JP5328722B2 - 高移動度チャネル(High−MobilityChannels)を有する装置のソース/ドレイン工学 - Google Patents
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Description
22 凹部
24 底部バリア層
26 チャネル層
28 上部バリア層
30 シャロートレンチアイソレーション領域
32 ゲート誘電層
34 ゲート電極
36 ゲートスペーサ
38 凹部
42 ソース/ドレイン領域
44 バッファ層
46 IV族半導体領域
50 シリサイド領域
52 トランジスタ
54 チャネル層
60 フィン
64 半導体層
Claims (12)
- 基板と、前記基板の上方のチャネルであって、このチャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料から成ることと、
前記チャネルの上方のゲート構造と、
前記チャネルに隣接するソース/ドレイン領域であって、このソース/ドレイン領域は、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択されるIV族領域から成ることと、
前記ソース/ドレイン領域は、更に、前記チャネルと前記IV族領域の間、且つ、それらに隣接するバッファ層と、
を備えたことを特徴とする集積回路構造。 - 前記ソース/ドレイン領域の底面は、前記チャネルの底面より低いことを特徴とする請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記ゲート構造の側壁にゲートスペーサを更に備え、前記ゲートスペーサの外縁は、前記ソース/ドレイン領域の内側壁に垂直に位置合わせすることを特徴とする請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記IV族領域は、不純物をドープしたIV族半導体材料から形成され、前記バッファ層は、前記チャネルの格子定数と前記IV族領域の格子定数との間の格子定数を有する第二IIII-V族化合物半導体材料を備えることを特徴とする請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記ゲート構造はゲート電極を備え、前記ゲート電極全体が、前記チャネルの上方にあることを特徴とする請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記ゲート構造はゲート電極を備え、前記ゲート電極は、チャネル直上の部分と、チャネルの対向側の付加的部分とを備えることを特徴とする請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記ゲート構造は、下方の半導体層とコンタクトするゲート電極を備えることを特徴とする請求項1に記載の集積回路構造。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方のチャネルであって、このチャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料を備えることと、
前記チャネル上のゲート構造と、
前記ゲート構造の側壁上のゲートスペーサと、
前記チャネルに隣接し、前記チャネルの底部より低い底部を有する凹部と、
前記凹部のソース/ドレイン領域であって、このソース/ドレイン領域は、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択される半導体材料からなるIV族領域を備え、且つ、n型不純物又はp型不純物がドープされることと、
前記チャネルと前記IV族領域との間に垂直部分を有するバッファ層を備えたことを特徴
とする集積回路構造。 - 前記凹部に、第二III-V化合物半導体材料から成るバッファ層を更に備え、前記第二III-V化合物半導体材料は、前記チャネルの第一格子定数と前記IV族領域の第二格子定数との間の格子定数を有することを特徴とする請求項8に記載の集積回路構造。
- 前記バッファ層は傾斜組成を有し、前記チャネルにより近い第一部分は、前記第一格子定数により接近した格子定数を有し、前記IV族領域により近い第二部分は、前記第一部分よりも、前記第二格子定数により接近した格子定数を有することを特徴とする請求項9に記載の集積回路構造。
- 基板と、
前記基板の上方のフィンであって、このフィンはIII族元素とV族元素から構成される第一III-V化合物半導体材料を備えることと、
前記フィンの直上部分と、前記フィンの対向側壁上の付加的部分とを備えたゲート構造と、
前記フィンに隣接するソース/ドレイン領域であって、このソース/ドレイン領域は、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択される半導体材料から形成されるIV族領域から成ることと、前記ソース/ドレイン領域は、更に、前記チャネルと前記IV族領域の間、且つ、それらに隣接するバッファ層と、
を備えたことを特徴とする集積回路構造。 - 前記フィンは、
前記第一III-V族化合物半導体材料から形成される中央フィンと、
前記中央フィンの直上の第一部分と、前記中央フィンの対向側壁上の第二部分を備えた半導体層であって、この半導体層は、前記中央フィンのバンドギャップより大きいバンドギャップを有することと、
を備えたことを特徴とする請求項11に記載の集積回路構造。
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