JP5284044B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 103
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 256
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 101710190981 50S ribosomal protein L6 Proteins 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
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- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/003—Cell access
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/102—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components
- H01L27/1021—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including bipolar components including diodes only
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B63/34—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the vertical channel field-effect transistor type
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
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- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
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- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/823—Device geometry adapted for essentially horizontal current flow, e.g. bridge type devices
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Description
(第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の概略構成)
先ず、図1及び図2を参照して、第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の概略構成について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の概略構成図である。図2は、後述するメモリ素子領域1を示す回路図である。
次に、図3、図4A〜図4Cを参照して、第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の具体的構成について説明する。図3は、メモリ素子領域1の概略斜視図である。図4Aは、図3の上面図であり、図4Bは、図4AのA−A’断面図であり、図4Cは、図4AのB−B’断面図である。なお、図3は、ソース線SL(ビット線BL、ワード線WL)として機能する層の間に形成された層間絶縁層を省略して示している。図4Aの右側は、後述する配線層10、及び選択トランジスタ20の一部の層の上面を示している。また、図4Bの左側は、後述するメモリ部30の上面を示している。
次に、図5A(図5B、図5C)〜図16A(図16B、図16C)を参照して、第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の製造方法について説明する。図5A〜図16Aは、第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の製造工程を示す上面図である。図5B〜図16Bは、図5A〜図16AのA−A’断面図であり、図5C〜図16Cは、図5A〜図16AのB−B’断面図である。
第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100の効果について説明する。第1実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置100は、上記積層構造に示したように高集積化可能である。
(第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶の概略構成)
次に、図18を参照して、第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の概略構成について説明する。図18は、第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリ素子領域1Aを示す回路図である。なお、第2実施形態において、第1実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の具体的構成について説明する。第2実施形態において、第1〜第4ソース線導電層33a〜33dは、例えば、Pt、WC、WB、TaC、W、Pt、TiN、CoSi、Coのいずれかで構成されている。また、柱状層36は、n型の不純物がドープされたポリシリコン(p−Si)(n型半導体)にて構成されている。柱状層36は、第1〜第4ソース線導電層33a〜33dと共にショットキーダイオードSBDを構成する不純物濃度をもつ半導体にて構成されている。
第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶の効果について説明する。第2実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第1実施形態と略同様の構成を有し、第1実施形態と同様の効果を奏する。
(第3実施形態に係る不揮発性半導体記憶の具体的構成)
次に、図19A〜図19Cを参照して、第3実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の具体的構成について説明する。図19Aは、第3実施形態に係るメモリ素子領域1Bの上面図である。図19Bは、図19AのA−A’断面図であり、図19Cは、図19AのB−B’断面図である。図19Aの右側は、配線層10、及び選択トランジスタ20の一部の層の上面を示している。また、図19Bの左側は、後述するメモリ部30Aの上面を示している。なお、第3実施形態において、第1及び第2実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、第3実施形態に係る不揮発性半導体記憶の効果について説明する。第3実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第1実施形態と同様に、高集積化可能であり、且つ低コストで製造可能である。
(第4実施形態に係る不揮発性半導体記憶の具体的構成)
次に、図20を参照して、第4実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の具体的構成について説明する。図20は、第4実施形態に係るメモリ素子領域1Cの断面図である。なお、第4実施形態において、第1〜第3実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、第4実施形態に係る不揮発性半導体記憶の効果について説明する。第4実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第1実施形態と略同様の構成を有し、第1実施形態と同様の効果を奏する。
(第5実施形態に係る不揮発性半導体記憶の具体的構成)
次に、図21を参照して、第5実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の具体的構成について説明する。図21は、第5実施形態に係るメモリ素子領域1Dの断面図である。なお、第5実施形態において、第1〜第4実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。
次に、第5実施形態に係る不揮発性半導体記憶の効果について説明する。第5実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、第1実施形態と略同様の構成を有し、第1実施形態と同様の効果を奏する。
以上、不揮発性半導体記憶装置の一実施形態を説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、追加、置換等が可能である。
Claims (5)
- メモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群を備え、
前記メモリ素子群は、
積層方向に伸びる第1柱状層と、
前記第1柱状層の側面に形成され且つ抵抗変化素子として機能し、所定電圧を印加されることにより破壊される第1絶縁層と、
前記第1絶縁層を介して前記第1柱状層を取り囲むように形成された第1導電層とを備え、
前記第1導電層は、金属にて構成され、
前記第1柱状層は、破壊された第1絶縁層を介して前記第1導電層と接することにより前記第1導電層と共にショットキーダイオードとして機能し、前記ショットキーダイオードを構成するための不純物濃度をもつ半導体にて構成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリ素子群を制御する制御回路を備え、
前記制御回路は、前記メモリ素子群の下層に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリ素子群の一端に接続され、前記メモリ素子群への導通を制御する選択トランジスタを備え、
前記選択トランジスタは、
前記第1柱状層の上面又は下面から積層方向にのびる第2柱状層と、
前記第2柱状層の側面に形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層を介して前記第2柱状層を取り囲むように形成された第2導電層とを備える
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置。 - メモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群を備え、
前記メモリ素子群は、
積層方向に伸びる第1柱状層と、
前記第1柱状層の側面に形成され且つ抵抗変化素子として機能し、所定電圧を印加されることにより破壊される第1絶縁層と、
前記第1絶縁層を介して前記第1柱状層を取り囲むように形成された第1導電層とを備え、
前記第1柱状層は、金属にて構成され、
前記第1導電層は、破壊された第1絶縁層を介して前記第1柱状層と接することにより前記第1柱状層と共にショットキーダイオードとして機能し、前記ショットキーダイオードを構成するための不純物濃度をもつ半導体にて構成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリ素子群を制御する制御回路を備え、
前記制御回路は、前記メモリ素子群の下層に形成されている
ことを特徴とする請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008287881A JP5284044B2 (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US12/562,402 US8138489B2 (en) | 2008-11-10 | 2009-09-18 | Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008287881A JP5284044B2 (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114376A JP2010114376A (ja) | 2010-05-20 |
JP5284044B2 true JP5284044B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=42164350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008287881A Expired - Fee Related JP5284044B2 (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8138489B2 (ja) |
JP (1) | JP5284044B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101587601B1 (ko) * | 2009-01-14 | 2016-01-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
US8461566B2 (en) | 2009-11-02 | 2013-06-11 | Micron Technology, Inc. | Methods, structures and devices for increasing memory density |
KR101738533B1 (ko) * | 2010-05-24 | 2017-05-23 | 삼성전자 주식회사 | 적층 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR101811308B1 (ko) | 2010-11-10 | 2017-12-27 | 삼성전자주식회사 | 저항 변화 체를 갖는 비 휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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JP2013075340A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス板研磨装置の監視方法及び監視システム |
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US8971092B2 (en) * | 2013-02-28 | 2015-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
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KR102221719B1 (ko) | 2014-05-23 | 2021-02-26 | 삼성전자주식회사 | 투명 도전체 및 전자 소자 |
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US9721961B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US9704922B2 (en) * | 2015-05-29 | 2017-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same while avoiding process damage to a variable resistance film |
KR20210015172A (ko) | 2019-08-01 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1609154B1 (en) * | 2003-03-18 | 2013-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change memory device |
EP1609186B1 (en) * | 2003-04-03 | 2010-09-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Cubic memory array and method of manufacturing |
US7579615B2 (en) * | 2005-08-09 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Access transistor for memory device |
JP5016832B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2012-09-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP5091491B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008211049A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-11-10 JP JP2008287881A patent/JP5284044B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-09-18 US US12/562,402 patent/US8138489B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8138489B2 (en) | 2012-03-20 |
US20100117047A1 (en) | 2010-05-13 |
JP2010114376A (ja) | 2010-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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