JP5310821B2 - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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Description
2 被処理物
3 対向電極
4 第1の電極
5 耐圧誘電体部材
5a 内表面
5b 外表面
6 プラズマ
7 第2の電極
7a、7b、7e、7g 高周波透過部
7d 外周体
7f 中央体
11、13、15 電源
12、14、16 可変コンデンサ
21、22 誘電体
23 ねじ
31 補助誘電体部材
31a 外周体
31c 中央体
31b、31d 高周波透過部
Claims (1)
- 減圧可能なチャンバと、このチャンバの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバ内に反応ガスからなるプラズマを発生させて対向電極に支持した被処理物をエッチングする第1の電極と、この第1の電極と前記耐圧誘電体部材との間に設けられて耐圧誘電体部材の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第2の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記耐圧誘電体部材の内表面への反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材の削れ量との部分的な違いに応じた誘電率の差、厚みの差、配置密度の差の少なくとも1つを有して、前記第2の電極と前記耐圧誘電体部材との間に補助誘電体部材を配し、
補助誘電体部材は、環状で外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット外周体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断外周体の1つと、この有スリット外周体または分断外周体の内側にそれらと環状の高周波透過部を有して選択配置される無スリット中央体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を持った有スリット中央体、スリット状の高周波透過部を有して周方向に分断された分断中央体の1つとの組合わせとして、配置密度の差を設定してあることを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011235760A JP5310821B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | プラズマエッチング装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2006311383A Division JP4888076B2 (ja) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012033960A JP2012033960A (ja) | 2012-02-16 |
JP5310821B2 true JP5310821B2 (ja) | 2013-10-09 |
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JP2011235760A Active JP5310821B2 (ja) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5310821B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6762026B2 (ja) * | 2016-08-17 | 2020-09-30 | サムコ株式会社 | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
US11521828B2 (en) * | 2017-10-09 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source |
JP2022085103A (ja) * | 2020-11-27 | 2022-06-08 | 日新電機株式会社 | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305184A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP3816081B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2006-08-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
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2011
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Publication number | Publication date |
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JP2012033960A (ja) | 2012-02-16 |
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A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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