JP5288277B2 - R−t−b系永久磁石の製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1には、希土類水素化物粉末とフェロボロン粉末、および鉄粉末を配合して得られた混合粉末に対してHDDR処理を行うことで、R2Fe14B相の生成と微細結晶組織を同時に行う方法、ならびに、希土類水素化物粉末にDy、Tb、Prを、鉄粉末にCo、C、Al、Ga、Si、Cr、Ti、V、Nbを添加することで、保磁力が向上する効果があることが開示されている。
また特許文献2には、合金鋳塊作製の際に添加すると蒸気圧が大きいため組成の制御が困難で、結果的に保磁力の向上がほとんど見られないDy、Tbなどの添加方法として、HDDR磁粉の表面にNd、Dy、Tb、Prまたはそれらを含有する合金によるコーティング層を持たせること、具体的には、HDDR磁粉とこれらの元素の水素化物または合金の粉末を混合して熱処理し、磁粉に拡散させることで保磁力が向上することが開示されている。
特許文献3には、RFeB系材料の水素化物粉末、Dy、Tb、Nd、Prなどの単体、合金、化合物、またはそれらの水素化物の粉末を混合して拡散熱処理後、脱水素工程を行う方法、ならびに、前記RFeB系材料にTi、V、Zr、Ni、Cu、Al、Si、Cr、Mn、Zn、Mo、Hf、W、Ta、Snのうち1種以上を含有することにより、磁石の保磁力、角形性を改善できることが開示されている。
さらに特許文献4ではDy、Tb、Ho、Er、Tm、Gd、Nd、Sm、Pr、Ce、La、Y、Zr、Cr、Mo、V、Ga、Zn、Cu、Mg、Li、Al、Mn、Nb、Tiの中から選択される少なくとも一種の金属蒸気を磁粉に付着させ熱処理し拡散させることで、高磁気特性及び耐食性、耐候性が向上することが開示され、特にDy、Tb等が磁粉の粒界に拡散することで高磁気特性の磁石となることが開示されている。
また、特許文献5では、HDDR磁粉にZn粉末を混合し、真空中で300〜500℃まで加熱し、金属蒸気となったZnを磁粉に付着、拡散させ、磁粉表面および磁粉内部の結晶粒界に沿う領域に防錆層を形成することで、処理直後の保磁力は若干低下するものの、磁粉の耐食性が向上し、またその磁粉を用いて作製したボンド磁石の120℃における残留磁束密度Brの温度係数が向上することが開示されている。
好ましい形態において、前記拡散熱処理する工程において、同時に前記混合粉末を熱間圧縮成形してバルク磁石を作製する。
好ましい形態において、前記拡散熱処理する工程の後に、前記拡散熱処理された混合粉末またはバルク磁石に対し、さらに真空中あるいは不活性ガス中で450℃以上700℃以下の温度で時効熱処理を行う工程を含む。
好ましい形態において、前記熱間圧縮成形を行う前に前記R−T−B系永久磁石粉末を磁界中で成形することによって圧粉体を仮成形し、前記圧粉体を熱間圧縮成形して磁気的異方性を有するバルク磁石を作製する。
R−T−B系永久磁石粉末(以下、HDDR磁粉とも言う)は、原料合金(出発合金)を公知の方法で粉砕して作製した原料粉末に対しHDDR処理を施すことによって作製される。以下、各工程を詳細に説明する。
まず、硬磁性相としてR2T14B相(Nd2Fe14B型化合物相。以下、「R2T14B」と略記する。)を有するR−T−B系合金(出発合金)のインゴットを用意する。ここで、「R」は、希土類元素であり、Ndおよび/またはPrを50mass%以上含む。本明細書における希土類元素Rはイットリウム(Y)を含んでもよい。「T」は、FeまたはFeの一部をCoおよび/またはNiで置換したものであり、Feを50mass%以上含む遷移金属元素である。「B」は一部をCで置換してもよい。
このR−T−B系合金(出発合金)は、R2T14B相を体積比率で50%以上含む。高い残留磁束密度Brを得るためには、R2T14B相を体積比率で80%以上含むことが好ましい。
発明者らの検討によれば、希土類元素Rの量は、29mass%超含まれることが必要である。Znの混合量が0.5mass%以上の場合は、Rの量は30mass%以上が好ましく、Znの混合量が1mass%以上の場合は、Rの量は31mass%以上が更に好ましい。Rの上限は、特に制限はないが、耐食性や残留磁束密度Brの低下を考慮すると、40mass%以下が好ましく、35mass%以下がより好ましい。出発合金のRの一部(全体の5mass%程度)をDyおよび/またはTbとすることで、保磁力の向上を図ることができ、本発明ではそれを否定するものではないが、高価で、且つ希少資源であるDy、Tbの使用量を極力抑えるという観点から、その量は2mass%以下が好ましく、1mass%以下がより好ましい。後から混合するZnによってDy、Tbの代替が可能である。
次に、原料合金(出発合金)を公知の方法で粉砕することにより原料粉末を作製する。本実施形態では、まず、ジョークラッシャーなどの機械的粉砕法や公知の水素粉砕法などを用いて出発合金を粉砕し、大きさ50μm〜1000μm程度に粗粉砕粉を作製する。
次に、上記粉砕工程によって得られた原料粉末に対し、HDDR処理を施す。HD反応のための昇温工程は、水素分圧10kPa以上500kPa以下の水素ガス雰囲気または水素ガスと不活性ガス(ArやHeなど)の混合雰囲気、不活性ガス雰囲気、真空中のいずれかで行う。昇温工程を不活性ガス雰囲気または真空中で行うと、昇温時の反応速度制御の困難性に起因する磁気特性低下を抑制することができる。
DR処理は、真空または不活性ガス雰囲気下において650℃以上1000℃未満で行う。処理時間は、通常、15分以上10時間以下であり、典型的には30分以上、2時間以下の範囲に設定される。なお、雰囲気を段階的に制御する(例えば水素分圧を段階的に下げたり、減圧圧力を段階的に下げたりする)ことができることは言うまでもない。
Zn含有粉末は、少なくともZnを30mass%以上含みGa、Dy、およびTbを含まない金属、合金のいずれかの粉末である。合金の場合でも、少なくともZnは拡散熱処理によってHDDR磁粉に拡散する。また取り扱い上の問題で一部酸化物などが含まれていても良い。ただし、不純物の混入による磁気特性の低下や、合金化した際の融点上昇による拡散効率低下の観点から、不純物以外はすべてZnで構成される粉末が好ましい。Zn含有粉末の粒径は100μm以下が好ましく、分散性の観点から10μm以下がより好ましい。また、このように微細なZn粉末は活性なため取り扱いは不活性ガス中で行うのが好ましい。
R−T−B系永久磁石粉末とZn含有粉末の混合は、ミキサー等の公知の技術を用い、Znが全体の0.10mass%以上1.5mass%以下となるように混合し、混合粉末を作製する。Znを0.10mass%以上混合することにより、保磁力の向上効果が発現する。Znの混合量が1.5mass%を超えると、逆に保磁力が低下する。磁石粉末やZn含有粉末の酸化抑制のため、混合は不活性ガス中で行うのが好ましい。
次に、上記混合粉末を真空中、あるいは不活性ガス中にて450℃以上900℃未満の温度で熱処理する。拡散の効率や、R−T−B系永久磁石粉末自体の熱処理による磁気特性の低下を考慮すると、500℃以上800℃以下の温度がより好ましい。真空中で処理した場合、Znの一部が金属蒸気となるため拡散効率は良いが試料系外へ出て行く量も多くなるため、例えば10分以下などの短時間で処理することが好ましい。
上記混合粉末は、上記のように拡散熱処理、および必要に応じて時効熱処理を行ってボンド磁石用磁粉として利用することができるが、ホットプレス法などの熱間圧縮成形を用いることによって、緻密化を行い、バルク磁石(フルデンス磁石)を得ることもできる。熱間圧縮成形の処理温度範囲は、前記拡散熱処理の温度範囲に一致するため、熱間圧縮成形を施すことにより、拡散熱処理を兼ねることができる。
以下の表1に示す組成の合金を用意し、上述した公知の製造方法により、HDDR磁粉を作製した。以下、本実施例におけるHDDR磁粉の製造方法を詳細に説明する。
まず、表1の組成を有する鋳造合金を作製した。得られた合金を水素粉砕法によって粒径300μm以下の粉末に粉砕した後、HDDR処理した。具体的には、粉砕した合金を100kPa(大気圧)のアルゴン流気中で820℃まで加熱し、その後、雰囲気を100kPa(大気圧)の水素流気に切り替えた後、820℃を300分保時して水素化・不均化反応を行った。次に、820℃のまま5.3kPaに減圧したアルゴン流気中で60分保時し、脱水素・再結合処理を行った。得られたHDDR磁粉を振動試料型磁束計(VSM:装置名VSM5(東英工業社製))で測定した。結果を表2に示す。
実施例1〜18、比較例1〜8で使用したHDDR磁粉と同様に合金Aから作製したHDDR磁粉に粒径約7μmのZn粉末を表4に示す混合量でガラス瓶内で手混合した後、超硬合金製の金型の開口部に挿入した。金型をホットプレス装置内に設置し、1×10−2Pa以下の真空中で586MPaの圧力を印加しながら、高周波加熱により金型を650〜750℃に加熱し,2分間保持した。保持時間経過後直ちにチャンバ内にヘリウムガスを導入し冷却した。得られたホットプレス体を、10Pa以下の真空中で500℃、3時間の時効熱処理を行った。得られたサンプルの寸法と単重から密度を計算した。またサンプルの磁気特性をBHトレーサー(装置名:MTR−1412(メトロン技研社製))で測定した。さらにサンプルのZn残留量を、ICP発光分光分析法で測定した。結果を表4に示す。Znを混合していない比較例9〜11に比べZnを1.5重量%以下混合した実施例19〜30は保磁力HcJが向上していることが分かる。またZnを1.5重量%超混合した比較例12〜14はZnを混合していない比較例9〜11に比べ、逆に保磁力HcJが低下していることが分かる。また、Zn混合量に対し、サンプル中にZnは50%〜90%残留していた。
以下の表5に示す組成の合金を用意し、上述した公知の製造方法により、HDDR磁粉を作製した。以下、本実施例におけるHDDR磁粉の製造方法を詳細に説明する。
まず、表5の組成を有する鋳造合金を作製した。得られた合金を水素粉砕法によって粒径300μm以下の粉末に粉砕した後、HDDR処理した。具体的には、粉砕した合金を100kPa(大気圧)のアルゴン流気中で820℃まで加熱し、その後、雰囲気を100kPa(大気圧)の水素流気に切り替えた後、820℃を300分保時して水素化・不均化反応を行った。次に、820℃のまま5.3kPaに減圧したアルゴン流気中で60分保時し、脱水素・再結合処理を行った。得られたHDDR磁粉を振動試料型磁束計(VSM:装置名VSM5(東英工業社製))で測定した。結果を表6に示す。
まず、表8の組成を有する鋳造合金を作製した。得られた合金を水素粉砕法によって粒径300μm以下の粉末に粉砕した後、HDDR処理した。具体的には、粉砕した合金を100kPa(大気圧)のアルゴン流気中で820℃まで加熱し、その後、雰囲気を100kPa(大気圧)の水素流気に切り替えた後、820℃を300分保時して水素化・不均化反応を行った。次に、820℃のまま5.3kPaに減圧したアルゴン流気中で60分保時し、脱水素・再結合処理を行った。得られたHDDR磁粉を振動試料型磁束計(VSM:装置名VSM5(東英工業社製))で測定した。結果を表9に示す。
27 金型
28a 上パンチ
28b 下パンチ
Claims (4)
- HDDR処理によって作製され、その組成中の希土類量が29mass%超40mass%以下およびB量が0.3mass%以上2mass%以下であるR−T−B系永久磁石粉末を用意する工程と、
少なくともZnを30mass%以上含みGa、DyおよびTbを含まない金属、合金のいずれかの粉末であるZn含有粉末を用意する工程と、
前記R−T−B系永久磁石粉末およびZn含有粉末を、Znが全体の0.10mass%以上1.5mass%以下となるように混合して混合粉末とする工程と、
前記混合粉末を真空中あるいは不活性ガス中で450℃以上900℃未満の温度で拡散熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする、R−T−B系永久磁石の製造方法。 - 前記拡散熱処理する工程において、同時に前記混合粉末を熱間圧縮成形してバルク磁石を作製することを特徴とする、請求項1記載のR−T−B系永久磁石の製造方法。
- 前記拡散熱処理する工程の後に、前記拡散熱処理された混合粉末またはバルク磁石に対し、さらに真空中あるいは不活性ガス中で450℃以上700℃以下の温度で時効熱処理を行う工程を含むことを特徴とする、請求項1または2記載のR−T−B系永久磁石の製造方法。
- 前記熱間圧縮成形を行う前に前記混合粉末を磁界中で成形することによって、圧粉体を仮成形し、前記圧粉体を熱間圧縮成形して磁気的異方性を有するバルク磁石を作製することを特徴とする、請求項2記載のR−T−B系永久磁石の製造方法。
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