JP5284737B2 - 不揮発性半導体記憶装置とそのフェイルビット数計数方法 - Google Patents
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Description
上記制御回路は、上記データのデータパターンに応じてフェイルビット数を計数するための所定のデータ長中の各領域を、上記データの対応するセグメント毎に設定するようにスイッチ手段により切り替えフェイルビット数を計数することを特徴とする。
上記データのデータパターンに応じてフェイルビット数を計数するための所定のデータ長中の各領域を、上記データの対応するセグメント毎に設定するようにスイッチ手段により切り替えフェイルビット数を計数するステップを含むことを特徴とする。
(a)セグメントSG1用フェイルビットカウンタ17aがセグメントSG1のスペアデータS1及びノーマルデータN1(ノーマルデータ部分N1−1〜N1−6)におけるフェイルビット数を計数し、
(b)セグメントSG2用フェイルビットカウンタ17bがセグメントSG2のスペアデータS2及びノーマルデータN2(ノーマルデータ部分N2−1〜N2−6)におけるフェイルビット数を計数し、
(c)セグメントSG3用フェイルビットカウンタ17cがセグメントSG3のスペアデータS3及びノーマルデータN3(ノーマルデータ部分N3−1〜N3−6)におけるフェイルビット数を計数し、
(d)セグメントSG4用フェイルビットカウンタ17dがセグメントSG4のスペアデータS4及びノーマルデータN4(ノーマルデータ部分N4−1〜N4−6)におけるフェイルビット数を計数するように、
スイッチ制御回路16はスイッチ41〜94,…を制御する。なお、データパターンの入力又は設定については以下に説明する。
12…ロウデコーダ、
13…高電圧発生回路、
14…ページバッファ、
15…カラム制御回路、
16…スイッチ制御回路、
17…フェイルビットカウンタ、
17a…セグメントSG1用フェイルビットカウンタ、
17b…セグメントSG2用フェイルビットカウンタ、
17c…セグメントSG3用フェイルビットカウンタ、
17d…セグメントSG4用フェイルビットカウンタ、
20…入力装置、
21…コマンドインターフェース、
22…データ入出力バッファ、
25…ヒューズ制御回路、
26…ヒューズレジスタ、
41〜94…スイッチ、
50…カラムコントローラ。
Claims (8)
- 複数のメモリセルからなる不揮発性のメモリセルアレイと、複数のセグメントからなるデータを上記メモリセルアレイに対して書き込み及び上記メモリセルアレイから読み出しを制御し、書き込み又は読み出し時に発生するフェイルビット数を計数するフェイルビットカウンタを含む制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置において、
上記データは各セグメント毎に、ノーマルデータとスペアデータとを含み、
上記データのデータパターンは、上記ノーマルデータと上記スペアデータの配置を示し、
上記制御回路は、上記データのデータパターンに応じてフェイルビット数を計数するための所定のデータ長中の各領域を、上記データの対応するセグメント毎に設定するように、上記データ長中の各領域と各セグメントに対応する上記フェイルビットカウンタとの接続を制御するスイッチ手段により切り替えフェイルビット数を計数することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 上記制御回路は、上記スペアデータのデータ長の単位でフェイルビット数の計数領域を設定してフェイルビット数を計数する複数のフェイルビットカウンタを備えたことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 上記制御回路は、ユーザによるスイッチ制御コマンドに基づいて、フェイルビット数を計数するための各領域を設定することを特徴とする請求項1又は2記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 上記制御回路は、予め設定されたヒューズ値に基づいて、フェイルビット数を計数するための各領域を設定することを特徴とする請求項1又は2記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 複数のメモリセルからなる不揮発性のメモリセルアレイと、複数のセグメントからなるデータを上記メモリセルアレイに対して書き込み及び上記メモリセルアレイから読み出しを制御し、書き込み又は読み出し時に発生するフェイルビット数を計数するフェイルビットカウンタを含む制御回路とを備えた不揮発性半導体記憶装置のフェイルビット数計数方法において、
上記データは各セグメント毎に、ノーマルデータとスペアデータとを含み、
上記データのデータパターンは、上記ノーマルデータと上記スペアデータの配置を示し、
上記データのデータパターンに応じてフェイルビット数を計数するための所定のデータ長中の各領域を、上記データの対応するセグメント毎に設定するように、上記データ長中の各領域と各セグメントに対応する上記フェイルビットカウンタとの接続を制御するスイッチ手段により切り替えフェイルビット数を計数するステップを含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のフェイルビット数計数方法。 - 上記計数するステップは、上記スペアデータのデータ長の単位でフェイルビット数の計数領域を設定してフェイルビット数を計数する複数のフェイルビットカウンタを用いて計数することを特徴とする請求項5記載の不揮発性半導体記憶装置のフェイルビット数計数方法。
- 上記計数するステップは、ユーザによるスイッチ制御コマンドに基づいて、フェイルビット数を計数するための各領域を設定することを特徴とする請求項5又は6記載の不揮発性半導体記憶装置のフェイルビット数計数方法。
- 上記計数するステップは、予め設定されたヒューズ値に基づいて、フェイルビット数を計数するための各領域を設定することを特徴とする請求項5又は6記載の不揮発性半導体記憶装置のフェイルビット数計数方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008240925A JP5284737B2 (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 不揮発性半導体記憶装置とそのフェイルビット数計数方法 |
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JP2008240925A JP5284737B2 (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 不揮発性半導体記憶装置とそのフェイルビット数計数方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010073269A JP2010073269A (ja) | 2010-04-02 |
JP5284737B2 true JP5284737B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=42204902
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2008240925A Active JP5284737B2 (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 不揮発性半導体記憶装置とそのフェイルビット数計数方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5284737B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10402247B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operating method of non-volatile memory device |
US10665302B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-05-26 | Samsung Electroncis Co., Ltd. | Non-volatile memory device and operating method thereof |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5259765B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4250325B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR100399365B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | 페일 비트 검출 스킴을 구비한 불휘발성 반도체 메모리장치 및 그것의 페일 비트 카운트 방법 |
JP4962277B2 (ja) * | 2007-11-12 | 2012-06-27 | 横河電機株式会社 | 半導体メモリ試験装置 |
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2008
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10402247B2 (en) | 2016-01-15 | 2019-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Operating method of non-volatile memory device |
US10665302B2 (en) | 2016-01-15 | 2020-05-26 | Samsung Electroncis Co., Ltd. | Non-volatile memory device and operating method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010073269A (ja) | 2010-04-02 |
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