JP5304489B2

JP5304489B2 - 電波吸収体

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Publication number: JP5304489B2
Application number: JP2009156828A
Authority: JP
Inventors: 育生曽我; 大介岩井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2009-07-01
Filing date: 2009-07-01
Publication date: 2013-10-02
Anticipated expiration: 2029-07-01
Also published as: JP2011014684A

Description

本発明は、電波障害等の原因となる電波を吸収するための電波吸収体に関する。

コンピュータに用いられているＣＰＵ等のＬＳＩから放射される高周波の電磁波や、無線システムの普及に伴い増加している広い帯域のマイクロ波が周辺機器に悪影響を与える電波障害（ＥＭＩ：ElectroMagneticInterference）が問題となっている。

このような電波障害を回避する手段として、電波吸収体が用いられている。電波吸収体の材料としては、コスト・量産性などに優れたプラスチック複合材料や樹脂複合材料が用いられている。また、カーボンナノチューブ等のカーボン系材料を、樹脂等の電気的絶縁性有機物に分散させた電波吸収体も知られている。

特開２００５−３１１３３０号公報特開２００７−３３５６８０号公報特開２００５−２５２０８０号公報

しかしながら、上記従来の電波吸収体は、電波吸収性能が十分であるとはいえず、ミリ波帯までの広帯域で使用できる電波吸収体の開発が待望されていた。

本発明の目的は、吸収する電磁波の周波数を容易に設定でき、電波吸収性の高い電波吸収体を提供することにある。

実施形態の一観点によれば、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するキャパシタと、前記キャパシタの前記第２の電極上に形成された炭素元素の線状構造体の束とを有し、吸収しようとする電磁波が伝搬する空間からみた入力インピーダンスが、前記空間の電波特性インピーダンスに整合するように、前記キャパシタの容量及び前記線状構造体の束の長さが調整されている電波吸収体が提供される。

また、実施形態の他の観点によれば、電磁波が生じる電磁波発生源と、前記電磁波発生源上に形成され、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するキャパシタと、前記キャパシタの前記第２の電極上に形成された炭素元素の線状構造体の束とを有し、前記電磁波が伝搬する空間からみた入力インピーダンスが、前記空間の電波特性インピーダンスに整合するように、前記キャパシタの容量及び前記線状構造体の束の長さが調整された電波吸収体とを有する電子機器が提供される。

開示の電波吸収体によれば、キャパシタ及び炭素元素の線状構造体の束により形成されたＬＣ回路を含む電波吸収体を形成するので、電波吸収体の入力インピーダンスを電波特性インピーダンスに容易に整合させることができる。これにより、吸収しようとする電磁波の周波数を容易にチューニングすることができる。また、この構造によれば、電波吸収体を極めて薄い形状にすることができる。これにより、電磁波の入射角度に対する電波吸収体のインピーダンスの変化が小さくなり、広い角度から入射する電磁波を効率よく吸収することができる。

図１は、第１実施形態による電波吸収体の構造を示す概略断面図（その１）である。図１は、第１実施形態による電波吸収体の構造を示す概略断面図（その２）である。図３は、第１実施形態による電波吸収体の等価回路を示す図である。図４は、第１実施形態による電波吸収体における入力インピーダンスの周波数依存性を示すグラフ（その１）である。図５は、第１実施形態による電波吸収体における入力インピーダンスの周波数依存性を示すグラフ（その２）である。図６は、第１実施形態による電波吸収体の製造方法を示す工程断面図である。図７は、第２実施形態による電波吸収体の構造を示す概略断面図（その１）である。図８は、第２実施形態による電波吸収体の構造を示す概略断面図（その２）である。図９は、第２実施形態による電波吸収体の製造方法を示す工程断面図である。

［第１実施形態］
第１実施形態による電波吸収体について図１乃至図６を用いて説明する。

図１及び図２は、本実施形態による電波吸収体の構造を示す概略断面図である。図３は、本実施形態による電波吸収体の等価回路を示す図である。図４及び図５は、本実施形態による電波吸収体における入力インピーダンスＺ_ｉｎの周波数依存性を示すグラフである。図６は、本実施形態による電波吸収体の製造方法を示す工程断面図である。

はじめに、本実施形態による電波吸収体の構造について図１及び図２を用いて説明する。

基板１０上には、下部電極１２が形成されている。下部電極１２上には、誘電体膜１４が形成されている。誘電体膜１４上には、複数の上部電極１６が形成されている。こうして、基板１０上には、下部電極１２と誘電体膜１４と上部電極１６とをそれぞれ有し、下部電極１２を共通の電極とする複数のキャパシタ２０が形成されている。

キャパシタ２０の上部電極１６上には、カーボンナノチューブ２２の束がそれぞれ形成されている。こうして、基板１０上には、キャパシタ２０とカーボンナノチューブ２２とを含む構造体が、複数形成されている。

下部電極１２は、基準電位、例えば接地電位に接続される。図１では、複数の構造体の下部電極１２を一の共通電極により形成しているが、下部電極１２は、必ずしも一の電極により形成する必要はない。例えば図２に示すように、キャパシタ２０毎に下部電極１２を分割し或いは下部電極１２間に基板１０に達する開口部を設けるようにしてもよい。

本実施形態による電波吸収体は、図３（ａ）に示すように、カーボンナノチューブ２２の上端部側に電磁波が入射するように配置される。

本実施形態による電波吸収体の等価回路は、図３（ｂ）に示すように、抵抗ＲとインダクタＬとキャパシタＣとの直列接続によって表すことができる。抵抗Ｒ及びインダクタＬがカーボンナノチューブ２２に対応し、キャパシタＣがキャパシタ２０に対応する。カーボンナノチューブ２２は、カイネティックインダクタンスが非常に大きい導電性の材料であり、抵抗成分に加え、インダクタンス成分を備えている。

この場合、電磁波の入射側から見た本実施形態による電波吸収体の入力インピーダンスＺ_ｉｎは、図３（ｂ）の等価回路から、
Ｚ_ｉｎ＝２（Ｒ＋ＪωＬ＋１／ｊωＣ）
と表すことができる。入力インピーダンスＺ_ｉｎと電磁波が伝搬している空間の電波特性インピーダンスとをマッチングすることにより、この空間中を伝搬している電磁波を吸収することができる。

例えば、自由空間（真空中や空気中）の電波特性インピーダンスは、３７７Ω程度である。自由空間を伝搬する電磁波を効率よく吸収するためには、電波吸収体のインピーダンスを、電波特性インピーダンスに合致する３７７Ω程度になるように制御することが望ましい。

カーボンナノチューブは、長さによって抵抗Ｒ及びインダクタンスＬを調節することができる。また、キャパシタは、絶縁膜の厚さ、電極の面積、絶縁膜を形成する絶縁材料の誘電率によって容量Ｃを調節することができる。したがって、カーボンナノチューブ及びキャパシタの上記パラメータによって、本実施形態による電波吸収体の入力インピーダンスＺ_ｉｎを適宜設定することができる。

図４及び図５は、本実施形態による電波吸収体における入力インピーダンスＺ_ｉｎの周波数依存性を示すグラフである。縦軸が入力インピーダンスＺ_ｉｎのリアクタンス成分を表し、横軸は電磁波の周波数を表している。

図４及び図５のグラフは、カーボンナノチューブの束径を１０μｍ、カーボンナノチューブの長さを８μｍ、キャパシタの絶縁膜の厚さを２００ｎｍとし、キャパシタの電極面積によって容量Ｃを変化した場合の測定例である。容量Ｃは、１ｆＦ、５ｆＦ、０．０１ｐＦ、０．０５ｐＦ、０．１ｐＦ、０．５ｐＦとした。図４及び図５の測定において、入力インピーダンスＺ_ｉｎのレジスタンス成分は、３７７Ωに固定している。

入力インピーダンスＺ_ｉｎは、
Ｚ_ｉｎ＝Ｒ＋ｊＸ
で表される。ここで、Ｒはレジスタンス成分であり、Ｘはリアクタンス成分である。入力インピーダンスＺ_ｉｎのレジスタンス成分Ｒが３７７Ωの場合、入力インピーダンスＺ_ｉｎのリアクタンス成分が０Ωのときに、入力インピーダンスＺ_ｉｎが３７７Ωとなり、電磁波の吸収が起こる。例えば、キャパシタの容量を０．１ｐＦとすることにより、周波数が４ＧＨｚの電磁波を吸収することができる。

図５は、キャパシタの容量Ｃを０．０５ｐＦから０．２ｐＦの範囲で変化したときの入力インピーダンスＺ_ｉｎの周波数依存性を示している。

図５に示すように、キャパシタの容量Ｃを０．０５ｐＦから０．２ｐＦの範囲で変化することにより、２．５ＧＨｚから５．５ＧＨｚまでの広範囲の電磁波を吸収することができる。

基板１０上に形成する複数のキャパシタ２０は、同じ容量であってもよいし、異なる容量であってもよい。容量の異なる複数のキャパシタ２０を設ければ、上述のように、所定の範囲の電磁波を吸収することが可能となる。

上述のように、本実施形態による電波吸収体は、キャパシタ２０により規定される容量と、カーボンナノチューブ２２により規定される抵抗とインダクタとにより、吸収される電磁波の周波数が規定される。上述のように、キャパシタ２０は、絶縁膜の厚さ、電極の面積、絶縁膜を形成する絶縁材料の誘電率によって、容量を容易に調節することができる。また、カーボンナノチューブ２２は、長さによって抵抗及びインダクタンスを容易に調節することができる。したがって、本実施形態による電波吸収体は、吸収する電磁波の周波数制御性が非常に高いものである。

また、本実施形態による電波吸収体は、非常に薄く、電磁波の入射角度に対する電波吸収体のインピーダンスの変化が小さいため、広い角度から入射する電磁波を吸収することが可能である。

本実施形態による電波吸収体は、例えば、電子機器の内部、道路通行料自動徴収システム（ＥＴＣ）や車載レーダ等の民生無線通信システム、戦闘機・軍艦等の軍事ステルス兵器等に用いられる電波吸収体に適用可能である。

電子機器への用途としては、例えば、ＣＰＵ等のＬＳＩ等の電磁波放出源から放射される高周波の電磁波を吸収するための電波吸収体として適用可能である。電磁波放出源上に本実施形態による電波吸収体を配置することにより、電磁波放出源から放出される電磁波を効率よく吸収することができる。

次に、本実施形態による電波吸収体の製造方法について図６を用いて説明する。

まず、電波吸収体を形成する際の下地となる基板１０を用意する。基板１０は、特に限定されるものではない。基板１０としては、例えば、アルミナセラミック、ＡｌＮセラミック、石英、ガラス、シリコン、金属等の基板を適用することができる。

次いで、基板１０上に、例えばスパッタ法により、金属膜１２ａと、絶縁膜１４ａと、金属膜１６ａとを順次堆積する。金属膜１２ａは、キャパシタの下部電極１２となる膜である。絶縁膜１４ａは、キャパシタの誘電体膜１４となる膜である。金属膜１６ａは、キャパシタの上部電極１６となる膜である。

金属膜１２ａ，１６ａの形成材料は、特に限定されるものではないが、例えば、金、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、モリブデン等を適用することができる。金属膜１２ａの形成材料と金属膜１６ａの形成材料とは、同じであっても異なっていてもよい。

絶縁膜１４ａの形成材料は、特に限定されるものではないが、例えば、酸化シリコン、酸化ハフニウム、窒化シリコン、アルミナ、酸化ジルコニウム等を適用することができる。複数の絶縁材料を積層して絶縁膜１４ａを形成するようにしてもよい。

なお、例えば図２に示すように下部電極１２をパターニングする場合にあっては、金属膜１２ａの形成後、絶縁膜１４ａの形成前に、金属膜１２ａをパターニングすることができる。下部電極１２と上部電極１６とを同じパターンに加工する場合には、後述の金属膜１６ａをパターニングする工程の際に、金属膜１２ａまでパターニングするようにしてもよい。

次いで、金属膜１６ａ上に、例えばスパッタ法により、触媒金属膜１８を形成する（図６（ａ））。触媒金属膜１８は、特に限定されるものではないが、例えば、鉄（２．５ｎｍ）、鉄（５ｎｍ）、Ｆｅ／Ａｌ（２．５ｎｍ／１０ｎｍ）、Ｆｅ／Ａｌ（５ｎｍ／１０ｎｍ）、Ｃｏ／ＴｉＮ（３．８ｎｍ／５ｎｍ）等を適用することができる。

次いで、例えばフォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、触媒金属膜１８及び金属膜１６ａをパターニングし、金属膜１６ａの上部電極１６を形成する（図６（ｂ））。

触媒金属膜１８は、上部電極１６の形成後、例えばメタルマスクを用いたリフトオフ等により、上部電極１６上に選択的に形成するようにしてもよい。

次いで、触媒金属膜１８を触媒として、例えば熱ＣＶＤ法により、カーボンナノチューブ２２を成長する。これにより、上部電極１６上に、基板１０の法線方向に沿って配向したカーボンナノチューブ２２が形成される。

カーボンナノチューブ２２の成長条件は、例えば、アセチレン：アルゴンの混合ガスを用い（流量比１ｓｃｃｍ：９ｓｃｃｍ）、圧力を１ｋＰａ、成長温度を６００〜８００℃程度とする。この場合、カーボンナノチューブ２２は、１×１０^１１本／ｃｍ^２程度の面密度の束となる。カーボンナノチューブ２２は、単層カーボンナノチューブ及び多層カーボンナノチューブのいずれでもよい。

カーボンナノチューブ２２の長さは、所望のインダクタンスＬに基づいて決定される。例えば、カーボンナノチューブ２２の束径が１０μｍの場合、１００μｍのカーボンナノチューブに対して約６０ｎＨのインダクタンスが見込まれる。カーボンナノチューブの長さは、特に限定されるものではないが、例えば１μｍ〜５００μｍの範囲が好適である。カーボンナノチューブ２２の長さは、成長時間によって制御することができる。

なお、触媒金属膜１８は、カーボンナノチューブ２２の成長の際に凝集し、カーボンナノチューブ２２内に取り込まれるため、カーボンナノチューブ２２形成後の図面では、触媒金属膜１８を省略している。

こうして、下部電極１２と誘電体膜１４と上部電極１６とを有するキャパシタ２０と、キャパシタ２０上に形成されたカーボンナノチューブ２２とを有する本実施形態による電波吸収体を完成する（図６（ｃ））。

このように、本実施形態によれば、キャパシタ及びカーボンナノチューブにより形成されたＬＣ回路を含む電波吸収体を形成するので、電波吸収体の入力インピーダンスを電波特性インピーダンスに容易に整合させることができる。これにより、吸収しようとする電磁波の周波数を容易にチューニングすることができる。また、本実施形態による電波吸収体は、極めて薄い形状であり、電磁波の入射角度に対する電波吸収体のインピーダンスの変化が小さく、広い角度から入射する電磁波を効率よく吸収することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態による電波吸収体及びその製造方法について図７乃至図９を用いて説明する。図１乃至図に示す第１実施形態による電波吸収体及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し又は簡潔にする。

図７及び図８は、本実施形態による電波吸収体の構造を示す概略断面図である。図９は、本実施形態による電波吸収体の製造方法を示す工程断面図である。

はじめに、本実施形態による電波吸収体の構造について図７及び図８を用いて説明する。

本実施形態による電波吸収体は、図７に示すように、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２を有する点は、第１実施形態による電波吸収体と同様である。本実施形態による電波吸収体は、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２を支持する部材として、基板１０の代わりに樹脂層２４を設けている。樹脂層２４は、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２を埋め込むように形成されている。

カーボンナノチューブ及びキャパシタを支持する部材として樹脂層２４を用いることにより、成型加工が容易な薄型の電波吸収体を形成することができる。

また、例えば図８に示すように、本実施形態による電波吸収体を複数枚重ね合わせることにより、電磁波吸収の効果を大きくすることができる。重ね合わせる層数は、図８に示すような２層に限定されるものではなく、３層以上であってもよい。

また、異なる周波数を吸収する複数の電波吸収体を重ね合わせれば、広帯域の周波数の電磁波を吸収することが可能となる。例えば、容量０．０５ｐＦのキャパシタ２０を有する電波吸収体と、容量０．１ｐＦのキャパシタ２０を有する電波吸収体と、容量０．２ｐＦのキャパシタ２０を有する電波吸収体を積層すれば、２．５ＧＨｚ〜５．５ＧＨｚの電磁波を吸収することができる（図５参照）。

電波吸収体を重ね合わせる際、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２の配置は、膜厚方向に重なるようにしてもよいし、例えば図８に示すように膜厚方向に重ならないようにしてもよい。

また、例えば図２に示すように下部電極１２に部分的に開口部を設けることにより、電磁波が下層の電波吸収体に到達しやすくすることもできる。

樹脂材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等を適用することができる。また、ＳＯＧ（Spin On Glass）などの塗布型絶縁膜形成用組成物などの無機系充填材、インジウム、はんだ、金属ペースト（例えば銀ペースト）などの金属材料、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性ポリマ等も適用することができる。これら材料の中から柔軟性を有する材料を選択することで、フレキシブルなシート状の電波吸収体にすることもできる。

次に、本実施形態による電波吸収体の製造方法について図９を用いて説明する。

まず、図６（ａ）乃至図６（ｃ）に示す第１実施形態による電波吸収体の製造方法と同様にして、基板１０上に、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２を形成する（図９（ａ））。

次いで、例えばスピンコート法やディップ法等により、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２が形成された基板１０上に樹脂材料を塗布する。樹脂材料は、液体状の性質を示し、その後に硬化できるものであれば、特に限定されるものではない。

次いで、基板１０上に塗布した樹脂材料を硬化し、樹脂層２４を形成する。

次いで、基板１０を剥離或いは選択的にエッチングし、本実施形態による電波吸収体を完成する（図９（ｃ））。

また、必要に応じて、このように形成した電波吸収体を積み重ねるようにしてもよい。この場合、樹脂層２４として、例えばホットメルト樹脂等の熱可塑性樹脂を用いれば、積層して加熱することにより、積み重ねた電波吸収体を容易に一体化することができる。

また、キャパシタ及びカーボンナノチューブを樹脂層中に埋め込み基板から剥離することにより、フレキシブルシートの電波吸収体を形成することができる。これにより、成型加工が容易な薄型電波吸収材料を提供することが可能となる。また、これを複数枚重ね合わせることにより、電波吸収の効果を大きくすることができる。また、異なる周波数を吸収する電波吸収体を多層に重ねることで、広帯域の周波数の電磁波を吸収することが可能となる。

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、カーボンナノチューブを用いた電波吸収体を示したが、カーボンナノチューブの代わりに、他の炭素元素の線状構造体を適用することもできる。炭素元素の線状構造体としては、カーボンナノチューブのほか、カーボンナノワイヤ、カーボンロッド、カーボンファイバが挙げられる。これら線状構造体は、サイズが異なるほかは、カーボンナノチューブと同様である。

また、上記第１及び第２実施形態では、キャパシタ２０の上部電極１６上にカーボンナノチューブ２２を形成したが、カーボンナノチューブ２２は、必ずしも上部電極１６上に形成する必要はない。キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２の配置は、図３の等価回路を実現できる範囲で、適宜変更することが可能である。

また、上記第２実施形態では、キャパシタ２０及びカーボンナノチューブ２２を支持する部材として樹脂層２４を設け、基板１０を除去しているが、必ずしも基板１０を除去する必要はない。また、基板１０上に、第２実施形態による電波吸収体を複数積層するようにしてもよい。

また、上記実施形態に記載の構成材料や製造条件は、当該記載に限定されるものではなく、目的等に応じて適宜変更が可能である。

また、電波吸収体の使用目的も、上記実施形態に記載のものに限定されるものではない。

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するキャパシタと、
前記キャパシタの前記第２の電極上に形成された炭素元素の線状構造体の束とを有し、
吸収しようとする電磁波が伝搬する空間からみた入力インピーダンスが、前記空間の電波特性インピーダンスに整合するように、前記キャパシタの容量及び前記線状構造体の束の長さが調整されている
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記２）付記１記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束は、基板上に形成されている
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記３）付記１又は２記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束は、樹脂層内に埋め込まれている
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記４）付記３記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束が埋め込まれた前記樹脂層を複数有し、
複数の前記樹脂層は、積層されている
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記５）付記１乃至４のいずれか１項に記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束により形成された構造体を複数有し、
複数の前記構造体は、第１の周波数の電磁波を吸収する第１の構造体と、前記第１の周波数と異なる第２の周波数の電磁波を吸収する第２の構造体とを含む
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記６）付記１乃至５のいずれか１項に記載の電波吸収体において、
前記線状構造体の束に含まれる複数の前記線状構造体は、同一方向に配向している
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記７）付記１乃至６のいずれか１項に記載の電波吸収体において、
前記線状構造体は、カーボンナノチューブである
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記８）付記１乃至８のいずれか１項に記載の電波吸収体において、
前記キャパシタの前記第１の電極は、基準電位に接続されている
ことを特徴とする電波吸収体。

（付記９）電磁波が生じる電磁波発生源と、
前記電磁波発生源上に形成され、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するキャパシタと、前記キャパシタの前記第２の電極上に形成された炭素元素の線状構造体の束とを有し、前記電磁波が伝搬する空間からみた入力インピーダンスが、前記空間の電波特性インピーダンスに整合するように、前記キャパシタの容量及び前記線状構造体の束の長さが調整された電波吸収体と
を有することを特徴とする電子機器。

１０…基板
１２ａ，１６ａ…金属膜
１２…下部電極
１４ａ…絶縁膜
１４…誘電体膜
１６…上部電極
１８…触媒金属膜
２０…キャパシタ
２２…カーボンナノチューブ
２４…樹脂層

Claims

第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するキャパシタと、
前記キャパシタの前記第２の電極上に形成された炭素元素の線状構造体の束とを有し、
吸収しようとする電磁波が伝搬する空間からみた入力インピーダンスが、前記空間の電波特性インピーダンスに整合するように、前記キャパシタの容量及び前記線状構造体の束の長さが調整されている
ことを特徴とする電波吸収体。
請求項１記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束は、樹脂層内に埋め込まれている
ことを特徴とする電波吸収体。
請求項２記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束が埋め込まれた前記樹脂層を複数有し、
複数の前記樹脂層は、積層されている
ことを特徴とする電波吸収体。
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電波吸収体において、
前記キャパシタ及び前記線状構造体の束により形成された構造体を複数有し、
複数の前記構造体は、第１の周波数の電磁波を吸収する第１の構造体と、前記第１の周波数と異なる第２の周波数の電磁波を吸収する第２の構造体とを含む
ことを特徴とする電波吸収体。
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電波吸収体において、
前記線状構造体は、カーボンナノチューブである
ことを特徴とする電波吸収体。
電磁波が生じる電磁波発生源と、
前記電磁波発生源上に形成され、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するキャパシタと、前記キャパシタの前記第２の電極上に形成された炭素元素の線状構造体の束とを有し、前記電磁波が伝搬する空間からみた入力インピーダンスが、前記空間の電波特性インピーダンスに整合するように、前記キャパシタの容量及び前記線状構造体の束の長さが調整された電波吸収体と
を有することを特徴とする電子機器。