JP5324339B2 - 半導体検査測定装置 - Google Patents

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Description

本発明は半導体検査測定装置に係り、とくにシールドチャンバ内に配されたマニピュレータによってプローブ針を半導体に接触させて検査あるいは測定を行なう半導体検査測定装置に関する。
半導体素子は、シリコンの半導体ウエハの表面に、フォトリソグラフィーの技法を用いて所定のパターンニングを施すことによって、微細な回路を形成したものであって、所定の大きさにカッティングして半導体のベアチップを製造するようにしている。このような半導体素子は、高集積化が進むにつれ電子回路の動作が不安定であったりした場合、素子内部に信号を印加したり、信号を取出して解析を行ない、設計開発製品を安定動作させる必要がある。また解析を行なうためにレーザ光のエネルギで素子の保護膜を剥離やパターンをカットさせプローブ針で通電させる場合などの目的のため、半導体検査測定用プローブ装置が用いられている。
例えば特開2004−333271号公報には、真空チャンバ内に配されたプローブ針を、外部からX軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向に移動調整する機構が提案されている。本願は、とくに半導体素子の解析用プローバの改良に係り、シールドチャンバの構成と、隔壁用マニピュレータの構成と、各種のインターロックの構成とを提案するものである。
この種のプローバによって、真空中、あるいは大気中で半導体素子の測定をする装置において、とくに大気中で半導体素子を低温下で測定しようとすると、大気中の水分が半導体素子の表面に結露する。また半導体素子に外部から光が照射されると、半導体素子内でキャリヤが動き、精度のある測定を妨げることになる。
とくに外部からのノイズや光による測定精度の低下を防止するために、シールドチャンバを設け、外側からマニピュレータを操作してプローブ針を効率良く測定部に接触させて通電を行なう必要がある。一般にシールドボックスは、外部のノイズの遮断、遮光以外の用途ではレーザ光のエネルギを用いて半導体素子の製膜や配線を加工する場合に、外部にレーザ光が漏れない構造とするのに用いられる。また測定の際にプローブ針によって半導体素子に高電圧を印加する際の感電の防止のために、測定ラインに触れずに探針操作ができ、シールドチャンバの遮光部が外れた時点でレーザ発信器や、測定器等に信号を送ってレーザ発信器電源の遮断や計測器の出力電圧を停止しなければならない。このために上述のようなシールドチャンバの遮光機能が損なわれた場合に、迅速に応答するインターロック機構が必要になる。またそのようなインターロック機構を設けたシールドチャンバを有する半導体素子を解析する装置を必要としている。
真空チャンバやプローバシールドチャンバに使用するマニピュレータの動作方式には、真空用ベローを用いた方式がある。この方式は、真空ベロー内にシャフトを通してこのシャフトを3軸動作の駆動機構によって外部から操作するものである。またシールドチャンバの隔壁面に直線導入端子あるいは回転導入端子を配置し、マニピュレータの各軸をワイヤで引いて可動軸で移動させる方式がある。真空ベローの移動方式は、真空ベローは、3軸方向に直線的に移動させることができず、移動量を大きくしたり、高精度な位置合わせができない欠点がある。一方ワイヤ引き方式のマニピュレータは、着脱操作が悪く、各軸動作量が少なく、移動量を大きくするにはマニピュレータが大きくなり、移動分解能の精度が上がらない欠点がある。
また大気中で半導体素子を測定する際に外部からの光を遮光する場合には、マニピュレータの操作性が悪くなる欠点がある。また遮光構造によって顕微鏡対物レンズの使用に制約を生ずるようになる。さらに遮光を行なった場合に、インターロック回路の導通による検出方法では、蓋の開閉の回路の接点不良によるインターロック回路の誤動作が起きる。また光カーテンによるインターロックは、マニピュレータの操作部の前に光カーテンのセンサが働き、マニピュレータの操作が不能になる問題がある。
特開2004−333271号公報
本願発明の課題は、シールドチャンバの外側面に沿って設けたマニピュレータで、内部の探針を3軸方向に操作することができる半導体検査測定装置を提供することである。
本願発明の別の課題は、マニピュレータの前面側に操作部を配し、その前面に遮光パネルを重なるように配置することによって、外部から光が入らず、容易に遮光ができ、さらにシールドチャンバ内に乾燥空気を連続的に入れることによって、外部の湿気が侵入せず、半導体の結露防止が可能な半導体検査測定装置を提供することである。
本願発明のさらに別の課題は、遮光構造でありながらしかも複数の対物レンズを有する顕微鏡の使用を可能にした半導体検査測定装置を提供することである。
本願発明のさらに別の課題は、圧縮空気の流れを流量計で検出し、これによってインターロック動作を確実に行ない得るようにした半導体検査測定装置を提供することである。尚このようなインターロック機構として、従来は各接合部を電気的に導通させたり、セーフティ光カーテンを使用したりしているが、それに比べてはるかに優れた方式を提供する。
本願のさらに別の発明は、DUT(Device under test)基板上に実装した半導体素子を、低温から高温まで温度ストレスをかけた状態でこの半導体素子の内部の解析を行ない得るようにした半導体検査測定装置を提供することである。なお従来は、サーモチャンバ内にDUT基板を収納し、温度制御を行なうようにしており、顕微鏡によって観察し、マニピュレータで探針操作を行なうことができない構造であった。
本願発明の上記の課題および別の課題は、以下に述べる本願発明の技術的思想、およびその実施の形態によって明らかにされる。
本願の主要な発明は、シールドチャンバ内に配されたマニピュレータによってプローブ針を半導体に接触させて検査あるいは測定を行なう半導体検査測定装置において、
前記マニピュレータが前記シールドチャンバの側面の内側に沿って配されるとともに、前記マニピュレータはX軸調整機構、Y軸調整機構、Z軸調整機構を備え、
前記X軸調整機構は前記シールドチャンバの検査測定位置に向う方向に前記プローブ針を移動させる調整ねじを設けたX軸移動台を有し、
前記Y軸調整機構は、前記X軸移動台上に設けられ、前記シールドチャンバの検査測定位置に向う方向と直角な横方向に前記プローブ針を移動させるY軸移動台と、該Y軸移動台を前記横方向に移動させる回動リンク機構を有し、
前記Z軸調整機構は前記Y軸移動台上に設けられ、前記シールドチャンバの高さ方向に移動させるZ軸移動台と、該Z軸移動台を高さ方向に移動させるユニバーサルジョイントとを有し、
前記X軸調整機構の操作部と前記Y軸調整機構の操作部と前記Z軸調整機構の操作部とが、前記シールドチャンバの外側面と平行な操作面に対して直角に外側に突出するように配されることを特徴とする半導体検査測定装置に関するものである。
ここで、前記シールドチャンバが扁平な多角形の筐体から構成され、該シールドチャンバ内に複数のマニピュレータが配されるとともに、それぞれのマニピュレータのプローブ針が前記シールドチャンバの検査測定位置に向うように前記マニピュレータが前記多角形の各辺を構成する側板の内側に配され、前記マニピュレータの操作面が前記多角形の各辺を構成する側板の外表面であってよい。また前記マニピュレータのプローブ針の先端部が前記シールドチャンバの底部開口を通して前記シールドチャンバの下側に配される搭載部に搭載される半導体素子と接触するようにしてよい。
また、前記Y軸調整機構は、前記マニピュレータのフレームによってX−Y平面上で回動可能に支持された3角形の回動リンクと、Y軸調整機構の操作子によって前記回動リンクを回動させる調整ねじと、前記3角形の回動リンクの先端部に取付けられた押圧コロとを有し、該押圧コロが前記X軸移動台上に設けられたY軸移動台を横方向に押して移動させるとともに、前記押圧コロの転動によってX軸方向の移動を吸収してよい。また前記Z軸調整機構は、前記Y軸移動台上に設けられて回転方向を直角に変換する一対の傘歯車と、従動側の傘歯車によって回転してZ軸移動台を移動させる送りねじと、Z軸調整機構の操作子によって駆動側の傘歯車を駆動するユニバーサルジョイントと、伸縮機構とを有し、該ユニバーサルジョイントによって前記Y軸方向の移動を吸収し、前記伸縮機構によってX軸方向の移動を吸収してよい。また前記マニピュレータがその内側に配されるシールドチャンバの側板が、前記マニピュレータの操作面を覆うシールド板を兼ねており、該シールド板はX軸調整機構の操作部とY軸調整機構の操作部とZ軸調整機構の操作部とをそれぞれ挿通させる挿通孔を設けてあり、前記X軸調整機構の操作部と前記Y軸調整機構の操作部と前記Z軸調整機構の操作部とをそれぞれ前記挿通孔に挿通させた状態で前記マニピュレータの操作面を外側から覆うとともに前記シールドチャンバの隣接する側板と前記マニピュレータとの間の隙間を塞ぐようにしてよい。
また、前記シールドチャンバが複数の側板を組合わせて構成され、しかも各側板にはガス通路が設けられ、各側板が正しく組立てられると前記ガス通路が互いに連通されるようになっており、互いに連通される前記ガス通路の一端がガス圧源に接続され、前記ガス通路の他端がフロートを有する流量計に接続され、前記流量計のフロートをセンサで検出してよい。また前記シールドチャンバの上部開口を閉じるように蓋体が着脱自在または開閉自在に取付けられ、さらに前記蓋体のほぼ中央部の顕微鏡による観察を行なう開口に補助蓋が取付けられ、前記シールドチャンバの側板に設けられた空気通路と連通する空気通路が前記蓋体に設けられ、該蓋体の空気通路の開放端が前記補助蓋によって閉塞されてよい。
また、前記マニピュレータを内部に配したシールドチャンバの下側に測定チャンバが配され、該測定チャンバの下側に検査あるいは測定を行なう半導体素子の搭載部が配され、前記測定チャンバはその外周側に加熱および/または冷却ユニットを備えるとともに中央部が空間になっており、該空間を通して前記マニピュレータのプローブ針の先端部を半導体素子の所定の部位に接触させてよい。また前記測定チャンバに対して前記シールドチャンバおよび前記搭載部が上下に移動自在であって、前記測定チャンバの中央の空間を下から閉じるように前記搭載部が上昇し、前記シールドチャンバが前記測定用チャンバの中央の空間を上から閉じるように前記シールドチャンバが下降して前記半導体素子の検査または測定が行なわれてよい。また前記シールドチャンバの上部に顕微鏡が配され、前記半導体の前記マニピュレータのプローブ針の先端部が接触する位置の近傍を観察するようにしてよい。また前記シールドチャンバの蓋体に開口が設けられ、該開口に前記顕微鏡の対物レンズが挿入されるとともに、前記開口の隙間を閉じるように補助蓋が設けられてよい。
本願発明の好ましい態様は、隔壁用マニピュレータを用い、シールドチャンバ内のプローブ針を操作し、半導体素子等にプローブ針の先端部を位置合わせして半導体素子の環境温度を制御し、低温時の結露防止を図り、外部からの光やノイズを遮断した状態で、互いに変更可能な複数の対物レンズを備える顕微鏡と、エネルギ加工用レーザを搭載し、さらに高電圧計測測定の場合のインターロック機能を含む半導体検査測定装置に関するものである。
そしてマニピュレータの各軸の操作部を、単一の操作面上に配し、マニピュレータの操作部の固定位置の各軸が移動しても、常に一定であって、プローブ針の先端部がX軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向に移動することを可能にしている。そしてこのマニピュレータの操作面に取付けられる遮光板は、マニピュレータの前面からシールドチャンバの側板にマグネットによって固定し、この操作パネルに圧縮空気が通過できる構造とし、上蓋をも含めたパネルの全体を設置することによって遮光を行なうようにし、圧縮空気が流れるパスを構成し、最終段にフローメータを設置して流れた空気でフロートを浮上がらせ、浮上がったフロートをフォトカプラ等の検出手段によって検出してシールドチャンバの遮光の状態が良好かどうかの判断をし、しかもその結果に連動してレーザ光発生源や高電圧の電源の動作の制御を行なうインターロック機構を構成している。またシールドチャンバは、遮光している状態で顕微鏡の対物レンズの交換変更を行なうことができ、倍率変更や加工レンズへの切替えを可能にしている。
本願の主要な発明は、シールドチャンバ内に配されたマニピュレータによってプローブ針を半導体に接触させて検査あるいは測定を行なう半導体検査測定装置において、マニピュレータがシールドチャンバの側面の内側に沿って配されるとともに、マニピュレータはX軸調整機構、Y軸調整機構、Z軸調整機構を備え、X軸調整機構はシールドチャンバの検査測定位置に向う方向にプローブ針を移動させる調整ねじを設けたX軸移動台を有し、Y軸調整機構は、X軸移動台上に設けられ、シールドチャンバの検査測定位置に向う方向と直角な横方向に前記プローブ針を移動させるY軸移動台と、該Y軸移動台を横方向に移動させる回動リンク機構を有し、Z軸調整機構はY軸移動台上に設けられ、シールドチャンバの高さ方向に移動させるZ軸移動台と、該Z軸移動台を高さ方向に移動させるユニバーサルジョイントとを有し、X軸調整機構の操作部とY軸調整機構の操作部とZ軸調整機構の操作部とが、シールドチャンバの外側面と平行な操作面に対して直角に外側に突出するように配されるようにしたものである。
従ってこのような半導体検査測定装置によると、操作面上に直角に外側に突出するX軸調整機構の操作部を操作することによって、マニピュレータのプローブ針をシールドチャンバの中心方向に向う方向に移動調整できる。また操作面上に外側に突出するY軸調整機構の操作部を操作すると、Y軸調整機構によって、プローブ針を横方向に移動させることが可能になる。また操作面に直角に外側に突出するZ軸調整機構の操作部を操作すると、マニピュレータのプローブ針を高さ方向に移動調整することができる。よってシールドチャンバの側面と平行な操作面上の3軸の操作部によって、マニピュレータのプローブ針をX軸方向、Y軸方向、Z軸方向にそれぞれ移動調整することが可能な半導体検査測定装置を提供できるようになる。
本発明の一実施の形態に係る半導体検査測定装置の全体の側面図である。 同半導体検査測定装置のとくに測定チャンバと冷凍機との接続を示す正面図である。 シールドチャンバの構成を示す検査測定装置の要部平面図である。 同要部側面図である。 同要部正面図である。 昇降ベース上に搭載されたシールドチャンバの平面図である。 シールドチャンバと測定チャンバと搭載部との配置を示す要部縦断面図である。 シールドチャンバ内におけるマニピュレータの取付けを示す要部拡大平面図である。 X軸移動機構、Y軸移動機構、Z軸移動機構を内蔵するマニピュレータの内部構造の斜視図である。 同マニピュレータの平面図である。 同マニピュレータの側面図である。 マニピュレータの正面図である。 マニピュレータの前面側遮光板の取付けを示す斜視図である。 シールドチャンバの分解斜視図である。 シールドチャンバの側面のインターロックのための空気通路の配置を示す側面図である。 同平面図である。 蓋体に設けられた空気通路の配置を示す側面図である。
1 半導体検査測定装置の全体の構成
図1は、本願発明の一実施の形態に係る半導体検査測定装置の全体の構成を示しており、この装置は架台10を備えるとともに、架台10上に支持フレーム11が取付けられている。そして架台10の前面側には測定チャンバ12が前方に突出するように取付けられ、その下側に測定対象となる半導体素子等を搭載する搭載部13がZ軸レール14によって昇降自在に取付けられている。これに対して測定チャンバ12の上側にはシールドチャンバ15が配されている。シールドチャンバ15は昇降ベース16上に搭載され、Z軸方向に移動可能になっている。なおシールドチャンバ15内には、後述するように複数のマニピュレータ40が配さる。
上記シールドチャンバ15の上側には顕微鏡17が配され、移動アーム18および昇降ベース19を介して支持フレーム11の前面側に取付けられる。なお上記昇降ベース19の昇降を可能にするように、図3に示すように、昇降ベース19は支持フレーム11上に直立して取付けられているZ軸レール20によって昇降動作するようになっている。
次に上記測定チャンバ12について図2により説明する。測定チャンバ12は、搭載部13上に搭載される半導体素子の測定時の雰囲気温度を調整するためのものであって、冷凍機22と供給配管23および戻り配管24を介して接続されている。なお供給配管23と戻り配管24との間には連通配管25が接続されている。そして戻り配管24には空気取込み分岐管26が接続される。また上記連通配管25および戻り配管24にはエアオペレーションバルブ29、30がそれぞれ接続される。また上記空気取込み分岐管26にはエアオペレーションバルブ31が接続されるとともに、このエアオペレーションバルブ31に圧力調整器32が接続されている。
次に上記測定チャンバ12の上側に位置するシールドチャンバ15による測定の動作の概要を図3〜図5によって説明する。図3に示すように、シールドチャンバ15内には、片側に3個あるいは4個ずつ、合計6個あるいは8個のマニピュレータ40が配される。マニピュレータ40はその操作部とは反対側の部分にプローブ針41が突出するようになっており、このプローブ針41を、測定チャンバ12の下側に配される搭載部13上のDUT(Device under test)基板42上に搭載された半導体素子43の所定の部位に接触させるようにしている。そしてこのときに、上部に配された顕微鏡17によって、拡大して観察を行なうようにしている。なお顕微鏡17には、その下端側に、一対の対物レンズ117、118が取付けられ、これらのレンズ117、118を任意に交換し、適正倍率で観察を行なうことができるようにしている。なお顕微鏡17は、支持フレーム11上に設けられている昇降ベース46によって昇降動作される。
次に上記マニピュレータ40を内部に収納したシールドチャンバ15と測定チャンバ12の関係について、図6および図7によってより詳細に説明する。シールドチャンバ15の下側に配される測定チャンバ12は、外周側に中心部に向って空気を吹出す空気吹出し部51と、中心部から外周側への空気の流れを起させて空気を吸引する空気吸引部52とを上部に備えている。そして空気吹出し部51と空気吸引部52との間には、リング状をなす整流板53が設けられている。この整流板53によって、空気吹出し部51から吹出した空気がこの測定チャンバ12の中心部に向かい、その後に整流板53の中心の円形の開口を通って下方に流動し、そして下側に配されている空気吸引孔52によって吸引される空気の流れ54を形成するようにしている。
測定チャンバ12の下側に配される搭載部13の上面には、DUT基板42によって半導体素子43が搭載されている。上記下方への空気の流れ54がこのDUT基板42上の半導体素子43に吹付けられるようになっている。そしてシールドチャンバ15内に配されている6個あるいは8個のマニュピレータ40の先端側のプローブ針41が、DUT基板42上の半導体素子43に接触し、この状態でプローブ針41によって半導体素子43に電圧を印加するか電流を流し、あるいはまた電圧値あるいは電流値を測定している。
次に以上のような構成に係る半導体検査測定装置の全体の概略の動作を説明する。搭載部13上に半導体素子43を実装したDUT基板42を載置し、搭載部13を測定チャンバ12に対して上方に移動して測定チャンバ12の底部開口を閉じる。またシールドチャンバ15を下降させて上記測定チャンバ12の上部開口を閉じる。
次に測定チャンバ12内の温度雰囲気を設定する。すなわち供給配管23およびルーツポンプ28によって測定チャンバ12内に空気を供給し、測定チャンバ12から戻り配管24を通して空気を排出する。そして測定チャンバ12内の温度を上昇させる場合には、ヒータ27によって供給する空気の温度を上昇させる。これに対して測定チャンバ12内の温度を低くする場合には、冷凍機22によって供給配管23を通して供給される冷気によって空気の温度を低くする。このような動作によって、測定チャンバ12内の空気の温度を適正な値に設定する。
以上のような状態において、シールドチャンバ15内のマニピュレータ40によって、プローブ針41をX軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向にそれぞれ移動し、これによって半導体素子43の所定の位置にプローブ針41の先端部を接触させる。そしてプローブ針41によって半導体素子43に対して電圧を印加し、電流を流し、あるいはまた半導体素子43の所定の位置の電圧や電流を検出する。なおこのときに、顕微鏡17によって光学的に観察を行なう。また図示を省略したYAGレーザ発生源からのレーザ光を半導体素子43の所定の部位に照射し、これによって半導体素子43の局部的なエネルギ加工を行なってブリッジ等の配線ミスを修正する。
2 プローブ針の移動機構
次に上記シールドチャンバ15内に配されるマニピュレータ40の位置調整のための構造を、図9〜図12によって説明する。マニピュレータ40はその底部側に基台62を備えるとともに、基台62上にX軸レール63を備えている。そしてX軸レール63上にはX軸移動台64がX軸方向、すなわちプローブ針41の延びる方向に配されている。そして上記X軸移動台64を移動するための送りねじ65がX軸移動台64に連結されている。
次に上記X軸移動台64上には、Y軸方向に移動可能にY軸移動台66が搭載されている。Y軸移動台66は回動リンク67によって横方向、すなわちY軸方向に移動される。回動リンク67はピン68によってこのマニピュレータのフレーム上に回動可能に支持されるとともに、回動リンク67が送りねじ69によって回動されるように送りねじ69に連結される。また回動リンク67の先端部には押圧コロ70が取付けられており、この押圧コロ70はY軸移動台66の突片71の側面に図外のばねによって弾性的に圧着される。
次にZ軸移動機構について説明する。Y軸移動台66上には軸受72が取付けられるとともに、この軸受72によって駆動軸73が回転可能に支持される。駆動軸73は一対のユニバーサルジョイント74、75を備えている。そしてユニバーサルジョイント74、75間において、駆動軸73はロッド76とスリーブ77とから構成され、スリーブ77の外周面上に長さ方向に延びる長孔78がロッド76の外周面上に突出するピン79に係合している。
上記駆動軸73の先端部には傘歯車81が固着されている。この傘歯車81は、回転軸線がZ軸と一致する傘歯車82と噛合っている。そし傘歯車82は送りねじ83を備え、この送りねじ83によってZ軸移動台84をZ軸レール85に沿って、高さ方向、すなわちZ軸方向に移動させるようにしている。このZ軸移動台84上には、基端側が保持部58によって保持された状態で、Z軸移動台84にプローブ針41の基端部が取付けられている。またこのマニピュレータ40の底部であって基台62の下側には、マグネットチャック86が固着されている。マニピュレータ40は、マグネットチャック86によって昇降ベース16上に固定される。
このマニピュレータ40の基台62の前面側には直立ベース90が取付けられるとともに、この直立ベース90上に、前面側に突出するようにX軸操作つまみ91、Y軸操作つまみ92、Z軸操作つまみ93、マグネットチャック操作軸94がそれぞれ突出している。なおここで、X軸操作つまみ91、Y軸操作つまみ92、Z軸操作つまみ93はそれぞれ内部に精密ねじを備えたマイクロメータヘッドから構成されている。またマグネットチャック操作軸94の先端部は、図10および図11に示すように、ピン95を介して回動自在な操作部96を取付けており、マグネットチャック86を回転操作する場合には操作部96を直角に曲げてから操作するようにしている。
上記X軸操作つまみ91は、X軸の送りねじ65に連結されている。またY軸操作つまみ92は上記Y軸の送りねじ69に連結されている。またZ軸操作つまみ93は、ユニバーサルジョイント75に連結されている。
上記マニピュレータ40の直立ベース90の前面側には、図13に示すように、遮光板を兼ねる側板100が装着されるようになっている。側板100には4つの開口101、102、103、104がそれぞれ形成され、これらの開口101、102、103、104が、X軸操作つまみ91、Y軸操作つまみ92、Z軸操作つまみ93、マグネットチャック操作軸94をそれぞれ挿通させるようにしており、この状態で、マニピュレータ40の前面側の直立ベース90に重合うようにして取付けられる。そしてこの側板100の両側端は、その両側に位置しかつシールドチャンバ15の側板を構成する取付け板105と重合うようになっており、これによって側板100から成る遮光板によって、シールドチャンバ15のマニピュレータ40の取付け位置の開口部を完全に遮光するようにしている。
次にこのようなマニピュレータによるプローブ針41の移動動作について説明する。側板100の前面側に突出するX軸操作つまみ91を回転操作すると、送りねじ65によってX軸移動台64がX軸方向に移動される。従ってその上に載っているY軸移動台66およびZ軸移動台84を介して、プローブ針41は、X軸方向、すなわち図10および図11において左右の方向に移動調整される。
次に側板100から前面側に突出するY軸操作つまみ92を回動操作すると、送りねじ69によってピン68を中心として回動リンク67が回動する。従って回動リンク67の先端部に取付けられている押圧コロ70がY軸移動台66の突片71を押し、あるいはまたこの突片から離れる方向に移動し、しかも押圧コロ70とY軸移動台66とが伸縮自在なばねによってお互いに連結されているために、Y軸移動台66が横方向に移動される。従ってY軸移動台の横方向の動作は、Z軸移動台84を介してプローブ針41に伝達され、プローブ針41がY軸方向に移動される。なおX軸移動台64のX軸方向の動作は、回動リンク67の押圧コロ70がY軸移動台66の側面の突片71上を転動することによって吸収される。
次に側板100の前面側に突出するZ軸操作つまみ93を回転操作すると、ユニバーサルジョイント74と75、および駆動軸73を介して、傘歯車81が回転される。従ってこの傘歯車81と直交するように噛合う傘歯車82が駆動され、送りねじ83がZ軸移動台84を高さ方向であってZ軸方向に移動させる。従ってプローブ針41は高さ方向に移動される。なおユニバーサルジョイント74、75間のロッド76のピン79がスリーブ77の長孔78内を移動することによって駆動軸73が伸縮し、X軸方向の移動量を吸収する。また一対のユニバーサルジョイント74、75によってY軸移動台66のY軸方向の移動を吸収する。
以上のような動作によって、プローブ針41はマニピュレータ40の先端部から突出された状態で、X軸方向、Y軸方向、およびZ軸方向にそれぞれ移動される。図8はシールドチャンバ65内においてその側板を構成する取付け板105に沿って配されたマニピュレータ40のプローブ針41が、測定チャンバ12の中心部に向うように配列される状態を示している。プローブ針41がほぼ交差する先端側の位置に、上記DUT基板42上に搭載された半導体素子43が位置することになり、この位置を上方から顕微鏡17で観察できるようにしている。
3 インターロック機構
この半導体検査測定装置は、外部から侵入する光によって半導体素子43内においてキャリヤが移動しないようにし、あるいはまたプローブ針41によって高電圧を印加できるように遮光するとともに、安全性を高めるためにインターロック機構を備えている。このインターロック機構は、空気流を流すとともに、それを流量計124のフロート125によって検出するものである。
図14に示すように、シールドチャンバ15は、昇降ベース16上に配された側板によって組立てられた筐体である。この側板の所定の位置にはそれぞれ遮光板を兼ねた側板100が重合わされ、これによってマニピュレータ40の取付け位置の遮光を行なうようにしている。しかもこのようなシールドチャンバ15は、その上部に配される蓋体110によって閉じられるようになっている。蓋体110は、外側部に側壁111を備え、この側壁111が上記側板の外側に重合うようになっている。従って、蓋体110によってシールドチャンバ15の上部開口が閉じられるようなる。
蓋体110にはそのほぼ中央部には凹部112が形成されるとともに、凹部112の底部には横長開口113が形成される。そして横長開口113を開閉自在に覆うように補助蓋114が取付けられる。補助蓋114には一対の開口115、116が形成され、これらの開口115、116に、上記顕微鏡17の一対の対物レンズ117、118がそれぞれ挿入されるようになっている。顕微鏡17の一対の対物レンズ117、118は、これらの対物レンズ117、118の配列方向に移動可能であって、何れか一方の対物レンズ117、118が光軸と一致するように選択され、所望の倍率とするようになっている。このときに何れの対物レンズ117、118が選択されても、補助蓋114は必ず横長開口113を閉じるように、横長開口13に対して余分な長さをもっている。
次にインターロック機構について説明する。図15に示すように、このシールドチャンバ15の側板およびマニピュレータ40の取付け位置を覆う遮光板を兼ねた側板100には、空気通路121、122がそれぞれ形成されており、シールドチャンバ15の側板に対して側板105が正しく組立てられると、これらの空気通路121、122は接続位置の小孔を通して互いに連通されるようになっている。そして空気通路121、122の一端側が空気圧源に接続されるとともに、他端側がチューブ123を介して流量計124に接続される。流量計124内にはフロート125が浮遊状態で収納され、このフロート125の位置をフォトセンサ126によって検出するようにしている。また上記空気通路121、122の内の1つの空気通路には、縦方向に延びる空気通路127が分岐して形成される。
上記縦方向の空気通路127は、シールドチャンバ15の側板の外側部であって上縁に取付けられた連通ブロック128の空気通路129と連通されるようになっている。そしてこの連通ブロック128の空気通路129が、蓋体110の空気通路130に連通されるようになっている。この空気通路130は上記蓋体110の凹部112内に延びており、しかも空気通路130は、その先端部が開放端131から構成されている。開放端131は、上記対物レンズ117、118を挿入する開口115、116を備えた補助蓋114によって閉塞されるようになっている。
以上のような構成において、DUT基板42上の半導体素子43の検査測定を行なう場合には、シールドチャンバ15を蓋体110によって閉じ、凹部112内に顕微鏡17の対物レンズ117、118を挿入する。このときに対物レンズ117、118は補助蓋114の開口115、116に挿入される。この状態で補助蓋114が蓋体110の凹部112の横長開口113を閉塞する。またマニピュレータ40を内側に配したシールドチャンバ15の側板100は、このシールドチャンバ15の側板とともにこのシールドチャンバの外筐を形成する。このような状態においては、図15および図16に示すように、シールドチャンバ15の側板と側板100に形成された空気通路121、122が互いに連通される。また縦方向の空気通路127は、連通ブロック128の空気通路129および蓋体110の空気通路130と連通されるとともに、空気通路130の先端側の開放端131が補助蓋114によって閉塞されることになる。従って縦方向に延びる空気通路127の先端側の部分は、上記開放端131を覆う補助蓋114によって閉塞されることになる。
従って空気圧源から、空気通路122、121を通して圧縮空気を流すと、この圧縮空気によって流量計124のフロート125が浮上がり、浮上がったフロート125はフォトセンサ126によって検出される。一方空気通路が正しく形成されず、あるいは蓋体110側の空気通路130の開放端131が補助蓋114によって閉塞されない場合は、空気が漏れて流量計124のフロート125が落下し、フォトセンサ126で検出されなくなる。
フォトセンサ126がフロート125を検出した状態は、シールドチャンバ15が正しく組立てられたことを示している。すなわちシールドチャンバ15が正しくシールド状態で組立てられた場合には、空気通路121、122に圧縮空気を流すと、流量計124のフロート125が浮上し、これをフォトセンサ126で検出して安全性を確認することができる。
このようにシールドチャンバ15が正しくシールド状態にある状態で、マニピュレータ40のプローブ針41によって高電圧を印加しても、感電等の危険がない。またシールドチャンバ15が完全にシールドされた状態で測定を行なうと、外部からシールドチャンバ15を通して測定チャンバ12に外光が侵入することがなく、半導体素子43内のキャリヤの移動がない。従って安全で正しい検査測定が可能になる。また図示を省略したYAGレーザを照射して半導体素子43の微細なエネルギ加工による補修を行なう際における危険性も回避される。
流量計124として、フロート125を有するフローセンサを用いた例を示しているが、このような構成に代えて、電気的な手段によって流量の検出を行なう流量計を用いることも可能である。すなわち電圧を加えておき、中を通過する流量に応じて信号出力が変化する電気的な流量計を用い、このような流量計によって空気が漏れているかどうかを検出するようにしてもよい。
以上本願発明を図示の実施の形態によって説明したが、本願発明は上記実施の形態によって限定されることなく、本願発明の技術的思想の範囲内において各種の変更が可能である。
本願発明は、DUT基板42上に半導体素子43を搭載し、この半導体素子43の所定の部位をマニピュレータ40のプローブ針41によって接触させながら、電圧を印加し、電流を流して検査測定を行なったり、あるいはまた半導体素子43の動作チェックのためにプローブ針41を通して電圧や電流を検出することができ、また半導体素子43の所定の部位にレーザ光を照射し、局部的なエネルギ加工を行なって半導体素子43の補修を行なう半導体検査測定装置に利用することができる。
10 架台
11 支持フレーム
12 測定チャンバ
13 搭載部
14 Z軸レール
15 シールドチャンバ
16 昇降ベース
17 顕微鏡
18 移動アーム
19 昇降ベース
20 Z軸レール
22 冷凍機
23 供給配管
24 戻り配管
25 連通配管
26 空気取込み分岐管
27 ヒータ
28 ルーツポンプ
29〜31 エアオペレーションバルブ
32 圧力調整器
40 マニピュレータ
41 プローブ針
42 DUT基板
43 半導体素子
46 昇降ベース
51 空気吹出し部
52 空気吸引部
53 整流板
54 空気の流れ
58 保持部
62 基台
63 X軸レール
64 X軸移動台
65 送りねじ
66 Y軸移動台
67 回動リンク
68 ピン
69 送りねじ
70 押圧コロ
71 突片
72 軸受
73 駆動軸
74、75 ユニバーサルジョイント
76 ロッド
77 スリーブ
78 長孔
79 ピン
81、82 傘歯車
83 送りねじ
84 Z軸移動台
85 Z軸レール
86 マグネットチャック
90 直立ベース
91 X軸操作つまみ
92 Y軸操作つまみ
93 Z軸操作つまみ
94 マグネットチャック操作軸
95 ピン
96 操作部
100 側板(遮光板)
101〜104 開口
105 取付け板
110 蓋体
111 側壁
112 凹部
113 横長開口
114 補助蓋
115、116 開口
117、118 対物レンズ
121、122 空気通路
123 チューブ
124 流量計
125 フロート
126 フォトセンサ
127 空気通路(縦方向)
128 連通ブロック
129、130 空気通路
131 開放端

Claims (12)

  1. シールドチャンバ内に配されたマニピュレータによってプローブ針を半導体に接触させて検査あるいは測定を行なう半導体検査測定装置において、
    前記マニピュレータが前記シールドチャンバの側面の内側に沿って配されるとともに、前記マニピュレータはX軸調整機構、Y軸調整機構、Z軸調整機構を備え、
    前記X軸調整機構は前記シールドチャンバの検査測定位置に向う方向に前記プローブ針を移動させる調整ねじを設けたX軸移動台を有し、
    前記Y軸調整機構は、前記X軸移動台上に設けられ、前記シールドチャンバの検査測定位置に向う方向と直角な横方向に前記プローブ針を移動させるY軸移動台と、該Y軸移動台を前記横方向に移動させる回動リンク機構を有し、
    前記Z軸調整機構は前記Y軸移動台上に設けられ、前記シールドチャンバの高さ方向に移動させるZ軸移動台と、該Z軸移動台を高さ方向に移動させるユニバーサルジョイントとを有し、
    前記X軸調整機構の操作部と前記Y軸調整機構の操作部と前記Z軸調整機構の操作部とが、前記シールドチャンバの外側面と平行な操作面に対して直角に外側に突出するように配されることを特徴とする半導体検査測定装置。
  2. 前記シールドチャンバが扁平な多角形の筐体から構成され、該シールドチャンバ内に複数のマニピュレータが配されるとともに、それぞれのマニピュレータのプローブ針が前記シールドチャンバの検査測定位置に向うように前記マニピュレータが前記多角形の各辺を構成する側板の内側に配され、前記マニピュレータの操作面が前記多角形の各辺を構成する側板の外表面であることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査測定装置。
  3. 前記マニピュレータのプローブ針の先端部が前記シールドチャンバの底部開口を通して前記シールドチャンバの下側に配される搭載部に搭載される半導体素子と接触することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体検査測定装置。
  4. 前記Y軸調整機構は、前記マニピュレータのフレームによってX−Y平面上で回動可能に支持された3角形の回動リンクと、Y軸調整機構の操作子によって前記回動リンクを回動させる調整ねじと、前記3角形の回動リンクの先端部に取付けられた押圧コロとを有し、該押圧コロが前記X軸移動台上に設けられたY軸移動台を横方向に押して移動させるとともに、前記押圧コロの転動によってX軸方向の移動を吸収することを特徴とする請求項1に記載の半導体検査測定装置。
  5. 前記Z軸調整機構は、前記Y軸移動台上に設けられて回転方向を直角に変換する一対の傘歯車と、従動側の傘歯車によって回転してZ軸移動台を移動させる送りねじと、Z軸調整機構の操作子によって駆動側の傘歯車を駆動するユニバーサルジョイントと、伸縮機構とを有し、該ユニバーサルジョイントによって前記Y軸方向の移動を吸収し、前記伸縮機構によってX軸方向の移動を吸収することを特徴とする請求項1に記載の半導体検査測定装置。
  6. 前記マニピュレータがその内側に配されるシールドチャンバの側板が、前記マニピュレータの操作面を覆うシールド板を兼ねており、該シールド板はX軸調整機構の操作部とY軸調整機構の操作部とZ軸調整機構の操作部とをそれぞれ挿通させる挿通孔を設けてあり、前記X軸調整機構の操作部と前記Y軸調整機構の操作部と前記Z軸調整機構の操作部とをそれぞれ前記挿通孔に挿通させた状態で前記マニピュレータの操作面を外側から覆うとともに前記シールドチャンバの隣接する側板と前記マニピュレータとの間の隙間を塞ぐことを特徴とする請求項2に記載の半導体検査測定装置。
  7. 前記シールドチャンバが複数の側板を組合わせて構成され、しかも各側板にはガス通路が設けられ、各側板が正しく組立てられると前記ガス通路が互いに連通されるようになっており、互いに連通される前記ガス通路の一端がガス圧源に接続され、前記ガス通路の他端がフロートを有する流量計に接続され、前記流量計のフロートをセンサで検出することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体検査測定装置。
  8. 前記シールドチャンバの上部開口を閉じるように蓋体が着脱自在または開閉自在に取付けられ、さらに前記蓋体のほぼ中央部の顕微鏡による観察を行なう開口に補助蓋が取付けられ、前記シールドチャンバの側板に設けられた空気通路と連通する空気通路が前記蓋体に設けられ、該蓋体の空気通路の開放端が前記補助蓋によって閉塞されるようになっていることを特徴とする請求項7に記載の半導体検査測定装置。
  9. 前記マニピュレータを内部に配したシールドチャンバの下側に測定チャンバが配され、該測定チャンバの下側に検査あるいは測定を行なう半導体素子の搭載部が配され、前記測定チャンバはその外周側に加熱および/または冷却ユニットを備えるとともに中央部が空間になっており、該空間を通して前記マニピュレータのプローブ針の先端部を半導体素子の所定の部位に接触させることを特徴とする請求項1に記載の半導体検査測定装置。
  10. 前記測定チャンバに対して前記シールドチャンバおよび前記搭載部が上下に移動自在であって、前記測定チャンバの中央の空間を下から閉じるように前記搭載部が上昇し、前記シールドチャンバが前記測定用チャンバの中央の空間を上から閉じるように前記シールドチャンバが下降して前記半導体素子の検査または測定が行なわれることを特徴とする請求項9に記載の半導体検査測定装置。
  11. 前記シールドチャンバの上部に顕微鏡が配され、前記半導体の前記マニピュレータのプローブ針の先端部が接触する位置の近傍を観察することを特徴とする請求項9または10に記載の半導体検査測定装置。
  12. 前記シールドチャンバの蓋体に開口が設けられ、該開口に前記顕微鏡の対物レンズが挿入されるとともに、前記開口の隙間を閉じるように補助蓋が設けられることを特徴とする請求項11に記載の半導体検査測定装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110596435A (zh) * 2015-12-28 2019-12-20 塞莱敦系统股份有限公司 用于受测试器件的模块化轨道系统、轨道系统、机构以及设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103630849B (zh) * 2013-11-08 2016-08-24 四川长虹电器股份有限公司 家电电源自动测试装置及测试方法
CN114384404B (zh) * 2022-03-23 2022-08-23 上海菲莱测试技术有限公司 一种冷却测试装配单元及老化冷却设备
CN116699246B (zh) * 2023-08-04 2023-10-03 滨州高新高端装备制造产业园有限公司 机电设备制造的电器件阻值测量装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0402490B1 (de) * 1989-06-10 1993-05-19 Deutsche ITT Industries GmbH Messspitzen-Manipulator für Wafermessgeräte
US6744268B2 (en) * 1998-08-27 2004-06-01 The Micromanipulator Company, Inc. High resolution analytical probe station
JP3837545B2 (ja) * 2003-05-19 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 試料温度可変小型プローバ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110596435A (zh) * 2015-12-28 2019-12-20 塞莱敦系统股份有限公司 用于受测试器件的模块化轨道系统、轨道系统、机构以及设备
US11313902B2 (en) 2015-12-28 2022-04-26 Celadon Systems, Inc. Modular rail systems, rail systems, mechanisms, and equipment for devices under test
CN110596435B (zh) * 2015-12-28 2022-07-05 塞莱敦系统股份有限公司 用于受测试器件的模块化轨道系统、轨道系统、机构以及设备

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