JP5290144B2 - 電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法およびこれにより製造される粉末複合材料 - Google Patents

電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法およびこれにより製造される粉末複合材料 Download PDF

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Description

発明の背景
本発明は電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法に関する。本発明はさらにこうした粉末複合材料から形成される電気コンタクト材料に関する。
電気コンタクト材料は典型的には銀から成り、所定の金属および/または酸化物の添加物を含む。当該の材料は切換装置、切換電流および電気負荷など、利用分野に基づいて選定される。ここでは一般に、高いアーク耐性のもとでの低い電気的疲労率および低い接触抵抗のもとでの低い溶接力が所望される。
銀ベースのコンタクト材料は、主として、低電圧かつ高電流の条件の空気中で動作するスイッチに用いられる。こうしたコンタクト材料の主たる機能は、例えばモータ制御装置において、多数の切換サイクルにわたって動作能力を保証することである。
銀錫酸化物をベースとした材料も切換範囲100A〜3000Aの低電圧かつ高電流の装置にしばしば用いられる。こうしたタイプのコンタクト材料は許容可能なアーク耐性を有しており、コンタクト溶接に対して充分に安全である。また、材料マイグレーションの度合も接触抵抗も比較的小さく、良好な過熱特性と実用的なプロセス特性を有している。
酸化物成分(すなわち"第2相の酸化物")は典型的にはコンタクト特性を改善する目的、すなわちコンタクト腐食率の低減およびコンタクト溶接に対する耐性の向上のために選択される。銀ベースのコンタクト材料に用いられる典型的な酸化物の添加物は錫酸化物SnO,タングステン酸化物WO,モリブデン酸化物MoOである。これらの酸化物は主として温度ダイナミック特性と銀溶液/酸化物系での濡れ性とに基づいて選定される(Jeannot et al., IEEE Proceedings Holm Conference 1993, p.51を参照)。
銀ベースの電気コンタクト材料は、通常、先駆物質としての粉末複合材料から出発する粉末冶金法によって形成される。こうした粉末複合材料は銀粉末および/または銀酸化物粉末と第2の酸化物の粉末および付加的な添加物とを含む。コンタクト材料の先駆物質として用いられる銀ベースの粉末複合材料は、典型的には、粉末冶金混合技術、粉末合金または圧縮体(compact body)についての高められた酸素分圧のもとでの内部酸化プロセス、材料の一部または全ての成分の化学的還元析出プロセスのうちいずれかのプロセスを用いて形成される。
粉末複合材料を半製品のコンタクトまたはコンタクトユニットとするための他のプロセスは、ふつう、冷間静水圧プレスCIP、続く焼結およびワイヤ押出成形であり、これにより材料は最終製品のサイズへ成形される。
粉末複合材料を製造するための粉末冶金混合技術は、粉末状の固体出発物質をミキサ内で機械的に均一化することを含む。粉末状の固体出発物質は大部分が銀粉末および/または銀酸化物と第2の酸化物の添加物とを用いているが、他の添加物または焼結助剤を含むことも多い。このプロセスは湿式または乾式のいずれでも行えるが、例えば水などとともに行うと粗い粉末になってしまう。
従来の混合技術は、きわめて精細な酸化物の分散度を有する粉末複合材料の製造における技術的限界に突き当たっていた。この問題は乾式の混合法においても湿式の混合法においても解決されていない。
F. Heringhaus et al., "On the improvement of dispersion in Ag-SnO2 based contact materials", ICEC Conference, Stockholm, 2000によれば、従来の乾式および湿式の混合技術に適した第2の酸化物の最小粒径は1μm〜2μm(1000nm〜2000nm)の範囲になければならない。粒子が小さくなれば、均一な混合を行っても凝集による問題が生じる。したがって、銀ベースのコンタクト材料において精細な分散度を有する均一な微細構造を達成するのはきわめて困難である。
粉末複合材料を製造するために、従来技術では湿式化学プロセスが知られている。欧州特許第370897号明細書には、銀錫酸化物のコンタクト材料を湿式化学プロセスによって製造する方法が示されている。ここで強塩基を添加することにより錫酸化物が存在して銀酸化物が析出される。析出された銀酸化物は200℃〜500℃の温度で加熱され、金属の銀へ還元される。このプロセスには、重要な添加物およびWOまたはMoOなどの第2相の酸化物が強塩基性の環境に溶解するため、析出生成物として現れないという欠点がある。またここには特定の混合技術は示されていない。
独国公開第10017282号明細書には、銀錫酸化物ベースの粉末複合材料から化学的還元析出法によって粒子状の錫酸化物の上に銀を析出させるプロセスが記載されている。この場合、銀複合材料と還元剤とは同時に添加される。ここでは従来の撹拌装置が用いられる。当該の析出プロセスは強硝酸環境において行われるため、第2相の酸化物(例えばZnO,WOまたはMoO)は侵襲され溶解する。したがって、このプロセスは当該のタイプのコンタクト材料の製造に用いることができない。
まとめると、銀ベースのコンタクトの粉末複合材料の製造にこれまで知られているプロセスは特定の酸化物材料に制限されており、汎用性が充分でなく、また煩雑でコストもかかる。このように、均一な微細構造を有する電気コンタクト材料の粉末複合材料の製造プロセスにはさらなる改善が求められている。
したがって、本発明の課題は、電気コンタクト材料の先駆物質に適した銀ベースの粉末複合材料の改善された製造方法を提供することである。
また、本発明は、従来とほぼ同様の組成を有する銀ベースのコンタクト材料のプロセス特性およびコンタクト特性について、製造方法の適切な設計により、完成したコンタクト材料での最大の均一性および高度に分散された微細構造を達成することを目的とする。
ここで、製造方法は汎用性があり、なるべく簡単かつ経済的であって、コスト上有利なものでなければならない。
これらの課題は本発明の製造方法および本発明の製造方法によって製造された製品によって解決される。本発明によれば銀ベースの粉末複合材料の材料特性およびコンタクト特性において驚くべき改善が得られる。
発明の概要
本発明は電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法に関する。本発明はさらにこうした粉末複合材料から形成される電気コンタクト材料に関する。
本発明の方法は、湿式銀酸化物AgOおよび付加的な第2の酸化物成分を水性懸濁液に分散させる高エネルギ分散プロセスを含む。この高エネルギ分散プロセスは高せん断力ミキシングまたは高エネルギミリングによって行われる。有利には、回転速度5000rpm〜30000rpmで回転する高速分散ユニットまたは磨砕機などの高エネルギミルが用いられる。
本発明のプロセスは汎用性に富み経済的であって、広汎な種類のコンタクト材料を得ることができる。本発明のプロセスによって形成される銀ベースの粉末複合材料から高度に分散された微細構造および有利な材料特性を有するコンタクト材料が形成される。
本発明をより良く理解してもらうために、以下に本発明を図示の実施例に則して詳細に説明する。
図面の簡単な説明
図1には本発明の製造方法の実施例の概略的なフローチャートが示されている。
本発明の説明
本発明の対象を実現するための実施例には種々の選択手段を利用可能である。これらの実施例は本発明の理解のために挙げられたものであって、本発明を制限するものではない。当分野の技術者には、本発明の特許請求の範囲に規定された特徴の修正、変更ないし等価物が全て本発明に含まれうることが理解されるはずである。
本発明は、電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法において、湿式銀酸化物(AgO)を付加的な第2相の酸化物とともに水性懸濁液中に分散させる高エネルギ分散プロセスを含むことを特徴とする。この高エネルギ分散プロセスは高せん断力ミキシングまたは高エネルギミリングによって行われる。双方の実施例において、湿式銀酸化物AgOが出発材料として用いられる。
以下に実施例に則して本発明のプロセスを詳細に説明する。
要求される湿式銀酸化物AgOは市販で入手可能な水性の硝酸銀溶液AgNOから精製される。強塩基(NaOHまたはKOH)を添加することにより、銀酸化物(AgO)は水性アルカリ懸濁液の形態で析出される。硝酸イオンを洗浄および除去した後、材料から湿式AgO粉末が分離される。AgO出発材料は付加的に、精製プロセスに応じて、種々の量のAgOHの形態のヒドロキシ基および/またはAgCOまたはAgHCOの形態のカーボネート基を含む。
通常、湿式AgOは本発明の高エネルギ分散プロセスで用いられ、後続の分散プロセスにおいてAgO粒子が解凝集される。湿式のAgOを出発材料として高エネルギ分散プロセスにおいて利用すると最良の結果が得られることが判明している。
AgO出発材料の残留湿分の適量は、AgOの全量を基礎として、5重量%〜25重量%の範囲の水であり、有利には10重量%〜20重量%の水である。
湿式AgOと添加物成分とを均一に混合するには高いせん断力を加えなければならないことがわかっている。
これは、当該のプロセスの第1の実施例において、高速で動作する高せん断力混合装置を用いて達成される。こうした高速分散装置は高速で回転する垂直駆動軸と高せん断力ディスク状ブレードとから成り、定置の混合容器内に放射方向流を形成する。こうした装置はしばしば"溶解機ユニット"と称される。
有利には、分散ユニットのジェネレータはロータステータ装置から成る。例として、分散ヘッドは2組の同心の歯車からなる。歯車のうち1つは運動せずステータとなり、もう1つは駆動軸を通るモータによって駆動され、ステータの内部で回転してロータとなる。せん断力ならびに運動するロータとステータとのあいだに生じるバウンス効果により生成物が機械的に処理される。種々のメーカから2組、3組または4組の同心の歯車を備えたロータステータ装置が市販されている。ロータステータ装置を基礎とした適切な高せん断力ミキサの例として、Silverson Machines Inc.またはROSS Corp.で製造されている高せん断力分散機が挙げられる。
特に適切な装置はKinematica, CH-6014 Littau-Luzern, Switzerlandで製造されている分散ユニット"Polytron PT"である。この分散ユニットは3つの歯車から成る直径60mmのロータステータヘッドを特徴としている。高せん断力混合装置は水/酸化物の粉末懸濁液へ高せん断力を加え、第2の酸化物粉末がきわめて微細であっても各成分を均一に混合する。
ふつう、当該のプロセスに適した混合装置は5000rpm〜30000rpm、有利には5000rpm〜20000rpmの高速で回転することができる。
当該のプロセスの第2の実施例では、高エネルギ磨砕ミル、振動エネルギミル、パールミルおよび/またはボールミルが用いられる。混合プロセスに並列的に研磨媒体を設けることにより、所定の磨砕効果および解凝集効果が達成される。有利には磨砕ミルが用いられるが、粉末複合材料が研磨媒体の成分によって汚染されるのを防止するために、研磨媒体のタイプは慎重に選択しなければならない。例えば酸化ジルコニウムをベースとしたセラミックの研磨媒体が有利である。
図1には本発明の製造方法の実施例の概略的なフローチャートが示されている。出発物質の成分である湿式AgOおよび第2相の酸化物の高エネルギ分散ステップは水性懸濁液において5min〜90minの時間にわたって、有利にはそれぞれ異なる回転速度を用いた2段または多段のプロセスによって行われる。混合容器の温度は20℃〜60℃の範囲に維持される。混合による過剰な加熱は回避しなければならない。
混合容器としてはステンレススチール、プラスティック、ポリエチレンなどから成る3L〜50Lのものが有利である。環境上の理由から水性懸濁液が有利であるが、分散助剤、界面活性剤、助溶剤などの有機添加物を少量添加してもよい。
さらに、本発明に規定される高エネルギ分散プロセス、高せん断力混合プロセスまたは高エネルギ分散プロセスはライン製造施設および適切な混合装置を用いて連続的に行われる。
水性懸濁液からろ過、沈殿、遠心分離、加圧ろ過などの従来の分離プロセスにより固体が分離される。乾燥および空気中でのか焼の後、粉末複合材料が得られる。
粉末複合材料の乾燥は温度50℃〜100℃の範囲の空気中で行われる。粉末複合材料のか焼は空気中で行われ、銀酸化物が分解されて金属の銀が得られる。か焼は温度300℃〜500℃の範囲で、0.5h〜3hの時間にわたって行われ、従来の窯ないしバッチ炉を用いることができる。乾燥およびか焼プロセスは種々の温度の適切な窯ないし炉を用いて1ステップの熱処理プロセスに結合することができる。乾燥および空気中でのか焼の後、銀ベースの粉末複合材料が得られる。
粉末複合材料を半製品のコンタクトまたはコンタクトユニットとするさらなる処理は当分野の技術者に周知の手法で行われる。
典型的な第2相の酸化物は、錫酸化物SnO,亜鉛酸化物ZnO,タングステン酸化物WO,モリブデン酸化物MoO,ビスマス酸化物Bi,銅酸化物CuO,インジウム酸化物Inおよびこれらの混合物ないし化合物である。従来の電気コンタクトでは、第2相の酸化物を約2重量%〜15重量%、有利には8重量%〜12重量%含む材料によって最適なスイッチング動作が得られる。錫酸化物12重量%とは錫酸化物が銀ベースの材料内に体積比にして17体積%含まれていることに相当する。"第2相の酸化物"とは付加的なドーパント、無機添加物または有機添加物ならびに種々の焼結助剤を含んでもよい。
良好な結果を得るには、本発明のプロセスにおいて用いられる粉末状の第2相の酸化物は中位粒径を有していなければならず、d50値400nm〜1000nmおよびd10値150nm〜250nmである。特に良好な結果は、d50値750nmの中位粒径を有する錫酸化物によって得られる。
本発明の方法によれば、粉末複合材料の個々の成分は相互に密に混合される。これにより高度に分散された微細構造を有する銀ベースの粉末複合材料が得られる。
本発明により、銀ベースのコンタクト材料が均一な複合材料として製造される。当該の材料の酸化物の粒子間距離は中程度であって500nm未満、有利には300nm未満である。従来の方法、特に乾式混合技術を用いる方法では、これほど精細に分散された微細構造は得られない。
さらに、微細構造の精細度はプロセスパラメータを調整することにより広範囲にわたって調整可能である。基本的には材料の微細度は2つの要素、つまり混合される粒子そのもののグラム寸法と粒子を精細な1次粒子へ解凝集する際の実際の解凝集能力とによって制限される。ふつう乾式混合法に用いられるメルトアトマイゼーションによって形成される金属の銀粉末はこうした微細構造にとっては粗すぎる。反対に、例えば化学的プロセスによって形成されるきわめて微細な銀粒子は凝集しやすく、第2相の酸化物との均一な混合を行うことができない。また、きわめて微細な第2相の酸化物および乾式銀酸化物は標準乾式混合プロセスでは充分に解凝集せず、このため上述したような均一な微細構造が生じない。
周知の他の化学的プロセスに対する主な利点として、本発明の方法によれば適切な全ての第2相の酸化物の材料を用いることができ、高pH値または低pH値の溶液における化学的安定性に制限がないことが挙げられる。この特長は特に化学的析出技術において顕著である。
本発明のプロセスは標準粉末冶金法によっては製造できない高度に分散した微細構造を有するコンタクト材料の製造プロセスに適するのみならず、標準技術によって製造可能な粗い構造を有するコンタクト材料の製造に用いることももちろんできる。後者の場合、中位粒径すなわちd50値1μm〜6μm(1000nm〜6000nm)の粗い第2相の酸化物の材料が用いられる。
本発明の方法は、現在知られている手法に比べて、電気コンタクトの材料の範囲を拡大することができる。本発明のプロセスは、種々の第2相の酸化物を含む種々のタイプの粉末複合材料を1つの製造ユニットによって製造可能であるため、経済的であってコストパフォーマンスが良い。
分析手法
中位粒径(d50値)および最大粒径(d100値)ならびに粒子分布は高倍率の透過型電子顕微鏡TEMまたは走査電子顕微鏡SEMによって検出された。これらの手法は従来技術から周知である。
所定のケースでは、粉末状の出発物質の粒子分布PSDの値はCILASなどの水性媒体においてレーザー粒度計測法によって得られる。
従来のX線解析XRDは粒子の識別および組成の分析に用いられる。生成物の銀成分は標準の分析法によって識別される。銀の定量分析には容積滴定法が用いられた。
本発明を以下に実施例に則して説明する。実施例は説明のためのものであって本発明を限定しない。
実施例1
銀錫酸化物の粉末複合材料を高せん断力ミキシングによって精製する。組成は90重量%のAg,7.2重量%のSnO,2.3重量%のIn,0.5重量%のCuOとする。
PE容器内の約12LのDI水すなわち脱イオン水に対して、AgO(残留湿分として12重量%のHO)1624.0g(=1350gのAg),SnO(d50値750nm)108.0g,In(d50値800nm)34.5g,CuO(d50値850nm)7.5gが用いられる。
AgOは市販のAgNO溶液から精製され、AgOの残留湿分は12重量%のHOである。
懸濁液の精製のために、Kinematicaのミキサ装置によって高せん断力ミキシングが行われる。ミキシング条件は開始時に温度25℃、7200rpmで20min、その後9600rpmで5min、終了時に温度45℃とする。
さらに、水性懸濁液はろ過され、空気中において70℃で一晩乾燥される。その後、粉末複合材料は390℃で2h熱処理され、銀酸化物AgOが還元されて金属の銀が得られる。さらに、粉末は200メッシュスクリーンによってふるい分けされ、乾燥のあいだに生じた凝集塊が破壊される。
さらに、粉末複合材料の処理は800barでの冷間静水圧プレスCIPおよび続く880℃での焼結によって行われ、5mm径のワイヤとして焼結生成物が押出成形される。続いて当該のワイヤは1.37mm厚さへ引き延ばされ、切換端子として成形される。
材料の機械的特性は表1に表されており、コンタクト腐食率に対するデータは表2に表されている。
実施例2
銀錫酸化物の粉末複合材料を高エネルギミリング(磨砕機)によって精製する。組成は88重量%のAg,11.6重量%のSnO,0.4重量%のWOとする。
AgO(残留湿分として11重量%のHO)735.0g(=616gのAg),SnO(d50値750nm)81.2g,WO(d50値900nm)2.8gである。
残留湿分11重量%のHOであるAgOが用いられる。高エネルギミリング装置はUnion Process, Akron, Ohio, USAのSzegvary attritor, model 01-HDである。鉄による標本の汚染を低減するために、セラミックの磨砕タンクアセンブリまたは撹拌アセンブリが用いられる。磨砕媒体はイットリウム安定化された酸化ジルコニウムのボールから成る。被覆された磨砕タンクはミリングプロセス全体にわたって温度19℃に維持される恒温槽に接続されている。
磨砕機には最初に300mLのDI水が充填される。そこに要求量の銀錫酸化物が徐々に添加され、250rpmで混合される。15min後、磨砕機の速度は400rpmまで増大される。2h後、残りの金属酸化物が添加され、ミリングはさらに1h続行される。スラリーの全量は、酸化ジルコニウムのボールも含め、約1.8Lである。
ミリングプロセスが終了すると、バッチが取り外され、磨砕媒体がDI水で洗浄される。乾燥およびか焼のステップは実施例1に則して説明したのと同様に行われる。
さらに、粉末複合材料の処理は800barでの冷間静水圧プレスCIPおよび続く880℃での焼結によって行われ、焼結生成物が5mm径のワイヤとして押出成形される。続いて当該のワイヤは1.37mm厚さへ引き延ばされ、切換端子として成形される。
材料の機械的特性は表1に表されており、コンタクト腐食率に対するデータは表2に表されている。
比較例1(CE1)
銀錫酸化物の粉末複合材料を高せん断力ミキシングによって精製する。組成は90重量%のAg,7.2重量%のSnO,2.3重量%のIn,0.5重量%のCuOとする。
PE容器内の約12LのDI水に対して、AgO粉末(アトマイズド、d50値25μm)1350.0g,SnO(d50値750nm)108.0g,In(d50値800nm)34.5g,CuO(d50値850nm)7.5gである。
約1.5LのDI水が添加され、Mischtechnik International, D-32758 Detmold, Germanyの標準ミキサによって全成分が1000rpmで20min混合される。その後、空気中において混合物は70℃で一晩乾燥され、200メッシュスクリーンによってふるい分けされる。
さらに、粉末複合材料は冷間静水圧プレスCIP,焼結および押出成形によって処理され、5mm径のワイヤが得られる。1.37mm径の細いワイヤは製造できなかった。このように、押出成型されたワイヤは材料特性の判別に用いられる(表1を参照)。
比較例2(CE2)
銀錫酸化物の粉末複合材料を従来の乾式混合によって精製する。組成は88重量%のAg,11.6重量%のSnO,0.4重量%のWOとする。
AgO(乾式、200メッシュスクリーンにてふるい分け)6528.0g(=6071gのAg),SnO(d50値750nm)800g,WO(d50値900nm)28gである。
混合はG. Eirich Co., D-74732 Hardheim, Germanyのtype R02なる混合装置によって行われる。当該のタイプのミキサは内部に撹拌器を備えた回転混合容器から成る。ミキサ内の全成分は混合容器が緩慢に回転しているあいだ、攪拌器の速度2000rpmで20min混合される。CIP・焼結・押出成形などの後続のステップは実施例1に則して説明したのと同様に行われる。
押出成形されたワイヤは3%ほどの延性しか有さない。押出成形された材料の金属組織を調べると、Agアイランドのなかに大きな錫酸化物の凝集塊が存在している。均一な微細構造は得られない。当該の材料の動作性はきわめて劣悪であり、切換試験を実行することができなかった。
比較材料データ
表1には本発明の方法の実施例1,2によって形成された粉末複合材料に基づく銀錫酸化物のコンタクト材料のデータと従来の比較例1の湿式混合技術および比較例2の乾式混合技術によって形成されたコンタクト材料のデータとが示されている。
表から見て取れるように、本発明の方法によって精製された粉末複合材料から形成された銀錫酸化物のコンタクト材料は、標準的な粉末複合材料を用いた材料に比べて、著しく高い破断伸び限界[%]と破断限界に近い圧力[MPa]のもとでの良好な動作性とを有している。
加えて、比較例1によって精製されたワイヤはきわめて不安定であり、精密なワイヤが製造できなかったことに注意が必要である。コンタクト素子は厚いワイヤから製造された。
また、比較例2によって精製された材料の動作性はきわめて劣悪であり、切換試験が実行不能であったため、表2にはコンタクト腐食率の値は挙げられていない。
Figure 0005290144
コンタクト腐食率SCEはコンタクト材料の長期の安定性および耐用期間の指標となる。コンタクト腐食率SCEの測定は、M. Poniatowski et al., 7th International Conference on Electrical Contacts, Paris 1974, p.477-483に説明されている方法およびモデルスイッチを用いて行った。
コンタクト材料のコンタクト腐食率はコンタクト素子の重量損失[μg]と電気アークエネルギ[Ws]との商である。つまりSCE=コンタクト材料の重量損失[μg]/電気アークエネルギ[Ws]である。
表2から見て取れるように、本発明の方法によって形成されたコンタクト材料のコンタクト腐食率は従来の方法によって形成された基準となるコンタクト材料のコンタクト腐食率に比べて著しく低い。つまり本発明の方法によって材料特性が大幅に向上している。また、本発明の材料はコンタクト溶接に対する抵抗も高いことがわかる。
Figure 0005290144
表1,表2の結果から本発明の方法が従来の方法に比べて大幅に有利であることがわかる。したがって、本発明の高エネルギ分散プロセスの有利性は明らかである。
本発明を幾つかの実施例に則して説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、種々の修正ないし変更を加えることができ、修正ないし変更によるバリエーションも本発明に含まれる。当分野の技術者には、本発明の特許請求の範囲に規定された特徴の修正、変更ないし等価物が本発明に含まれうることが理解されるはずである。
本発明の製造方法の実施例のフローチャートである。

Claims (8)

  1. 電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法において、
    回転速度5000rpm〜30000rpmの高せん断力ミキシング装置を用いて、湿式銀酸化物(AgO)を第2相の酸化物の添加物とともに水性懸濁液中に分散させる高エネルギ分散プロセスと、
    前記水性懸濁液から前記粉末複合材料を分離する分離ステップと、
    温度50℃〜100℃での乾燥ステップと、
    温度300℃〜500℃で銀酸化物(AgO)を金属の銀へ分解するか焼ステップと、
    を含み、
    前記湿式銀酸化物(AgO)は、硝酸銀溶液(AgNO)に強塩基を添加し、水性アルカリ懸濁液の形態で析出された銀酸化物(AgO)から、硝酸イオンを洗浄および除去することによって得られ、
    前記高せん断力ミキシング装置は、高速で回転する垂直駆動軸と高せん断力ディスク状ブレードとから成り、定置の混合容器内に放射方向流を形成する、
    ことを特徴とする銀ベースの粉末複合材料の製造方法。
  2. 電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法において、
    回転速度5000rpm〜30000rpmの高せん断力ミキシング装置を用いて、湿式銀酸化物(AgO)を第2相の酸化物の添加物とともに水性懸濁液中に分散させる高エネルギ分散プロセスと、
    前記水性懸濁液から前記粉末複合材料を分離する分離ステップと、
    温度50℃〜100℃での乾燥ステップと、
    温度300℃〜500℃で銀酸化物(AgO)を金属の銀へ分解するか焼ステップと、
    を含み、
    前記湿式銀酸化物(AgO)は、硝酸銀溶液(AgNO)に強塩基を添加し、水性アルカリ懸濁液の形態で析出された銀酸化物(AgO)から、硝酸イオンを洗浄および除去することによって得られ、
    前記高エネルギ分散プロセスを、ロータステータ装置を含む分散ユニットにより行う、
    ことを特徴とする銀ベースの粉末複合材料の製造方法。
  3. 電気コンタクト材料のための銀ベースの粉末複合材料の製造方法において、
    回転速度5000rpm〜30000rpmの高せん断力ミキシング装置を用いて、湿式銀酸化物(AgO)を第2相の酸化物の添加物とともに水性懸濁液中に分散させる高エネルギ分散プロセスと、
    前記水性懸濁液から前記粉末複合材料を分離する分離ステップと、
    温度50℃〜100℃での乾燥ステップと、
    温度300℃〜500℃で銀酸化物(AgO)を金属の銀へ分解するか焼ステップと、
    を含み、
    前記湿式銀酸化物(AgO)は、硝酸銀溶液(AgNO)に強塩基を添加し、水性アルカリ懸濁液の形態で析出された銀酸化物(AgO)から、硝酸イオンを洗浄および除去することによって得られ、
    前記高エネルギ分散プロセスを、分散ユニットを用いて回転速度5000rpm〜30000rpmの高せん断力ミキシングにより行う、
    ことを特徴とする銀ベースの粉末複合材料の製造方法。
  4. 前記湿式銀酸化物(AgO)は、AgOの全重量を基礎として、5重量%〜25重量%の水の残留湿分を有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の製造方法。
  5. 前記第2相の酸化物は、錫酸化物(SnO),亜鉛酸化物(ZnO),タングステン酸化物(WO),モリブデン酸化物(MoO),ビスマス酸化物(Bi),銅酸化物(CuO),インジウム酸化物(In)およびこれらの混合物ないし化合物から選択される、請求項1から3までのいずれか1項記載の製造方法。
  6. 前記第2相の酸化物は400nm〜1000nmの中位粒径(d50値)を有する、請求項1から3までのいずれか1項記載の製造方法。
  7. 前記第2相の酸化物は付加的なドーパント、無機添加物または有機添加物および/または焼結助剤を含む、請求項1から3までのいずれか1項記載の製造方法。
  8. 温度50℃〜100℃での前記乾燥ステップと前記か焼ステップとを組み合わせて1ステップの熱処理プロセスとする、請求項1から7までのいずれか1項記載の製造方法。
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