なお、フィルム接着剤２１は、Ｂステージの状態を維持する。   Next, an inter-chip sealing process is performed as a second stage. As shown in FIG. 8B, the press head 43 heated to 80 ° C. is lowered. In this temperature region, the sealing film 41 softens from the B stage and becomes semi-liquid, so that the material of the sealing film 41 melted by the press head 43 is filled in the space 40 between the chips 1. The thickness of the sealing film 41 at this time is about 250 μm to 300 μm when the target value of the distance from the substrate 10 to the back surface of the chip 1 is 200 μm. The film adhesive 21 maintains the B stage state.

ここで、プレスヘッド４３は、封止フィルム４１を当接させた状態で数秒間保持しても良い。また、チップ１の間に封止フィルム４１を充填させるときは、周囲を真空雰囲気にすると、ボイド巻き込みや、チップ１間の未充填などが生じ難くなる。   Here, you may hold | maintain the press head 43 for several seconds in the state which contacted the sealing film 41. FIG. Further, when the sealing film 41 is filled between the chips 1, if the surroundings are in a vacuum atmosphere, void entrainment or unfilling between the chips 1 is less likely to occur.

なお、フィルム接着剤２１、封止フィルム４１のヤング率は、フィルム接着剤２１の方が封止フィルム４１より大きくする。これにより、仮固定されたチップ１と基板１０の間のギャップを保ちつつ、チップ１の間に封止フィルム４１のフィルム材を充填することができる。   The Young's modulus of the film adhesive 21 and the sealing film 41 is larger in the film adhesive 21 than in the sealing film 41. Thereby, the film material of the sealing film 41 can be filled between the chips 1 while maintaining a gap between the temporarily fixed chip 1 and the substrate 10.

さらに、第３段階として、加圧接続工程を実施する。まず、プレスヘッド４３の温度を
１８０℃にし、さらに下降させる。このとき、封止フィルム４１の硬化は充分に進んでおらず、半液状を保つ。また、基板１０とチップ１の間のフィルム接着剤２１は、１８０℃に加熱されることから軟化して半液状になる。この状態で、フィルム接着剤２１及び封止フィルム４１は、プレスヘッド４３の押圧力をチップ１に伝達できる程度の硬度を保っているので、図８（ｃ）に示すように、プレスヘッド４３で封止フィルム４１を介して押圧さているチップ１のバンプ２と、基板１０側の電極パッド１３Ａとが接触し、電気的に接続される。 Further, as a third stage, a pressure connection process is performed. First, the temperature of the press head 43 is set to 180 ° C. and further lowered. At this time, the curing of the sealing film 41 is not sufficiently progressed and maintains a semi-liquid state. Moreover, since the film adhesive 21 between the board | substrate 10 and the chip | tip 1 is heated at 180 degreeC, it softens and becomes semi-liquid. In this state, since the film adhesive 21 and the sealing film 41 have a hardness that can transmit the pressing force of the press head 43 to the chip 1, as shown in FIG. The bump 2 of the chip 1 pressed through the sealing film 41 and the electrode pad 13A on the substrate 10 side come into contact with each other and are electrically connected.

なお、この処理の前段階でチップ１を覆うように封止フィルム４１の材料が充填されているので、チップ１とプレスヘッド４３が直接に接触することが防止され、チッピングが生じなくなる。また、封止フィルム４１を介して多数のチップ１が一様に押圧されるので、基板１０に対するチップ１の高さのばらつきを抑制できる。   In addition, since the material of the sealing film 41 is filled so as to cover the chip 1 in the stage before this processing, the chip 1 and the press head 43 are prevented from coming into direct contact and chipping does not occur. In addition, since a large number of chips 1 are pressed uniformly through the sealing film 41, variations in the height of the chips 1 with respect to the substrate 10 can be suppressed.

そして、第４段階として、硬化工程を実施する。すなわち、プレスヘッド４３の温度及び押圧を継続させ、フィルム接着剤２１及び封止フィルム４１をほぼ硬化させる。この後、ポストキュアを行ってフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１を完全に硬化させる。なお、硬化工程では、プレスヘッド４３の温度を前の段階より上昇させて硬化を促進させても良い。   And as a 4th step, a hardening process is implemented. That is, the temperature and pressing of the press head 43 are continued, and the film adhesive 21 and the sealing film 41 are substantially cured. Thereafter, post-curing is performed to completely cure the film adhesive 21 and the sealing film 41. In the curing process, the temperature of the press head 43 may be raised from the previous stage to accelerate the curing.

次のステップＳ１０８では、基板１０を他の装置に実装するために用いられるボールを形成する。図９に示すように、ボール４５は、基板１０の一方の面、すなわちチップ１が搭載されていない面に形成された電極パッド１３Ａにフラックスを印刷してから、各電極パッド１３Ａに半田からなるボール４５を形成してＢＧＡを形成する。次に、リフロー工程でボール４５と電極パッド１３Ａとを接続させ、その後にフラックを洗浄する。   In the next step S108, a ball used for mounting the substrate 10 on another apparatus is formed. As shown in FIG. 9, the ball 45 is made of solder on each electrode pad 13A after the flux is printed on the electrode pad 13A formed on one surface of the substrate 10, that is, the surface on which the chip 1 is not mounted. A ball 45 is formed to form a BGA. Next, the ball 45 and the electrode pad 13A are connected in a reflow process, and then the flack is washed.

さらに、ステップＳ１０９で、予め定められた切断ラインＬ１に沿って基板１０を分割すると、図１０に示すようなパッケージからなる半導体装置５０が複数得られる。   Further, when the substrate 10 is divided along a predetermined cutting line L1 in step S109, a plurality of semiconductor devices 50 each having a package as shown in FIG. 10 are obtained.

以上、説明したように、この実施の形態では、フィルム接着剤２１を用いてチップ１を基板１０に仮固定するようにした。フィルム接着剤２１は、チップ１を押し付けたときに、チップ１の位置ずれを防止できる程度の接着力を有するものを使用するので、従来のペースト状の接着剤を用いる場合のようにチップを仮搭載するたびに硬化させる必要がなくなり、製造時間を短縮できる。   As described above, in this embodiment, the chip 1 is temporarily fixed to the substrate 10 using the film adhesive 21. Since the film adhesive 21 has an adhesive force that can prevent displacement of the chip 1 when the chip 1 is pressed, the chip is temporarily attached as in the case of using a conventional paste-like adhesive. There is no need to cure each time it is mounted, and manufacturing time can be shortened.

なお、フィルム接着剤２１は、チップ１の位置ずれを防止できる程度の接着力を有するので、硬化工程を実施しなくても製造過程においてチップ１と基板１０の位置ずれを防止できる。また、プレスヘッド４３でチップ１を基板１０に押し当てただけでは、金製のバンプ２と金製の電極パッド１３Ａの接着力が小さいことがあるが、フィルム接着剤２１を用いてチップ１と基板１０を接着しているので、半導体装置５０においてもチップ１と基板１０の位置ずれが防止される。   Since the film adhesive 21 has an adhesive force that can prevent the positional deviation of the chip 1, the positional deviation between the chip 1 and the substrate 10 can be prevented in the manufacturing process without performing a curing process. In addition, the adhesive force between the gold bump 2 and the gold electrode pad 13A may be small by simply pressing the chip 1 against the substrate 10 with the press head 43. Since the substrate 10 is bonded, the positional deviation between the chip 1 and the substrate 10 is prevented even in the semiconductor device 50.

また、プレスヘッド４３でチップ１を基板１０に押圧する工程において、プレスヘッド４３の温度をコントロールすることで、チップ１間の空間４０に封止フィルム４１の材料を充填させるようにしたので、工程時間を短縮できる。また、プレスヘッド４３の温度をコントロールすることで、封止フィルム４１が硬化する前に、フィルム接着剤２１を半液状にしてバンプ２と電極パッド１３Ａの電気接続を形成することが可能になる。   Further, in the step of pressing the chip 1 against the substrate 10 with the press head 43, the temperature of the press head 43 is controlled so that the space 40 between the chips 1 is filled with the material of the sealing film 41. You can save time. Further, by controlling the temperature of the press head 43, before the sealing film 41 is cured, the film adhesive 21 can be made semi-liquid to form an electrical connection between the bump 2 and the electrode pad 13A.

ここで、この実施の形態の変形例について以下に説明する。
図１１及び図１２では、チップ１に分割する前のウェハ５１にバンプ５２を形成している。バンプ５２は、例えば、ウェハ５１にマスクを形成し、マスクのバンプ形成位置に開
口部を設けた後に、電解めっきにより成長させる。バンプ５２の形成後には、マスクを除去してから、バックグラインドし、タイシングにてチップに個別化する。このようにして形成したチップ１を前記と同様にして基板１０に実装すれば、半導体装置５０を形成できる。バンプ５２の形成箇所が多い場合などに、製造時間を短縮できる。 Here, a modification of this embodiment will be described below.
11 and 12, bumps 52 are formed on the wafer 51 before being divided into chips 1. For example, the bump 52 is grown by electrolytic plating after forming a mask on the wafer 51 and providing an opening at the bump formation position of the mask. After the bumps 52 are formed, the mask is removed, and then back-grinding is performed and the chips are separated into individual chips. The semiconductor device 50 can be formed by mounting the chip 1 thus formed on the substrate 10 in the same manner as described above. The manufacturing time can be shortened when the bumps 52 are formed in many locations.

（第２の実施の形態）
図１３に示すように、基板１０側に印刷マスク６１を装着し、その上から樹脂製のペースト状の接着剤６２をスキージ６３で供給する。印刷マスク６１には、開口部６１Ａをチップ１の搭載位置であって、バンプ接続を行う電極パッド１３Ａを避けた領域に形成しておく。ペースト状の接着剤６２を塗布した後は、印刷マスク６１を除去する。これにより、図５に示すようなフィルム接着剤２１が形成される。接着剤６２には、第１の実施の形態のフィルム接着剤２１の材料と同じ組成のペースト状の接着剤が用いられる。そして、第１の実施の形態と同様に、チップ１を仮搭載し、接着剤６２と封止フィルム４１の硬化温度の差を利用しつつ、半導体装置５０を製造する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。 (Second Embodiment)
As shown in FIG. 13, a print mask 61 is mounted on the substrate 10 side, and a resin paste adhesive 62 is supplied from above with a squeegee 63. In the print mask 61, an opening 61A is formed in a region where the chip 1 is mounted and where the electrode pad 13A for bump connection is avoided. After applying the paste adhesive 62, the printing mask 61 is removed. Thereby, the film adhesive 21 as shown in FIG. 5 is formed. As the adhesive 62, a paste-like adhesive having the same composition as the material of the film adhesive 21 of the first embodiment is used. Then, as in the first embodiment, the chip 1 is temporarily mounted, and the semiconductor device 50 is manufactured while utilizing the difference in curing temperature between the adhesive 62 and the sealing film 41. Thereby, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

（第３の実施の形態）
また、図１１及び図１２に示すように、ウェハ５１にバンプ５２を形成した後で、ダイシングを行う前に、スピンコート法を用いてウェハ５１の表面にペースト状の接着剤６２を塗布する。接着剤６２は、第１の実施の形態のフィルム接着剤２１と同じ材料を用いることが好ましい。スピナーの回転等によって接着剤６２をバンプ５２を覆う所望の厚さに調整した後、乾燥させると、図１４に示すように接着剤層６６が形成される。このとき、接着剤層６６は、擬似的なＢステージになっている。この後に、ウェハ５１をバックグラインドしてからダインシングを行ってチップ１に分割する。なお、接着剤層６６は、バンプ５２を覆う厚さに形成することが好ましいが、バンプ５２と同じ膜厚又はバンプ５２より小さい膜厚でも良い。 (Third embodiment)
Also, as shown in FIGS. 11 and 12, after the bumps 52 are formed on the wafer 51 and before dicing, a paste-like adhesive 62 is applied to the surface of the wafer 51 using a spin coat method. The adhesive 62 is preferably made of the same material as the film adhesive 21 of the first embodiment. When the adhesive 62 is adjusted to a desired thickness to cover the bumps 52 by rotating a spinner or the like and then dried, an adhesive layer 66 is formed as shown in FIG. At this time, the adhesive layer 66 is a pseudo B stage. Thereafter, the wafer 51 is back-ground and then diced to divide it into chips 1. The adhesive layer 66 is preferably formed to a thickness that covers the bumps 52, but may be the same film thickness as the bumps 52 or a film thickness smaller than the bumps 52.

チップ１を基板１０に仮固定するときは、接着剤層６６を基板１０の所定位置に押し付ける。この段階では、チップ１側のバンプ５２と基板１０側の電極１３Ａとは電気的に接続されていない。この後、図１のステップＳ１０６からステップＳ１０９を実施することで、半導体装置５０が形成される。   When temporarily fixing the chip 1 to the substrate 10, the adhesive layer 66 is pressed against a predetermined position of the substrate 10. At this stage, the bump 52 on the chip 1 side and the electrode 13A on the substrate 10 side are not electrically connected. Thereafter, the semiconductor device 50 is formed by performing steps S106 to S109 in FIG.

（第４の実施の形態）
この実施の形態では、Ｂステージから半液状になる温度がフィルム接着剤２１より高い封止フィルム４１を用いることを特徴とする。フィルム接着剤２１及び封止フィルム４１に使用される接着剤は、エポキシ主剤に硬化剤、硬化促進剤、フィラーなどを添加した構成を有する。フィルム接着剤２１は、硬化促進剤にイミダゾール系の材料を用いることで硬化温度を低下させている。これに対し、封止フィルム４１は、エポキシ主剤と硬化剤にフィルム接着剤２１と同じものを使用し、硬化促進剤にリン系の材料を用いることで硬化温度を上昇させている。 (Fourth embodiment)
In this embodiment, a sealing film 41 having a temperature that becomes semi-liquid from the B stage is higher than that of the film adhesive 21 is used. The adhesive used for the film adhesive 21 and the sealing film 41 has a configuration in which a curing agent, a curing accelerator, a filler, and the like are added to the epoxy main agent. The film adhesive 21 lowers the curing temperature by using an imidazole-based material as a curing accelerator. On the other hand, the sealing film 41 uses the same thing as the film adhesive 21 for an epoxy main ingredient and a hardening | curing agent, and raises hardening temperature by using a phosphorus-type material for a hardening accelerator.

半導体装置５０は、図１のフローチャートに従って製造され、ステップＳ１０７の処理の内容が第１の実施の形態と異なる。この実施の形態で、ステップＳ１０７はさらにヘッド加熱工程と、加圧接続工程と、チップ間封止工程と、硬化工程に分かれる。   The semiconductor device 50 is manufactured according to the flowchart of FIG. 1, and the content of the process in step S107 is different from that of the first embodiment. In this embodiment, step S107 is further divided into a head heating process, a pressure connection process, an inter-chip sealing process, and a curing process.

まず、フィルム接着剤２１を用いて基板１０上にチップ１を仮搭載した後、封止フィルム４１を供給したら、図１５（ａ）に示すようにステージ４２上に配置し、プレスヘッド４３を待機させる。なお、実装後の基板１０からチップ１までの厚さが２００μｍであるとき、封止フィルム４１の膜厚は２００μｍ〜２５０μｍ程度とする。   First, after temporarily mounting the chip 1 on the substrate 10 using the film adhesive 21, when the sealing film 41 is supplied, it is placed on the stage 42 as shown in FIG. Let In addition, when the thickness from the board | substrate 10 after mounting to the chip | tip 1 is 200 micrometers, the film thickness of the sealing film 41 shall be about 200 micrometers-250 micrometers.

一番目のヘッド加熱工程では、プレスヘッド４３の温度を室温から１５０℃の範囲おいて、フィルム接着剤２１のヤング率が封止フィルム４１のヤング率より小さくなる温度に設定する。なお、この段階では、プレスヘッド４３は封止フィルム４１に接触していないので、フィルム接着剤２１及び封止フィルム４１共にＢステージを維持する。   In the first head heating step, the temperature of the press head 43 is set to a temperature at which the Young's modulus of the film adhesive 21 is smaller than the Young's modulus of the sealing film 41 in the range of room temperature to 150 ° C. At this stage, since the press head 43 is not in contact with the sealing film 41, both the film adhesive 21 and the sealing film 41 maintain the B stage.

次に、加圧接続工程として、プレスヘッド４３を下降させて、封止フィルム４１を介してチップ１を基板１０に向けて押圧する。プレスヘッド４３の温度は、封止フィルム４１を液化させないが、フィルム接着剤２１は軟化して半液状になるように設定されている。基板１０からのチップ１の高さが予め定められた所定の高さになったら、プレスヘッド４２の下降を停止させる。その結果、図１５（ｂ）に示すように、チップ１が基板１０にフリップチップ接続される。   Next, as a pressure connection process, the press head 43 is lowered and the chip 1 is pressed toward the substrate 10 through the sealing film 41. The temperature of the press head 43 is set so that the sealing film 41 is not liquefied but the film adhesive 21 is softened and becomes semi-liquid. When the height of the chip 1 from the substrate 10 reaches a predetermined height, the lowering of the press head 42 is stopped. As a result, the chip 1 is flip-chip connected to the substrate 10 as shown in FIG.

続くチップ間封止工程では、プレスヘッド４３の温度をフィルム接着剤２１及び封止フィルム４１が共に半液状になる温度に設定する。これにより、封止フィルム４１が軟化してチップ１間の空間４０に充填され、チップ１が封止される。なお、この工程を真空雰囲気中で実施すると、ボイド巻き込みや、フィルム材の未充填などの発生を防止できる。   In the subsequent inter-chip sealing step, the temperature of the press head 43 is set to a temperature at which both the film adhesive 21 and the sealing film 41 become semi-liquid. Thereby, the sealing film 41 is softened and filled in the space 40 between the chips 1, and the chip 1 is sealed. In addition, when this process is implemented in a vacuum atmosphere, generation | occurrence | production of void entrainment, unfilling of a film material, etc. can be prevented.

そして、硬化工程で、プレスヘッド４３による押圧力を維持させながら加熱を継続し、シート接着剤２１及び封止フィルム４１をほぼ硬化させる。その後、ポストキュアを行うことで、フィルム接着剤２１及び封止フィルム４１がＣステージ化する。   And in a hardening process, heating is continued, maintaining the pressing force by the press head 43, and the sheet adhesive 21 and the sealing film 41 are hardened substantially. Then, the film adhesive 21 and the sealing film 41 are C-staged by performing post cure.

この実施の形態では、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。また、第２又は第３の実施の形態で形成した樹脂を用いても良い。また、図１１及び図１２に示すようなバンプ５２を用いても良い。   In this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. Further, the resin formed in the second or third embodiment may be used. Further, bumps 52 as shown in FIGS. 11 and 12 may be used.

なお、本発明は、前記の各実施の形態に限定されずに広く応用することができる。
例えば、接着剤層（例えば、フィルム接着剤２１）や、封止フィルム４１の種類は、常温でＢステージを維持し、ＢステージからＣステージなる温度や硬化に要する時間が異なる材料であれば良く、前記したもの限定されない。硬化温度を変化させるための添加剤は、イミダゾール系の材料や、リン系の材料に限定されない。また、接着剤層と封止フィルム４１のそれぞれがＢステージから、半液状態を経て硬化する温度も実施の形態に限定されない。 The present invention can be widely applied without being limited to the above-described embodiments.
For example, the adhesive layer (for example, the film adhesive 21) or the type of the sealing film 41 may be any material that maintains the B stage at room temperature and has different temperatures from the B stage to the C stage and different curing times. The above is not limited. Additives for changing the curing temperature are not limited to imidazole materials and phosphorus materials. Further, the temperature at which each of the adhesive layer and the sealing film 41 is cured from the B stage through a semi-liquid state is not limited to the embodiment.

また、ステージの変化のために、プレスヘッド４３の温度を変えても良いし、温度を変化させなくても時間の経過でステージが変化する材料を用いても良い。
さらに、基板１０に接着剤をスクリーン印刷、スピンコーティング法、スプレーコーティング法で塗布した後、乾燥工程を実施して接着剤中の溶剤を揮発させて乾燥状態にすることで擬似的なＢステージ状態を有する接着剤層を形成しても良い。 Further, the temperature of the press head 43 may be changed for changing the stage, or a material whose stage changes with time without changing the temperature may be used.
Furthermore, after applying the adhesive to the substrate 10 by screen printing, spin coating, or spray coating, a pseudo B stage state is obtained by performing a drying process to volatilize the solvent in the adhesive to a dry state. You may form the adhesive bond layer which has.

ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈すべきであり、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解すべきである。   All examples and conditional expressions given here are intended to help the reader understand the inventions and concepts that have contributed to the promotion of technology, such examples and It should be construed without being limited to the conditions, and the organization of such examples in the specification is not related to showing the superiority or inferiority of the present invention. Although embodiments of the present invention have been described in detail, it should be understood that various changes, substitutions and variations can be made thereto without departing from the spirit and scope of the present invention.

以下、実施の形態の特徴を付記する。
（付記１） Ｂステージ化した接着剤層をチップ上又は基板上に設ける工程と、前記接着剤層を用いて前記チップを前記基板に固定する工程と、前記チップ上にＢステージ化した封止フィルムを重ねる工程と、前記封止フィルムを軟化させ、隣り合う前記チップ間に空
間に前記封止フィルムを構成する材料を充填する工程と、前記封止フィルムを介して前記チップを前記基板に押圧し、前記チップに形成された突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程と、前記接着剤層と前記封止フィルムを硬化させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２） 前記チップ間に前記封止フィルムを構成する材料を充填する工程の後に、前記突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程を実施することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３） 前記チップ間に前記封止フィルムを構成する材料を充填する工程は、前記チップを前記基板に向けて押圧するプレスヘッドを前記封止フィルムに当接させ、前記プレスヘッドの温度を前記接着剤層がＢステージを維持し、かつ前記封止フィルムが軟化する温度まで加熱する工程を有し、前記突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程は、前記プレスヘッドの温度を前記封止フィルム及び前記接着剤が共に軟化する温度まで加熱しながら、前記プレスヘッドで前記チップを前記基板に向けて押圧する工程を有することを特徴とする付記２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４） 前記突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程の後に、前記チップ間に前記封止フィルムを構成する材料を充填する工程を実施することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５） 前記突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程は、前記プレスヘッドの温度を前記封止フィルムがＢステージを維持し、かつ前記接着剤が軟化する温度まで加熱しながら、前記プレスヘッドで前記チップを前記基板に向けて押圧する工程を有し、前記チップ間に前記封止フィルムを構成する材料を充填する工程は、前記プレスヘッドの温度を前記接着剤層及び前記封止フィルムが軟化する温度まで加熱する工程を有することを特徴とする付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６） 前記接着剤層を前記チップ上又は前記基板上に設ける工程は、Ｂステージ化した接着剤のフィルムを所定の形状に切断してから、前記基板に取り付けることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７） 前記接着剤層を前記チップ上又は前記基板上に設ける工程は、前記基板にマスクを用いてペースト状の接着剤を塗布してからＢステージ化させて前記接着剤層を形成することを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。（付記８） ウェハに前記突起電極端子を形成した後に、前記ウェハの表面にペースト状の接着剤を塗布してからＢステージ化させて前記接着剤層を形成することを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 Hereinafter, features of the embodiment will be added.
(Supplementary note 1) A step of providing a B-staged adhesive layer on a chip or a substrate, a step of fixing the chip to the substrate using the adhesive layer, and a B-staged sealing on the chip A step of stacking films, a step of softening the sealing film, filling a space between adjacent chips with a material constituting the sealing film, and pressing the chip against the substrate through the sealing film And a step of electrically connecting the protruding electrode terminal formed on the chip and the electrode of the substrate, and a step of curing the adhesive layer and the sealing film. Manufacturing method.
(Additional remark 2) The process of electrically connecting the said protruding electrode terminal and the electrode of the said board | substrate is implemented after the process of filling the material which comprises the said sealing film between the said chips. The manufacturing method of the semiconductor device as described in any one of Claims 1-3.
(Additional remark 3) The process of filling the material which comprises the said sealing film between the said chip | tips makes the press head which presses the said chip | tip toward the said board | substrate contact | abut to the said sealing film, and sets the temperature of the said press head. The step of heating the adhesive layer to a temperature at which the B-stage is maintained and the sealing film is softened, and the step of electrically connecting the protruding electrode terminal and the electrode of the substrate includes the press head The semiconductor device according to claim 2, further comprising a step of pressing the chip toward the substrate with the press head while heating the temperature to a temperature at which the sealing film and the adhesive are both softened. Manufacturing method.
(Additional remark 4) The process of filling the material which comprises the said sealing film between the said chips is implemented after the process of electrically connecting the said protruding electrode terminal and the electrode of the said board | substrate. Additional remark 1 characterized by the above-mentioned. The manufacturing method of the semiconductor device as described in any one of Claims 1-3.
(Supplementary Note 5) In the step of electrically connecting the protruding electrode terminal and the electrode of the substrate, the temperature of the press head is heated to a temperature at which the sealing film maintains the B stage and the adhesive is softened. However, the step of pressing the chip toward the substrate with the press head, the step of filling the material constituting the sealing film between the chips, the temperature of the press head is the adhesive layer The method for manufacturing a semiconductor device according to appendix 4, further comprising a step of heating to a temperature at which the sealing film is softened.
(Additional remark 6) The process of providing the said adhesive bond layer on the said chip | tip or the said board | substrate cut | disconnects the film of the adhesive agent made into B stage into a predetermined shape, Then, it attaches to the said board | substrate. The manufacturing method of the semiconductor device as described in any one of Claim 5 thru | or Addendum 5.
(Appendix 7) In the step of providing the adhesive layer on the chip or the substrate, a paste-like adhesive is applied to the substrate using a mask and then B-staged to form the adhesive layer. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendix 1 to appendix 5, wherein: (Supplementary note 8) The adhesive layer is formed by forming the protruding electrode terminal on the wafer and then applying a paste-like adhesive on the surface of the wafer and then forming a B-stage to form the adhesive layer. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of appendix 5.

１ チップ
２，５２ バンプ
１０ 基板
２１ フィルム接着剤
４１ 封止フィルム
４３ プレスヘッド 1 Chip 2,52 Bump 10 Substrate 21 Film adhesive 41 Sealing film 43 Press head

Claims (4)

Ｂステージ化した接着剤層をチップ上又は基板上に設ける工程と、
前記接着剤層を用いて複数の前記チップを前記基板に固定する工程と、
前記基板に固定する工程の後、複数の前記チップを覆うようにＢステージ化した封止フィルムを前記基板上に形成する工程と、
前記封止フィルムを軟化させ、隣り合う前記チップ間であって前記基板上に前記封止フィルムを構成する材料を配置させる工程と、
前記封止フィルムを軟化させる工程の後に、前記封止フィルムを介して前記チップを前記基板に押圧し、前記チップに形成された突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程と、
前記接着剤層と前記封止フィルムを硬化させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Providing a B-staged adhesive layer on the chip or on the substrate;
Fixing the plurality of chips to the substrate using the adhesive layer;
After the step of fixing to the substrate, forming a sealing film B-staged on the substrate so as to cover the plurality of chips;
Softening the sealing film, placing the material constituting the sealing film on the substrate between the adjacent chips; and
After the step of softening the sealing film, the step of pressing the chip against the substrate through the sealing film and electrically connecting the protruding electrode terminal formed on the chip and the electrode of the substrate; ,
Curing the adhesive layer and the sealing film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記チップ間の基板上に前記封止フィルムを構成する材料を形成する工程は、前記チップを前記基板に向けて押圧するプレスヘッドを前記封止フィルムに当接させ、前記プレスヘッドの温度を前記接着剤層がＢステージを維持し、かつ前記封止フィルムが軟化する温度まで加熱する工程を有し、
前記突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程は、前記プレスヘッドの温度を前記封止フィルム及び前記接着剤が共に軟化する温度まで加熱しながら、前記プレスヘッドで前記チップを前記基板に向けて押圧する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The step of forming the material constituting the sealing film on the substrate between the chips includes contacting a press head that presses the chip against the substrate against the sealing film, and setting the temperature of the press head to The adhesive layer maintains the B stage and has a step of heating to a temperature at which the sealing film softens;
The step of electrically connecting the protruding electrode terminal and the electrode of the substrate includes the step of heating the chip with the press head while heating the temperature of the press head to a temperature at which the sealing film and the adhesive are softened together. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1 , further comprising a step of pressing toward the substrate. Ｂステージ化した接着剤層をチップ上又は基板上に設ける工程と、
前記接着剤層を用いて複数の前記チップを前記基板に固定する工程と、
前記基板に固定する工程の後、複数の前記チップを覆うように、Ｂステージ化した封止フィルムを前記基板上に形成する工程と、
前記封止フィルムを介して前記チップを前記基板に押圧し、前記チップに形成された突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程と、
前記電気的に接続させる工程の後に、前記封止フィルムを軟化させ、隣り合う前記チップ間であって前記基板上に前記封止フィルムを構成する材料を配置させる工程と、
前記接着剤層と前記封止フィルムを硬化させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Providing a B-staged adhesive layer on the chip or on the substrate;
Fixing the plurality of chips to the substrate using the adhesive layer;
After the step of fixing to the substrate, forming a B-staged sealing film on the substrate so as to cover the plurality of chips;
Pressing the chip against the substrate through the sealing film, and electrically connecting the protruding electrode terminal formed on the chip and the electrode of the substrate;
After the step of electrically connecting, the step of softening the sealing film and disposing the material constituting the sealing film on the substrate between the adjacent chips;
Curing the adhesive layer and the sealing film;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: 前記突起電極端子と前記基板の電極とを電気的に接続させる工程は、前記プレスヘッドの温度を前記封止フィルムがＢステージを維持し、かつ前記接着剤が軟化する温度まで加熱しながら、前記プレスヘッドで前記チップを前記基板に向けて押圧する工程を有し、
前記チップ間の基板上に前記封止フィルムを構成する材料を形成する工程は、前記プレスヘッドの温度を前記接着剤層及び前記封止フィルムが軟化する温度まで加熱する工程を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 The step of electrically connecting the protruding electrode terminal and the electrode of the substrate is performed by heating the press head to a temperature at which the sealing film maintains the B stage and the adhesive softens. A step of pressing the chip against the substrate with a press head;
The step of forming the material constituting the sealing film on the substrate between the chips includes the step of heating the temperature of the press head to a temperature at which the adhesive layer and the sealing film are softened. A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3 .
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