JP5329833B2 - Adhesive sheet for semiconductor wafer processing, adjustment method for semiconductor wafer processing apparatus using the same, and evaluation method for adhesive sheet - Google Patents

Adhesive sheet for semiconductor wafer processing, adjustment method for semiconductor wafer processing apparatus using the same, and evaluation method for adhesive sheet Download PDF

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本発明は半導体ウエハ処理用接着シート及びそれを用いた半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法に係り、更に詳しくは、接着シートに所定のマークを形成しておき、当該接着シートを半導体ウエハに接着した後のマーク間距離を測長することで接着シートの貼付状態を把握することのできる半導体ウエハ処理用接着シート及びそれを用いた半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet for semiconductor wafer processing, a method for adjusting a semiconductor wafer processing apparatus using the same, and an evaluation method for an adhesive sheet. More specifically, a predetermined mark is formed on the adhesive sheet, Adhesive sheet for semiconductor wafer processing capable of grasping the adhesion state of the adhesive sheet by measuring the distance between marks after adhering to the semiconductor wafer, adjustment method of semiconductor wafer processing apparatus using the same, and evaluation of the adhesive sheet Regarding the method.

半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」と称する)は、その表面に多数の回路パターンが形成された後、裏面研削や、ダイシング等の処理工程に付され、最終的にチップ状に個片化されて当該チップがリードフレーム等の基板にボンディングされる。
これらの処理工程においては、ウエハの回路パターン形成面側或いは裏面側に接着シートを貼付することが行われており、このような接着シートは、例えば、特許文献1に開示されている。
特開2005−191322号公報
Semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as “wafers”) are subjected to processing steps such as backside grinding and dicing after a large number of circuit patterns are formed on the surface, and finally separated into chips. The chip is bonded to a substrate such as a lead frame.
In these processing steps, an adhesive sheet is affixed to the circuit pattern forming surface side or the back surface side of the wafer, and such an adhesive sheet is disclosed in Patent Document 1, for example.
JP 2005-191322 A

前記のような各工程において、例えば、裏面研削用の保護テープの場合、ウエハに接着シートが引っ張られた状態で貼付されていると、図5(D)中二点鎖線で示されるように、研削後に接着シートの残留応力によって、ウエハが反り返ってカールした状態になったり、弛んだ状態で貼付されていると、ウエハと接着シートとの間に気泡が入って貼付されている可能性がある。
また、リングフレームに貼り付けてダイシングを行うダイシング用テープの場合、接着シートが引っ張られた状態で貼付されていると、ダイシング用テープがリングフレームから外れてしまったり、弛んだ状態で貼付されていると、ダイシング後に接着シートが弛んでチップ同士が接触してチッピングが生じたりする。
特許文献1に開示された接着シート(ダイシング・ダイボンドフイルム)は、シート状の支持基材にマークを設けているものの、当該マークは、接着シートをウエハに貼付した後、接着シートが引っ張られた状態で貼付されているのか、又は、弛んだ状態で貼付されているのか等の接着シートの貼付状態を評価するためのものとはなっていない。
従って、ウエハに貼付された接着シートが部分的若しくは全面的に引っ張られたり、弛んだりした状態で貼付されていても、これらの状態を検出したり、接着シートの評価をしたりすることはできない。
In each process as described above, for example, in the case of a protective tape for back surface grinding, if the adhesive sheet is attached to the wafer in a stretched state, as shown by a two-dot chain line in FIG. If the wafer is curled due to the residual stress of the adhesive sheet after grinding, or if it is stuck in a loose state, air bubbles may be stuck between the wafer and the adhesive sheet. .
Also, in the case of a dicing tape that is attached to a ring frame and diced, if the adhesive sheet is applied in a stretched state, the dicing tape may come off the ring frame or be attached in a loose state. If so, the adhesive sheet loosens after dicing and the chips come into contact with each other and chipping occurs.
Although the adhesive sheet (dicing die-bonding film) disclosed in Patent Document 1 is provided with a mark on a sheet-like support base, the mark was pulled after the adhesive sheet was attached to the wafer. It is not for evaluating the adhesive state of the adhesive sheet, such as whether it is attached in a state or whether it is attached in a loose state.
Therefore, even if the adhesive sheet affixed to the wafer is affixed in a partially or fully pulled or loosened state, these states cannot be detected or the adhesive sheet cannot be evaluated. .

[発明の目的]
本発明は、このような不都合に着目して案出されたものであり、その目的は、ウエハに接着シートを貼付した後に、形成されたマーク間距離を測長することにより、当該接着シートの貼付状態を把握することができる半導体ウエハ処理用接着シート、及び、それを用いてシート貼付装置や研削装置等の各種処理装置の調整を行う半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法を提供することにある。
[Object of invention]
The present invention has been devised by paying attention to such inconveniences, and the object of the present invention is to measure the distance between the marks formed after the adhesive sheet is pasted on the wafer. Semiconductor wafer processing adhesive sheet capable of grasping the pasting state, semiconductor wafer processing apparatus adjustment method and adhesive sheet evaluation method for adjusting various processing apparatuses such as sheet sticking apparatus and grinding apparatus using the same It is to provide.

前記目的を達成するため、本発明は、基材シートの一方の面に設けられた接着剤層に半導体ウエハを接着して当該半導体ウエハに所定の処理を施すための半導体ウエハ処理用接着シートにおいて、前記基材シートの少なくとも一方の面に、印刷を施すことにより測長用のマークが所定距離を隔てて形成され、前記接着剤層に半導体ウエハを接着したときに前記マークが半導体ウエハの面内に位置する、という構成を採っている。
In order to achieve the above object, the present invention provides an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer for bonding a semiconductor wafer to an adhesive layer provided on one surface of a base sheet and subjecting the semiconductor wafer to a predetermined treatment. A length measurement mark is formed at a predetermined distance by printing on at least one surface of the base sheet, and the mark is attached to the surface of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is bonded to the adhesive layer. It has a configuration of being located inside .

本発明において、前記マークは、直線、点、同心円、又は、それらの組み合わせからなる構成としてもよい。   In the present invention, the mark may be configured by a straight line, a point, a concentric circle, or a combination thereof.

また、本発明に係る半導体ウエハ処理装置の調整方法は、前述したマーク間距離を測長して半導体ウエハ処理装置の調整を行う、という手法を採っている。   Further, the semiconductor wafer processing apparatus adjustment method according to the present invention employs a technique of measuring the distance between marks and adjusting the semiconductor wafer processing apparatus.

更に、本発明に係る接着シートの評価方法は、前述したマーク間距離を測長して接着シートの特性評価を行う、という手法を採っている。   Furthermore, the method for evaluating an adhesive sheet according to the present invention employs a method of measuring the distance between the marks and evaluating the characteristics of the adhesive sheet.

本発明において、前記半導体ウエハ処理装置としては、ウエハに保護シートを貼付するシート貼付装置、接着シートを介してウエハとリングフレームとを一体化するマウント装置、ウエハの裏面研削を行う研削装置、ウエハを個片化するダイシング装置等を例示することができるが、特にそれら装置に限定されることは無い。   In the present invention, as the semiconductor wafer processing apparatus, a sheet sticking apparatus for sticking a protective sheet to the wafer, a mount apparatus for integrating the wafer and the ring frame via an adhesive sheet, a grinding apparatus for grinding the back surface of the wafer, a wafer Although a dicing apparatus etc. which divide can be illustrated, it is not limited to these apparatuses in particular.

本発明によれば、基材シートに所定距離を隔ててマークが形成されているため、接着シートをウエハに貼付する前のマーク間距離と、ウエハに貼付した後のマーク間距離とを比較することで、接着シートの延び弛み等を把握することができる。
つまり、ウエハに貼付した後のマーク間距離が貼付する前のマーク間距離よりも長い場合には、接着シートが引っ張られた状態で貼付され、逆に短いときは、弛んだ状態で貼付されていることとなる。
そこで、上記測長結果を基に、半導体ウエハ処理装置における各部の調整を行うことで、接着シートが部分的若しくは全面的に引っ張られたり、弛んだりした状態でウエハに貼付されるような不都合を回避することができる。
更に、マーク間距離を測長してデータ解析することで、裏面研削後、又は、ウエハの個片化後に接着シートが残留応力や弛みによってどのように変形するのか等を画像処理装置等によって事前に予知することができる。これにより、裏面研削前、又は、ダイシング前に接着シートを貼付し直したりすることでウエハを破壊させる要因を排除し、半導体チップの歩留低下を効果的に防止することができる。
また、マーク間距離の測長によって部分的に延びや弛みが検出された場合、その接着シートの品質や性質に何らかの不具合があることの評価基準としたり、異なる接着シートを貼付対象としたときの各接着シートの特性を評価したりすることも可能となる。
更に、マークを直線としたときに、直線マークを有さない接着シートに比べて、温度変化や、引っ張り等による延びや弛みが少ないという別の効果も実験の結果判明した。
According to the present invention, since the marks are formed at a predetermined distance on the base sheet, the distance between the marks before the adhesive sheet is attached to the wafer is compared with the distance between the marks after the adhesive sheet is attached to the wafer. Thus, it is possible to grasp the extension and slack of the adhesive sheet.
In other words, if the distance between marks after sticking to the wafer is longer than the distance between marks before sticking, the adhesive sheet is stuck in a pulled state, and conversely when it is short, it is stuck in a loose state. Will be.
Therefore, by adjusting each part in the semiconductor wafer processing apparatus based on the length measurement result, there is a problem that the adhesive sheet is stuck on the wafer in a partially or fully pulled state. It can be avoided.
Furthermore, by measuring the distance between the marks and analyzing the data, it is possible to determine in advance by an image processing device how the adhesive sheet will be deformed by residual stress or slackness after back grinding or wafer singulation. Can foresee. Thereby, the factor which destroys a wafer is removed by reattaching an adhesive sheet before back surface grinding or before dicing, and the yield fall of a semiconductor chip can be prevented effectively.
In addition, when partial extension or slack is detected by measuring the distance between marks, it can be used as an evaluation standard for the presence or absence of some defect in the quality or properties of the adhesive sheet, It is also possible to evaluate the characteristics of each adhesive sheet.
Furthermore, when the mark is a straight line, the experimental results have revealed that another effect is that there is less temperature change, extension and slackness due to tension, etc., compared to an adhesive sheet without a straight mark.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1には、本実施形態に係る半導体ウエハ処理用接着シートS(以下、単に「接着シートS」と称する)を備えた原反Rの概略斜視図が示され、図2には、図1のa矢視断面図が示されている。これらの図において、原反Rは、帯状の剥離シートRLと、当該剥離シートRLに所定距離を隔てて仮着された複数の接着シートSとにより構成されている。接着シートSは、平面形状が略円形となる基材シートBSと、この基材シートBSの一方の面(図2中下面)に設けられた接着剤層Aと、基材シートBSの他方の面に形成されたマークMとを含む。基材シートBSは、特に限定されるものではないが、本実施形態では、透明な樹脂シートにより構成されている。   FIG. 1 is a schematic perspective view of an original fabric R provided with a semiconductor wafer processing adhesive sheet S (hereinafter simply referred to as “adhesive sheet S”) according to the present embodiment, and FIG. A cross-sectional view of FIG. In these drawings, the raw fabric R is composed of a strip-shaped release sheet RL and a plurality of adhesive sheets S temporarily attached to the release sheet RL at a predetermined distance. The adhesive sheet S includes a base sheet BS having a substantially circular planar shape, an adhesive layer A provided on one surface (the lower surface in FIG. 2) of the base sheet BS, and the other of the base sheet BS. And a mark M formed on the surface. The base sheet BS is not particularly limited, but in the present embodiment, the base sheet BS is configured by a transparent resin sheet.

前記接着剤層Aは、基材シートBSの外周側に位置して略リング状の軌跡に沿って設けられた感圧接着性の外側接着剤層A1と、当該外側接着剤層A1の内側に設けられた感熱接着性の内側接着剤層A2とからなる。   The adhesive layer A is located on the outer peripheral side of the base sheet BS, and is provided with a pressure-sensitive adhesive outer adhesive layer A1 provided along a substantially ring-shaped locus, and on the inner side of the outer adhesive layer A1. It consists of the provided heat-sensitive adhesive inner adhesive layer A2.

前記マークMは基材シートBSに印刷を施すことにより形成されている。このマークMは、剥離シートRLの延出方向の直線と、これに直交する幅方向の直線とからなり、これらマークM、すなわち直線は、相互に所定距離を隔てて印刷されている。なお、図示例では、図面の錯綜を回避するため、各直線間距離が明瞭となるような間隔を示しているが、実際には、より細かい直線間距離となっている。因みに、本実施形態では、隣り合う直線間の距離が1mmとなる方眼状に設けられているが、その間隔に限定されることはない。   The mark M is formed by printing on the base sheet BS. The mark M includes a straight line in the extending direction of the release sheet RL and a straight line in the width direction perpendicular to the extending direction, and the marks M, that is, straight lines are printed at a predetermined distance from each other. In the illustrated example, in order to avoid complication of the drawings, the distance between the straight lines becomes clear, but actually, the distance between the straight lines is finer. Incidentally, in the present embodiment, the distance between adjacent straight lines is 1 mm, but the distance is not limited.

本実施形態の接着シートSは、図3及び図4に示されるように、ウエハWとリングフレームRFとを一体化するとともに、ウエハWをチップ状に個片化した後、内側接着剤層A2を介してボンディングを行うためのダイシング・ダイボンディングシートとして利用することができる。ウエハWとリングフレームRFとを一体化する半導体ウエハ処理装置としてのマウント装置10としては、図7に示されるように、リングフレームRFとウエハWとを支持するテーブルTと、剥離シートRLから接着シートSを剥離して当該接着シートSを繰り出すシート供給装置11と、繰り出された接着シートSに押圧力を付与する押圧手段12とを含む。押圧手段12は、プレスローラPRと、プレスローラPRの左右両側に位置し、当該プレスローラPRを上下に移動させてその押圧力を調整する左直動モータMLと右直動モータMRとからなる。このような構成により、繰り出される接着シートSに同期して、リングフレームRFとウエハWとを支持したテーブルTが移動することで前記一体化が行われ、ウエハWは、回路パターン形成面を表出した状態でリングフレームRFにマウントされる。なお、内側接着剤層A2をウエハWに貼付するために、テーブルT又はプレスローラPRには加熱手段が設けられている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the adhesive sheet S of the present embodiment integrates the wafer W and the ring frame RF and separates the wafer W into chips, and then the inner adhesive layer A <b> 2. It can be used as a dicing die bonding sheet for performing bonding via the substrate. As shown in FIG. 7, the mounting apparatus 10 as a semiconductor wafer processing apparatus that integrates the wafer W and the ring frame RF is bonded to a table T that supports the ring frame RF and the wafer W and the release sheet RL. A sheet feeding device 11 that peels the sheet S and feeds the adhesive sheet S, and a pressing means 12 that applies a pressing force to the fed adhesive sheet S are included. The pressing means 12 includes a press roller PR, and a left linear motor ML and a right linear motor MR that are positioned on both the left and right sides of the press roller PR and adjust the pressing force by moving the press roller PR up and down. . With such a configuration, the integration is performed by moving the table T supporting the ring frame RF and the wafer W in synchronism with the adhesive sheet S to be fed, and the wafer W represents the circuit pattern forming surface. In the extended state, it is mounted on the ring frame RF. In order to stick the inner adhesive layer A2 to the wafer W, the table T or the press roller PR is provided with a heating means.

接着シートSは、例えば、前記貼付が行われる前と貼付後で、図示しない撮像装置で撮像されて各直線間の距離が測長され、測長された距離データの比較によって、接着シートSがどのような状態で貼付されているかを把握することができる。この比較の結果、例えば、全域において貼付が行われる前後で各直線間距離が長くなったり、短くなった場合には、接着シートSの繰出速度とテーブル移動速度との速度差や、プレスローラPRの押圧力を調整する。具体的には、接着シートSが引っ張られて貼付される傾向にあるときには、接着シートSの繰出速度をテーブル移動速度に対して相対的に速くなるように設定したり、左右直動モータML、MRを上昇させてプレスローラPRの押圧力が小さくなるように調整すればよく、逆に、接着シートSが弛んで貼付される傾向にあるときには、接着シートSの繰出速度をテーブル移動速度に対して相対的に遅くなるように設定したり、左右直動モータML、MRを下降させてプレスローラPRの押圧力が大きくなるように調整すればよい。
また、特定部位に上記のような傾向が現れた場合には、左右直動モータML、MRを上下動させてプレスローラPRの左右の押圧力のバランスを調整し直したり、プレスローラPR自体の調心や交換を行ったりすればよい。
For example, the adhesive sheet S is imaged by an imaging device (not shown) before and after the pasting, and the distance between each straight line is measured, and the adhesive sheet S is compared by comparing the measured distance data. It is possible to grasp in what state the tape is attached. As a result of this comparison, for example, when the distance between each straight line becomes longer or shorter before and after the pasting is performed in the entire region, the speed difference between the feeding speed of the adhesive sheet S and the table moving speed, or the press roller PR Adjust the pressing force. Specifically, when the adhesive sheet S tends to be pulled and pasted, the feeding speed of the adhesive sheet S is set to be relatively faster than the table moving speed, or the left and right linear motors ML, What is necessary is just to adjust so that the pressing force of the press roller PR becomes small by raising MR, and conversely, when the adhesive sheet S tends to be loosened and stuck, the feeding speed of the adhesive sheet S is set to the table moving speed. May be adjusted so as to be relatively slow, or the left and right linear motors ML and MR are lowered so that the pressing force of the press roller PR is increased.
When the above-mentioned tendency appears in a specific part, the left / right linear motors ML, MR are moved up and down to adjust the balance between the left and right pressing forces of the press roller PR, or the press roller PR itself Just align or exchange.

従って、このような実施形態によれば、マークMを構成する直線間距離を測長して接着シートSの接着状態を把握することができ、これにより、事前、事後のウエハ処理装置における調整や対応を臨機応変に採ることができる、という効果を得る。   Therefore, according to such an embodiment, the distance between the straight lines constituting the mark M can be measured to grasp the adhesion state of the adhesive sheet S, thereby making it possible to make adjustments in advance and subsequent wafer processing apparatuses. The effect is that the response can be taken flexibly.

以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示、説明されているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、位置若しくは配置等に関し、必要に応じて当業者が様々な変更を加えることができるものである。
As described above, the best configuration, method and the like for carrying out the present invention have been disclosed in the above description, but the present invention is not limited to this.
In other words, the present invention has been illustrated and described mainly with respect to specific embodiments, but without departing from the scope of the technical idea and object of the present invention, the shape, position, or With respect to the arrangement and the like, those skilled in the art can make various changes as necessary.

例えば、前記実施形態における接着シートSは、ウエハWをリングフレームRFにマウントするダイシング・ダイボンディングシートとして図示、説明したが、本発明はこれに限られるものではない。具体的には、図5に示されるように、ウエハWの裏面研削に備えて回路パターンを保護する保護シートとして接着シートSを利用することもできる。この場合、接着シートSは、基材シートBSの一方の面に感圧接着剤層A1のみを設けて構成され、その反対側の面には前記実施形態と同様の直線がマークMとして形成されている。このような接着シートSは、シート貼付装置によって貼付され、接着シートSが接着されたウエハWは、図5(C)に示されるように、グラインダーGにより所定の厚みとなるように裏面研削される。ここで、研削される前に直線間の距離を測長すれば、研削する前の段階で研削後のウエハの反り等を事前に予知することができ、ウエハの割れを未然に防止することができる。更に、グラインド前の測長データとグラインド後の測長データとを比較して、グラインド工程において、どのような外力が加えられ、ウエハWにどのようなストレスが加えられたのか等を調べるための半導体ウエハ処理装置用の評価用シートとしたり、ウエハWを個片化する前後において測長データを比較してダイシング装置の調整用や評価用シートとしても使用できる。   For example, the adhesive sheet S in the above embodiment has been illustrated and described as a dicing die bonding sheet for mounting the wafer W on the ring frame RF, but the present invention is not limited to this. Specifically, as shown in FIG. 5, the adhesive sheet S can be used as a protective sheet for protecting the circuit pattern in preparation for the back grinding of the wafer W. In this case, the adhesive sheet S is configured by providing only the pressure-sensitive adhesive layer A1 on one surface of the base sheet BS, and a straight line similar to that of the above embodiment is formed as the mark M on the opposite surface. ing. Such an adhesive sheet S is pasted by a sheet pasting apparatus, and the wafer W to which the adhesive sheet S is adhered is back-ground to a predetermined thickness by a grinder G as shown in FIG. The Here, if the distance between the straight lines is measured before grinding, warpage of the wafer after grinding can be predicted in advance before grinding, and cracking of the wafer can be prevented in advance. it can. Furthermore, by comparing the length measurement data before grinding and the length measurement data after grinding, what kind of external force is applied in the grinding process, what kind of stress is applied to the wafer W, etc. It can be used as an evaluation sheet for a semiconductor wafer processing apparatus, or as a dicing apparatus adjustment or evaluation sheet by comparing length measurement data before and after the wafer W is singulated.

また、接着シートを新規に開発すべく、耐熱、耐候、耐薬品性、引張り、耐荷重等の各種試験の前後でマーク間距離を測長し、それらデータを比較して基材シートBSや、接着剤の特性を評価する接着シート自体の特性評価用シートとしても使用できる。   Also, in order to develop a new adhesive sheet, measure the distance between marks before and after various tests such as heat resistance, weather resistance, chemical resistance, tension, load resistance, etc., compare the data, base sheet BS, It can also be used as a sheet for property evaluation of the adhesive sheet itself for evaluating the properties of the adhesive.

更に、前記マークMは、直交する直線に限られるものではなく、図6(A)〜(C)に示されるように、短寸の直線が交差したものや、点状のもの、等ピッチの同心円であってもよく、又、それらを組み合わせたものを採用してもよい。要するに、本発明に係るマークMは、測長によって接着シートSの延びや縮み等が把握できるものであれば足りる。   Further, the mark M is not limited to the orthogonal straight line, and as shown in FIGS. 6 (A) to (C), a short straight line intersects, a dot-like one, or an equal pitch. A concentric circle may be sufficient and what combined them may be adopted. In short, the mark M according to the present invention only needs to be able to grasp the extension or shrinkage of the adhesive sheet S by length measurement.

また、前記実施形態におけるマークMは、接着剤層Aの位置と反対側となる面に設けたが、基材シートBSの接着剤層A側に形成したり、両面に形成したりしもよい。この場合、基材シートBSは透明若しくは半透明であるほうが好ましい。   Moreover, although the mark M in the above embodiment is provided on the surface opposite to the position of the adhesive layer A, it may be formed on the adhesive layer A side of the base sheet BS or may be formed on both surfaces. . In this case, the base sheet BS is preferably transparent or translucent.

更に、接着シートSは、予め切断されて剥離シートRL上に仮着されたものに限定されることなく、帯状の接着シートSとしてもよい。この場合、接着シートSをウエハWやリングフレームRF等の被着体に貼付する前や後で、所定の形状に切断するようにすればよい。   Furthermore, the adhesive sheet S is not limited to the one that is cut in advance and temporarily attached onto the release sheet RL, and may be a belt-like adhesive sheet S. In this case, the adhesive sheet S may be cut into a predetermined shape before or after the adhesive sheet S is attached to an adherend such as the wafer W or the ring frame RF.

本実施形態に係る半導体ウエハ処理用接着シートを含む原反の斜視図。The perspective view of the original fabric containing the adhesive sheet for semiconductor wafer processing concerning this embodiment. 図1のa矢視断面図。FIG. 前記接着シートを用いてウエハをリングフレームにマウントした状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which mounted the wafer on the ring frame using the said adhesive sheet. 図3のb矢視断面図。B arrow sectional drawing of FIG. (A)は、接着シートを保護シートとしてウエハに接着した状態を示す斜視図、(B)〜(D)は、ウエハの裏面研削の説明図。(A) is a perspective view which shows the state which adhere | attached the wafer on the adhesive sheet as a protective sheet, (B)-(D) is explanatory drawing of the back surface grinding of a wafer. (A)〜(C)はマークの変形例を示す平面図。(A)-(C) are top views which show the modification of a mark. マウント装置の概略説明図。Schematic explanatory drawing of a mounting apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

A 接着剤層
BS 基材シート
M マーク
S 半導体ウエハ処理用接着シート
W 半導体ウエハ
10 マウント装置(半導体ウエハ処理装置)
A Adhesive Layer BS Base Material Sheet M Mark S Semiconductor Wafer Adhesive Sheet W Semiconductor Wafer 10 Mounting Device (Semiconductor Wafer Processing Device)

Claims (4)

基材シートの一方の面に設けられた接着剤層に半導体ウエハを接着して当該半導体ウエハに所定の処理を施すための半導体ウエハ処理用接着シートにおいて、
前記基材シートの少なくとも一方の面に、印刷を施すことにより測長用のマークが所定距離を隔てて形成され、
前記接着剤層に半導体ウエハを接着したときに前記マークが半導体ウエハの面内に位置することを特徴とする半導体ウエハ処理用接着シート。
In an adhesive sheet for processing a semiconductor wafer for bonding a semiconductor wafer to an adhesive layer provided on one surface of a base sheet and performing a predetermined process on the semiconductor wafer,
A mark for length measurement is formed at a predetermined distance by printing on at least one surface of the base sheet,
An adhesive sheet for processing a semiconductor wafer , wherein the mark is located within a surface of the semiconductor wafer when the semiconductor wafer is bonded to the adhesive layer .
前記マークは、直線、点、同心円、又は、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ処理用接着シート。   2. The adhesive sheet for semiconductor wafer processing according to claim 1, wherein the mark comprises a straight line, a point, a concentric circle, or a combination thereof. 請求項1又は2記載のマーク間距離を測長して半導体ウエハ処理装置の調整を行うことを特徴とする半導体ウエハ処理装置の調整方法。   3. A method for adjusting a semiconductor wafer processing apparatus, comprising: measuring a distance between marks according to claim 1; and adjusting the semiconductor wafer processing apparatus. 請求項1又は2記載のマーク間距離を測長して接着シートの特性評価を行うことを特徴とする接着シートの評価方法。   3. A method for evaluating an adhesive sheet, comprising measuring the distance between the marks according to claim 1 or 2 and evaluating the characteristics of the adhesive sheet.
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