JP5317198B2 - グレーティング結合器 - Google Patents
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Description
グレーティング周期=(0.40±0.020)×(伝搬光の中心波長)
グレーティング深さ=(0.097±0.032)×(伝搬光の中心波長)
2 面型受光素子
10 シリコン基板
11 埋め込み酸化シリコン層
12 シリコン層
13 導波路
14 溝
15 グレーティング
16 上部クラッド層
17、18 電極パッド
Claims (6)
- シリコンオンインシュレータ(SOI)構造のシリコン層に形成した導波路と、
前記導波路の上面に形成したグレーティングと、
屈折率が1.70以上の透明誘電体材料で構成され、前記グレーティングを被覆する透明誘電体被膜と、
前記透明誘電体被膜を介して前記グレーティング上に設置された面受光型の受光素子と、を備え、
前記グレーティングを、溝周期が(0.400±0.020)×(前記導波路を伝搬する光の中心波長)、溝深さが(0.097±0.032)×(前記導波路を伝搬する光の中心波長)である複数の周期的な溝で構成したことを特徴とする、グレーティング結合器。 - 請求項1に記載のグレーティング結合器であって、前記導波路の断面は一辺が0.3μmの正方形形状を有していることを特徴とする、グレーティング結合器。
- 請求項1又は2に記載のグレーティング結合器であって、前記グレーティングは前記導波路を伝搬する光の中心波長を1.55μmとして構成されている、グレーティング結合器。
- 請求項2に記載のグレーティング結合器であって、前記透明誘電体材料は、SiONx、SiN、五酸化タンタル、重フリントガラスのいずれかである、グレーティング結合器。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載のグレーティング結合器であって、前記受光素子は30μmφの有効受光面を有することを特徴とする、グレーティング結合器。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載のグレーティング結合器であって、前記グレーティングは、前記導波路の光放射側端部を拡大し、該拡大部に形成したことを特徴とする、グレーティング結合器。
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