JP5289110B2 - 半導体試験装置および測定装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の一形態について図1〜図4に基づいて説明すれば以下のとおりである。
本発明の他の実施の形態について図5〜図7に基づいて説明すれば以下のとおりである。前述の実施形態1では、可変電圧源E1および可変電圧源E2の出力電圧を0Vとすることにより、半導体素子10のドレイン・ソース間およびゲート・ソース間を短絡させる構成であった。しかしながら、可変電圧源E1・E2の出力電圧を0Vに制御しても、可変電圧源E1・E2の内部抵抗により、電流計I1・I2の計測値に誤差が生じる。このため、実施形態1では、測定装置における測定結果に対し、可変電圧源E1・E2の内部抵抗を考慮した補正が必要となる。そこで、本実施形態では、可変電圧源E1・E2の内部抵抗の影響を軽減して、測定精度を向上させる構成について説明する。なお、説明の便宜上、実施形態1にて説明した図面と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
上記の各実施形態では、半導体試験装置の試験対象がNMOSトランジスタである例について説明したが、本発明に係る半導体試験装置は、パワーMOSFETやIGBT等の半導体素子に対しても適用可能である。可変電圧源の出力やスイッチの切替制御は、試験対象に応じて適宜変更される。例えば、PMOSトランジスタの電気的特性を試験する場合は、可変電圧源の出力の正負を、NMOSトランジスタの電気的特性を試験する場合の逆にすればよい。
2 プローバ(接続治具)
2a プローブ電極(第1の接触部)
2b プローブ電極(第2の接触部)
2c プローブ電極(第3の接触部)
3 測定装置
4 電子制御装置
10 半導体素子
11 半導体試験装置
13 測定装置
21 半導体試験装置
23 測定装置
31 半導体試験装置
33 測定装置
E1 可変電圧源(第1の可変電圧源)
E2 可変電圧源(第2の可変電圧源)
I1 電流計(第1の電流検知手段)
I2 電流計(第2の電流検知手段)
K1 接続点(第1の接続点)
K2 接続点(第2の接続点)
K3 接続点(第3の接続点)
S1 スイッチ(第1のスイッチ)
S2 スイッチ(第2のスイッチ)
S3 スイッチ(第3のスイッチ)
S4 スイッチ(第4のスイッチ)
Claims (4)
- 制御電極と第1の被制御電極と第2の被制御電極とを有している半導体素子を試験する半導体試験装置であって、
上記第1の被制御電極に接触させるための第1の接触部と、上記制御電極に接触させるための第2の接触部と、上記第2の被制御電極に接触させるための第3の接触部とを含む接続治具と、
上記接続治具に接続され、上記第1〜第3の接触部を介して、上記半導体素子にテスト信号を供給し、上記半導体素子からの出力信号を測定する測定装置とを備え、
上記測定装置は、
上記第1の接触部と上記第3の接触部とに接続される第1の可変電圧源と、
上記第1の可変電圧源と上記第3の接触部との間の第1の接続点と上記第2の接触部とに接続される第2の可変電圧源と、
上記第1の接触部と上記第1の接続点との間の電流を検知する第1の電流検知手段と、
上記第2の接触部と上記第1の接続点との間の電流を検知する第2の電流検知手段とを備え、さらに、
上記測定装置は、第1のスイッチと第2のスイッチとを備え、
上記第1のスイッチと上記第1の可変電圧源とで、第1の直列回路を構成し、
上記第1の直列回路と上記第2のスイッチとは、上記第1の接触部と上記第1の接続点との間で並列接続され、
上記第1の電流検知手段は、上記第1の直列回路と上記第2のスイッチを有する回路とを接続する接続点のうち上記第1の接触部側の接続点である第2の接続点と、上記第1の接触部との間に設けられることを特徴とする半導体試験装置。 - 上記測定装置は、第3のスイッチと第4のスイッチとを備え、
上記第3のスイッチと上記第2の可変電圧源とは、上記第2の接触部と上記第1の接続点との間で第2の直列回路を構成し、
上記第2の直列回路と上記第4のスイッチとは、上記第2の接触部と上記第3の接触部との間で並列接続され、
上記第2の電流検知手段は、上記第2の直列回路と上記第4のスイッチを有する回路とを接続する接続点のうち上記第2の接触部側の接続点である第3の接続点と、上記第2の接触部との間に設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体試験装置。 - 制御電極と第1の被制御電極と第2の被制御電極とを有している半導体素子を試験する半導体試験装置に用いられ、
上記第1の被制御電極に接触させるための第1の接触部と、上記制御電極に接触させるための第2の接触部と、上記第2の被制御電極に接触させるための第3の接触部とを含む接続治具に接続され、
上記第1〜第3の接触部を介して、上記半導体素子にテスト信号を供給し、上記半導体素子からの出力信号を測定する測定装置であって、
上記第1の接触部と上記第3の接触部とに接続される第1の可変電圧源と、
上記第1の可変電圧源と上記第3の接触部との間の第1の接続点と上記第2の接触部とに接続される第2の可変電圧源と、
上記第1の接触部と上記第1の接続点との間の電流を検知する第1の電流検知手段と、
上記第2の接触部と上記第1の接続点との間の電流を検知する第2の電流検知手段とを備え、さらに、
第1のスイッチと第2のスイッチとを備え、
上記第1のスイッチと上記第1の可変電圧源とで、第1の直列回路を構成し、
上記第1の直列回路と上記第2のスイッチとは、上記第1の接触部と上記第1の接続点との間で並列接続され、
上記第1の電流検知手段は、上記第1の直列回路と上記第2のスイッチを有する回路とを接続する接続点のうち上記第1の接触部側の接続点である第2の接続点と、上記第1の接触部との間に設けられることを特徴とする測定装置。 - 第3のスイッチと第4のスイッチとを備え、
上記第3のスイッチと上記第2の可変電圧源とは、上記第2の接触部と上記第1の接続点との間で第2の直列回路を構成し、
上記第2の直列回路と上記第4のスイッチとは、上記第2の接触部と上記第3の接触部との間で並列接続され、
上記第2の電流検知手段は、上記第2の直列回路と上記第4のスイッチを有する回路とを接続する接続点のうち上記第2の接触部側の接続点である第3の接続点と、上記第2の接触部との間に設けられることを特徴とする請求項3に記載の測定装置。
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