JP2004014982A - Semiconductor circuit and image display device - Google Patents

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JP2004014982A
JP2004014982A JP2002169799A JP2002169799A JP2004014982A JP 2004014982 A JP2004014982 A JP 2004014982A JP 2002169799 A JP2002169799 A JP 2002169799A JP 2002169799 A JP2002169799 A JP 2002169799A JP 2004014982 A JP2004014982 A JP 2004014982A
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substantially transparent
display device
thin film
transistor
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Pending
Application number
JP2002169799A
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Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Fukuda
Katsura Hirai
Noriko Hoshino
Hiroshi Kita
Taketoshi Yamada
北 弘志
山田 岳俊
平井 桂
星野 徳子
福田 光弘
Original Assignee
Konica Minolta Holdings Inc
コニカミノルタホールディングス株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide transparent transistor and semiconductor circuit to avoid deterioration in an opening rate and disfigurement of a display element due to opaque transistor and semiconductor circuit, and to provide an active matrix display device such as an organic EL element or a liquid crystal display element in which the semiconductor circuit is used as a selective driving circuit.
SOLUTION: The substantially transparent transistor, and the semiconductor circuit that consists of a substantially transparent conductive material having an electrical contact with the transistor, are provided.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、実質透明な半導体回路に関するものであり、これを液晶素子や有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示素子を駆動するための選択駆動回路として用いた画像表示装置に関する。 The present invention relates to substantially transparent semiconductor circuit, an image display device using the same as the selection driving circuit for driving the liquid crystal element or an organic electroluminescence (EL) display element.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
従来半導体層については、ケイ素系半導体を用いた半導体回路では少なくとも半導体層を透明にすることは難しく、また典型的なケイ素系半導体回路も不透明であり、これらが液晶素子や有機EL表示素子等を用いたディスプレイの開口率を下げる原因であった。 For conventional semiconductor layer, it is transparent at least a semiconductor layer in the semiconductor circuit using a silicon-based semiconductor is difficult, also typical silicon based semiconductor circuit is also opaque, these liquid crystal devices and organic EL display devices, etc. It was responsible for lowering the aperture ratio of the display using. また、ICカードやICタグ用途の半導体回路に用いる場合でも非常に外観を損ねるものであった。 Also, it was those impairing the very appearance even when used for a semiconductor circuit of the IC card or IC tag applications.
【0003】 [0003]
近年非接触ICカードおよびICタグが実用化されつつあり、代表的なものにJRが採用したSuicaがあるが、そのほかにも日経エレクトロニクス2002.2.25のp109からp137に記載の通り、個人認証に用いるものや、物品にとりつけ、レジでの精算が一括でできるもの、荷物の配送を追跡するものなど様々な用途が提案されている。 Recently non-contact IC card and an IC tag are being commercialized, typical to it is Suica of JR is employed, as described in p109 from p137 Nikkei Electronics 2002.2.25 to other personal identification and those used in, attached to the article, which settle in the cash register can be collectively, and various applications have been proposed intended to track the delivery of baggage.
【0004】 [0004]
しかしそれらについてもシリコントランジスタを集積したICを用いており、見た目は金属であることが明白である。 However uses a IC that integrates silicon transistor also them looks it is clear that a metal. 将来的には食品、アパレル、雑貨、音楽関連商品、書籍、家電、乗り物その他あらゆる物品にICタグをつけることが予想されるが、明らかにデザインを損なうものばかりである。 In the future, food, apparel, accessories, music-related merchandise, books, consumer electronics, but the vehicle is to put the other IC tag to any article is expected, it is only those that clearly impair the design. 現状最も小さいICはアメリカのAlien Technologyの0.1から0.2ミリメートル角のチップであるが、データ送受信用のアンテナが3×10センチメートルであり、結局目障りである。 Current smallest IC is a chip of 0.1 to 0.2 mm angle American Alien Technology, but an antenna is 3 × 10 centimeter for data transmission and reception, it is after all an eyesore. アメリカのBall Semiconductor Inc. American Ball Semiconductor Inc. が開発した直系1ミリメートルの球状のICチップは表面にアンテナを形成するため大きさとしては直系1ミリメートルの球のままである。 There IC chip lineal one millimeter spherical developed as the size for forming the antenna on the surface remains lineal one millimeter sphere. しかしシリコントランジスタを使用しているため、非常に高価になってしまい、日に3000個もの手荷物を処理する飛行場での使用や、郵便、宅配、その他配送物の追跡などに使い捨て状に使用するのは現実的ではない。 However, since you are using a silicon transistor, becomes very expensive, in the airport to handle as many as 3,000 baggage use or of the day, postal, courier, for use in disposable shape, such as tracking of other delivery products it is not realistic.
【0005】 [0005]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
本発明は、トランジスタや半導体回路が不透明であることによる表示素子の開口率の低下や外観を損ねることを回避するために、透明なトランジスタおよび半導体回路を提供することが目的であり、第2に該半導体回路を選択駆動回路として用いた有機EL素子或いは液晶表示素子等のアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。 The present invention, in order to avoid impairing the decrease and appearance of the aperture ratio of the display device by a transistor and a semiconductor circuit is opaque, the purpose is to provide a transparent transistor and the semiconductor circuit, the second It is to provide an active matrix type display device such as an organic EL element or a liquid crystal display device using the semiconductor circuit as a selection driving circuit.
【0006】 [0006]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明の上記目的は、以下の手段により達成される。 The above object of the present invention is achieved by the following means.
【0007】 [0007]
1. 1. 実質透明なトランジスタと、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成したことを特徴とする半導体回路。 The semiconductor circuit according to claim substantially transparent transistors, by being configured by a substantially transparent conductive material having the transistors and electrical contacts.
【0008】 [0008]
2. 2. 透明な基板上にソース、ドレインおよびゲートの各電極と、有機半導体層および絶縁層を、実質透明な材料により所望の構造にて配設した薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成した配線を有することを特徴とする半導体回路。 Transparent source substrate, and the electrodes of the drain and the gate, the organic semiconductor layer and the insulating layer, substantially transparent conductive with a thin film transistor and the transistor is disposed in a desired structure by substantially transparent material and electrical contact semiconductor circuit and having a wiring constituted by gender material.
【0009】 [0009]
3. 3. 薄膜トランジスタのソース、ドレイン、およびゲートの各電極および該トランジスタと電気的接点を有する導電性材料がともにITOからなることを特徴とする前記2に記載の半導体回路。 The semiconductor circuit according to the 2 TFT source, drain, and the electrodes and the conductive material having the transistor and electrically contacts the gate are both characterized by comprising the ITO.
【0010】 [0010]
4. 4. 透明な基板上に、複数の走査線と複数の信号線とが互いに直交する方向に配設され、上記両配線の各交差部に画素部と選択駆動回路が形成されたアクティブマトリクス型の画像表示装置において、前記選択駆動回路を、実質透明な薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成したことを特徴とする画像表示装置。 On a transparent substrate, a plurality of scan lines and a plurality of signal lines are arranged perpendicular to each other, image display of an active matrix type selection driving circuit and pixel portion is formed at each intersection of both lines in the apparatus, an image display apparatus, characterized in that said selection driving circuit, constituted by a substantially transparent conductive material having a substantially transparent thin film transistors and said transistors and electrical contacts.
【0011】 [0011]
5. 5. 薄膜トランジスタが、透明な基板上にソース、ドレインおよびゲートの各電極と、有機半導体層および絶縁層を、実質透明な材料により所望の構造にて配設したものであることを特徴とする前記4に記載の画像表示装置。 Thin film transistor, a source on a transparent substrate, and the electrodes of the drain and the gate, the organic semiconductor layer and the insulating layer, the 4, characterized in that in which is disposed at a desired structure by substantially transparent material the image display apparatus according.
【0012】 [0012]
6. 6. 選択駆動回路を構成する薄膜トランジスタのソース、ドレイン、およびゲートの各電極および該電極と電気的接点を有する導電性材料がともにITOで構成されたことを特徴とする前記4または5に記載の画像表示装置。 The source of the thin film transistor constituting a selection driving circuit, a drain, and the image display according to the 4 or 5 each electrode and the conductive material having the electrodes and electrical contacts, characterized in that it is constituted together with ITO gate apparatus.
【0013】 [0013]
7. 7. 画素部が液晶表示素子であることを特徴とする前記4〜6のいずれか1項に記載の画像表示装置。 The image display apparatus according to any one of the 4 to 6 which the pixel portion is characterized in that it is a liquid crystal display device.
【0014】 [0014]
8. 8. 画素部が有機エレクトロルミネッセンス表示素子であることを特徴とする前記4〜6のいずれか1項に記載の画像表示装置。 The image display apparatus according to any one of the 4 to 6 which the pixel portion is characterized in that an organic electroluminescence display device.
【0015】 [0015]
以下本発明を詳細に説明する。 The present invention will be described in detail.
本発明に係る半導体回路は、実質透明なトランジスタと、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成することができる。 The semiconductor circuit according to the present invention can be configured substantially transparent transistor, the substantially transparent conductive material having the transistors and electrical contacts.
【0016】 [0016]
ここで実質透明なトランジスタはソース、ドレイン、およびゲートの各電極と、半導体層および絶縁層を、透明な基板上に所望の構造にて配設したものである。 Here substantially transparent transistor source, drain, and the respective electrodes of the gate, a semiconductor layer and the insulating layer, in which is disposed at a desired structure on a transparent substrate. 実質的に透明とは可視光である波長400nm〜700nmの範囲において70%以上の透過率を有するものをさす。 Refers to those having a transmittance of 70% or more in a wavelength range of 400nm~700nm is visible light and substantially transparent.
【0017】 [0017]
本発明の薄膜トランジスタ(TFTともいう)と該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成する半導体回路に用いられる透明な基板としては、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートが挙げられ、例えばプラスチックフィルムをシートとして用いることができる。 As the thin film transistor (also referred to as a TFT) and the transparent substrate used in a semiconductor circuit constituted by substantially transparent conductive material having the transistors and electrical contacts of the present invention include glass or a flexible plastic sheet, e.g. it can be a plastic film as a sheet. 前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。 As the plastic film, such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyether sulfone (PES), polyetherimide, polyether ether ketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polyethylene carbonate (PC), cellulose tri-acetate (TAC), a film and the like made of cellulose acetate propionate (CAP) and the like. プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可撓性を有するため衝撃に対する耐性を向上できる。 By using a plastic film, it is possible to reduce the weight in comparison with the case of using a glass substrate, a flexible can improve resistance to impact because it has a.
【0018】 [0018]
実質透明な薄膜トランジスタ(TFT)を形成するためには、例えば有機半導体材料を用いて薄膜トランジスタを構成することが可能である。 To form a substantially transparent thin film transistor (TFT), it is possible to configure a thin film transistor using, for example, organic semiconductor materials. このような有機薄膜トランジスタの半導体層に用いることができる有機半導体の例としてはペンタセンやテトラセンなどのアセン類、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(NTCDA)やナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(NTCDI)、あるいは「アドバンスド・マテリアル」368〜371ページ(2002年)に記載のNTCDI類縁構造をもつ高分子や、当該分の技術者にはα−6Tとして知られるチオフェンが2位および5位で互いに結合した6量体やその誘導体もしくは類縁体、ポリチオフェンやポリアニリン、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリチエニレンビニレンといった共役高分子を挙げることができる。 Acene such as pentacene and tetracene Examples of the organic semiconductors can be used for the semiconductor layer of the organic thin film transistor, naphthalene tetracarboxylic dianhydride (NTCDA) and naphthalene tetracarboxylic acid diimide (NTCDI), or "Advanced Materials "368-371 and a polymer having a NTCDI related structure described in the page (2002), 6-mer on the amount of technician thiophene, known as alpha-6T linked together in the 2- and 5-position or its derivative or analogue thereof, polythiophene or polyaniline, poly -p- phenylene vinylene, polyacetylene, polydiacetylene, mention may be made of a conjugated polymer such as polythienylenevinylene.
【0019】 [0019]
これらの有機半導体材料を用いた半導体薄膜は蒸着によって形成することもできるし、溶媒に可溶もしくは分散可能な物質であれば塗布あるいはインクジェット法を含む印刷プロセスによって形成することが可能である。 It semiconductor thin film using these organic semiconductor materials can also be formed by vapor deposition, can be formed by a printing process including a coating or an ink jet method, if soluble or dispersible materials in a solvent. 蒸着して金属光沢をもつ不透明な薄膜になる場合は膜厚を制御し、光が透ける膜厚に設定する。 If you deposited to become opaque thin film having a metallic gloss control the film thickness is set to a film thickness of the light seen through.
【0020】 [0020]
実質的に透明な電極材料または配線材料に用いることのできる導電性材料としては例えば有機導電材料やITO、ZnOなどの金属酸化物膜、Au、Ag、Cu、Cr、Al、Mg、Liなどの金属の薄膜にITOを積層したものなどを用いることが出来る。 Substantially transparent electrode material or as, for example an organic conductive material and ITO conductive material which can be used as a wiring material, a metal oxide film such as ZnO, Au, Ag, Cu, Cr, Al, Mg, such as Li it can be used such as those of the ITO laminated film of a metal. 有機導電材料としては例えばポリ(ビスエチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)やポリアニリンなどにドーピングを施した導電性ポリマーや導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。 Organic conductive as the material such as poly (bis-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) or conductive polymers or conductive polypyrrole was subjected to doping such as polyaniline, conductive polythiophene, also including a complex of polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonic acid preferred used to.
【0021】 [0021]
薄膜トランジスタの電極または配線等の形成方法としては、金属酸化物膜や金属の薄膜をもちいる場合、これらの材料を原料として蒸着やスパッタリング等の方法により形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いてパターニングする方法やこれらの導電性薄膜上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法等がある。 As a method for forming electrodes or wirings of the thin film transistor, the case of using a thin film of a metal oxide film or a metal, a conductive thin film formed by vapor deposition, sputtering or some other method of these materials as raw materials, a known photolithographic method and lift-off method thermal transfer method and these conductive thin film is patterned using, by an ink jet or the like, and a method of etching a resist. また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。 The solution or dispersion of the conductive polymer, to a conductive fine particle dispersion or the like may be patterned by direct ink-jet method, may be formed by a lithography or laser ablation from the coated film. さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。 Furthermore ink containing conductive polymers or conductive particulates, a conductive paste letterpress, intaglio, planographic, a method of patterning by a printing method such as screen printing can be used.
【0022】 [0022]
実質的に透明な絶縁層としては例えば有機絶縁層などを用いることが出来る。 Substantially transparent may be used, for example an organic insulating layer as an insulating layer. 有機絶縁材料としては例えば、PMMA(ポリメチルメタクリレート)等のポリアクリレート、PVA(ポリビニルアルコール)、PS(ポリスチレン)、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等が挙げられる。 As the organic insulating material, e.g., PMMA (polymethyl methacrylate) polyacrylate such as, PVA (polyvinyl alcohol), PS (polystyrene), polyimide, polyamide, polyester, photo-radical polymerization system, cationic photopolymerization type photocuring resins, or copolymers containing acrylonitrile components, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, novolak resins, and cyanoethyl pullulan. 有機絶縁材料皮膜の形成方法としては、ディッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレイコート、ダイコートなどの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニング方法など、ウェットプロセスが好ましい。 The method of forming an organic insulating material film, a method dipping, spin coating, knife coating, bar coating, blade coating, squeeze coating, reverse roll coating, gravure roll coating, curtain coating, spray coating, by coating such as die coating, printing Ya such patterning method such as an ink jet, a wet process is preferable.
【0023】 [0023]
この様な材料により透明基板上にソース、ドレインおよびゲートの各電極と、有機半導体層および絶縁層を、実質透明な材料により所望の構造にて配置した薄膜トランジスタを形成し、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって配線を構成して実質的に透明な半導体回路を形成できる。 Source on a transparent substrate by such materials, and the electrodes of the drain and the gate, the organic semiconductor layer and the insulating layer, and forming a thin film transistor arranged in a desired structure by substantially transparent material, the transistor electrical contacts constitute a wire by a substantially transparent conductive material having a capable of forming a substantially transparent semiconductor circuit.
【0024】 [0024]
この様な半導体回路は、例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置や、有機EL表示装置の、それぞれ画素となる液晶表示素子や有機EL表示素子を駆動する、選択駆動回路として好ましく用いられる。 Such semiconductor circuit, for example, and an active matrix type liquid crystal display device, an organic EL display device, respectively for driving the liquid crystal display element and an organic EL display device comprising a pixel, are preferably used as the selection driving circuit.
【0025】 [0025]
これらの選択駆動回路は、基板上に、複数の走査線と複数の信号線とが互いに直交する方向に配設され、上記両配線の各交差部に画素部と該選択駆動回路が形成されており、液晶表示素子においては、ゲートに接続した走査線(ゲートバスライン)の制御で、ソースに接続する信号線(ソースバスライン)からの信号を表示電極に送る、スイッチング素子として薄膜トランジスタが最低1つ、また、有機EL表示装置においては、走査線(ゲートバスライン)に接続し信号線からの信号のon/offを選択する選択トランジスタおよび信号線からの信号により電流を制御して有機EL発光素子を発光させる駆動トランジスタの少なくとも2つの薄膜トランジスタが用いられている。 These selection driving circuits, on a substrate, a plurality of scan lines and a plurality of signal lines are arranged perpendicular to each other, the pixel portion and said selection driving circuit is formed at each intersection of both lines cage, in the liquid crystal display device, the control of the scanning line connected to the gate (gate bus line), and sends the signal from the signal line connected to the source (source bus lines) on the display electrodes, thin film transistors have at least as a switching element One, in the organic EL display device, the control to the organic EL light emitting current by a signal from the selection transistors and the signal line for selecting the on / off of the signal from the connected signal line to the scan line (gate bus line) At least two thin film transistors of the driving transistor to the light emitting element is used. 従って、これらの薄膜トランジスタを前記実質透明なトランジスタとし、また該トランジスタとの電気的接点を含め配線を実質透明な導電性材料によって構成することで、アクティブマトリクス型の選択駆動回路を実質透明とすることができ、シリコン等で形成した半導体回路により駆動回路を構成したアクティブマトリクス型液晶表示装置、或いは、有機EL表示装置において、各画素毎に配置された選択駆動回路が開口率を低下させている原因をとり除くことができる。 Accordingly, these thin film transistors and said substantially transparent transistor, also by configuring the substantially transparent conductive material wiring including an electrical contact with the transistor, to a substantially transparent selection driving circuit of an active matrix type cause can be an active matrix type liquid crystal display device constituting a driving circuit of a semiconductor circuit formed in silicon or the like, or, where in the organic EL display device, selecting a driving circuit arranged in each pixel and to reduce the aperture ratio it is possible to remove the.
【0026】 [0026]
液晶表示装置については、その構成等、例えば、特開2002−116744、同2002−108310、2002−122844等に詳しく記載されており参考にできる。 The liquid crystal display device, its configuration and the like, for example, JP 2002-116744, can be referred to are described in detail on the 2002-108310,2002-122844 like. また、EL表示素子に用いられる各種の材料およびその構成等についても特開2002−56976、同2002−141170、同2002−75642、同2002−100480等に詳しく記載されており、参考にできる。 Further, various materials and JP 2002-56976 also its configuration and the like used in the EL display device, said 2002-141170, the 2002-75642, are described in detail on the 2002-100480 or the like, can be referred to.
【0027】 [0027]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下に本発明の実施の形態について図1〜4を用いて具体的に説明する。 It will be specifically described with reference to FIGS. 1-4 embodiments of the present invention are described below.
【0028】 [0028]
図1は前記液晶表示素子の表示電極、信号線、走査線、および、有機薄膜トランジスタ(TFT)からなる選択駆動回路の一例を等価回路で示したものである。 Figure 1 is a display electrode of the liquid crystal display device, signal lines, scanning lines, and illustrates an example of a selection driving circuit formed of an organic thin-film transistor (TFT) in the equivalent circuit.
【0029】 [0029]
行方向に延びる複数のゲートバスライン(走査線)14および、これに交差するように列方向に複数のソースバスライン(信号線)13が配置されている。 A plurality of gate bus lines extending in the row direction (scanning lines) 14 and a plurality of source bus lines (signal lines) 13 are arranged in the column direction so as to intersect thereto. ゲートバスライン(走査線)14とソースバスライン(信号線)13とのそれぞれの交点にはTFT10が接続されている。 The respective intersections of the gate bus lines (scanning lines) 14 and the source bus line (signal line) 13 is connected to TFT 10. TFT10のゲートはゲートバスライン(走査線)14に接続され、TFT10のソースがソースバスライン(信号線)13に接続されている。 The gate of TFT10 is connected to the gate bus lines (scanning lines) 14, a source of TFT10 is connected to the source bus line (signal line) 13. TFT10のドレインは蓄積コンデンサ12と表示素子17の透明な表示電極に接続されている。 The drain of the TFT10 is connected to the transparent display electrode of the storage capacitor 12 and the display device 17. 表示素子17のもう一方の電極および蓄積コンデンサ12の対極は接地されている。 Counter of the other electrode and the storage capacitor 12 of the display device 17 is grounded.
【0030】 [0030]
ゲートバスライン(走査線)14はゲート線ドライバ16に接続され、ゲートバスライン(走査線)14には、ゲート線ドライバによって順次ゲート信号が印加される。 Gate bus lines (scanning lines) 14 are connected to the gate line driver 16, the gate bus lines (scanning lines) 14 are sequentially gate signal is applied by the gate line driver. ゲート信号はオンもしくはオフの2値の信号で、例えば、オンの時は正の所定電圧、オフの時は0Vとなる。 The gate signal is a signal of two values ​​of ON or OFF, for example, a predetermined positive voltage when on, when off becomes 0V. ゲート線ドライバ16は、複数接続されるゲートバスライン(走査線)14のうち、選択された所定のゲートバスライン(走査線)のゲート信号をオンとする。 The gate line driver 16, out of the gate bus lines (scanning lines) 14 connected to a plurality of turns on the gate signal of a predetermined gate bus line selected (scanning lines). ゲート信号がオンとなると、そのゲートバスライン(走査線)14に接続された全てのTFT10がオンとなり、TFT10を介してソースバスライン(信号線)13と表示素子17の表示電極11とが接続される。 When the gate signal is turned on, the gate bus lines all connected to a (scanning line) 14 TFT 10 is turned on, is connected to the display electrodes 11 of the source bus line (signal line) 13 and the display device 17 via the TFT 10 It is. ソースバスライン(信号線)13には信号線ドライバ15から信号が出力されており、信号は表示電極に入力されるとともに、蓄積コンデンサ12に充電される。 Source bus lines (signal lines) 13 are output signal from the signal line driver 15, the signal is input to the display electrodes is charged in the storage capacitor 12. この結果、信号に応じ表示電極および接地した対向電極間で液晶分子が配向する。 As a result, liquid crystal molecules are aligned between the display electrodes and a grounded counter electrode according to the signal. 蓄積コンデンサ12は、接地した対向電極との間で静電容量を形成しており、一定時間表示信号を蓄積することができる。 Storage capacitor 12 forms a capacitance between the counter electrode is grounded, it is possible to accumulate a predetermined time display signal. 信号は、ゲート線ドライバ16が他のゲートバスライン(走査線)14を選択し、そのゲートバスライン(走査線)14が非選択となってTFT10がオフした後も、蓄積コンデンサ12によって1垂直走査期間の間保持され表示素子17中の液晶はその配向を維持できる。 Signal, the gate line driver 16 is another gate bus line (scanning line) 14 is selected, even after the gate bus lines (scanning lines) 14 in the nonselective TFT10 is turned off, the storage capacitor 12 1 vertical liquid crystal in the held during the scan period display device 17 can maintain its orientation.
【0031】 [0031]
以上が、アクティブマトリクス型液晶表示装置の動作原理であるが、本明細書において、上述したTFT10等を有し、ゲート信号のような表示素子の1つもしくは複数を同時に選択する信号と、表示する映像によって決定される信号とによって、所定の表示素子に信号に応じた電流を供給する回路を総称して選択駆動回路と称する。 The above is the operation principle of an active matrix liquid crystal display device, in this specification, have the TFT10 like described above, and at the same time the signal for selecting one or more of the display device such as a gate signal, to display by a signal determined by the video, referred to as a selection drive circuit are collectively circuit for supplying a current corresponding to the signal on a predetermined display device. 選択駆動回路は、上述した以外にも様々なパターンが考えられ、また、既に提案されており、本発明の適用は上記の例に限限定されない。 Selection drive circuit, various patterns considered in addition to the above, also have been already proposed, the application of the present invention is not limited only to the above examples.
【0032】 [0032]
図2は基板上に薄膜トランジスタ、これと電気的な接点を有する配線および表示電極等を形成し構成した、選択駆動回路の構成の一例を示す概略図である。 Figure 2 is a thin film transistor onto the substrate to form constitutes a wiring and display electrodes, and the like having an electrical contact and which is a schematic diagram showing an example of the configuration of the selection driving circuit.
【0033】 [0033]
ポリカーボネートフィルムからなる基板7上に、例えば、ITO膜を蒸着により形成した後(110nm)、フォトリソグラフィー法によって、レジストからなるマスクを形成し、エッチングによりパターニングを行い、ドレイン電極2、ソース電極3およびこれと接続したソースバスライン13をITO膜で形成する。 On a substrate 7 made of polycarbonate film, for example, after forming by vapor deposition ITO film (110 nm), by photolithography, a resist mask is formed and patterned by etching, the drain electrode 2, the source electrode 3 and the source bus lines 13 connected thereto to form an ITO film. 次いで、マスクを重ねた後、蒸着によりペンタセン結晶からなる有機半導体チャネル4をパターニング形成する(厚み50nm)。 Then, after a superposed mask, the organic semiconductor channel 4 made of pentacene crystal patterning formed by vapor deposition (thickness 50 nm). 更に、PMMA(ポリメチルメタクリレート)からなるゲート絶縁膜5をスピンコートにより全面に形成し(200nm)、ITO膜形成(厚み100nm)、パターニングによりゲート電極を兼ねゲートバスライン14を形成した後、更に平坦化絶縁膜6をフェノール樹脂をスピンコートにより塗布することで形成する(100nm)。 Furthermore, PMMA gate insulating film 5 made of (polymethyl methacrylate) was formed on the entire surface by spin coating (200 nm), ITO film (thickness 100 nm), after forming the gate bus line 14 serves as a gate electrode by patterning, further formed by coating by spin coating a phenolic resin planarization insulating film 6 (100 nm). 次いで平坦化絶縁膜6を貫通してドレイン電極に達するコンタクトホール用孔をエキシマレーザー等の短波長レーザーにより形成して、更に最表面およびコンタクトホール用孔の内壁にITO膜を蒸着或いはスパッタにより形成して、次いでマスク形成した後、ITO膜をエッチングによりパターニングして、最表面に100nmの膜厚の表示電極11と、該表示電極11およびドレイン電極2を電気的に連結するコンタクトホール8を形成する。 Then a contact hole hole reaching the drain electrode through the planarization insulating film 6 is formed by a short wavelength laser such as an excimer laser, further formed by vapor deposition or sputtering an ITO film on the inner wall of the outermost surface and the contact hole hole to, then after mask formation, the ITO film is patterned by etching, forming the display electrode 11 having a thickness of 100nm on the outermost surface, the contact hole 8 for electrically connecting the display electrode 11 and the drain electrode 2 to.
【0034】 [0034]
図2(a)に 形成された薄膜トランジスタを含む選択駆動回路および表示電極の構成を示す断面図(A−A断面図)およびこれを上面からみたところ(図2(b))を示す。 Sectional view showing a configuration of a selection drive circuit and a display electrode including the formed thin film transistors in FIG. 2 (a) (A-A sectional view) and which was viewed from the top showing the (Figure 2 (b)).
【0035】 [0035]
この表示電極11に対向してやはり透明な対向電極を設け、対向電極を接地し、2つの電極間に液晶層、偏光膜等を配設させ液晶表示素子が構成される。 The display electrodes 11 opposed to still transparent counterelectrode provided, grounding the counter electrode, the liquid crystal layer, the liquid crystal display device is constituted by arranging a polarizing film or the like between the two electrodes.
【0036】 [0036]
この様な表示電極および駆動回路を用いた液晶表示装置は、表示電極のみでなく、ソース、ドレインおよびゲート電極等の電極材料また、ソースバスラインやゲートバスラインも実質透明な材料で構成しているので、対向電極としてやはりITO等の透明導電性材料を用い表示素子を構成すると、表示素子駆動のための薄膜トランジスタをおよびゲートバスライン等の配線部分からなる選択駆動回路が全て実質的に透明な材料で構成されているため表示素子としての開口率が大きくとれ、明るい液晶表示装置を構成することができる。 The liquid crystal display device using such a display electrode and the drive circuit, not only the display electrodes, the source and the electrode material, such as drain and gate electrodes, the source bus lines and gate bus lines be arranged in a substantially transparent material because there, if still constituting a display device using a transparent conductive material such as ITO as a counter electrode, all the selection driving circuit formed of thin film transistors and wiring portions such as the gate bus lines for the display element drive substantially transparent made large aperture ratio as a display device because it is composed of a material, it is possible to construct a bright liquid crystal display device.
【0037】 [0037]
選択駆動回路を構成する薄膜トランジスタを例えば、ケイ素系の半導体をもちいて形成しソースバスライン、ゲートバスライン等を含む他の配線部分を金属等の導電性材料で形成した場合には、該薄膜トランジスタを構成部分およびゲートバスライン等が、光を透過しない材料であるため該駆動回路部分の大きさだけ開口率が小さくなる。 A thin film transistor constituting a selection driving circuit, for example, silicon-based by using a semiconductor to form a source bus line, when the other wiring portion including a gate bus line or the like to form a conductive material such as a metal, the thin film transistor components and the gate bus line or the like, only the size of the aperture ratio of the drive circuit portion for a material that does not transmit light is reduced.
【0038】 [0038]
次いで図3に、有機EL表示装置の選択駆動回路の一例を等価回路で示す。 Then in Figure 3 shows an example of the selection driving circuit of the organic EL display device in the equivalent circuit. 行方向に延びる複数のゲート線101が配置され、これに交差するように列方向に複数のデータ線102および駆動線103が配置されている。 Is arranged a plurality of gate lines 101 extending in the row direction, a plurality of data lines 102 and the driving lines 103 are arranged in the column direction so as to intersect thereto. 駆動線103は、電源PVに接続されている。 Drive line 103 is connected to a power source PV. 電源PVは正の定電圧を出力する電源であり、その電圧は、例えば接地電圧を基準として10Vの正電圧である。 Power source PV is a power source for outputting a positive constant voltage, the voltage is, for example, a positive voltage of 10V and ground voltage as a reference. ゲート線101とデータ線102とのそれぞれの交点には選択TFT104が接続されている。 The respective intersections of the gate lines 101 and data lines 102 selected TFT104 is connected. 選択TFT104のゲートはゲート線101に接続され、選択TFT104のドレインがデータ線102に接続されている。 The gate of the selection TFT104 is connected to the gate line 101, the drain of the selection TFT104 is connected to the data line 102. 選択TFT104のソースは保持コンデンサ105と駆動TFT106のゲートに接続されている。 Source selection TFT104 is connected to the gate of the holding capacitor 105 driving TFT 106. 駆動TFT106のドレインは、駆動線103に接続され、ソースは有機EL表示素子107の陽極に接続されている。 Drain of the driving TFT106 is connected to the drive line 103, the source is connected to the anode of the organic EL display device 107. 有機EL表示素子107の陰極は接地されている。 Cathode of the organic EL display element 107 is grounded. 保持コンデンサ105の対極には、列方向に延在する容量線109が接続されている。 The counter electrode of the holding capacitor 105, the capacitor line 109 extending in the column direction are connected.
【0039】 [0039]
ゲート線101は図示しないゲート線ドライバに接続され、ゲート線101には、ゲート線ドライバによって順次ゲート信号が印加される。 The gate line 101 is connected to the gate line driver (not shown), the gate line 101 is sequentially gate signal is applied by the gate line driver. ゲート信号はオンもしくはオフの2値の信号で、例えば、オンの時は正の所定電圧、オフの時は0Vとなる。 The gate signal is a signal of two values ​​of ON or OFF, for example, a predetermined positive voltage when on, when off becomes 0V. ゲート線ドライバは、複数接続されるゲート線101のうち、選択された所定のゲート線のゲート信号をオンとする。 Gate line driver of the gate line 101 connected to a plurality of turns on the gate signal of a predetermined gate line selected. ゲート信号がオンとなると、そのゲート線101に接続された全ての選択TFT104がオンとなり、選択TFT104を介してデータ線102と駆動TFT106のゲートが接続される。 When the gate signal is turned on, all the selected connected to the gate line 101 TFT 104 is turned on, the gate of the data lines 102 and the driving TFT106 is connected via a selection TFT 104. データ線102にはデータ線ドライバ108から表示する映像に応じて決定されるデータ信号が出力されており、データ信号は駆動TFT106のゲートに入力されるとともに、保持コンデンサ105に充電される。 The data lines 102 are output data signal determined in accordance with an image to be displayed from the data line driver 108, with the data signal is input to the gate of the driving TFT 106, is charged to the holding capacitor 105. 駆動TFT106は、データ信号の大きさに応じた導電率で駆動線103と有機EL表示素子107とを接続する。 Driving TFT106 connects the driving line 103 and the organic EL display device 107 with conductivity depending on the magnitude of the data signal. この結果、データ信号に応じた電流が駆動TFT106を介して駆動線103から有機EL表示素子107に供給され、データ信号に応じた輝度で有機EL表示素子107が発光する。 As a result, supplied from the drive line 103 through the current driving TFT106 corresponding to the data signal to the organic EL display device 107, the organic EL display device 107 with a luminance corresponding to the data signal is emitted. 保持コンデンサ105は、専用の容量線109もしくは駆動線10など他の電極との間で静電容量を形成しており、一定時間データ信号を蓄積することができる。 Holding capacitor 105 forms a capacitance between other electrodes such as a dedicated capacitor line 109 or the driving line 10, it is possible to accumulate a certain time data signal. データ信号は、ゲート線ドライバが他のゲート線101を選択し、そのゲート線101が非選択となって選択TFT104がオフした後も、保持コンデンサ105によって1垂直走査期間の間保持され、その間、駆動TFT106は前記導電率を保持し、有機EL表示素子107はその輝度で発光を続けることができる。 Data signal, a gate line driver selects another gate line 101, the gate line 101 after the selection in the nonselective TFT104 is turned off is held during one vertical scanning period by the holding capacitor 105, during which, driving TFT106 holds the conductivity, the organic EL display device 107 can continue to emit light at the luminance.
【0040】 [0040]
以上が、アクティブマトリクス型有機EL表示装置の動作原理であるが、本明細書において、上述した選択TFT104、駆動TFT106等を有し、ゲート信号のような表示素子の1つもしくは複数を同時に選択する信号と、表示する映像によって決定されるデータ信号とによって、所定の表示素子にデータ信号に応じた電流を供給する回路を総称して選択駆動回路と称する。 The above is the operation principle of the active matrix type organic EL display device, in this specification, selected the aforementioned TFT 104, a driving TFT106 etc., selects one of the display elements, such as a gate signal or a plurality of simultaneously signal, the data signal determined by the image to be displayed is referred to as a selection drive circuit are collectively circuit for supplying a current corresponding to the data signal on a predetermined display device. 選択駆動回路は、上述した以外にも様々なパターンが考えられ、また、既に提案されている。 Selection drive circuit, various patterns considered in addition to the above, also have been already proposed. 例えば、発光輝度の画素毎のバラツキを抑えるために、4TFT構成とした駆動回路等もあり、上記の構成は一例にすぎず、本発明はこれに限られるものではない。 For example, in order to suppress the variation of each pixel of the light emission luminance, is also driving circuit or the like with 4TFT configuration, the above-described configuration is only an example, the present invention is not limited thereto.
【0041】 [0041]
図4に上記のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の構成の一例を断面図で示す。 Figure 4 shows an example of the configuration of the active matrix type organic EL display device in cross-section.
【0042】 [0042]
但し上記のうち、選択TFT104およびこれとデータ線102、駆動TFT106との接続等については省略されている。 However Of the above, have been omitted connection of the selection TFT104 and this and the data line 102, the driving TFT 106.
【0043】 [0043]
ガラス基板111上に駆動TFT106を複数配置する。 Arranging a plurality of drive TFT106 on the glass substrate 111. 即ち、ガラス基板上に、先ず駆動TFT106のゲート電極106Gを100nmの膜厚でITO膜をパターニングして形成する。 That is, on a glass substrate, first, to form a gate electrode 106G of the driving TFT106 by patterning the ITO film with a film thickness of 100 nm. 次いで、PMMAからなる層間絶縁膜112をスピンコートにより形成する(厚み150nm)。 Then, an interlayer insulating film 112 made of PMMA is formed by spin coating (thickness 150 nm). 次いで、やはり層間絶縁膜上にITO膜を形成(厚み100nm)しパターニングしてソース電極106S、ドレイン電極106Dを形成する。 Then, again forming an ITO film on the interlayer insulating film (thickness 100 nm) and patterned to a source electrode 106S, a drain electrode 106D. 次いでマスクを重ねた後、ソース、ドレイン電極間に蒸着によってペンタセン膜からなる有機半導体チャネル106Cを形成する(厚み50nm)。 Then, after a superposed mask, to form an organic semiconductor channel 106C consisting of pentacene film by vapor deposition source, a drain electrode (thickness 50 nm). 駆動TFT106上に層間絶縁膜113をやはりPMMAをスピンコートして形成し(厚み100nm)、その上にデータ線102および駆動線103をやはり全面にITO膜を蒸着形成(厚み100nm)した後、パターニングして配置する。 The still PMMA interlayer insulating film 113 on the drive TFT106 formed by spin coating (thickness 100 nm), was also entirely in vapor form an ITO film data line 102 and drive line 103 thereon (thickness 100 nm), the patterning to be placed. こうして形成した駆動線103は、駆動TFT106のドレイン電極106Dにコンタクトホールを介して接続させる。 Thus drive line 103 formed may be connected to the drain electrode 106D of the driving TFT106 through the contact hole. それらの上に、更に、厚み100nmでPMMAによる平坦化絶縁膜114をスピンコートする。 On them, further, spin coating a planarization insulating film 114 by PMMA with a thickness 100 nm. 平坦化絶縁膜114の上には以下のようにして、ITO(indium tin oxide)透明電極よりなる陽極115を蒸着、パターニングして形成し(厚み110nm)、画素毎に有機EL表示素子107を配置する。 On the planarization insulating film 114 is as follows, ITO (indium tin oxide) deposited anode 115 made of a transparent electrode, formed by patterning (thickness 110 nm), place the organic EL display element 107 for each pixel to. 即ち、即ち、PMMAによる平坦化絶縁膜114をスピンコートした後、平坦化絶縁膜114および層間絶縁膜113を貫通して駆動TFT106のソース電極106Sに達するコンタクトホール用の孔をエキシマレーザを用いて穿ち、平坦化絶縁膜114の表面およびコンタクトホール用の孔の内壁に同時にITO膜を形成させ、その後表面のパターニングを行って、陽極115を形成すると共に、各陽極115と各駆動TFT106のソース電極106SとをITO膜によって電気的に接続する。 That is, that is, after the spin-coating a planarization insulating film 114 by PMMA, using an excimer laser with holes for the contact hole reaching the planarization insulating film 114 and the source electrode 106S interlayer insulating film 113 through to drive TFT106 bored to form a planarization insulating film 114 surface and pores simultaneously ITO film on the inner wall of the contact hole, then by patterning the surface, thereby forming the anode 115, the source electrode of the drive TFT106 and each anode 115 and 106S are electrically connected by the ITO film.
【0044】 [0044]
次いで、こうして形成したITO膜からなる陽極上にホール輸送層116としてα―NPD(4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)を40nmの厚さに蒸着し、さらに、CBP(4,4′−(N,N′−ビスカルバゾリル)ビフェニル)とトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体の蒸着速度が100:7になるように調節し、20nmの厚さに蒸着した発光層117を設ける。 Then, thus depositing alpha-NPD as a hole transport layer 116 on the anode made of an ITO film formed with (4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenylamino] biphenyl) to a thickness of 40nm and, further, CBP (4,4 '- (N, N'- Bisukarubazoriru) biphenyl) and tris (2-phenylpyridine) the deposition rate of the iridium complex is 100: the adjusted to 7, the thickness of 20nm an emitting layer 117 was deposited.
【0045】 [0045]
次いで、厚さ10nmのBC(バソキュプロイン)からなるホールブロック層を設け(図では省略)、更に、Alq3(トリス(8−キノリノラート)アルミニウム(III))からなる膜厚40nmの電子輸送層118を蒸着同様に蒸着により設ける。 Then, (omitted in the drawing) of the hole blocking layer comprising a thickness of 10 nm BC (bathocuproin) provided, further, depositing Alq3 (tris (8-quinolinolato) aluminum (III)) of film thickness 40nm made of an electron transport layer 118 Likewise provided by vapor deposition. さらに、陰極バッファー層として酸化リチウム(Li O)を0.5nm蒸着する(同じく図では省略)。 Further, the lithium oxide (Li 2 O) to 0.5nm deposited as a cathode buffer layer (also not shown in the figure). 以上の層上に、更にアルミニウムを真空蒸着によって、110nm積層し、前記陽極115に対向して陰極119を形成する。 On or more layers, by further vacuum deposition of aluminum, 110 nm are laminated to form a cathode 119 facing the anode 115.
【0046】 [0046]
この様にして形成された有機EL表示装置は、陽極115からホール輸送層116に注入されたホールと、陰極119から電子輸送層118に注入された電子とが発光層117の内部で再結合することにより光が放たれ、この光が図中矢印で示したように、透明な陽極115側からガラス基板111を透過して外部に放射される。 Thus in an organic EL is formed by the display device, holes injected from the anode 115 into hole transport layer 116, and electrons injected from the cathode 119 into the electron transport layer 118 are recombined in the emissive layer 117 light emitted by this light as indicated by arrows in the figure, is emitted to the outside through the glass substrate 111 from the transparent anode 115 side. 陽極115は各画素毎に独立して形成され、ホール輸送層116、発光層117、電子輸送層118、陰極119は、ここにおいては各画素共通に形成される。 The anode 115 is formed independently for each pixel, the hole transport layer 116, light emitting layer 117, an electron transport layer 118, cathode 119, herein is formed in common each pixel.
【0047】 [0047]
この有機EL表示素子はTFTおよびこれと電気的接点を有する導電性材料からなる配線を含む駆動回路が実質的に透明な材料で形成されているために、通常は陽極側から観察するため(陰極としては、有機EL材料への電子注入しやすい金属でなければならないので、仕事関数の小さいものを使用しなければならないため、透明な電極が得られにくく、通常は陽極のITO電極の側から観察するのが普通である)、画素の一部に駆動回路を構成するためのスペースが必要であり、画素全体を発光させる構成をとりにくいため、駆動回路を透明として、発光面積を大きくでき、明るい表示が可能である。 For the organic EL display device is a driving circuit including the wiring made of a conductive material having a TFT and this electrical contact is formed of a substantially transparent material, since the normally observed from the anode side (cathode as it is because it must be an electron injection metal easily to the organic EL material, since it is necessary to use a small work function, hardly transparent electrode is obtained, usually observed from the side of the ITO electrode of the anode it is common to), a space for the driver circuit to the part of the pixels is required, since it is difficult to take a configuration for emitting the entire pixel, a drive circuit as a transparent, can be increased emission area, bright it is possible to display. 一方、シリコン系の薄膜トランジスタを用いた場合には、駆動回路が電界発光の観察側になるために、駆動回路分の大きさだけ光取り出しの開口率が小さくなってしまう。 On the other hand, in the case of using a thin film transistor of a silicon-based, in order to drive circuit is on the observation side of the light emitting aperture ratio of the light extraction by the size of the driving circuit component is reduced.
【0048】 [0048]
以上のように、液晶表示素子や有機EL表示素子における駆動回路として本発明によれば実質的に透明な回路を構成できるが、上記は一例であり、その他の構成を有する半導体回路においても、薄膜トランジスタおよび実質透明な電気配線により形成される半導体回路であれば、いかなるものにも応用でき、また、不透明な素子が部分的に含まれている場合でも、その部分が実質的に大きな部分を占めない限り、透明化による効果は大きい。 As described above, according to the present invention as a drive circuit in a liquid crystal display element and an organic EL display device can be configured to substantially transparent circuit, described above is an example, even in the semiconductor circuit having another configuration, the thin film transistor and, if the semiconductor circuit formed by substantially transparent electric wiring can also be applied to any one, also, even when the opaque element is included in part, portion thereof does not occupy substantially larger portion As long as the effect is large due to transparency.
【0049】 [0049]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
実質透明な薄膜トランジスタおよび導電性材料により実質透明な半導体回路が得られるために、液晶表示素子や有機EL表示素子等のディスプレイの開口率がアップする他、半導体回路を透明化でき、これを有する半導体装置の外観やデザインを損なうことがない。 For the substantially transparent thin film transistor and a conductive material substantially transparent semiconductor circuit obtained, except that the liquid crystal display element and an organic EL display displaying aperture ratio of such devices is up, it can clear the semiconductor circuit, a semiconductor having the same there is no prejudice to the apparatus of the appearance and design.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】液晶表示素子の選択駆動回路の一例を等価回路で示した図である。 1 is a diagram showing an example of the selection driving circuit of the liquid crystal display element in the equivalent circuit.
【図2】選択駆動回路の構成の一例を示す概略図である。 2 is a schematic diagram showing an example of the configuration of the selection driving circuit.
【図3】有機EL表示装置の選択駆動回路の一例を等価回路で示した図である。 3 is a diagram showing an example of the selection driving circuit of the organic EL display device in the equivalent circuit.
【図4】有機EL表示装置の構成の一例を示す断面図である。 4 is a sectional view showing an example of configuration of an organic EL display device.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
2,106D ドレイン電極3,106S ソース電極4,106C 有機半導体チャネル5 ゲート絶縁膜6,114 平坦化絶縁膜7 基板8 コンタクトホール10 TFT 2,106D drain electrode 3,106S source electrode 4,106C organic semiconductor channel 5 gate insulating film 6,114 planarization insulating film 7 substrate 8 contact hole 10 TFT
11 表示電極12 蓄積コンデンサ13 ソースバスライン14 ゲートバスライン15 信号線ドライバ16 ゲート線ドライバ17 表示素子101 ゲート線102 データ線103 駆動線PV 電源104 選択TFT 11 Display electrode 12 a storage capacitor 13 source bus line 14 gate bus line 15 signal line driver 16 gate line driver 17 display element 101 gate lines 102 data line 103 drive lines PV source 104 selection TFT
105 保持コンデンサ106 駆動TFT 105 holding capacitor 106 driving TFT
106G ゲート電極107 有機EL表示素子108 データ線ドライバ109 容量線111 ガラス基板112,113 層間絶縁膜115 陽極116 ホール輸送層117 発光層118 電子輸送層119 陰極 106G gate electrode 107 organic EL display device 108 data line driver 109 capacitor line 111 glass substrate 112, 113 interlayer insulating film 115 anode 116 hole transport layer 117 luminescent layer 118 electron-transporting layer 119 cathode

Claims (8)

  1. 実質透明なトランジスタと、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成したことを特徴とする半導体回路。 The semiconductor circuit according to claim substantially transparent transistors, by being configured by a substantially transparent conductive material having the transistors and electrical contacts.
  2. 透明な基板上にソース、ドレインおよびゲートの各電極と、有機半導体層および絶縁層を、実質透明な材料により所望の構造にて配設した薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成した配線を有することを特徴とする半導体回路。 Transparent source substrate, and the electrodes of the drain and the gate, the organic semiconductor layer and the insulating layer, substantially transparent conductive with a thin film transistor and the transistor is disposed in a desired structure by substantially transparent material and electrical contact semiconductor circuit and having a wiring constituted by gender material.
  3. 薄膜トランジスタのソース、ドレイン、およびゲートの各電極および該トランジスタと電気的接点を有する導電性材料がともにITOからなることを特徴とする請求項2に記載の半導体回路。 The semiconductor circuit according to claim 2, the thin film transistor source, drain, and the electrodes and the conductive material having the transistor and electrically contacts the gate are both characterized by comprising the ITO.
  4. 透明な基板上に、複数の走査線と複数の信号線とが互いに直交する方向に配設され、上記両配線の各交差部に画素部と選択駆動回路が形成されたアクティブマトリクス型の画像表示装置において、前記選択駆動回路を、実質透明な薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成したことを特徴とする画像表示装置。 On a transparent substrate, a plurality of scan lines and a plurality of signal lines are arranged perpendicular to each other, image display of an active matrix type selection driving circuit and pixel portion is formed at each intersection of both lines in the apparatus, an image display apparatus, characterized in that said selection driving circuit, constituted by a substantially transparent conductive material having a substantially transparent thin film transistors and said transistors and electrical contacts.
  5. 薄膜トランジスタが、透明な基板上にソース、ドレインおよびゲートの各電極と、有機半導体層および絶縁層を、実質透明な材料により所望の構造にて配設したものであることを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。 Claim thin film transistor, source on a transparent substrate, and the electrodes of the drain and the gate, the organic semiconductor layer and the insulating layer, characterized in that which is disposed at a desired structure by substantially transparent material 4 the image display apparatus according to.
  6. 選択駆動回路を構成する薄膜トランジスタのソース、ドレイン、およびゲートの各電極および該電極と電気的接点を有する導電性材料がともにITOで構成されたことを特徴とする請求項4または5に記載の画像表示装置。 The source of the thin film transistor constituting a selection driving circuit, a drain, and an image according to claim 4 or 5 each electrode and the conductive material having the electrodes and the electrical contacts of the gate is characterized in that it is constituted together with ITO display device.
  7. 画素部が液晶表示素子であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の画像表示装置。 The image display apparatus according to any one of claims 4-6 in which the pixel portion is characterized in that it is a liquid crystal display device.
  8. 画素部が有機エレクトロルミネッセンス表示素子であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の画像表示装置。 The image display apparatus according to any one of claims 4-6 in which the pixel portion is characterized in that the organic electroluminescent display device.
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Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011571A (en) * 2003-06-17 2005-01-13 Seiko Epson Corp Electroluminescent display device, wiring board for electroluminescent display device, manufacturing method of electroluminescent display device, and electronic apparatus
JP2006245031A (en) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd Thin film transistor panel
JP2006259383A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 Seiko Epson Corp Fabricating method for substrate for electronic device, substrate for electronic device, electronic device, and electronic equipment
EP1770790A2 (en) * 2005-09-27 2007-04-04 Samsung SDI Co., Ltd. Transparent thin film transistor (TFT) and its method of manufacture
JP2007103584A (en) * 2005-10-03 2007-04-19 Ricoh Co Ltd Transistor element, display device and manufacturing methods thereof
KR100739297B1 (en) 2005-09-28 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 Flat panel display and method for driving the same
JP2007299833A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Structure body, transmissive liquid crystal display, method for manufacturing the same and method for manufacturing semiconductor circuit
JP2007298628A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Display device and its manufacturing method
JP2007298601A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Structure, reflection type display device, manufacturing method of semiconductor circuit and manufacturing method of reflection type display device
JP2007298602A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Structure, transmission type liquid crystal display device, manufacturing method of semiconductor circuit and manufacturing method of transmission type liquid crystal display device
JP2007298627A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Display device and its manufacturing method
JP2008008963A (en) * 2006-06-27 2008-01-17 Toppan Printing Co Ltd Display panel
JP2008211184A (en) * 2007-01-29 2008-09-11 Canon Inc Active matrix display apparatus
JP2008233484A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Toppan Printing Co Ltd Reflective display device
JP2008286911A (en) * 2007-05-16 2008-11-27 Toppan Printing Co Ltd Image display device
US7463399B2 (en) 2005-09-28 2008-12-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display and a method of driving the same
JP2009516930A (en) * 2005-11-22 2009-04-23 イーストマン コダック カンパニー Naphthalene-based tetracarboxylic diimide as a semiconductor material
US7719185B2 (en) 2005-12-21 2010-05-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display and driving method using the same
JP2010156963A (en) * 2008-12-05 2010-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US7795621B2 (en) 2005-02-28 2010-09-14 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor panel
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010541A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7994510B2 (en) 2008-05-30 2011-08-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
JP2011258945A (en) * 2010-06-11 2011-12-22 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
US8552423B2 (en) 2009-07-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9093043B2 (en) 2012-11-28 2015-07-28 Japan Display Inc. Display device and electronic apparatus
JP2017117787A (en) * 2015-12-21 2017-06-29 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Display panel, display panel device and method of manufacturing display panel

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572510B2 (en) * 2003-06-17 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 Electroluminescent display device and an electronic apparatus
JP2005011571A (en) * 2003-06-17 2005-01-13 Seiko Epson Corp Electroluminescent display device, wiring board for electroluminescent display device, manufacturing method of electroluminescent display device, and electronic apparatus
JP2006245031A (en) * 2005-02-28 2006-09-14 Casio Comput Co Ltd Thin film transistor panel
US7633090B2 (en) 2005-02-28 2009-12-15 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor panel
US7795621B2 (en) 2005-02-28 2010-09-14 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor panel
JP2006259383A (en) * 2005-03-17 2006-09-28 Seiko Epson Corp Fabricating method for substrate for electronic device, substrate for electronic device, electronic device, and electronic equipment
EP1770790A3 (en) * 2005-09-27 2008-05-21 Samsung SDI Co., Ltd. Transparent thin film transistor (TFT) and its method of manufacture
EP1770790A2 (en) * 2005-09-27 2007-04-04 Samsung SDI Co., Ltd. Transparent thin film transistor (TFT) and its method of manufacture
KR100739297B1 (en) 2005-09-28 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 Flat panel display and method for driving the same
US7463399B2 (en) 2005-09-28 2008-12-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display and a method of driving the same
JP2007103584A (en) * 2005-10-03 2007-04-19 Ricoh Co Ltd Transistor element, display device and manufacturing methods thereof
JP2009516930A (en) * 2005-11-22 2009-04-23 イーストマン コダック カンパニー Naphthalene-based tetracarboxylic diimide as a semiconductor material
US7719185B2 (en) 2005-12-21 2010-05-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display and driving method using the same
JP2007298601A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Structure, reflection type display device, manufacturing method of semiconductor circuit and manufacturing method of reflection type display device
JP2007299833A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Structure body, transmissive liquid crystal display, method for manufacturing the same and method for manufacturing semiconductor circuit
JP2007298628A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Display device and its manufacturing method
JP2007298627A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Display device and its manufacturing method
JP2007298602A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Toppan Printing Co Ltd Structure, transmission type liquid crystal display device, manufacturing method of semiconductor circuit and manufacturing method of transmission type liquid crystal display device
JP2008008963A (en) * 2006-06-27 2008-01-17 Toppan Printing Co Ltd Display panel
JP2008211184A (en) * 2007-01-29 2008-09-11 Canon Inc Active matrix display apparatus
JP2008233484A (en) * 2007-03-20 2008-10-02 Toppan Printing Co Ltd Reflective display device
JP2008286911A (en) * 2007-05-16 2008-11-27 Toppan Printing Co Ltd Image display device
US7994510B2 (en) 2008-05-30 2011-08-09 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same
JP2010156963A (en) * 2008-12-05 2010-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US9201280B2 (en) 2008-12-05 2015-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8999750B2 (en) 2008-12-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011044698A (en) * 2009-07-18 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2011044696A (en) * 2009-07-18 2011-03-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9263472B2 (en) 2009-07-18 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8552423B2 (en) 2009-07-18 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8698143B2 (en) 2009-07-18 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8994024B2 (en) 2009-07-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010541A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2011010545A1 (en) * 2009-07-18 2011-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US9190424B2 (en) 2009-07-18 2015-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2011258945A (en) * 2010-06-11 2011-12-22 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same
US9093043B2 (en) 2012-11-28 2015-07-28 Japan Display Inc. Display device and electronic apparatus
JP2017117787A (en) * 2015-12-21 2017-06-29 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Display panel, display panel device and method of manufacturing display panel

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