JP5305959B2 - 有機発光装置の製造方法 - Google Patents
有機発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5305959B2 JP5305959B2 JP2009028491A JP2009028491A JP5305959B2 JP 5305959 B2 JP5305959 B2 JP 5305959B2 JP 2009028491 A JP2009028491 A JP 2009028491A JP 2009028491 A JP2009028491 A JP 2009028491A JP 5305959 B2 JP5305959 B2 JP 5305959B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic light
- light emitting
- emitting device
- sealing substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 149
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 86
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 82
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 5
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 4
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 claims description 4
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
前記基板上に設けられた有機発光素子と、
前記有機発光素子を被覆する保護部材と、
前記保護部材上に設けられる封止基板と、
前記基板と前記封止基板とを接合する接合部材と、
前記保護部材と該接合部材との間に設けられる障壁部材と、を有しており、
前記保護部材と前記障壁部材とが接触しており、
前記保護部材と前記接合部材とが接触していない有機発光装置の製造方法において、
以下の工程(1)〜(10)が含まれることを特徴とする。
(1)基板を用意する工程
(2)前記基板上に有機発光素子を設ける工程
(3)封止基板を用意する工程
(4)前記封止基板上であって前記有機発光素子を封止する領域の外周にフリットペーストからなる薄膜を塗布形成する工程
(5)前記封止基板上であって前記フリットペーストからなる薄膜の内周に、無機材料を含むペーストからなる障壁部材を塗布形成する工程
(6)前記フリットペーストからなる薄膜及び前記障壁部材の焼成を行う工程
(7)前記焼成の後、少なくとも前記封止基板の前記フリットペーストからなる薄膜及び前記障壁部材が設けられている面についてUV/オゾンによる洗浄処理を行う工程
(8)前記UV/オゾンによる洗浄処理を行った後、前記封止基板上であって前記障壁部材が取り囲む領域内に保護部材を設ける工程
(9)前記基板と前記封止基板とを対向設置する工程
(10)前記フリットガラスからなる薄膜にレーザーを照射し、前記基板と前記封止基板とを接合する工程
(1)基板を用意する工程
(2)基板上に有機発光素子を設ける工程
(3)封止基板を用意する工程
(4)封止基板上であって該封止基板の外周にフリットガラスからなる薄膜を形成する 工程
(5)封止基板上であって前記フリットガラスからなる薄膜の内周に障壁部材を形成す る工程
(6)封止基板上であって前記障壁部材が取り囲む領域内に保護部材を形成する工程
(7)基板と封止基板とを対向設置する工程
(8)フリットガラスからなる薄膜にレーザーを照射し、基板と封止基板とを接合する 工程
図1に示すように、基板11上に有機発光素子15を形成する詳細な方法について以下に述べる。
[下部電極の形成]
Crターゲットを使用し、DCスパッタ法により、基板11上にCr膜を成膜することにより下部電極12を形成した。このとき下部電極12の膜厚を100nmとし、雰囲気ガス(Arガス)の圧力を0.2Paとし、投入電力を300Wの条件とした。尚、本実施例において、下部電極12は陽極として機能する。
次に、下部電極12まで形成した基板11をスパッタ装置より取り出した後、アセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。次に、UV/オゾン洗浄を行った。次に、この基板を有機EL蒸着装置へ移した後、前処理室内を真空排気した。次に、この前処理室内において基板付近に設けたリング状電極に50WのRF電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。
次に、基板11を前処理室より成膜室へ移動した後、成膜室内の気圧が1×10-4Paになるまで成膜室内の真空排気を行った。次に、抵抗加熱蒸着法により、下部電極12上に、有機化合物層13を形成した。具体的には、まず下部電極12上に、正孔輸送性を有するα−NPDを成膜して正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を35nmとし、成膜速度を0.2nm/sec〜0.3nm/secの条件とした。次に、抵抗加熱蒸着法により、正孔輸送層上に、アルキレート錯体であるAlq3を成膜して発光層を形成した。このとき発光層の膜厚を15nmとし、成膜速度を0.2nm/sec〜0.3nm/secの条件とした。次に、抵抗加熱共蒸着法により、発光層上に、Alq3と炭酸セシウムとを膜厚比9:1の割合で混合されるように、各々の蒸着速度を調整して共蒸着・成膜を行い、電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を35nmとし、成膜速度を0.2nm/sec〜0.3nm/secの条件とした。
次に、電子注入層まで形成された基板を別の成膜室に移し、電子注入層上に上部電極14を形成した。具体的には、ITOターゲットを使用し、DCマグネトロンスパッタリング法により、電子注入層上にITO膜を成膜することにより上部電極14を形成した。このとき上部電極14の膜厚を130nmとし、成膜時の温度条件を室温とし、成膜室内の圧力を1.0Paとし、ターゲットに印加する電力を500Wとした。尚、成膜室内には、Arガス、H2Oガス及びO2ガスを、それぞれ500scccm、1.5scccm、5.0scccmの流量で流した。
次に、図3に示すように、封止基板17上に、薄膜18a、障壁部材19、保護部材16を形成した。以下に、詳細な方法を述べる。
まず薄膜18a等を形成する前に、封止基板17をUV/オゾン洗浄処理した。
次に、スクリーン印刷法により、封止基板17上の外周に、フリットガラスとブチルカルビトールアセテート及びニトロセルロースとを混合して調製したフリットペーストを塗布配置し、フリットガラスからなる薄膜18aを形成した。
次に、薄膜18aが塗布形成された封止基板17上であって薄膜18aの内側に、先程使用したフリットペーストを、薄膜18aに接触させないように、ディスペンス法で塗布配置し、障壁部材19(障壁用フリットガラス)を形成した。
上述した薄膜18aと障壁部材19が形成されている封止基板17を、300℃で30分間焼成させることで、薄膜18a及び障壁部材19に残存している液体物質を除去した。焼成後の薄膜18aの高さは100μmであり、障壁部材19の高さは60μmであり、障壁部材19の幅は0.3mmであった。次に、焼成した薄膜18a及び障壁部材19が形成された封止基板17についてUV/オゾンによる洗浄処理を行った。
次に、障壁部材19で囲まれている領域に、市販の熱硬化型エポキシ樹脂をディスペンス法で塗布することで保護部材16を形成した。このとき、塗布する熱硬化型エポキシ樹脂については、樹脂粘度が4000mPa・sである材料を使用した。
次に、図4に示すように、薄膜18a、障壁部材19及び保護部材16が形成された封止基板17を、薄膜18a、障壁部材19及び保護部材16が基板11に向けるように対向は位置した。次に、基板11と封止基板17の間に圧力を加えることによって、基板11と封止基板17とを貼り合わせた。尚、この貼り合わせにより、保護部材16は有機発光素子15を被覆する。また同時に、保護部材16の一部は張り合わせ時の圧力により薄膜18aの方向に押し出されるが、そのほとんどが障壁部材19に直面し、薄膜18a方向への進行が阻止される。次に、貼り合わせた両基板を80℃で30分間加熱させることで、保護部材16を熱硬化させた。
次に、薄膜18aにレーザーを照射し、薄膜18aを溶融固化することによって、基板11と封止基板17とを接合する接合部材18を形成した。以上により、有機発光装置1を得た。
障壁部材19の構成材料としてゼオライトを使用した。以下に、本実施例について、実施例1と異なる事項を中心に述べる。
[障壁部材の形成]
フリットガラスからなる薄膜18aが塗布形成された封止基板17上であって薄膜18aの内側に、品川化成株式会社の市販品であるゼオライトペーストを、薄膜18aに接触させないように、ディスペンス法で塗布配置し、障壁部材19を形成した。
上述した薄膜18aと障壁部材19が形成されている封止基板17を、300℃で30分間焼成させることで、薄膜18a及び障壁部材19に残存している液体物質を除去した。焼成後の薄膜18aの高さは100μmであり、障壁部材19の高さは60μmであり、障壁部材19の幅は0.3mmであった。
障壁部材19の構成材料として活性炭を使用した。以下に、本実施例について、実施例1と異なる事項を中心に述べる。
[障壁部材の形成]
フリットガラスからなる薄膜18aが塗布形成された封止基板17上であって薄膜18aの内側に、活性炭とアルコキシシラン溶液とを混合して調製した活性炭ペーストを、薄膜18aに接触させないように、ディスペンス法で塗布配置し、障壁部材19を形成した。
上述した薄膜18aと障壁部材19が形成されている封止基板17を、300℃で30分間焼成させることで、薄膜18a及び障壁部材19に残存している液体物質を除去した。焼成後の薄膜18aの高さは100μmであり、障壁部材19の高さは60μmであり、障壁部材19の幅は0.3mmであった。
障壁部材19の構成材料としてシリカゲルを使用した。以下に、本実施例について、実施例1と異なる事項を中心に述べる。
[障壁部材の形成]
フリットガラスからなる薄膜18aが塗布形成された封止基板17上であって薄膜18aの内側に、シリカゲルとアルコキシシラン溶液とを混合して調製したシリカゲルペーストを、薄膜18aに接触させないように、ディスペンス法で塗布配置した。これにより、障壁部材19を形成した。
上述した薄膜18aと障壁部材19が形成されている封止基板17を、300℃で30分間焼成させることで、薄膜18a及び障壁部材19に残存している液体物質を除去した。焼成後の薄膜18aの高さは100μmであり、障壁部材19の高さは60μmであり、障壁部材19の幅は0.3mmであった。
11 基板
12 下部電極
13 有機化合物層
14 上部電極
15 有機発光素子
16 保護部材
17 封止基板
18 接合部材
18a (フリットガラスからなる)薄膜
19 障壁部材
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に設けられた有機発光素子と、
前記有機発光素子を被覆する保護部材と、
前記保護部材上に設けられる封止基板と、
前記基板と前記封止基板とを接合する接合部材と、
前記保護部材と前記接合部材との間に設けられる障壁部材と、を有しており、
前記保護部材と前記障壁部材とが接触しており、
前記保護部材と前記接合部材とが接触していない有機発光装置の製造方法において、
以下の工程(1)〜(10)が含まれることを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
(1)基板を用意する工程
(2)前記基板上に有機発光素子を設ける工程
(3)封止基板を用意する工程
(4)前記封止基板上であって前記有機発光素子を封止する領域の外周にフリットペーストからなる薄膜を塗布形成する工程
(5)前記封止基板上であって前記フリットペーストからなる薄膜の内周に、無機材料を含むペーストからなる障壁部材を塗布形成する工程
(6)前記フリットペーストからなる薄膜及び前記障壁部材の焼成を行う工程
(7)前記焼成の後、少なくとも前記封止基板の前記フリットペーストからなる薄膜及び前記障壁部材が設けられている面についてUV/オゾンによる洗浄処理を行う工程
(8)前記UV/オゾンによる洗浄処理を行った後、前記封止基板上であって前記障壁部材が取り囲む領域内に保護部材を設ける工程
(9)前記基板と前記封止基板とを対向設置する工程
(10)前記フリットガラスからなる薄膜にレーザーを照射し、前記基板と前記封止基板とを接合する工程 - 前記障壁部材が酸素吸収剤及び脱水剤のいずれかを含むことを特徴とする、請求項1に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記酸素吸収剤が活性炭であり、前記脱水剤がゼオライト又はシリカゲルであることを特徴とする、請求項2に記載の有機発光装置の製造方法。
- 前記障壁部材がフリットガラスで形成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009028491A JP5305959B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-02-10 | 有機発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009028491A JP5305959B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-02-10 | 有機発光装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010186581A JP2010186581A (ja) | 2010-08-26 |
JP2010186581A5 JP2010186581A5 (ja) | 2012-03-22 |
JP5305959B2 true JP5305959B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=42767122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009028491A Expired - Fee Related JP5305959B2 (ja) | 2009-02-10 | 2009-02-10 | 有機発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5305959B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012161151A1 (ja) * | 2011-05-25 | 2014-07-31 | コニカミノルタ株式会社 | 有機el素子、及び有機el素子の製造方法 |
KR102505255B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2023-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210464A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子 |
JP2005340020A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP2006236745A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電気機器及び光書き込みヘッド |
JP2008281722A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
KR100879864B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2009-01-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR101376319B1 (ko) * | 2007-07-27 | 2014-03-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 디스플레이 소자의 실링방법 |
KR101375334B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2014-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP2010080087A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 平面表示装置の製造方法、平面表示装置の製造装置及び平面表示装置 |
KR100976457B1 (ko) * | 2008-10-22 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-02-10 JP JP2009028491A patent/JP5305959B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010186581A (ja) | 2010-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100713987B1 (ko) | 기판 밀착장치 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치의밀봉방법 | |
KR101930129B1 (ko) | 유기 el 패널 및 그 제조 방법 | |
JP3676748B2 (ja) | 表示素子の封入およびその形成方法 | |
KR101097307B1 (ko) | 실링 장치 | |
WO2016086535A1 (zh) | Oled封装结构及其封装方法 | |
JP2010262273A (ja) | レーザ照射装置及び平板ディスプレイ装置の製造方法 | |
JP2010027599A (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
JP4708360B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 | |
KR100711879B1 (ko) | 평판표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2000252058A (ja) | 有機el表示装置素子およびその封止方法 | |
JP2008084599A (ja) | 有機el発光装置、及び有機el発光装置の製造方法 | |
JP5305959B2 (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
KR100287863B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
JP2009259690A (ja) | 電界発光素子及びその製造方法 | |
WO2010007656A1 (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
US20120205032A1 (en) | Manufacturing method of airtight container and image display apparatus | |
JP5318182B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2003332046A (ja) | 有機el素子及び有機el素子の製造方法 | |
JP2013222599A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP5407819B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 | |
JP2010244866A (ja) | 有機el表示装置 | |
KR100711895B1 (ko) | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법 | |
KR102253214B1 (ko) | Oled 디스플레이의 패키징 방법 및 oled 디스플레이 | |
WO2018133143A1 (zh) | Oled封装方法 | |
JP2010170765A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120208 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130528 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130625 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |