JP5326386B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
このような多層配線構造では、下層の配線層と上層の配線層とが、層間絶縁膜中に形成されたビアコンタクトにより接続される。
他の側面によれば半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜中に配線溝を形成する工程と、前記配線溝中に、バリアメタル膜を介して導体層を電解メッキ法により形成する工程と、前記層間絶縁膜上の余剰な導体層を、前記層間絶縁膜の上面が露出するように化学機械研磨法により除去することにより、前記配線溝中に配線パターンを形成する工程と、を含み、前記配線パターンは、第1の配線幅でそれぞれの方向に延在する複数の延在部と、各々前記複数の延在部のうちの2つを接続する複数の屈曲部を含み、前記複数の屈曲部の少なくとも一つは、前記第1の配線幅よりも大きい第2の配線幅を有し、前記少なくとも一つの屈曲部は、前記第1の配線幅で第1の方向に延在する第1の延在部と前記第1の配線幅で前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の延在部を接続する。
図6は、本発明の第1の実施形態によるCu配線パターン10を示す平面図、図7は前記図6のCu配線パターン10の一部を拡大した平面図を示す。ただし図6,7中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図中、矢印およびe−は電子流を示す。
次に第1の実施形態のCu配線パターンを多層配線構造に使った第2の実施形態による半導体装置の製造方法を、図15A〜15Dを参照しながら説明する。
(付記1)
活性素子を含む基板と、
前記基板上方に形成され、配線層と層間絶縁膜を含む多層配線構造と、
を備え、
前記配線層は、前記層間絶縁膜中に形成されたダマシン構造の配線パターンを有し、
前記配線パターンは、第1の配線幅でそれぞれの方向に延在する複数の延在部と、各々前記複数の延在部のうちの2つを接続する複数の屈曲部を含み、
前記複数の屈曲部の少なくとも一つは、前記第1の配線幅の√2倍よりも大きい第2の配線幅を有する半導体装置。
(付記2)
前記屈曲部は、前記配線パターンのうち、一辺の長さが前記第2の配線幅の方形部分である付記1記載の半導体装置。
(付記3)
前記屈曲部は、前記配線パターンのうち、直径が前記第2の配線幅の円形部分である付記1記載の半導体装置。
(付記4)
前記複数の屈曲部の全てが前記第2の配線幅を有する付記1〜3のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記5)
前記第1の配線幅は1000nm以下である付記1〜4のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記6)
前記第1の配線幅は100nm以下である付記1〜4のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
(付記7)
前記配線パターンは、電力配線パターンである付記1〜6のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
2,10 Cu配線パタ―ン
10Cu Cuパターン
10BM バリアメタル膜
11T,310T,323 配線溝
301 シリコン基板
302 素子分離領域
303 素子領域
303S ソース拡散領域
303D ドレイン拡散領域
303G ゲート電極
303I ゲート絶縁膜
304 絶縁膜
304V コンタクトホール
306,320,322 エッチングストッパ膜
310,321,323 層間絶縁膜
311,325 Cu配線パターン
311B バリアメタル膜
324H ビアホール
324 ビアプラグ
B1 延在部
B2 屈曲部
C1,C2 コンタクト
GB 粒界
W1,W2,Wc 配線幅
Claims (7)
- 活性素子を含む基板と、
前記基板上方に形成され、配線層と層間絶縁膜を含む多層配線構造と、
を備え、
前記配線層は、前記層間絶縁膜中に形成されたダマシン構造の配線パターンを有し、
前記配線パターンは、第1の配線幅でそれぞれの方向に延在する複数の延在部と、各々前記複数の延在部のうちの2つを接続する複数の屈曲部を含み、
前記複数の屈曲部の少なくとも一つは、前記第1の配線幅よりも大きい第2の配線幅を有し、
前記配線パターンは電解メッキ法により形成されたものであり、
前記少なくとも一つの屈曲部は、前記第1の配線幅で第1の方向に延在する第1の延在部と前記第1の配線幅で前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の延在部を接続することを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の屈曲部の少なくとも一つは、前記第1の配線幅の√2倍よりも大きい第2の配線幅を有する請求項1記載の半導体装置。
- 前記屈曲部は、前記配線パターンのうち、一辺の長さが前記第2の配線幅の方形部分である請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記屈曲部は、前記配線パターンのうち、直径が前記第2の配線幅の円形部分である請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記複数の屈曲部の全てが前記第2の配線幅を有する請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第1の配線幅は1000nm以下である請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
- 層間絶縁膜中に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝中に、バリアメタル膜を介して導体層を電解メッキ法により形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の余剰な導体層を、前記層間絶縁膜の上面が露出するように化学機械研磨法により除去することにより、前記配線溝中に配線パターンを形成する工程と、
を含み、
前記配線パターンは、第1の配線幅でそれぞれの方向に延在する複数の延在部と、各々前記複数の延在部のうちの2つを接続する複数の屈曲部を含み、
前記複数の屈曲部の少なくとも一つは、前記第1の配線幅よりも大きい第2の配線幅を有し、
前記少なくとも一つの屈曲部は、前記第1の配線幅で第1の方向に延在する第1の延在部と前記第1の配線幅で前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の延在部を接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
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