JP5331582B2 - 冷却機能を有する加熱装置 - Google Patents

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この発明は、冷却機能を有する加熱装置に関するものであり、さらに詳しくは、例えば被処理物を所望温度に加熱しあるいは焼成するためなどに利用される冷却機能を有する加熱装置に関するものである。
従来、半導体、液晶パネルのベーキング処理および成膜の工程において、被処理物の焼成に利用される冷却機能を有する加熱装置としては、例えば特許文献1に記載されたものが知られている。
特開平9−260029号公報
特許文献1に記載された加熱装置は、例えば金属板からなるベースプレートと、このベースプレートの一方面の上に設けられた例えば金属板からなるフェースプレートとを備えている。ベースプレートは、その一方面に形成された第1の溝と、その一方面とは反対側にある他方面に形成された第2の溝とを有している。そして、第1の溝にはベースプレートを冷却するための冷却パイプが埋め込まれ、第2の溝にはベースプレートを加熱するためのシーズヒータが埋め込まれている。また、冷却パイプは、ベースプレートの上記一方面と面一に設けられて上記一方面側へ露出する当接面を有している。さらに、この当接面は、ベースプレートの上記一方面に対向している上記フェースプレートの一方面に当接している。
上記の加熱装置によれば、ベースプレートの表裏両面に形成された第1の溝および第2の溝に冷却パイプおよびシーズヒータをそれぞれ埋め込み、冷却パイプの一部をフェースプレートに当接する構成としたため、ベーキング処理および成膜の工程における半導体の熱処理効率や冷却工程における加熱速度および冷却速度を向上させることができる、とされている。
しかしながら、上記の加熱装置を被処理物の表面にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置に適用すると、次のような問題が生じる。
すなわち、シーズヒータを、プラズマ処理装置のプラズマ処理室における被処理物を加熱するための加熱部としてプラズマ処理用電極に適用し、かつ、冷却パイプを、上記加熱部により加熱された同電極を冷却するための冷却部として同電極に適用すると、加熱部および冷却部が同電極の表裏両面におけるそれぞれの嵌め込み用の溝に設けられることになる。
このため、上記の加熱装置に加熱部および冷却部を設けるのに先立って、プラズマ処理用電極の両面に加熱部嵌め込み用の溝および冷却部嵌め込み用の溝を形成する作業あるいは工程が必要になる。また、同電極の両面にこのような嵌め込み用の溝を形成するためには、同電極の厚さをある程度以上、厚く確保しておくことも必要になる。これらの理由により、結果的に、加熱装置の製造コスト、ひいてはプラズマ処理装置の製造コストが上昇する。
さらに、加熱部が同電極の表側の面に、冷却部が同電極の裏側の面にそれぞれ形成されているときに、同電極の表側の面に被処理物を載置してプラズマ処理を行うと、被処理物が載置された表側の面に形成された加熱部による被処理物の加熱は効率よく行われる。しかしながら、冷却部が同電極の裏側の面にあることから、厚さが比較的厚くされている同電極の表側の面を裏側の面から冷却することは効率が悪くなる。
そこで、上記のような問題点を解消することを目的として、本発明者は、被処理物を載置するための基板の一方表面あるいは内部に加熱部嵌め込み用の溝と冷却部嵌め込み用の溝とを設け、それぞれの溝に基板を加熱するための管状加熱部と基板を冷却するための管状冷却部とを嵌め込むように構成した冷却機能を有する加熱装置を開発した。
具体的には、この加熱装置は、管状加熱部を互いに並列状に配設される複数の折り返し状加熱部材から構成し、管状冷却部をそれぞれの加熱部材の外側あるいは内側に沿って互いに並列状に配設される複数の折り返し状冷却部材から構成した。そして、複数の折り返し状加熱部材を基板におけるそれらの嵌め込み用の溝に、複数の折り返し状冷却部材を基板におけるそれらの嵌め込み用の溝にそれぞれ配置した。
しかしながら、このような加熱装置を、複数の加熱部材の折り返し部分が、上記のようなプラズマ処理装置におけるプラズマ処理室の中における、隣接する被処理物搬入/搬出室を臨む区域に位置するようにして、その基板をプラズマ処理室の中に配置すると、次のような新たな問題点が生じることがある。
すなわち、プラズマ処理室の中の被処理物搬入/搬出室を臨む区域では、基板は、加熱部材の折り返し部分に対応する箇所における放熱効率が他の箇所におけるそれに比べて悪くなる。その理由は、被処理物搬入/搬出室における輻射熱が同搬入/搬出室に隣接するプラズマ処理室に伝わるためや、プラズマ処理室における加熱部材の折り返し部分における放熱性が加熱部材の折り返し部分以外の部分における放熱性よりも低いためであろうと考えられる。
また、同区域では、加熱部材の折り返し部分に対応して冷却部材の折り返し部分が配設されているが、冷却部材の折り返し部分による加熱部材の折り返し部分の冷却は、上記の理由から充分には行われない。このため、冷却部材による基板の冷却効果も不充分である。その結果、基板に載置されて処理された後の被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれがある。
この発明は、以上のような実情を考慮してなされたものである。そして、その課題は、加熱効率および冷却効率に優れ、また、処理後における被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれがなく、さらに、製造コストも比較的少ない、冷却機能を有する加熱装置を提供することである。
この発明によれば、被処理物が載置される熱伝導性基板と、この基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて配設された基板を加熱するための加熱部と、基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて接触状に配設された基板を冷却するための冷却部とを備えてなり、冷却部と基板とが接触する箇所の接触表面積は、基板の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされている冷却機能を有する加熱装置が提供される。
熱伝導性基板を構成する材料としては例えば、ステンレス鋼、鉄鋼、アルミニウム合金などがある。基板を加熱するための加熱部および基板を冷却するための冷却部は、それぞれの全体あるいは一部が基板の内部に埋設されるように埋設状に設けられてもよく、それぞれの全体あるいは一部が基板の表面から露出するように露出状に設けられてもよい。
加熱部および冷却部は基板の一方端部から他方端部へかけて配設される。加熱部は、基板の内部あるいは表面に接触する状態に配設されてもよく、あるいは基板の内部あるいは表面に非接触の状態に配設されてもよい。これに対して冷却部は、基板の内部あるいは表面に接触する状態に配設される。その理由は、基板の冷却をより効率的に行う必要があるからである。
そして、この発明による加熱装置にあっては、冷却部と基板とが接触する箇所の接触表面積は、基板の一方端部寄り箇所における接触表面積よりも他方端部寄り箇所における接触表面積の方が大きくされている。その理由は、冷却部によって、基板の他方端部寄り箇所における冷却効率を基板の一方端部寄り箇所における冷却効率よりも大きくするためである。
ここで、ある箇所における「接触表面積」とは、基板に接触する状態に配設された冷却部と基板とが接触している平坦面および/または湾曲面からなる接触箇所の表面積の総計をいう。
基板の他方端部寄り箇所と一方端部寄り箇所との間における、冷却部と基板との接触表面積に関する上記のような差は、基板の他方端部寄り箇所における冷却効率を一方端部寄り箇所における冷却効率よりも大きくすることで、この発明の上記課題の一部を解決するためのものである。基板の他方端部寄り箇所と一方端部寄り箇所との間における、冷却部と基板との接触表面積に関する上記のような差をもたらす構成の具体例については、後に説明される。
この発明の加熱装置における加熱部は例えば、互いに並列状に配設された複数の折り返し状加熱部材から構成される。この加熱装置における冷却部は例えば、それぞれの折り返し状加熱部材の外側あるいは内側に沿って互いに並列状に配設された複数の折り返し状冷却部材から構成される。
このとき、基板は例えば、厚さ方向において互いに対向するように接合される一対の基板半体から形成することができる。そして、これらの基板半体の2つの対向面の少なくとも一方に加熱部材嵌合溝および冷却部材嵌合溝が形成される。これらの嵌合溝の断面形状は、加熱部材/冷却部材の断面形状に対応した円形、楕円形、半円形、半楕円形、長方形などが考えられる。
ここにおいて、複数の加熱部材および複数の冷却部材は例えば、それぞれの冷却部材がそれぞれの加熱部材の外側に沿うように配設される。すなわち、複数の加熱部材および複数の冷却部材は、それぞれの加熱部材が上記加熱部材嵌合溝に、それぞれの冷却部材が上記冷却部材嵌合溝に嵌合されることで、基板の定位置に配設される。そして、複数の加熱部材および複数の冷却部材は、このように配設された状態で、接合された上記一対の基板半体によって挟み込まれる。
このとき、複数の加熱部材のそれぞれは例えば、基板の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分を有するU字部材として構成することができる。
複数の加熱部材がこのように構成されているとき、基板の他方端部寄り箇所と一方端部寄り箇所との間における、冷却部と基板との接触表面積に関する上記のような差をもたらす構成の具体例としては、複数の冷却部材のそれぞれが、対応する加熱部材の湾曲部分を臨む箇所に蛇行状部分を有している加熱装置が挙げられる。
ここで、冷却部材における「蛇行状部分」とは、冷却部材の特定箇所(例えば、対応する加熱部材の湾曲部分を臨む箇所)に設けられた、1つのS字からなる曲がりくねった部分、あるいは一続き状の複数のS字からなる曲がりくねった部分をいう。
それぞれの冷却部材の蛇行状部分は、対応する加熱部材の湾曲部分およびその近傍部分を付加的に冷却するための部分である。
また、複数の加熱部材および複数の冷却部材のそれぞれは例えば、基板の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分を有するU字部材として構成することができる。
複数の加熱部材および複数の冷却部材がこのように構成されているとき、基板の他方端部寄り箇所と一方端部寄り箇所との間における、冷却部と基板との接触表面積に関する上記のような差をもたらす構成の具体例としては、基板の内部において複数の加熱部材および複数の冷却部材の外側に配設された冷却促進部材をさらに備え、冷却促進部材が、基板の他方端部寄り箇所における複数の加熱部材の湾曲部分を臨む箇所に蛇行状部分を有している加熱装置が挙げられる。
冷却促進部材は、基板を冷却する冷却部材に加えて設けられた、基板の冷却効率をいっそう高めるためのものである。ここで、冷却促進部材における「蛇行状部分」とは、冷却促進部材の特定箇所(例えば、対応する加熱部材の湾曲部分を臨む箇所)に設けられた、1つのS字からなる曲がりくねった部分あるいは一続き状の複数のS字からなる曲がりくねった部分をいう。
冷却促進部材の蛇行状部分は、複数の加熱部材の湾曲部分およびその近傍部分を付加的に冷却するための部分である。ここで、冷却促進部材の蛇行状部分以外の部分は、主として加熱部材の湾曲部分以外の部分を付加的に冷却するための部分である。
また、基板の他方端部寄り箇所と一方端部寄り箇所との間における、冷却部と基板との接触表面積に関する上記のような差をもたらす構成の他の具体例としては、複数の冷却部材のそれぞれが、対応する加熱部材の湾曲部分およびその近傍部分を臨む箇所に、冷却部材の径が他の箇所よりも大きい大径部分を有している加熱装置が挙げられる。ここで、それぞれの冷却部材の大径部分は、対応する加熱部材の湾曲部分およびその近傍部分を付加的に冷却するための部分である。
この発明の加熱装置における加熱部としての複数の加熱部材は、例えばいずれもシーズヒーターから構成することができる。冷却部としての複数の冷却部材は、例えばいずれも冷却用ガス流通管から構成することができる。
ここで、冷却用ガス流通管は、熱伝導率が上記基板を構成する材料(例えば、ステンレス鋼、鉄鋼、アルミニウム合金など)の熱伝導率よりも低い材料(例えば、アルミニウム合金に対してはステンレス鋼、鉄鋼など)から構成されているのがより好ましい。冷却用ガス流通管がこのような材料から構成されているときには、冷却用ガスの温度の急激な上昇を抑えることができるので、上記基板の加熱/冷却制御をより効果的に行うことが可能になる。
冷却用ガス流通管の内部へ導入される冷却用ガスとしては、熱伝導性の低いガス、例えば、空気、酸素、窒素、アルゴン、水素などが用いられるが、安全性を確保するためには、加熱装置周囲の雰囲気ガスと反応しにくいガス種を選択することが好ましい。雰囲気ガスが可燃性ガスである場合には、冷却用ガスとしては、窒素やアルゴンなどが好ましく用いられる。
さらに、複数の加熱部材は互いに独立して加熱温度制御することができるように構成され、複数の冷却部材は互いに独立して冷却温度制御することができるように構成されているのがより好ましい。複数の加熱部材および複数の冷却部材がこのように構成されているときには、基板の特定箇所を選択的に加熱/冷却制御することが可能になり、また、基板全体についての加熱/冷却制御の精度を向上させることが可能になる。
この発明による冷却機能を有する加熱装置は、被処理物が載置される熱伝導性基板と、この基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて配設された基板を加熱するための加熱部と、基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて接触状に配設された基板を冷却するための冷却部とを備えてなり、冷却部と基板とが接触する箇所の接触表面積は、基板の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされている。
そして、基板の他方端部寄り箇所と一方端部寄り箇所との間における、冷却部と基板との接触表面積に関する上記のような差により、基板の他方端部寄り箇所における冷却効率が一方端部寄り箇所における冷却効率よりも大きくなる。従って、この加熱装置によれば、基板の他方端部をプラズマ処理室の中の被処理物搬入/搬出室を臨む区域に配置した場合に、その区域における基板の冷却効率を向上させることができる。その結果、基板に載置されて処理された被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれを回避することができる。
また、この加熱装置によれば、特許文献1に記載された加熱装置のようにプラズマ処理用電極の両面に溝を形成する構成ではなく、上記のような構成であるので、製造コストも比較的少ない。
この発明の実施の形態1〜3におけるそれぞれの加熱装置(E1〜E3)が組み込まれたプラズマ処理装置の概略正面図である。 この発明の実施の形態1における加熱装置E1の平面図である。 図2のA−A線に沿う加熱装置E1の断面状側面図である。 図3に示された加熱装置E1の分解図である。 この発明の実施の形態2における加熱装置E2の平面図である。 この発明の実施の形態3における加熱装置E3の平面図である。
以下、添付図面である図1〜図6に基づいて、この発明の好ましい3つの実施の形態を説明する。なお、これらによってこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1
図1に示されたように、実施の形態1における加熱装置E1が組み込まれたプラズマ処理装置Dは、互いに隣接状に設けられた第1真空室1および第2真空室2を備えてなる。これら2つの真空室1,2は、長手方向である左右へ直線状に延びる1つのケーシングを、開閉可能な1つの隔離用ゲートバルブ4によって左右2つに区画することで、構成されている。
2つの真空室1,2はいずれもステンレス鋼製で、内面には鏡面加工が施されている。ゲートバルブ4は、昇降可能に構成されており、上昇した位置で2つの真空室1,2を連通状態にし、最も下まで下降した位置で2つの真空室1,2を隔離する。
第1真空室1は、板状の被処理物(ここでは、トレー5とこのトレー5に搭載されるプラズマ処理用基板6とからなる)を搬入/搬出するための被処理物搬入・搬出室にされている。第2真空室2は、被処理物搬入・搬出室1に隣接状に接続された、被処理物にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室にされている。
また、被処理物搬入・搬出室1は、開閉バルブ16aを介して外部の真空ポンプ14に接続されている。プラズマ処理室2は、開閉バルブ16aおよび圧力調整バルブ16bを介して外部の真空ポンプ14に接続されている。被処理物搬入・搬出室1には、その出入口側に被処理物搬入・搬出用扉17が設けられている。プラズマ処理室2は、プラズマ処理用反応ガスを導入するための反応ガス導入管19に接続されている。被処理物搬入・搬出室1はリークガス導入管20に接続されている。
被処理物搬入・搬出室1およびプラズマ処理室2にはそれぞれ、プラズマ処理用基板6が搭載されたトレー5をその前後両長辺部分において挟持した状態で左右へ搬送する複数のローラー202・202・……・202(図1には前方側ローラーのみ図示)が設けられている。
プラズマ処理室2には、プラズマ処理用アノード電極7が設けられている。アノード電極7とトレー5とは、電気的に接続されているとともに接地されている。また、プラズマ処理室2のアノード電極7の上方には、対向状にプラズマ処理用カソード電極18が設けられている。カソード電極18は、プラズマ処理室2の外部におけるコンデンサ21および整合回路22を介して、高周波電源23へ電気的に接続されている。
アノード電極7は、トレー5および基板6の温度制御(加熱・冷却)を行うためのこの発明の実施の形態1〜3における加熱装置E1〜E3のそれぞれの構成要素の一部を構成している。
すなわち、図1および図2に示されたように、この発明の実施の形態1における加熱装置E1は、被処理物であるトレー5および基板6が載置される熱伝導性基板としてのアルミニウム合金製アノード電極7と、このアノード電極7の内部にその一方端部から他方端部へかけて接触状に埋設された、アノード電極7を加熱するための加熱部としての複数の折り返し状加熱部材31,……,31と、アノード電極7の内部にその一方端部から他方端部へかけて接触状に埋設された、アノード電極7を冷却するための冷却部としての複数の折り返し状冷却部材32,……,32とを備えてなる。
これらの加熱部材31,……,31は、アノード電極7の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分31a,……,31aを有し、それ以外の箇所に直線状部分31b,……,31bを有し、互いに並列状に隣り合って設けられた7本のU字部材としての管状ヒータ(ここではシーズヒータ)31,……,31からなる。
また、これらの冷却部材32,……,32はいずれもステンレス鋼から構成されている。そして、これらの冷却部材32,……,32は、対応する加熱部材31,……,31である管状ヒータ31,……,31の湾曲部分31a,……,31aを臨む箇所に蛇行状部分32c,……,32cを有し、それ以外の箇所に直線状部分32b,……,32bを有し、それぞれの管状ヒータ31,……,31の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられた7本の略U字部材としての冷却管(ここでは冷却用窒素ガス流通管)32,……,32からなる。それぞれの冷却管32は、内部へ導入された冷却用ガスを流通させた後に外部へ排出することができるものである。
これらの管状ヒータ31,……,31と冷却管32,……,32とは、アノード電極7の内部で同一高さに設けられている(図3を参照)。また、それぞれの管状ヒータ31は、アノード電極7の一方端部において外部のヒータ用配線33に接続されている。さらに、これらの管状ヒータ31,……,31は互いに独立して加熱温度制御することができるものであり、これらの冷却管32,……,32は互いに独立して冷却温度制御することができるものである。
図3および図4に示されたように、アノード電極7は、厚さ方向において互いに対向するように接合される一対の基板半体としてのアノード電極半体7a、7bから形成されている。そして、管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32は、一対のアノード電極半体7a、7bによって挟み込まれている。
すなわち、これらのアノード電極半体7a、7bの2つの対向面10a、10bのそれぞれには、冷却管32,……,32を嵌合するための溝8a,……,8a、8b,……8bと、管状ヒータ31,……,31を嵌合するための溝9a,……,9a、9b……,9bとが形成されている。そして、管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32は、それぞれの管状ヒータ31が溝9a,9bに、それぞれの冷却管32が溝8a,8bに嵌合された状態で、接合された一対のアノード電極半体7a、7bによって挟み込まれている。
次に、図3および図4を参照して、加熱装置E1の構成およびその製造方法について説明する。
アノード電極半体7a、7bにおける冷却管32,……,32を嵌合するための溝8a,……,8a、8b,……8bと、管状ヒータ31,……,31を嵌合するための溝9a,……,9a、9b,……,9bとは、例えばアノード電極半体7a、7bの平坦な対向面10a、10bにあらかじめ溝形成用切削加工を施すことによって、形成することができる。
これらの溝8a,……,8a、8b,……8b、9a,……,9a、9b,……,9bは、アノード電極半体7a,7bの対向面10a,10bの側から見た平面形状が略U字形状あるいはU字形状となっている。溝8a,8bの断面形状は、冷却管32,……,32が溝8a,8bの内面に接する形状であればよく、溝9a,9bの断面形状は、管状ヒータ31,……,31が溝9a,9bの内面に接する形状であればよい。
この実施形態1では、図4に示されたように、管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32の断面形状はいずれも円とされている。また、溝8a,……,8a、8b,……,8b、9a,……,9a、9b,……,9bの断面形状は、これらがそれぞれの内面のほぼ全体で冷却管32,……,32および管状ヒータ31,……,31と接触するように、いずれも円弧とされている。
これらのアノード電極半体7a,7bは、冷間圧延によるカシメや、ねじ止めにより一体化することができる。この実施形態1では、これらのアノード電極半体7a,7bをねじ501,501,501によりねじ止めして一体化することで、アノード電極7の内部に管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32が配設されてなる加熱装置E1を製造した。
このようにして製造された加熱装置E1にあっては、管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32が、上記のようにアノード電極7の内部に7本ずつ、かつ、アノード電極7と接触状に、埋設されている。従って、この加熱装置E1によれば、被処理物であるトレー5・基板6およびアノード電極7の特定箇所を選択的に加熱/冷却制御することが可能である。
また、この加熱装置E1には、管状ヒータ31,……,31の湾曲部分31a,……,31aを臨む箇所に冷却管32,……,32の蛇行状部分32c,……,32cが設けられている。そして、それによって、冷却管32,……,32とアノード電極7とが接触する箇所の接触表面積は、アノード電極7の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされている。
従って、この加熱装置E1によれば、アノード電極7の他方端部寄り箇所、特に管状ヒータ31,……,31の湾曲部分31a,……,31aを臨む箇所におけるアノード電極7の冷却効率を、アノード電極7の他方端部寄り箇所以外の箇所、特に管状ヒータ31,……,31の直線状部分31b,……,31bを臨む箇所におけるアノード電極7の冷却効率よりも大きくすることができる。これによって、アノード電極7の他方端部をプラズマ処理室2の中の被処理物搬入/搬出室1を臨む区域に配置した場合に、その区域におけるアノード電極7の冷却効率を向上させることができる。その結果、アノード電極7に載置されて処理された被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれを回避することができる。
さらに、この加熱装置E1によれば、特許文献1に記載された加熱装置のようにプラズマ処理用電極の両面に溝を形成する構成ではなく、上記のような構成であるので、製造コストも比較的少ない。
実施の形態2
図1および図5に示されたように、この発明の実施の形態2における加熱装置E2は、被処理物であるトレー5および基板6が載置される熱伝導性基板としてのアノード電極7と、このアノード電極7の内部にその一方端部から他方端部へかけて接触状に埋設された、アノード電極7を加熱するための加熱部としての複数の折り返し状加熱部材31,……,31と、アノード電極7の内部にその一方端部から他方端部へかけて接触状に埋設された、アノード電極7を冷却するための冷却部としての複数の折り返し状冷却部材32,……,32とを備えてなる。
加熱部材31,……,31は、アノード電極7の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分31a,……,31aを有し、それ以外の箇所に直線状部分31b,……,31bを有し、互いに並列状に隣り合って設けられた7本のU字部材としての管状ヒータ(ここではシーズヒータ)31,……,31からなる。
また、冷却部材32,……,32は、アノード電極7の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分32a,……,32aを有し、それ以外の箇所に直線状部分32b,……,32bを有し、それぞれの管状ヒータ31,……,31の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられた7本のU字部材としての冷却管(ここでは冷却用窒素ガス流通管)32,……,32からなる。
この加熱装置E2は、アノード電極7の内部において管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32の外側に配設された冷却促進部材としての1本の冷却促進管(ここでは冷却用窒素ガス流通管)35をさらに備えている。
冷却促進管35は、アノード電極7の他方端部寄り箇所における7本の管状ヒータ31,……,31の湾曲部分32a,……,32aを臨む蛇行状部分35aと、この蛇行状部分35aに連なり、アノード電極7の両側縁のそれぞれに沿って直線状に延びる直線状部分35b,35bとからなる。
冷却促進管35の蛇行状部分35aは、7本の管状ヒータ31,……,31の湾曲部分32a,……,32aおよびその近傍部分を付加的に冷却するための部分である。また、冷却促進管35の直線状部分35b,35bは、主としてアノード電極7の両側縁にそれぞれ隣接する2本の管状ヒータ31,31の直線状部分31b,31bを付加的に冷却するための部分である。
この加熱装置E2における他の構成、大きさ、使用材料および製造方法などは、上記の加熱装置E1におけるそれらと実質的に同一である。
この加熱装置E2にあっては、管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32が、上記のようにアノード電極7の内部に7本ずつ、かつ、アノード電極7と接触状に、埋設されている。従って、この加熱装置E2によれば、被処理物であるトレー5・基板6およびアノード電極7の特定箇所を選択的に加熱/冷却制御することが可能である。
また、この加熱装置E2では上記のように、アノード電極7の他方端部寄り箇所における7本の管状ヒータ31,……,31の湾曲部分32a,……,32aを臨む蛇行状部分35aのある冷却促進管35が設けられている。そして、それによって、冷却管32,……,32および冷却促進管35とアノード電極7とが接触する箇所の接触表面積は、アノード電極7の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされている。
従って、この加熱装置E2によれば、アノード電極7の他方端部寄り箇所、特に管状ヒータ31,……,31の湾曲部分31a,……,31aを臨む箇所におけるアノード電極7の冷却効率を、アノード電極7の他方端部寄り箇所以外の箇所、特に管状ヒータ31,……,31の直線状部分31b,……,31bを臨む箇所におけるアノード電極7の冷却効率よりも大きくすることができる。これによって、アノード電極7の他方端部をプラズマ処理室2の中の被処理物搬入/搬出室1を臨む区域に配置した場合に、その区域におけるアノード電極7の冷却効率を向上させることができる。その結果、アノード電極7に載置されて処理された被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれを回避することができる。
さらに、この加熱装置E2によれば、特許文献1に記載された加熱装置のようにプラズマ処理用電極の両面に溝を形成する構成ではなく、上記のような構成であるので、製造コストも比較的少ない。
実施の形態3
図1および図6に示されたように、この発明の実施の形態3における加熱装置E3は、被処理物であるトレー5および基板6が載置される熱伝導性基板としてのアノード電極7と、このアノード電極7の内部にその一方端部から他方端部へかけて接触状に埋設された、アノード電極7を加熱するための加熱部としての複数の折り返し状加熱部材31,……,31と、アノード電極7の内部にその一方端部から他方端部へかけて接触状に埋設された、アノード電極7を冷却するための冷却部としての複数の折り返し状冷却部材32,……,32とを備えてなる。
加熱部材31,……,31は、アノード電極7の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分31a,……,31aを有し、それ以外の箇所に直線状部分31b,……,31bを有し、互いに並列状に隣り合って設けられた5本のU字部材としての管状ヒータ(ここではシーズヒータ)31,……,31からなる。
また、冷却部材32,……,32は、直径がより大きい大径部分32d,……,32dと、直径がより小さい小径部分32e,……,32eとを有し、それぞれの管状ヒータ31,……,31の外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられた5本のU字部材としての冷却管(ここでは冷却用窒素ガス流通管)32,……,32からなる。
すなわち、それぞれの冷却管32の大径部分32dは、一部が湾曲しているとともに冷却管32の直径が他の箇所よりも大きい部分である。それぞれの大径部分32dは、対応する管状ヒータ31の湾曲部分31aおよびその近傍部分を臨む箇所(アノード電極7の他方端部から中央部までの箇所)に設けられている。また、それぞれの冷却管32の小径部分32eは、直線状であって冷却管32の直径が他の箇所よりも小さい部分である。それぞれの小径部分32eは、大径部分32d以外の箇所(アノード電極7の中央部から一方端部までの箇所)に設けられている。
それぞれの冷却管32の大径部分32dは、対応する管状ヒータ31の湾曲部分31aおよびその近傍部分を付加的に冷却するための部分である。
この加熱装置E3における他の構成、大きさ、使用材料および製造方法などは、上記の加熱装置E1におけるそれらと実質的に同一である。
この加熱装置E3にあっては、管状ヒータ31,……,31および冷却管32,……,32が、上記のようにアノード電極7の内部に5本ずつ、かつ、アノード電極7と接触状に、埋設されている。従って、この加熱装置E3によれば、被処理物であるトレー5・基板6およびアノード電極7の特定箇所を選択的に加熱/冷却制御することが可能である。
この加熱装置E3には、管状ヒータ31,……,31の湾曲部分31a,……,31aおよびその近傍部分を臨む箇所に、冷却管32,……,32の大径部分32d,……,32dが設けられている。そして、それによって、冷却管32,……,32とアノード電極7とが接触する箇所の接触表面積は、アノード電極7の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされている。
従って、この加熱装置E3によれば、アノード電極7の他方端部寄り箇所、特に管状ヒータ31,……,31の湾曲部分31a,……,31aおよびその近傍部分を臨む箇所におけるアノード電極7の冷却効率を、アノード電極7の他方端部寄り箇所以外の箇所、特に管状ヒータ31,……,31の直線状部分31b,……,31bを臨む箇所におけるアノード電極7の冷却効率よりも大きくすることができる。これによって、アノード電極7の他方端部をプラズマ処理室2の中の被処理物搬入/搬出室1を臨む区域に配置した場合に、その区域におけるアノード電極7の冷却効率を向上させることができる。その結果、アノード電極7に載置されて処理された被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれを回避することができる。
さらに、この加熱装置E3によれば、特許文献1に記載された加熱装置のようにプラズマ処理用電極の両面に溝を形成する構成ではなく、上記のような構成であるので、製造コストも比較的少ない。
この発明による冷却機能を有する加熱装置は、上記の実施形態1〜3に記載されたように、被処理物の表面にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置に組み込むことができる。また、この発明による冷却機能を有する加熱装置は、被処理物を所望温度に加熱しあるいは焼成するためなどに利用される冷却機能を有する加熱装置として、幅広い用途に適用することができる。
1・・・第1真空室(被処理物搬入・搬出室)
2・・・第2真空室(プラズマ処理室)
4・・・ゲートバルブ
5・・・被処理物(トレー)
6・・・被処理物(プラズマ処理用基板)
7・・・アノード電極(熱伝導性基板)
7a・・電極半体(基板半体)
7b・・電極半体(基板半体)
8a・・溝
8b・・溝
9a・・溝
9b・・溝
10a・・対向面
10b・・対向面
14・・・真空ポンプ
16a・・開閉バルブ
16b・・圧力調整バルブ
17・・・被処理物搬入・搬出用扉
18・・・カソード電極
19・・・反応ガス導入管
20・・・リークガス導入管
21・・・コンデンサ
22・・・整合回路
23・・・高周波電源
31・・・管状ヒータ(U字部材)(加熱部材)(加熱部)
31a・・湾曲部分
31b・・直線状部分
32・・・冷却管(U字部材)(略U字部材)(冷却部材)(冷却部)
32a・・湾曲部分
32b・・直線状部分
32c・・蛇行状部分
32d・・大径部分
32e・・小径部分
33・・・ヒータ用配線
35・・・冷却促進管(冷却促進部材)
35a・・蛇行状部分
35b・・直線状部分
202・・ローラー
501・・ねじ
E1・・・加熱装置
E2・・・加熱装置
E3・・・加熱装置

Claims (6)

  1. 被処理物が載置される熱伝導性基板と、この基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて配設された基板を加熱するための加熱部と、基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて接触状に配設された基板を冷却するための冷却部とを備えてなり、
    冷却部と基板とが接触する箇所の接触表面積は、基板の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされ
    加熱部は、互いに並列状に配設された複数の折り返し状加熱部材からなり、冷却部は、それぞれの加熱部材の外側あるいは内側に沿って互いに並列状に配設された複数の折り返し状冷却部材からなり、
    複数の加熱部材のそれぞれは、基板の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分を有するU字部材であり、
    複数の冷却部材のそれぞれは、対応する加熱部材の湾曲部分を臨む箇所に蛇行状部分を有している
    加熱装置。
  2. 被処理物が載置される熱伝導性基板と、この基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて配設された基板を加熱するための加熱部と、基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて接触状に配設された基板を冷却するための冷却部とを備えてなり、
    冷却部と基板とが接触する箇所の接触表面積は、基板の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされ、
    加熱部は、互いに並列状に配設された複数の折り返し状加熱部材からなり、冷却部は、それぞれの加熱部材の外側あるいは内側に沿って互いに並列状に配設された複数の折り返し状冷却部材からなり、
    複数の加熱部材および複数の冷却部材のそれぞれは、基板の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分を有するU字部材であり、
    基板の内部において複数の加熱部材および複数の冷却部材の外側に配設された冷却促進部材をさらに備え、冷却促進部材は、基板の他方端部寄り箇所における複数の加熱部材の湾曲部分を臨む箇所に蛇行状部分を有している
    加熱装置。
  3. 被処理物が載置される熱伝導性基板と、この基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて配設された基板を加熱するための加熱部と、基板の内部あるいは表面に基板の一方端部から他方端部へかけて接触状に配設された基板を冷却するための冷却部とを備えてなり、
    冷却部と基板とが接触する箇所の接触表面積は、基板の一方端部寄り箇所におけるそれよりも他方端部寄り箇所におけるそれの方が大きくされ、
    加熱部は、互いに並列状に配設された複数の折り返し状加熱部材からなり、冷却部は、それぞれの加熱部材の外側あるいは内側に沿って互いに並列状に配設された複数の折り返し状冷却部材からなり、
    複数の加熱部材および複数の冷却部材のそれぞれは、基板の他方端部寄り箇所に平面形状がU字型の湾曲部分を有するU字部材であり、
    複数の冷却部材のそれぞれは、対応する加熱部材の湾曲部分およびその近傍部分を臨む箇所に、冷却部材の径が他の箇所よりも大きい大径部分を有している
    加熱装置。
  4. 基板は、厚さ方向において互いに対向するように接合される一対の基板半体から形成され、これらの基板半体の2つの対向面の少なくとも一方に加熱部材嵌合溝および冷却部材嵌合溝が形成され、
    複数の加熱部材および複数の冷却部材は、それぞれの冷却部材がそれぞれの加熱部材の外側に沿って配設され、かつ、それぞれの加熱部材が前記加熱部材嵌合溝に、それぞれの冷却部材が前記冷却部材嵌合溝に嵌合された状態で、接合された前記一対の基板半体によって挟み込まれている請求項1〜3のいずれか1つに記載の加熱装置。
  5. 複数の加熱部材は、いずれもシーズヒーターからなり、複数の冷却部材は、いずれも冷却用ガス流通管からなる請求項1〜4のいずれか1つに記載の加熱装置。
  6. 複数の加熱部材は、互いに独立して加熱温度制御することができるように構成され、かつ、複数の冷却部材は、互いに独立して冷却温度制御することができるように構成されている請求項1〜5のいずれか1つに記載の加熱装置。
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