JP5298407B2 - Method of manufacturing a reflective display device and a reflection type display device - Google Patents

Method of manufacturing a reflective display device and a reflection type display device Download PDF

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JP5298407B2 JP2006124885A JP2006124885A JP5298407B2 JP 5298407 B2 JP5298407 B2 JP 5298407B2 JP 2006124885 A JP2006124885 A JP 2006124885A JP 2006124885 A JP2006124885 A JP 2006124885A JP 5298407 B2 JP5298407 B2 JP 5298407B2
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure, a reflection type display device and a manufacturing method of semiconductor circuit which facilitates the positioning between a semiconductor circuit and a color filter, and to provide a manufacturing method of the reflection type display device. <P>SOLUTION: A non-alkali glass 1737 (thickness 0.5 mm) made by Corning Co., Ltd. is used as a substantially transparent planar substrate 3, a color filter layer 4 of R(red), G(green), B(blue) is formed on one side surface of the thickness direction and a protection layer made of a transparent resin is formed on the color filter layer. The semiconductor circuit comprising a substantially transparent thin film transistor and lines constituted by a substantially transparent conductive material having an electrical contact which conducts electricity to the thin film transistor is disposed on the surface of the color filter facing the side opposite to the substrate 3 while performing alignment with a filter array pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、構造体、反射型表示装置、半導体回路の製造方法および反射型表示装置の製造方法に関するものである。 The present invention, structure, reflective display device, a manufacturing method of the production method and the reflective display device of the semiconductor circuit.

一般に電子デバイスの駆動用トランジスタとして、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等を用いた薄膜トランジスタが用いられてきた。 Generally as a driving transistor of an electronic device, the thin film transistor has been used using amorphous silicon or polycrystalline silicon.
しかしながら、アモルファスシリコンや多結晶シリコンは不透明であり、また可視光領域において光感度を持つため、遮光膜が必要となる。 However, amorphous silicon or polycrystalline silicon is opaque, and because with photosensitivity in the visible light region, it is necessary to light-shielding film. そのため薄膜トランジスタやその配線等の半導体回路(以下、半導体回路とよぶ)は視認性の問題となるためディスプレイ観察側から見るとディスプレイ表示要素の裏側に設置されてきた。 Therefore thin film transistor or a semiconductor circuit of the wiring or the like (hereinafter, referred to as a semiconductor circuit) has been placed when viewed from the display observation side for the visibility problems on the back side of the display the display elements.
反射型液晶表示装置や電気泳動表示装置等の反射型の表示装置のカラー化においては一般的にはカラーフィルターが用いられるが、上記の理由により、カラーフィルターと薄膜トランジスタ基板の間に液晶封入層や電気泳動粒子層が形成される(特許文献1参照)。 Although the color of the reflection type liquid crystal display device and an electrophoretic display device the reflection type display device, such as is generally the color filter is used, the above-mentioned reason, liquid crystal sealing layer Ya between the color filter and the TFT substrate electrophoretic particle layer is formed (see Patent Document 1).
しかしながら、この位置にカラーフィルターおよび半導体回路基板が形成されると、例えば液晶の場合は、液晶を封入した後、半導体回路とカラーフィルターとの間に液晶を介在させた状態で位置合わせする必要があり、高い精度を得るためには困難が伴い、コスト上昇や歩留まり低下の原因となっている。 However, when the color filters and the semiconductor circuit substrate is formed in this position, for example in the case of the liquid crystal, after sealing a liquid crystal, is necessary to align while interposing the liquid crystal between the semiconductor circuit and a color filter There, it is difficult to obtain high precision with, causing the cost increase and a decrease in yield.
特開2005−224948号公報 JP 2005-224948 JP

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、反射型表示装置、半導体回路の製造方法および反射型表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, alignment easy structure of the semiconductor circuit and the color filter, the reflection type display device, a manufacturing method of the production method and the reflective display device of the semiconductor circuit an object of the present invention is to provide.

請求項1の発明は、視認側から見て、実質的に透明な板状の基材と、前記基材の厚さ方向の一方の面に設けられた凸凹を有するカラーフィルターと、前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層と、前記カラーフィルターが前記基材の反対側に臨む面の前記オーバーコート層上に設けられた半導体回路と、前記半導体回路が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられ前記半導体回路によって駆動される反射型ディスプレイ表示要素と、をこの順に備え、前記半導体回路は、実質的に透明な薄膜トランジスタと、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成された配線とを有し、前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲートの各電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜とを有し、 The invention according to claim 1, as viewed from the viewing side, and a color filter having a substantially transparent plate-like substrate, the irregularities formed on one surface in the thickness direction of the substrate, the color filter and an overcoat layer covering a semiconductor circuit in which the color filter is provided on the overcoat layer surface facing the opposite side of the substrate, wherein the semiconductor circuit is provided on the surface facing the opposite side of the color filter comprising a reflective display display elements driven by the semiconductor circuit, in this order, wherein the semiconductor circuit is substantially transparent conductive material having a substantially transparent thin film transistor, an electrical contact that is electrically connected to the transistor and a configured wire by the thin film transistor has a source, a drain, and the electrodes of the gate, and a semiconductor active layer, a gate insulating film, 記半導体活性層が金属酸化物を主成分とする材料からなることを特徴とする反射型表示装置である。 Serial semiconductor active layer is a reflective type display device characterized by comprising a material mainly composed of metal oxides.
請求項2の発明は、前記金属酸化物は、アモルファス構造の酸化亜鉛ガリウムインジウムからなることを特徴とする請求項1に記載の反射型表示装置である。 The invention of claim 2, wherein the metal oxide is a reflective display device according to claim 1, characterized in that an oxide of zinc gallium indium amorphous structure.
請求項3の発明は、前記反射型ディスプレイ表示要素は、液晶を封入した反射型液晶表示装置、分散媒溶液と電荷を帯びた電気泳動粒子とを充填した電気泳動表示装置、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた表面領域を有する回転粒子表示装置、気体中に固体状物質が分散質として安定に浮遊するエアロゾル状態で高流動性を示す粉流体を封入した粉流体を移動させる電子粉流体方式表示装置、のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型表示装置である。 The invention according to claim 3, wherein the reflective display display element, the reflection type liquid crystal display device having liquid crystal sealed, dispersant solution and the electrophoretic display device filled with the electrophoretic particles charged, dispersed in a dispersion medium solution rotation particle display device, an electronic liquid powder solid matter in the gas moves stably suspended for liquid powders encapsulating liquid powders exhibiting high fluidity in an aerosol state as dispersoid having a surface area charged with the a reflective display device according to claim 1 or 2, wherein the method display device is either a.
請求項4の発明は、前記反射型ディスプレイ表示要素は、視認側から、共通電極と、該共通電極が形成される基材とを備え、前記共通電極は不透明であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の反射型表示装置である。 Claim The invention according to claim 4, wherein the reflective display display element, from the viewing side, comprising: a common electrode, and a substrate the common electrode is formed, wherein the common electrode is opaque a reflective display device according to any one of 1 to 3.
請求項5の発明は、前記反射型ディスプレイ表示要素は、視認側から、導電性の基材と、該導電性の基材上に形成された絶縁層とを備え、前記導電性の基材は共通電極を兼ねることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の反射型表示装置である。 The invention of claim 5, wherein the reflective display display element, from the viewing side, comprising an electrically conductive substrate and a formed on the conductive base material insulating layer, said conductive substrate a reflective display device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that also serves as a common electrode.
請求項6の発明は、実質的に透明な板状の基材の厚さ方向の一方の面に、赤色フィルター、緑色フィルター、青色フィルターが規則正しく配列された凸凹を有するフィルター配列パターンを有するカラーフィルターを設ける工程と、前記カラーフィルター上にオーバーコート層を設ける工程と、前記カラーフィルターが前記基材の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設ける工程と、前記半導体回路が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に反射型ディスプレイ表示要素を設ける工程と、を含み、前記配線は、スクリーン印刷、凸版印刷、 The color filter sixth aspect of the present invention, having on one surface in the thickness direction of the substantially transparent plate-like substrate, a red filter, a green filter, the filter array pattern having unevenness blue filter are regularly arranged a step of providing, a step of providing an overcoat layer on the color filter, the surface facing the opposite side of the color filter is the substrate, electrical contacts being electrically connected to said substantially transparent thin film transistor TFT substantially a semiconductor circuit having a wiring composed of a transparent conductive material, a step of providing performing aligned with the filter array pattern, reflective on the surface facing the opposite side of the semiconductor circuit said color filter having wherein the step of providing a display representation element, and the wiring is screen printing, letterpress printing, ンクジェット法のいずれかで形成することを特徴とする反射型表示装置の製造方法である。 It is a manufacturing method of a reflection type display device, and forming in one of ink jet method.
請求項7の発明は、実質的に透明な板状の基材の厚さ方向の一方の面に、赤色フィルター、緑色フィルター、青色フィルター、白色フィルターが規則正しく配列された凸凹を有するフィルター配列パターンを有するカラーフィルターを設ける工程と、前記カラーフィルター上にオーバーコート層を設ける工程と、前記カラーフィルターが前記基材の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設ける工程と、前記半導体回路が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に反射型ディスプレイ表示要素を設ける工程と、を含み、前記配線は、スクリーン The invention of claim 7, on one surface in the thickness direction of the substantially transparent plate-like substrate, a red filter, a green filter, the filter array pattern having unevenness blue filter, the white filter are regularly arranged a step of providing a color filter having the steps of providing an overcoat layer on the color filter, the surface facing the opposite side of the color filter is the base material, electricity is conducted to the substantially transparent thin film transistor TFT surface facing the semiconductor circuit having a wiring formed by a substantially transparent conductive material, a step of providing performing aligned with the filter array pattern, wherein the semiconductor circuit on the opposite side of the color filter having contacts It comprises a step of providing a reflective display display element, the wiring, the screen 刷、凸版印刷、インクジェット法のいずれかで形成することを特徴とする反射型表示装置の製造方法である。 Printing, letterpress printing, a method of manufacturing a reflective type display device, and forming in one of the ink jet method.

本発明によれば、実質的に透明な基材上に設けられたカラーフィルターの上に実質的に透明な半導体回路を形成し、反射型ディスプレイ要素の前面に配置したので、視認性に影響を与えることなく、カラーフィルターと半導体回路の位置合わせが容易になり製造コストを低減する上で有利となる。 According to the present invention, to form a substantially transparent semiconductor circuit on the color filter provided on a substantially transparent substrate, so it was placed in front of the reflective display elements, the influence on the visibility without giving, which is advantageous in reducing the manufacturing cost becomes easy alignment of the color filter and the semiconductor circuit.

本発明の実施形態を図示して説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Illustrated and described embodiments of the present invention, but the present invention is not limited thereto.
図1に本発明の一実施形態を示す。 It shows an embodiment of the present invention in FIG. この図は本発明の反射型表示装置のほぼ1画素分の部分断面図である。 This figure is substantially partial cross-sectional view of one pixel of the reflective-type display device of the present invention.
カラーフィルターおよび実質的に透明な半導体回路を形成する基材は実質的に透明でなければならない。 The substrate for forming a color filter and substantially transparent semiconductor circuit must be substantially transparent. ここで実質的に透明とは可視光である波長領域400nm〜700nmの範囲内で透過率が70%以上であることである。 Here, the substantially transparent is that range in the transmittance in the wavelength region 400nm~700nm a visible light is 70% or more.
具体的にはポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ガラス、石英等を使用することができる。 Specifically, polymethyl methacrylate, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene, polyethylene sulfide, polyethersulfone, polyolefin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, polyether Fen, triacetyl cellulose, polyvinyl fluoride film, an ethylene - the use tetrafluoroethylene copolymer resin, weather resistance polyethylene terephthalate, weather resistance polypropylene, glass fiber-reinforced acrylic resin film, a glass fiber reinforced polycarbonate, transparent polyimide, fluorinated resin, cyclic polyolefin resin, glass, quartz, etc. can.
これらは単独の基材として使用してもよいが、二種以上を積層した複合基材を使用することもできる。 These may be used as the sole substrate, although it is also possible to use a composite base material obtained by laminating two or more. また基材が有機物フィルムである場合は、素子の耐久性を上げるために透明のガスバリア層を形成することも好ましい。 Also when the substrate is organic films, it is preferable to form a gas barrier layer of transparent in order to increase the durability of the device. ガスバリア層としてはAl2O3、SiO2、SiN、SiON、SiC、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)などが上げられるがこれらに限定されるものではない。 Al2O3, SiO2, SiN is as a gas barrier layer, SiON, SiC, can be listed such as a diamond-like carbon (DLC) is not limited thereto. またこれらのガスバリア層は二層以上積層して使用することもできる。 Also these gas barrier layer may also be used by laminating two or more layers. またガスバリア層は有機物フィルム基板の片面だけに付与してもよいし、両面に付与しても構わない。 The gas barrier layer may be applied on only one surface of the organic film substrate, but may be applied to both sides. ガスバリア層は蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法、ホットワイヤーCVD法、ゾルゲル法などで形成されるが、これらに限定されるものではない。 Gas barrier layer deposition method, an ion plating method, a sputtering method, a laser ablation method, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a hot wire CVD method, is formed by a sol-gel method, but is not limited thereto.

本発明の実質的に透明な半導体回路に用いる、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、補助コンデンサー電極、画素電極、走査線電極、信号線電極には、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム(CdO)、酸化インジウムカドミウム(CdIn2O4)、酸化カドミウムスズ(Cd2SnO4)、酸化亜鉛スズ(Zn2SnO4)、酸化インジウム亜鉛(In-Zn-O)等の酸化物材料でもよい。 Used in substantially transparent semiconductor circuit of the present invention, the gate electrode, the source electrode, the drain electrode, the auxiliary capacitor electrode, the pixel electrode, the scanning line electrode, the signal line electrode, indium oxide (In2 O3), tin oxide (SnO2) , zinc oxide (ZnO), cadmium oxide (CdO), indium cadmium (CdIn2O4), cadmium tin oxide (Cd2SnO4), zinc tin oxide (Zn2SnO4), be an oxide material such as indium zinc oxide (in-ZnO) good. またこの酸化物材料に不純物をドープしたものも好適に用いられる。 Also suitably used also doped with impurities to the oxide material.
例えば、酸化インジウムにスズ(Sn)やモリブデン(Mo)、チタン(Ti)をドープしたもの、酸化スズにアンチモン(Sb)やフッ素(F)をドープしたもの、酸化亜鉛にインジウム、アルミニウム、ガリウム(Ga)をドープしたものなどである。 For example, tin (Sn), molybdenum (Mo) to indium oxide, doped with titanium (Ti), doped with antimony (Sb) or fluorine (F) in tin oxide, indium zinc oxide, aluminum, gallium ( Ga) doped with, and the like. この中では特に酸化インジウムにスズ(Sn)をドープした酸化インジウムスズ(通称ITO)が高い透明性と低い抵抗率のために特に好適に用いられる。 Among these are particularly preferably used for particularly tin (Sn) doped indium oxide-tin (commonly called ITO) is higher indium oxide transparency and low resistivity.
また上記導電性酸化物材料とAu、Ag、Cu、Cr、Al、Mg、Liなどの金属の薄膜を複数積層したものも使用できる。 Also those the conductive oxide material and Au, Ag, Cu, Cr, Al, Mg, a thin film of a metal such as Li stacking a plurality may be used. この場合、金属材料の酸化や経時劣化を防ぐために導電性酸化物薄膜 / 金属薄膜 / 導電性酸化物薄膜の順に積層した3層構造が特に好適に用いられる。 In this case, a three-layer structure laminated in the order of the conductive oxide thin film / metallic thin film / conductive oxide thin film is particularly suitably used to prevent oxidation and aging of the metallic material. また金属薄膜層での光反射や光吸収が表示装置の視認性を妨げないために金属薄膜層はできる限り薄くすることが好ましい。 It is preferable to thin as possible metal thin film layer to light reflection or light absorption in the metallic thin film layer does not interfere with the visibility of the display device. 具体的には1 nm以上20 nm以下であることが望ましい。 It is desirable in particular is 20 nm or less than 1 nm.
またPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の有機導電性材料も好適に用いることができる。 The PEDOT (polyethylenedioxythiophene) organic conductive material or the like can also be suitably used.
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、補助コンデンサー電極、画素電極、走査線電極、信号線電極は同じ材料であっても構わないし、また全て違う材料であっても構わない。 Gate electrode, a source electrode, a drain electrode, the auxiliary capacitor electrode, the pixel electrode, the scanning line electrode, the signal line electrodes do not may be the same material, also it may be all different materials. しかし、工程数を減らすためにゲート電極と補助コンデンサー電極、ソース電極とドレイン電極は同一の材料であることがより望ましい。 However, the gate electrode and the auxiliary capacitor electrode in order to reduce the number of steps, it is more desirable source electrode and the drain electrode are the same material. これらの透明電極は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法またはスクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法等で形成することができるが、これらに限定されるものではない。 These transparent electrodes, a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, a laser ablation method, a plasma CVD method, optical CVD method, hot wire CVD method or a screen printing, relief printing, can be formed by an inkjet method, or the like but it is not limited thereto.

本発明の表示装置に用いる実質的に透明な半導体活性層としては酸化物半導体材料、もしくは有機物半導体材料が好適に使用できる。 Substantially transparent oxide semiconductor material as a semiconductor active layer used in the display device of the present invention or organic semiconductor material, can be suitably used.
酸化物半導体材料は亜鉛、インジウム、スズ、タングステン、マグネシウム、ガリウムのうち一種類以上の元素を含む酸化物である、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム亜鉛、酸化スズ、酸化タングステン(WO)、酸化亜鉛ガリウムインジウム(In-Ga-Zn-O)等公知の材料が挙げられるがこれらに限定されるものではない。 The oxide semiconductor material is an oxide containing zinc, indium, tin, tungsten, magnesium, one or more elements of gallium, zinc oxide, indium oxide, indium zinc oxide, tin oxide, tungsten oxide (WO), oxide zinc indium gallium (in-Ga-Zn-O) and the like known materials include but are not limited thereto. これらの材料は実質的に透明であり、バンドギャップが2.8eV以上、好ましくはバンドギャップが3.2eV以上であることが望ましい。 A These materials substantially transparent, band gap than 2.8 eV, preferably it is desirable band gap is equal to or greater than 3.2 eV.
これらの材料の構造は単結晶、多結晶、微結晶、結晶/アモルファスの混晶、ナノ結晶散在アモルファス、アモルファスのいずれであってもかまわない。 Structure single crystals of these materials, polycrystalline, microcrystalline, may crystals / amorphous mixed, nanocrystals dispersed amorphous, be any of amorphous. 半導体層の膜厚は少なくとも20nm以上が望ましい。 The thickness of the semiconductor layer is at least 20nm or more. 酸化物半導体層はスパッタ法、パルスレーザー堆積法、真空蒸着法、CVD法、MBE (Molecular Beam Epitaxy)法、ゾルゲル法などの方法を用いて形成されるが、好ましくはスパッタ法、パルスレーザー堆積法、真空蒸着法、CVD法である。 The oxide semiconductor layer is a sputtering method, a pulsed laser deposition method, a vacuum deposition method, CVD method, MBE (Molecular Beam Epitaxy) method, is formed by a method such as a sol-gel method, preferably sputtering, pulsed laser deposition , vacuum deposition method, a CVD method. スパッタ法ではRFマグネトロンスパッタ法、DCスパッタ法、真空蒸着では加熱蒸着、電子ビーム蒸着、イオンプレーティング法、CVD法ではホットワイヤーCVD法、プラズマCVD法などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。 RF magnetron sputtering method with a sputtering method, DC sputtering, thermal evaporation in vacuum evaporation, electron beam evaporation, ion plating method, hot wire CVD method in the CVD method, in which although the plasma CVD method and the like is limited to the Absent.

有機物半導体材料としては、ペンタセンやテトラセンなどのアセン類、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)やナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(NTCDI)、あるいはポリチオフェンやポリアニリン、ポリ-p-フェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリチエニレンビニレンといった共役高分子を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。 The organic semiconductor material, acenes such as pentacene and tetracene, naphthalene tetracarboxylic dianhydride (NTCDA) and naphthalene tetracarboxylic acid diimide (NTCDI), or polythiophene, polyaniline, poly -p- phenylene vinylene, polyacetylene, polydiacetylene , there may be mentioned a conjugated polymer such as polythienylenevinylene, but is not limited thereto. これらの材料は実質的に透明であり、バンドギャップが2.8eV以上、好ましくはバンドギャップが3.2eV以上であることが望ましい。 A These materials substantially transparent, band gap than 2.8 eV, preferably it is desirable band gap is equal to or greater than 3.2 eV. これらの有機半導体材料は、スクリーン印刷、反転印刷、インクジェット法、スピンコート、ディプコート、蒸着法等で形成されるが、これらに限定されるものではない。 These organic semiconductor materials, screen printing, reverse printing, inkjet method, spin coating, Dipukoto, are formed by vapor deposition or the like, but is not limited thereto.

本発明で用いられる薄膜トランジスタのゲート絶縁膜8に用いる材料は、特に限定しないが、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド(SiNxOy)、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のポリアクリレート、PVA (ポリビニルアルコール)、PS(ポリスチレン)、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。 Material used for the gate insulating film 8 of a thin film transistor used in the present invention is not particularly limited, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride (SiN x O y), aluminum oxide, tantalum oxide, yttrium oxide, hafnium oxide, hafnium aluminate , zirconium oxide, inorganic materials such as titanium oxide or,, PMMA (polymethyl methacrylate) polyacrylate such as, PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), transparent polyimide, polyester, epoxy, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol and the like including but not limited to.
ゲートリーク電流を抑えるためには、絶縁材料の抵抗率は10 11 Ωcm以上、望ましくは10 14 Ωcm以上であることが好ましい。 In order to suppress the gate leakage current, the resistivity of the insulating material 10 11 [Omega] cm or more and preferably 10 14 [Omega] cm or more. 絶縁層は真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマCVD法、光CVD法、ホットワイヤーCVD法、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷などの方法を用いて形成される。 Insulating layer is a vacuum evaporation method, ion plating method, a sputtering method, a laser ablation method, a plasma CVD method, optical CVD method, hot wire CVD method, a spin coating, dip coating, is formed by a method such as screen printing. 絶縁層の厚さは50nm〜2μmであることが望ましい。 The thickness of the insulating layer is preferably a 50Nm~2myuemu. これらのゲート絶縁膜は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わないし、また成長方向に向けて組成を傾斜したものでも構わない。 It These gate insulating film may be used as a single layer, to may be used as a laminate of a plurality of layers, also may be obtained by tilting the composition toward the growth direction.

本発明で用いられる薄膜トランジスタの構成は特に限定されない。 Structure of thin film transistor used in the present invention is not particularly limited. ボトムコンタクト型、トップコンタクト型のどちらであっても構わない。 Bottom-contact type, may be either a top-contact type. ただし有機半導体を用いる場合は、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極、有機半導体の順に素子を作成するボトムコンタクト型が望ましい。 However the case of using an organic semiconductor, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode and a drain electrode, the bottom contact to create a device in the order of the organic semiconductor desirable. なぜなら、有機半導体を形成してから次工程のプラズマプロセスなどに有機半導体を曝すと半導体層がダメージを受けるからである。 This is because the semiconductor layer from being damaged when exposed to organic semiconductor after forming the organic semiconductor such as the next step of the plasma process. また本発明で用いられる薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜12を設けさらにその上にドレイン電極と電気的に接続されている画素電極13を設けることで、開口率を高くすることは好適に行われる。 Also by providing the pixel electrode 13 which is electrically the drain electrode connected on top further that provided an interlayer insulating film 12 on the thin film transistor used in the present invention, by increasing the aperture ratio is suitably carried out.

層間絶縁膜12としては絶縁性で実質的に透明であれば特に限定されない。 The interlayer insulating film 12 is not particularly limited as long as it is substantially transparent in insulation. 例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド(SiNxOy)、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のポリアクリレート、PVA(ポリビニルアルコール)、PS(ポリスチレン)、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。 For example, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride (SiN x O y), aluminum oxide, tantalum oxide, yttrium oxide, hafnium oxide, hafnium aluminate, zirconium oxide, inorganic materials such as titanium oxide or,, PMMA (polymethyl methacrylate) polyacrylates etc., PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), transparent polyimide, polyester, epoxy, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol and the like but not limited thereto. 層間絶縁膜はゲート絶縁膜と同じ材料であっても構わないし、異なる材料であっても構わない。 Interlayer insulating film to may be the same material as the gate insulating film, but may be a different material. これらの層間絶縁膜は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わない。 These interlayer insulating film to may be used as a single layer, may be used as a laminate of a plurality of layers.
またボトムゲート構造の素子の場合は半導体層の上を覆うような保護膜を設けることも好ましい。 In the case of elements of a bottom gate structure is also preferable to provide a protective film to cover the top of the semiconductor layer. 保護膜を用いることで、半導体層が湿度などで経時変化を受けたり、層間絶縁膜から影響を受けたりすることを防ぐことができる。 By using the protective film can prevent the semiconductor layer or subjected to aging at such humidity to or affected by the interlayer insulating film. 保護膜として酸化シリコン、窒化シリコン、シリコンオキシナイトライド(SiNxOy)、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニア、酸化チタン等の無機材料、または、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のポリアクリレート、PVA(ポリビニルアルコール)、PS(ポリスチレン)、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、フッ素系樹脂等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。 Silicon oxide as the protective film, a silicon nitride, silicon oxynitride (SiN x O y), aluminum oxide, tantalum oxide, yttrium oxide, hafnium oxide, hafnium aluminate, zirconium oxide, inorganic materials such as titanium oxide or,, PMMA (polymethyl methacrylate ) polyacrylates such as, PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), transparent polyimide, polyester, epoxy, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, fluorine resin and the like are not limited thereto. これらの保護膜は単層として用いても構わないし、複数の層を積層したものを用いても構わない。 It These protective films may be used as a single layer, it may be used as a laminate of a plurality of layers.

本発明の画素電極は薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続していなければならい。 Pixel electrodes of the present invention is not must not electrically connected to the drain electrode of the thin film transistor. 具体的には、層間絶縁膜をスクリーン印刷などの方法でパターン印刷してドレイン電極の部分に層間絶縁膜を設けない方法などや、層間絶縁膜を全面に塗布し、そのあとレーザービーム等相関絶縁膜に穴を空ける方法などが挙げられる。 Specifically, methods and the like without the interlayer insulating film in the portion of the drain electrode and the pattern printed interlayer insulating film by a method such as screen printing, by coating the interlayer insulating film on the entire surface, after which a laser beam or the like correlation insulation and a method for drilling holes in the membrane.
本発明で用いられるカラーフィルター4は赤色フィルター(R)、緑色フィルター(G)、青色カラーフィルター(B)の3種類、もしくは赤色フィルター(R)、緑色フィルター(G)、青色カラーフィルター(B)、白色カラーフィルター(W)から形成されていることが好ましいがこれらに限定されるものではない。 The color filter 4 used in the present invention is a red filter (R), green filter (G), 3 kinds of blue color filter (B) or red filter, (R), green filter (G), blue color filter (B) , it is preferably formed from a white color filter (W) are not limited thereto.
前記カラーフィルター着色層はその各色フィルター(R、G、BまたはR、G、B、W)をそれぞれ所定幅の線条(ストライプ)マトリクス状、または所定サイズの矩形マトリクス状等、適宜パターン状にパターニングされている。 The color filter colored layer that colors filters (R, G, B, or R, G, B, W) of each filament of a predetermined width (stripe) matrix, or rectangular matrix or the like of a predetermined size, the appropriate pattern It is patterned.
言い換えると、カラーフィルターは、実質的に透明な板状の基材の厚さ方向の一方の面に、赤色フィルター、緑色フィルター、青フィルターが規則正しく配列されたフィルター配列パターンを有している。 In other words, the color filter is on one surface in the thickness direction of the substantially transparent plate-like substrate, and a filter arrangement pattern red filter, a green filter, blue filter are arranged regularly.
また着色パターン形成後に、着色パターンを保護し、カラーフィルター層の凸凹を小さくするために、カラーフィルター層上に透明なオーバーコートが好適に設けられる。 In addition, after the colored pattern formed, a colored pattern protected, in order to reduce the unevenness of the color filter layer, a transparent overcoat on a color filter layer is preferably provided.

本発明の反射型ディスプレイ表示要素としては、液晶を封入した反射型液晶表示装置、分散媒溶液と電荷を帯びた電気泳動粒子とを充填した電気泳動表示装置、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた表面領域を有する回転粒子を充填した回転粒子表示装置、気体中に固体状物質が分散質として安定に浮遊するエアロゾル状態で高流動性を示す粉流体を封入した粉流体を移動させる電子粉流体方式表示装置等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。 The reflective display display element of the present invention, the reflection type liquid crystal display device having liquid crystal sealed, dispersant solution and the electrophoretic display device filled with the electrophoretic particles charged, the charges dispersed in a dispersion medium solution rotation particles display device filled with rotating particles having a surface area of ​​tinged, electronic powder solid matter in the gas moves stably suspended for liquid powders encapsulating liquid powders exhibiting high fluidity in an aerosol state as dispersoid the fluid system display device, and the like are not limited thereto.
また本発明の反射型ディスプレイ表示要素は視認する側からみて薄膜トランジスタの裏に設けられているため、本発明の反射型ディスプレイ表示要素に付与される共通電極は透明導電膜であっても構わないし、また不透明な電極であっても構わない。 Further, since the reflective display display element of the present invention is provided on the back of the thin film transistors viewed from the side to view the common electrode is applied to the reflective display display element of the present invention is to may be a transparent conductive film, the may be an opaque electrode.
具体的には酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化カドミウム(CdO)、酸化インジウムカドミウム(CdIn2O4)、酸化カドミウムスズ(Cd2SnO4)、酸化亜鉛スズ(Zn2SnO4)、酸化インジウム亜鉛(In-Zn-O)等の酸化物材料やAu、Ag、Cu、Cr、Al、Mg、Li、Ni、NiCrなどの金属などがあげられる。 Specifically, indium oxide (In2 O3), tin oxide (SnO2), zinc oxide (ZnO), cadmium oxide (CdO), indium cadmium (CdIn2O4), cadmium tin oxide (Cd2SnO4), zinc tin oxide (Zn2SnO4), oxide indium zinc (in-Zn-O) oxides such materials or Au, Ag, Cu, Cr, Al, Mg, Li, Ni, and metal such as NiCr and the like. またこれらを複数組み合わせたものも好適に用いられる。 Also a combination of a plurality of these may be suitably used. また同様の理由から反射型ディスプレイ表示要素を構成する基材は透明であっても透明でなくても構わない。 The substrate constituting the reflective display display elements for the same reason also may be not be transparent. また可撓性基材であっても可撓性基材でなくても構わない。 Also it may be omitted also flexible substrate or flexible substrate.
具体的にはポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレンテレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂、ガラス、石英等を使用することができる。 Specifically, polymethyl methacrylate, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene, polyethylene sulfide, polyethersulfone, polyolefin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, polyether Fen, triacetyl cellulose, polyvinyl fluoride film, an ethylene - the use tetrafluoroethylene copolymer resin, weather resistance polyethylene terephthalate, weather resistance polypropylene, glass fiber-reinforced acrylic resin film, a glass fiber reinforced polycarbonate, transparent polyimide, fluorinated resin, cyclic polyolefin resin, glass, quartz, etc. can. これらは単独の基材として使用してもよいが、二種以上を積層した複合基材を使用することもできる。 These may be used as the sole substrate, although it is also possible to use a composite base material obtained by laminating two or more.
また反射型ディスプレイ表示要素の基材に導電性の材料を用いて共通電極として代用することも可能である。 It is also possible to substitute a common electrode using a reflective display conductive material to a substrate of the display element. 具体的には薄SUS板、アルミフォイル、薄銅板などがあげられる。 Specifically, a thin SUS plate, aluminum foil, etc. thin copper plate and the like. このように反射型ディスプレー前面板の基材として導電性材料を用いる場合は基材のディスプレーを設けない側に絶縁層もしくは絶縁材料を付与することが望ましい。 Thus if a conductive material is used as the base material of the reflective display front plate as it is desirable to impart insulating layer or an insulating material on the side without the display of a substrate.

(実施例1) (Example 1)
図1および図2に本実施例の断面図を示す。 It shows a cross-sectional view of the embodiment in FIGS. 図1は本実施例の反射型表示装置のほぼ1画素分の部分断面図、図2は本実施例の反射型表示装置の概略断面図である。 Figure 1 is approximately one pixel partial cross-sectional view of a reflective display device of this embodiment, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a reflection type display device of this embodiment.
実質的に透明な板状の基材3としてコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.5mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層4を形成し、そのうえに透明樹脂からなるオーバーコート層を形成した。 Corning Corp. is used an alkali-free glass 1737 as a substantially transparent plate-like substrate 3 (thickness 0.5 mm), R on one surface of the thickness direction (red), G (green), B ( forming a color filter layer 4 and blue) to form an overcoat layer made of a transparent resin thereon.
続いて、カラーフィルター上に、言い換えると、カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、ITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法で50nm形成した。 Then, on a color filter, in other words, the color filter is a surface facing the opposite side of the substrate 3, the ITO film was 50nm formed by DC magnetron sputtering.
そして、該ITO薄膜をカラーフィルター層の各画素と位置合わせをしながら、所望の形状にパターニングし、ゲート電極6および補助コンデンサー電極7とした。 Then, while aligning the ITO thin film and each pixel of the color filter layer, and patterned into a desired shape, and the gate electrode 6 and the auxiliary capacitor electrode 7.
さらにその上に窒化シリコン(Si3N4)のターゲットを用いてRFスパッタ法でSiON薄膜を150nm形成し、ゲート絶縁膜8とした。 The SiON film was 150nm formed by RF sputtering thereon using a target of silicon nitride (Si3 N4) Furthermore, a gate insulating film 8.
さらに、半導体活性層11として、InGaZnO4ターゲットを用いアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜をRFスパッタ法で40nm形成し、所望の形状にパターニングした。 Further, as the semiconductor active layer 11, an amorphous In-Ga-Zn-O thin film with InGaZnO4 target to 40nm formed by the RF sputtering method, and patterned into a desired shape. その上に、レジストを塗布し、乾燥、現像を行った後、ITO膜をDCマグネトロンスパッタ法で50nm形成し、リフトオフを行いソース電極9およびドレイン電極10とした。 Moreover, the resist is coated, dried, after development, the ITO film was 50nm formed by DC magnetron sputtering, and a source electrode 9 and drain electrode 10 performs a lift-off.
さらに、印刷法を用いてエポキシ系樹脂を5μmパターン印刷し、層間絶縁膜12を形成した。 Further, the epoxy resin is printed 5μm pattern using a printing method to form an interlayer insulating film 12.
そして最後にITO膜をマグネトロンスパッタ法で100nm成膜しパターニングを行い、画素電極13とした。 Finally perform 100nm deposition patterning the ITO film by magnetron sputtering, and a pixel electrode 13.
言い換えると、前記カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 In other words, the surface facing the opposite side of the color filter substrate 3, and a substantially line composed of a transparent conductive material having an electrical contact that is electrically connected to said substantially transparent thin film transistor TFT a semiconductor circuit having, provided by performing an alignment with the filter array pattern.
各膜の作成条件を表1に示す。 The film forming condition is shown in Table 1.
こうして作成された実質的に透明な半導体回路の上に配向膜22を塗布した。 Thus an alignment film 22 is coated on the substantially transparent semiconductor circuit created. それに、共通電極としてITO薄膜を70nm成膜したコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.5mm)上に配向膜24を塗布して薄膜トランジスタを形成した基材をスペーサーを介して配置し、その後そのスペーサー間に液晶を封入した。 And, a base material forming a thin film transistor of the alignment layer 24 is coated on the ITO thin film manufactured by Corning alkali-free glass 1737 was 70nm deposited (thickness 0.5 mm) as a common electrode disposed via a spacer, then and a liquid crystal sealed between the spacer. 最後に、実質的に透明な基材3のカラーフィルターが形成されていない面に位相差板20と偏光板21を配置して実施例1の表示装置を作製した。 Finally, to produce a display device of Example 1 on the surface that are not color filter substantially transparent substrate 3 is formed by arranging the retardation plate 20 and a polarizing plate 21.
これにより、表示装置は、その視認側から見て、実質的に透明な基板、カラーフィルター、実質的に透明な薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成した配線からなることを特徴とする半導体回路、反射型ディスプレイ表示要素の順に配置されて構成されることになる。 Thus, the display device is viewed from the viewing side, substantially transparent substrate, a color filter, a wiring constructed by a substantially transparent conductive material having a substantially transparent thin film transistor and the transistor electrical contacts semiconductor circuit, comprising the, will be arranged in order of the reflective display display element.

(実施例2) (Example 2)
図1および図2に本実施例の断面図を示す。 It shows a cross-sectional view of the embodiment in FIGS.
図1は本実施例の反射型表示装置のほぼ1画素分の部分断面図、図3は本実施例の反射型表示装置の概略断面図である。 Approximately one pixel partial cross-sectional view of FIG. 1 is a reflection type display device of this embodiment, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a reflection type display device of this embodiment.
実質的に透明な板状の基材3としてコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.5mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層4を形成し、そのうえに透明樹脂からなるオーバーコート層を形成した。 Corning Corp. is used an alkali-free glass 1737 as a substantially transparent plate-like substrate 3 (thickness 0.5 mm), R on one surface of the thickness direction (red), G (green), B ( forming a color filter layer 4 and blue) to form an overcoat layer made of a transparent resin thereon.
続いて、カラーフィルター上に、言い換えると、カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、ITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法で50nm形成した。 Then, on a color filter, in other words, the color filter is a surface facing the opposite side of the substrate 3, the ITO film was 50nm formed by DC magnetron sputtering.
そして、該ITO薄膜をカラーフィルター層の各画素と位置合わせをしながら、所望の形状にパターニングし、ゲート電極6および補助コンデンサー電極7とした。 Then, while aligning the ITO thin film and each pixel of the color filter layer, and patterned into a desired shape, and the gate electrode 6 and the auxiliary capacitor electrode 7.
さらにその上に窒化シリコン(Si3N4)のターゲットを用いてRFスパッタ法でSiON薄膜を150nm形成し、ゲート絶縁膜8とした。 The SiON film was 150nm formed by RF sputtering thereon using a target of silicon nitride (Si3 N4) Furthermore, a gate insulating film 8.
さらに、半導体活性層11として、意図的にドーパントを混入していないZnOターゲットを用いZnO薄膜をRFスパッタ法で40nm形成し、所望の形状にパターニングした。 Further, as the semiconductor active layer 11, a ZnO thin film using a ZnO target not contaminated intentionally dopant 40nm formed by the RF sputtering method, and patterned into a desired shape.
その上に、レジストを塗布し、乾燥、現像を行った後、ITO膜をDCマグネトロンスパッタ法で50nm形成し、リフトオフを行いソース電極9およびドレイン電極10とした。 Moreover, the resist is coated, dried, after development, the ITO film was 50nm formed by DC magnetron sputtering, and a source electrode 9 and drain electrode 10 performs a lift-off.
さらに、印刷法を用いてエポキシ系樹脂を5μmパターン印刷し、層間絶縁膜12を形成した。 Further, the epoxy resin is printed 5μm pattern using a printing method to form an interlayer insulating film 12. そして最後にITO膜をマグネトロンスパッタ法で100nm成膜しパターニングを行い、画素電極13とした。 Finally perform 100nm deposition patterning the ITO film by magnetron sputtering, and a pixel electrode 13.
言い換えると、前記カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 In other words, the surface facing the opposite side of the color filter substrate 3, and a substantially line composed of a transparent conductive material having an electrical contact that is electrically connected to said substantially transparent thin film transistor TFT a semiconductor circuit having, provided by performing an alignment with the filter array pattern.
各膜の作成条件を表2に示す。 The film forming condition is shown in Table 2.
こうして作成された実質的に透明な半導体回路の上に配向膜22を塗布した。 Thus an alignment film 22 is coated on the substantially transparent semiconductor circuit created.
さらに導電性基材27としてアルミフォイル(厚さ25μm)を用い、アルミフォイル上に配向膜24を塗布して半導体回路を形成した基材をスペーサーを介して配置し、その後そのスペーサー間に液晶を封入した。 Furthermore using an aluminum foil (thickness 25 [mu] m) as a conductive substrate 27, a base material forming a semiconductor circuit by applying an alignment film 24 on the aluminum foil was placed over the spacer, then a liquid crystal between the spacer It was sealed. 最後に、実質的に透明な基材3のカラーフィルターが形成されていない面に、位相差板20と偏光板21を配置して実施例2の表示装置を作製した。 Finally, the surface that is not color filter substantially transparent substrate 3 is formed, to produce a display device of Example 2 by placing a phase difference plate 20 and a polarizing plate 21.
これにより、表示装置は、その視認側から見て、実質的に透明な基板、カラーフィルター、実質的に透明な薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成した配線からなることを特徴とする半導体回路、反射型ディスプレイ表示要素の順に配置されて構成されることになる。 Thus, the display device is viewed from the viewing side, substantially transparent substrate, a color filter, a wiring constructed by a substantially transparent conductive material having a substantially transparent thin film transistor and the transistor electrical contacts semiconductor circuit, comprising the, will be arranged in order of the reflective display display element.

(実施例3) (Example 3)
図4および図5に本実施例の断面図を示す。 It shows a cross-sectional view of the embodiment in FIGS.
図4は本実施例の反射型表示装置のほぼ1画素分の部分断面図、図5は本実施例の反射型表示装置の概略断面図である。 Figure 4 is substantially one pixel partial cross-sectional view of a reflective display device of this embodiment, FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a reflection type display device of this embodiment.
実質的に透明な板状の基材3としてPENフィルム(帝人社製Q65 厚さ100μm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層4を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。 Substantially transparent plate-shaped PEN film as the substrate 3 (manufactured by Teijin Ltd. Q65 thickness 100 [mu] m) using, R on one side of the thickness direction (red), G (green), B (blue) forming a color filter layer 4, to form a protective layer made of a transparent resin thereon.
続いて、カラーフィルター上に、言い換えると、カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、ITO薄膜をDCマグネトロンスパッタ法で50nm形成した。 Then, on a color filter, in other words, the color filter is a surface facing the opposite side of the substrate 3, the ITO film was 50nm formed by DC magnetron sputtering.
そして、該ITO薄膜をカラーフィルター層の各画素と位置合わせをしながら、所望の形状にパターニングし、ゲート電極6および補助コンデンサー電極7とした。 Then, while aligning the ITO thin film and each pixel of the color filter layer, and patterned into a desired shape, and the gate electrode 6 and the auxiliary capacitor electrode 7.
さらにその上に窒化シリコン(Si3N4)のターゲットを用いてRFスパッタ法でSiON薄膜を150nm形成し、ゲート絶縁膜8とした。 The SiON film was 150nm formed by RF sputtering thereon using a target of silicon nitride (Si3 N4) Furthermore, a gate insulating film 8.
その上に、ITO膜をDCマグネトロンスパッタ法で50nm形成し、パターニングを行いソース電極9およびドレイン電極10とした。 Thereon, an ITO film is 50nm is formed by DC magnetron sputtering, and a source electrode 9 and drain electrode 10 and patterned.
その後、ペンタセンを厚さ50nm蒸着法にて形成し半導体活性層11とした。 Then the semiconductor active layer 11 to form a pentacene at a thickness 50nm deposition.
さらに、印刷法を用いてエポキシ系樹脂を5μmパターン印刷し、層間絶縁膜12を形成した。 Further, the epoxy resin is printed 5μm pattern using a printing method to form an interlayer insulating film 12.
そして最後にITOをDCマグネトロンスパッタ法で100nm成膜しパターニングを行い、画素電極13とした。 Finally perform 100nm deposited patterned ITO by DC magnetron sputtering, and a pixel electrode 13. 各膜の作成条件を表3に示す。 The film forming condition is shown in Table 3.
言い換えると、前記カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 In other words, the surface facing the opposite side of the color filter substrate 3, and a substantially line composed of a transparent conductive material having an electrical contact that is electrically connected to said substantially transparent thin film transistor TFT a semiconductor circuit having, provided by performing an alignment with the filter array pattern.
次にPENフィルム(帝人社製Q65 厚さ100μm)の上に蒸着法で電極37を50nm形成し、その上に蒸着法でY2O3からなる絶縁膜2を150nm形成し、その上にリブ33を形成し薄膜トランジスタ2と同じ大きさで仕切られたスペースを作製した。 Then PEN film was an electrode 37 50 nm formed by evaporation on the (Teijin Ltd. Q65 thickness 100 [mu] m), the insulating film 2 made of Y2O3 by vapor deposition to 150nm formed thereon, the rib 33 thereon was to prepare a space partitioned by the same size as the thin film transistor 2.
そのスペース内へ負に摩擦帯電した白色着色粒子34および正に摩擦帯電した黒色着色粒子35を入れて、上記のカラーフィルターと位置合わせをして貼り合わせて、実施例3の表示装置を作製した。 Put white colored particles 34 and positively frictionally charged black colored particles 35 and negatively triboelectric charging to the space within, bonded to aligned with the color filter, to produce a display device of Example 3 .
これにより、表示装置は、その視認側から見て、実質的に透明な基板、カラーフィルター、実質的に透明な薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成した配線からなることを特徴とする半導体回路、反射型ディスプレイ表示要素の順に配置されて構成されることになる。 Thus, the display device is viewed from the viewing side, substantially transparent substrate, a color filter, a wiring constructed by a substantially transparent conductive material having a substantially transparent thin film transistor and the transistor electrical contacts semiconductor circuit, comprising the, will be arranged in order of the reflective display display element.

実施例1、実施例2、実施例3で示したように、実質的に透明な基材上に設けられたカラーフィルターの上に実質的に透明な半導体回路を形成し、反射型ディスプレイ表示要素の前面に配置することで、カラーフィルターと半導体回路の位置合わせが容易で製造コストの安い反射型表示装置を実現できる。 Example 1, Example 2, as shown in Example 3, substantially form a substantially transparent semiconductor circuit on the color filter provided on a transparent substrate, reflective display display element of placing the front, it can be realized cheaper reflective display device manufacturing cost is easy to align the color filter and the semiconductor circuit.
上記は一例であり、当業者であれば上記説明に基づいて種々の改良や変更が可能であることは明らかであろう。 The above is an example, it will be apparent that various modifications and changes based on the above description to those skilled in the art.

本発明の表示装置のほぼ1画素分の部分断面図である。 It is substantially partial cross-sectional view of one pixel of the display device of the present invention. 本発明の実施例による反射型表示装置の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a reflective display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例による反射型表示装置の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a reflective display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例による反射型表示装置のほぼ1画素分の部分断面図である。 Is substantially partial cross-sectional view of one pixel of the reflective-type display device according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例による反射型表示装置の概略断面図である。 It is a schematic cross-sectional view of a reflective display device according to an embodiment of the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…反射型ディスプレイ表示要素、2…実質的に透明な半導体回路、3…実質的に透明な基材、4…カラーフィルター、5…第一の基材、6…ゲート電極、7…補助コンデンサー電極、8…ゲート絶縁膜、9…ソース電極、10…ドレイン電極、11…半導体活性層、12…層間絶縁膜、13…画素電極、14…共通電極、20…位相差板、21…偏光膜、22…配向膜1、23…液晶、24…配向膜2、25…共通電極、26…反射型ディスプレイ表示要素用基材、27…導電性基材、31…絶縁層1、32…空気層、33…リブ、34…白色着色粒子、35…黒色着色粒子、36…絶縁層2、37…電極、38…反射型ディスプレイ前面板用基材2。 1 ... reflective display display element, 2 ... substantially transparent semiconductor circuit, 3 ... substantially transparent substrate, 4 ... color filter, 5 ... first substrate, 6 ... gate electrode, 7 ... auxiliary capacitor electrode, 8 ... gate insulating film, 9 ... source electrode, 10 ... drain electrode, 11 ... semiconductor active layer, 12 ... interlayer insulation film, 13 ... pixel electrode, 14 ... common electrode 20 ... retardation plate 21 ... polarizing film , 22 ... orientation film, 23 ... liquid crystal, 24 ... alignment film 2,25 ... common electrode, 26 ... reflective display display element base material, 27 ... conductive substrate, 31 ... insulating layer 1,32 ... air layer , 33 ... rib, 34 ... white colored particles, 35 ... black colored particles, 36: insulating layer 2, 37 ... electrode, 38 ... reflective display front plate substrate 2.

Claims (7)

  1. 視認側から見て、 As seen from the viewing side,
    実質的に透明な板状の基材と、 A substantially transparent plate-like substrate,
    前記基材の厚さ方向の一方の面に設けられた凸凹を有するカラーフィルターと、 A color filter having irregularities formed on one surface in the thickness direction of the substrate,
    前記カラーフィルターを覆うオーバーコート層と、 And an overcoat layer covering the color filter,
    前記カラーフィルターが前記基材の反対側に臨む面の前記オーバーコート層上に設けられた半導体回路と、 A semiconductor circuit in which the color filter is provided on the overcoat layer surface facing the opposite side of the substrate,
    前記半導体回路が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられ前記半導体回路によって駆動される反射型ディスプレイ表示要素と、をこの順に備え、 Comprising a reflective display display element wherein the semiconductor circuit is driven by the semiconductor circuit provided on the surface facing the opposite side of the color filter, in this order,
    前記半導体回路は、実質的に透明な薄膜トランジスタと、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成された配線とを有し、 The semiconductor circuit includes a substantially transparent thin film transistor, a wiring and constituted by a substantially transparent electrically conductive material having an electrical contact that is electrically connected to the transistor,
    前記薄膜トランジスタは、ソース、ドレイン、ゲートの各電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜とを有し、前記半導体活性層が金属酸化物を主成分とする材料からなる ことを特徴とする反射型表示装置。 The thin film transistor has a source, a drain, and the electrodes of the gate, and a semiconductor active layer, and a gate insulating film, reflective said semiconductor active layer is characterized by comprising the material mainly composed of metal oxides display device.
  2. 前記金属酸化物は、アモルファス構造の酸化亜鉛ガリウムインジウムからなることを特徴とする請求項1に記載の反射型表示装置。 The metal oxide, the reflection type display device according to claim 1, characterized in that an oxide of zinc gallium indium amorphous structure.
  3. 前記反射型ディスプレイ表示要素は、 The reflective display display element,
    液晶を封入した反射型液晶表示装置、分散媒溶液と電荷を帯びた電気泳動粒子とを充填した電気泳動表示装置、分散媒溶液に分散された電荷を帯びた表面領域を有する回転粒子表示装置、気体中に固体状物質が分散質として安定に浮遊するエアロゾル状態で高流動性を示す粉流体を封入した粉流体を移動させる電子粉流体方式表示装置、のいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の反射型表示装置。 Reflection type liquid crystal display device having liquid crystal sealed, dispersant solution and the electrophoretic display device filled with the electrophoretic particles charged, rotating particle display device having a surface region bearing a charge dispersed in a dispersion medium solution, claims solid material in the gas is equal to or distributed electronic liquid powder method display device for moving the liquid powders sealed the liquid powder exhibiting high fluidity in an aerosol state suspended stably as electrolyte, which is either reflective display device according to claim 1 or 2.
  4. 前記反射型ディスプレイ表示要素は、視認側から、共通電極と、該共通電極が形成される基材とを備え、前記共通電極は不透明であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の反射型表示装置。 The reflective display display element, from the viewing side, and the common electrode, and a substrate the common electrode is formed, the common electrode is any one of claims 1 to 3, wherein the opaque reflective display device according to One.
  5. 前記反射型ディスプレイ表示要素は、視認側から、導電性の基材と、該導電性の基材上に形成された絶縁層とを備え、前記導電性の基材は共通電極を兼ねることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の反射型表示装置。 The reflective display display element, characterized from the viewing side, an electrically conductive substrate, and a conductive of formed on the base insulating layer, said conductive substrate that also serves as a common electrode reflective display device according to any one of claims 1 to 3.
  6. 実質的に透明な板状の基材の厚さ方向の一方の面に、赤色フィルター、緑色フィルター、青色フィルターが規則正しく配列された凸凹を有するフィルター配列パターンを有するカラーフィルターを設ける工程と、 Substantially one surface in the thickness direction of the transparent plate-shaped substrate, comprising: providing a color filter having a filter array pattern having unevenness red filter, green filter and blue filter are regularly arranged,
    前記カラーフィルター上にオーバーコート層を設ける工程と、 A step of providing an overcoat layer on the color filter,
    前記カラーフィルターが前記基材の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設ける工程と、 The surface facing the opposite side of the color filter is the substrate, a semiconductor circuit having a wiring formed by a substantially transparent conductive material having an electrical contact that is electrically connected to said substantially transparent thin film transistor TFT and a step of providing performing aligned with the filter array pattern,
    前記半導体回路が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に反射型ディスプレイ表示要素を設ける工程と、を含み、 Comprises a step of the semiconductor circuit is provided with a reflective display display element on a surface facing the opposite side of the color filter,
    前記配線は、スクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法のいずれかで形成することを特徴とする反射型表示装置の製造方法。 The wire screen printing, relief printing, method of manufacturing the reflection type display device, and forming in one of the ink jet method.
  7. 実質的に透明な板状の基材の厚さ方向の一方の面に、赤色フィルター、緑色フィルター、青色フィルター、白色フィルターが規則正しく配列された凸凹を有するフィルター配列パターンを有するカラーフィルターを設ける工程と、 Substantially one surface in the thickness direction of the transparent plate-shaped substrate, comprising: providing a color filter having a filter array pattern having unevenness red filter, green filter, blue filter, the white filter are regularly arranged ,
    前記カラーフィルター上にオーバーコート層を設ける工程と、 A step of providing an overcoat layer on the color filter,
    前記カラーフィルターが前記基材の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設ける工程と、 The surface facing the opposite side of the color filter is the substrate, a semiconductor circuit having a wiring formed by a substantially transparent conductive material having an electrical contact that is electrically connected to said substantially transparent thin film transistor TFT and a step of providing performing aligned with the filter array pattern,
    前記半導体回路が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に反射型ディスプレイ表示要素を設ける工程と、を含み、 Comprises a step of the semiconductor circuit is provided with a reflective display display element on a surface facing the opposite side of the color filter,
    前記配線は、スクリーン印刷、凸版印刷、インクジェット法のいずれかで形成することを特徴とする反射型表示装置の製造方法。 The wire screen printing, relief printing, method of manufacturing the reflection type display device, and forming in one of the ink jet method.
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