JP5295085B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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請求項1に記載の発明は、誘電体からなる筒状の周壁部を有して内部に処理対象物を収容する真空容器と、前記周壁部の外周面との間に隙間を有して前記周壁部の外周に沿って配設され、高周波電力が供給されるコイル状の高周波アンテナと、前記周壁部の外周面に巻き付けられた容量結合電極とを備え、前記容量結合電極は、前記周壁部の中心軸線と平行な方向と前記周壁部の外周面の周方向とに周期性を有して前記周壁部の外周面と前記高周波アンテナとの隙間を前記外周面に沿って繰り返し横切るかたちの周回線路を有し、該周回線路に高周波電力が供給されることによって前記真空容器内のプラズマに前記周回線路が容量的に結合されるプラズマ処理装置をその要旨とする。
ることになってしまう。その結果、該高周波アンテナに供給された高周波電力の一部が、該線路とプラズマとの誘導結合により消費されたり、該線路とプラズマとの間の容量結合が失われたりすることとなる。この点、周壁部の中心軸線と平行な方向と、周壁部の外周面の周方向とにそれぞれ周期性を有して上記隙間を外周面に沿って線路が横切る構成であれば、上記隙間を挟んで相対向する位置で上述するような誘導電場が互いに相殺されることとなる。それゆえに高周波アンテナに供給された高周波電力の損失を抑えつつ、該線路とプラズマとの間を確実に容量的に結合することができる。
上記構成によれば、周回線路を有する容量結合電極が、周壁部の中心軸線と平行な方向と同周壁部の外周面の周方向とに周期性を有することになり、当該容量結合電極の線路上の誘導電場は、正弦波の1周期内にて確実に相殺されることになる。ゆえに、高周波アンテナに供給された高周波電力が容量結合電極の線路によって消費されることを抑制し、該線路とプラズマとの間の容量結合を実現させることができる。
有することになり、分岐線路同士、特に、ある分岐線路とその半周期前あるいは半周期先に設けられた分岐線路とは、互いに反対向きの誘導電場を受けやすくなる。それゆえ、上記周回線路と同様、分岐線路においても高周波アンテナに供給された高周波電力の消費が抑制され、該分岐線路と真空容器内のプラズマとの間が容量的に結合しやすくなる。
図1は、本実施の形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を示している。同図1に示されるように、プラズマエッチング装置10が有する金属円筒部11には、この金属円筒部11よりも縮径された誘電体円筒部12が、これら金属円筒部11及び誘電体円筒部12各々の中心を通る軸線が中心軸線Cとして一致するように積載されている。誘電体円筒部12は、筒状の誘電体であって、プラズマエッチング装置10における周壁部を構成している。誘電体円筒部12の形成材料には石英の他、石英よりも比誘電率の高誘電率材料を用いることができる。高誘電率材料としては、例えば、高純度透光性アルミナセラミックス、高純度透光性イットリアセラミックス、及び高純度窒化アルミニウムセラミックス等の高純度透光性セラミックスが挙げられる。
えばターボ分子ポンプを備える排気装置16が接続されている。
bには、該高周波アンテナ31における高周波電流の流通方向と垂直な面内に、これら第1及び第2コイル31a,31bを中心に環状の磁力線B(図1の二点鎖線)が形成される。そして高周波アンテナ31の2つのコイル31a,31bの周りに誘起された磁場がプラズマ生成領域12a内に誘導電場を形成し、これによりエッチングガスを原料としたプラズマが生成される。つまり、プラズマ生成領域12aには、誘導結合によるプラズマが生成される。この際、プラズマ中の電子は磁場勾配に従って移動する、つまりプラズマ中の電子は上記ゼロ磁場領域に向けて移動する。そのため、ゼロ磁場領域に近い程そのプラズマ密度が高く、該ゼロ磁場領域からの距離が大きくなる程そのプラズマ密度が低くなるという密度分布でプラズマが生成される。
電圧よりも高い負電位が印加されるようになる。つまり、該誘電体円筒部12の内周面においてプラズマに含有される正イオンによりスパッタされる領域が拡大されるようになる。
図2は、上記誘電体円筒部12と、これに巻き付けられた容量結合電極32との斜視構造を示している。同図2に示されるように、例えば石英からなる誘電体円筒部12の外周面12bには、その全周に渡り、アルミニウムや銅等の導電性材料の線材によって形成された容量結合電極32が巻き付けられている。該容量結合電極32は、誘電体円筒部12の中心軸線Cと平行な方向である方向DP、及び同誘電体円筒部12の外周面の周方向である方向Dθに周期性を有する形状である。なお、該容量結合電極32は、誘電体円筒部12の外周面12bに巻き付けられた状態で、上記高周波アンテナ31と共々、その外側からこれらの配設位置を固定する部材により位置決めされた上で固定されている。
間を挟んで相対向する容量結合電極32上の位置には、上述するような互いに反対向きの磁場によって互いに反対向きの電場が誘起されることになる。例えば、先に示した図3(a)及び図3(b)に記載のように、容量結合電極32上において、上記各平行要素A1,B1と各平行要素A2,B2とが高周波アンテナ31を挟んで相対向する位置に配置される。そのため、各平行要素A1,B1に誘起される電場E1と、周回平行要素A2,B2に誘起される電場E2とは互いに反対の向きとなる。そのため、容量結合電極32が有する周回線路32a及び分岐線路32bが高周波アンテナ31を流れる高周波電流の方向と垂直な方向、及び平行な方向等に偏った形状を有する場合、偏った側における電場の影響が容量結合電極32において支配的となって電場E1あるいは電場E2に即した電流が周回線路32a上に流れることになる。その結果、高周波アンテナ31に供給された高周波電力の一部が容量結合電極32とプラズマとの誘導結合により消費される、あるいは、こうした誘導結合により容量結合電極32とプラズマとの間の容量結合が失われることとなる。
32aを構成する周回斜め要素A4と平行をなすように、また、同分岐線路32bを構成する分岐斜め要素B4は周回線路32aを構成する周回斜め要素A3と平行をなすように配置されている。つまり、周回線路32aを上記方向Dθに変位させた仮想的な線路と、上記分岐斜め要素B3,B4とが重なることになるように、分岐斜め要素B3,B4が構成されている。換言すれば、こうした分岐線路32bは、これの分岐基である周回線路32aが有する周期性の一部を有することになり、分岐線路32b同士、特に、一つの分岐線路32bと該分岐線路32bの半周期前あるいは半周期先に配置された他の分岐線路32bとには、互いに反対向きの誘導電場が生じる可能性が高くなる。それゆえ、上記周回線路32aと同様、分岐線路32bにおいても高周波アンテナ31に供給された高周波電力の消費が抑制され、該分岐線路32bと真空容器内のプラズマとの容量結合が実現されやすくなる。
(1)誘電体円筒部12の外周面と高周波アンテナ31との隙間に導電性の容量結合電極32を設けることにした。これにより、高周波アンテナ31と真空容器内のプラズマとの間に容量結合が生じることはもとより、容量結合電極32と上記プラズマとの間にも容量結合が生じる。そのため、真空容器における誘電体円筒部12の内周面のうちで、高周波アンテナ31とプラズマとの間の高周波電力の伝送路となる領域と、容量結合電極32とプラズマとの間の高周波電力の伝送路となる領域との両方に、それらの周囲と比較して高い負の電位が付与されるようになる。つまり、誘電体円筒部12の内周面のうち、高周波アンテナ31の近傍だけでなく、これ以外の領域、正確には上記容量結合電極32の近傍も、それらの周囲と比較して多くの正イオンによってスパッタされることとなる。それゆえに、誘電体円筒部12に高周波アンテナ31のみが搭載される構成と比較して、プラズマ処理の実施に伴う付着物の堆積が該誘電体円筒部12の内周面において抑制されることとなる。
b上において高くすることができ、上述のような付着物の堆積を抑制する効果がより広範囲にわたって得られるようになる。
・誘電体円筒部12は金属円筒部11に積層され、該金属円筒部11にて区画される基板載置領域に基板Sを載置する基板ステージ21を設けるようにした。これに限らず、金属円筒部11を割愛して、誘電体円筒部12により区画されるプラズマ生成領域12a中に基板ステージ21を配設するようにしてもよい。
(7)真空容器内のプラズマと容量結合する容量結合電極32の面積が高周波アンテナ31の上側及び下側で相対的に拡大される。そのため、高周波アンテナ31に同じ高周波電力が供給される上では、誘電体円筒部12の内周面に対する付着物の堆積をより効果的
に抑制することができるようになる。
・また、上記のように、線路幅を拡大する領域としては、上記第1コイル31aと平行な線路、及び第2コイル31bと平行な線路に限らず、当該容量結合電極が有する線路要素のうち、上記誘電体円筒部12の外周面の径方向から見て、高周波アンテナ31と重畳しない領域としてもよい。
・周回線路32aを方向Dθに変位させた仮想的な線路と分岐線路32bとが重なるように、分岐斜め要素B4を周回斜め要素A3と平行とするとともに、分岐斜め要素B3を周回斜め要素A4と平行とするようにした。これに限らず、高周波コイル32による誘導電場が分岐線路32bに誘起されないかたちであれば、周回線路32aを方向Dθに変位した仮想的な線路と分岐線路32bとが重ならないようにしてもよい。
・容量結合電極32は、周回線路32aとこれを分岐基とする分岐線路32bとを有するようにしたが、分岐線路32bを割愛してもよい。この分岐線路32bを割愛した構成としては、例えば図7に示されるように、容量結合電極32が周回線路32aのみからなって且つ、該周回線路32aが、上記方向DPと平行な線路要素と上記方向Dθと平行な線路要素との繰り返しからなるようにしてもよい。
・プラズマ処理装置をプラズマエッチング装置10として具現化したが、これに限らず、例えば、CVD装置等の成膜装置として具現化することも可能である。
Claims (5)
- 誘電体からなる筒状の周壁部を有して内部に処理対象物を収容する真空容器と、
前記周壁部の外周面との間に隙間を有して前記周壁部の外周に沿って配設され、高周波電力が供給されるコイル状の高周波アンテナと、
前記周壁部の外周面に巻き付けられた容量結合電極とを備え、
前記容量結合電極は、
前記周壁部の中心軸線と平行な方向と前記周壁部の外周面の周方向とに周期性を有して前記周壁部の外周面と前記高周波アンテナとの隙間を前記外周面に沿って繰り返し横切るかたちの周回線路を有し、該周回線路に高周波電力が供給されることによって前記真空容器内のプラズマに前記周回線路が容量的に結合されるプラズマ処理装置。 - 前記周回線路は、前記周壁部の外周面上において正弦波状をなす
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記周回線路は、前記周壁部の中心軸線と平行な方向と前記周壁部の外周面の周方向とに周期性を有する構造単位が前記周壁部の外周面の周方向に2つ以上繰り返されてなる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記容量結合電極は、
前記周回線路の半周期内において該周回線路から分岐する有端の分岐線路を更に有し、
前記分岐線路は、
前記周回線路の半周期毎に設けられて且つ、前記周回線路を前記周壁部の外周面の周方向に変位させた線路の形状と重なるように配置される
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記容量結合電極は、
前記周壁部の外周面の径方向から見て、前記高周波アンテナと重畳しない領域の線路の幅が前記高周波アンテナと重畳する領域の線路の幅よりも広い
請求項1〜4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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