JP5281987B2 - 露光装置およびそれを用いた露光方法並びに表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

露光装置およびそれを用いた露光方法並びに表示用パネル基板の製造方法 Download PDF

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本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、基板の露光を行なう露光装置およびそれを用いた露光方法並びに表示用パネル基板の製造方法に関する。
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のTFT(Thin Film Transistor)基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機EL(Electroluminescence)表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行なわれる。露光装置は、感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布した基板へ、マスクを介して露光光を照射することにより、マスクのパターンを基板へ転写するものである。露光装置に関しては、例えば、特許文献1や2に開示がある。
特開平11−260705号公報 特開2008−286971号公報
近年、表示用パネルの大画面化に伴い基板が大型化する程、露光装置の光源に、より輝度の高いものが要求されるようになってきた。光源の輝度が高い程、露光光の照度が高くなり、露光時間が短く済んでタクトタイムが短縮され、スループットが向上する。
光源の輝度を高くするためには、ランプの出力を高くする必要がある。しかしながら、ランプの出力を高くすると、ランプが大型化して取り扱いが難しくなり、ランプの取り付け作業や交換作業に時間を要し、破損等の危険性も高くなる。
複数のランプを含む光源(ランプセット)を用いることにより、各ランプの出力を小さく抑えつつ、ランプセットとして高い出力、輝度を得ることができる。しかしながら、複数のランプを用いた場合、どれか一つでもランプが切れると、他のランプの寿命も間近との判断の元、全てのランプを交換していた。すなわち、露光装置のランプセット(光源)の寿命は、複数のランプの中の最小寿命となっていた。
本発明の目的は、ランプセット(光源)の寿命を延ばし、メンテナスンス回数を低減することにより、生産性を高めることが可能な露光装置およびそれを用いた露光方法並びに表示用パネル基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための一形態として、複数のランプを含む光源と、複数の前記ランプへそれぞれ電力を供給する複数の電源と、複数の前記電源を制御する電源制御装置と、基板を載せるチャックとを有する露光装置において、前記電源制御装置は、複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定となるように複数の前記電源を制御するものであることを特徴とする露光装置とする。
また、複数のランプを含む光源を有する露光装置を用いた露光方法において、複数の前記ランプを含む光源から発生する露光光の照度の目標値を入力する工程と、前記露光光の照度の前記目標値から、複数の前記ランプを含む光源の照度の目標値を決定する工程と、複数の前記ランプを含む光源の照度の前記目標値に基づき、複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定になるようにしながら、電力量を調整する工程と、その後、複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定になるように調整された前記光源から発生する露光光を用いて、基板を露光する工程と、を有することを特徴とする露光方法とする。
また、ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、前記薄膜の上に感光樹脂を塗布する工程と、前記感光樹脂が塗布された前記ガラス基板を、前記露光方法を用いて露光する工程と、露光された前記ガラス基板を現像する工程と、現像された前記ガラス基板で前記薄膜が露出されている部分をエッチングする工程と、前記ガラス基板上の感光樹脂の膜を剥離する工程と、を有することを特徴とする表示用パネル基板の製造方法とする。
また、ガラス基板上に、ブラックマトリクスを形成するブラックマトリクス工程と、前記ブラックマトリクスが形成された前記ガラス基板上に、着色パターンを形成する着色パターン形成工程と、その後、前記着色パターンの上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜の上に電極膜を形成する工程と、を有し、前記ブラックマトリクス形成工程および前記着色パターン形成工程の少なくとも1つの工程において、前記露光方法を用いることを特徴とする表示用パネル基板の製造方法とする。
ランプセット(光源)の寿命を延ばし、メンテナスンス回数を低減することにより、生産性を高めることが可能な露光装置およびそれを用いた露光方法並びに表示用パネル基板の製造方法を提供することができる。
第1の実施例に係る露光装置の概略構成図である。 第1の実施例に係る露光方法を説明するためのフローチャートである。 第2の実施例に係る液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 第3の実施例に係る液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
発明者等は、先ずランプセット(光源)への電力供給方法とランプの寿命との関係、各ランプの照度の露光光照度の均一性への影響等について検討を行なった。その結果、ランプセット(光源)を構成する各ランプの照度を同じで一定にしようとすると、ランプの個体差により供給する電力に差が生じる(1例として、4個のランプセット(光源)において、11KW〜13KWの範囲でばらつき有)こと、そのため、各ランプへの負荷にばらつきが生じ、ランプの寿命が変化してしまうことがわかった。また、光学系としてコリメーターレンズが設置されていれば、露光光の照度分布の均一化は十分に確保できることが分かった(例えば、各ランプの照度のバラつきが±25%程度あっても、コリメーターレンズを通すことにより、露光面内での照度の均一性は±5%以内に収まる)。
本発明は上記知見に基づいて生まれたものであり、ランプセット(光源)を構成する各ランプへの供給電力を同じで一定にすることにより、これまで寿命の短かったランプの長寿命化をはかり、ランプセット(光源)を構成する各ランプの寿命を均一化することにより、ランプセット(光源)としての寿命を延ばすものである。これにより、メンテナスンス回数が減り、生産性を高めることが可能な露光装置およびそれを用いた露光方法並びに表示用パネル基板の製造方法を提供することができる。
以下、実施例で詳細に説明する。
第1の実施例について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施例に係る露光装置の概略構成図である。本実施例では、マスクと基板との間に微小な間隙(プロキシミティギャップ)を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ露光装置の例を示している。
露光装置は、ベース103、Xガイド104、Xステージ105、Yガイド106、Yステージ107、θステージ108、Z−チルト機構109、チャック110、マスクホルダ120、露光光照射装置130、電源制御装置140、電源141−1、141−2、光源制御装置150、入力装置151、及び照度センサー152を含んで構成されている。なお、露光装置は、これらの他に、基板101を搬入する搬入ユニット、基板101を搬出する搬出ユニット、装置内の温度管理を行なう温度制御ユニット等を備えている。
図1において、チャック110は、基板101の露光を行なう露光位置にある。露光位置の上方には、マスクホルダ120によってマスク102が保持されている。基板101は、露光位置から離れた受け渡し位置において、図示しない搬入ユニットによりチャック110へ搭載され、また図示しない搬出ユニットによりチャック110から回収される。
チャック110は、Z−チルト機構109を介してθステージ108に搭載されており、θステージ108の下にはYステージ107及びXステージ5が設けられている。Xステージ105は、ベース103に設けられたXガイド104に沿ってX方向(図面横方向)へ移動する。Xステージ105のX方向への移動によって、チャック110は受け渡し位置と露光位置との間を移動する。Yステージ107は、Xステージ105に設けられたYガイド106に沿ってY方向(図面奥行き方向)へ移動する。θステージ108はθ方向へ回転し、Z−チルト機構109はZ方向(図面縦方向)へ移動及びチルトする。
露光装置において、Xステージ105のX方向への移動、Yステージ107のY方向への移動、及びθステージ108のθ方向への回転によって、基板101の位置決めが行われる。また、Z−チルト機構109のZ方向への移動及びチルトによって、マスク102と基板101とのギャップ合わせが行なわれる。
なお、本実施例では、Z−チルト機構109によりマスク102と基板101とのギャップ合わせを行っているが、マスクホルダ120をZ方向へ移動及びチルトすることにより、マスク102と基板101とのギャップ合わせを行なってもよい。
マスクホルダ120の上方には、露光光照射装置130が設けられている。露光光照射装置130は、複数のランプ131−1、131−2、複数の集光鏡132−1,132−2、第1平面鏡133、レンズ134、シャッター135、コリメーターレンズ136、第2の平面鏡137、及びシャッター駆動装置138を含んで構成されている。
なお、本実施例では、露光光を発生する光源に4つのランプ131が用いられ、4つのランプ131が上から見て四角形を成すように配置されているが、図1では2つのランプのみが示されている。また、ランプの数はこれに限らず、2つ、3つ又は5つ以上のランプを用いてもよい。ランプ131には、水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ等のように、高圧ガスをバルブ内に封入したランプが使用されている。
各ランプ131の周囲には、各ランプ131から発生した光を集光する集光鏡132が設けられている。本実施例では、集光鏡132の一部を切り欠くことにより、隣接する2つのランプを集光鏡の直径よりも小さい距離に近づけて配置している。しかしながら、集光鏡132の一部を切り欠くことなく、隣接する2つのランプを集光鏡の直径よりも大きい距離に離して配置してもよい。
各ランプ131は、各電源141から電力が供給されて点灯する。各ランプ131から発生した光は、各集光鏡132により集光され、第1平面鏡133へ照射される。第1平面鏡133で反射した光は、フライアイレンズ又はロットレンズ等からなるレンズ134へ入射し、レンズ134を透過して照度分布が均一化される。このときの照度分布は、露光面で±5%程度である。
シャッター135が開いているとき、レンズ134を透過した光は、コリメーターレンズ136を透過して平行光線束となり、第2平面鏡137で反射して、マスク102へ照射される。マスク102へ照射された露光光により、マスク102のパターンが基板101へ転写され、基板101の露光が行なわれる。
第2平面鏡137の裏側近傍には、照度センサー152が配置されている。第2平面鏡137には、露光光の一部を通過させる小さな開口が設けられている。照度センサー152は、第2平面鏡137の開口を通過した光を受光して、露光光の照度を検出する。照度センサー152の検出結果は、光源制御装置150へ入力される。
以下、電源制御装置140及び光源制御装置150の動作について説明する。光源制御装置150は、ランプセット(光源)照度の目標値を電源制御装置140へ指示する。電源制御装置140は、まず、光源制御装置150から指示されたランプセット(光源)の照度の目標値に応じ、各電源141を制御して、各ランプ131へ供給する電力を同じで一定としながら、電力量を調整する。この際に各ランプ間の照度のバラつきが大きい場合は、ランプに不具合があると考えられるため、注意を促す警報を出力し、ランプ破裂などの事故を未然に防ぐことができる。なお、各ランプへの供給電力に関し、±3%以内ならば同一と見なせる。
光源制御装置150は、露光処理を行なう前に、電源制御装置140へ指示するランプセットの照度の目標値を種々に変化させ、照度センサー152の検出結果を電源制御装置140から入力して、参考データとして記憶する。
次に、図2を用いて露光方法について説明する。図2は、本実施例に係る露光方法を説明するためのフローチャートである。まず、光源制御装置150には、入力装置151から、露光光の照度の目標値が入力される(S201)。光源制御装置150は、露光光の照度の目標値から、ランプセットの照度の目標値を決定する(S202)。このとき、光源制御装置150は、例えば、参考データから、露光光の照度が目標値の前後にあるものを見つけ、その間のランプセットの照度の変化の傾きを参考にして、ランプセットの照度の目標値を決定する。参考データを用いることにより、露光光の照度が目標値となるランプセットの照度の目標値が、精度良く決定される。
光源制御装置150は、決定したランプセットの照度の目標値を、電源制御装置140へ指示する。電源制御装置140は、光源制御装置150が決定したランプセットの照度の目標値に応じ、各電源141を制御して、各ランプ131へ供給する電力を同じで一定としながら、電力量を調整する(S203)。
続いて、光源制御装置150は、シャッター駆動装置138を制御してシャッター135を開く。このとき、チャック110は受け渡し位置にあり、基板101の露光は行なわれない。照度センサー152は、露光光の照度を検出する(S204)。光源制御装置150は、照度センサー152が露光光の照度を検出した後、シャッター駆動装置138を制御してシャッター135を再び閉じる。
光源制御装置150は、照度センサー152の検出結果を入力し、照度センサー152の検出結果に基づいてランプセットの照度の目標値を補正する(S205)。このとき、光源制御装置150は、例えば、参考データから、露光光の照度が目標値の前後にあるものを見つけ、その間のランプセットの照度の変化の傾きを参考にして、ランプセットの照度の目標値を補正する。参考データを用いることにより、露光光の照度が目標値となるランプセットの照度の目標値が、精度良く補正される。
光源制御装置150は、補正したランプセットの照度の目標値を、電源制御装置140へ指示する。電源制御装置140は、光源制御装置150が補正したランプセットの照度の目標値に応じ、各電源141を制御して、各ランプ131へ供給する電力を同じで一定としながら、電力量を調整する(S206)。そして、露光光の照度を検出し、検出結果に基づいてランプセットの照度の目標値を補正するので、複数のランプ131の光を合わせた露光光の照度が目標値に正確に制御される。
以上の処理を行なった後、基板101の露光を行なう(S207)。基板101の露光では、チャック110を露光位置へ移動し、基板101の位置決め及びマスク102と基板101とのギャップ合わせを行なった後、光源制御装置150がシャッター駆動装置138を制御してシャッター135を開閉する。以後、各電源141のフィードバック制御(S206)及び基板101の露光(S207)を繰り返す。そして、所定の期間毎に、図2の破線で示すようにステップS204へ戻って、露光光の照度の検出(S204)及びランプセットの照度の目標値の補正(S205)を行なう。
なお、本実施例では、露光光の照度の検出(S204)及びランプセットの照度の目標値の補正(S205)を所定の期間毎に行なっているが、基板101の露光を行なう度に行なってもよい。
上記露光方法により露光を行なった結果、従来に比べランプセットを長寿命化できることが分かった。
以上説明した実施例によれば、露光光の照度を検出し、検出結果に基づいてランプセットの照度の目標値を補正することにより、複数のランプ131の光を合わせた露光光の照度を目標値に正確に制御することができる。
さらに、予めランプセットの照度の目標値を変化させて露光光の照度を検出し、検出結果を参考にして、ランプセットの照度の目標値を決定し、又はランプセットの照度の目標値を補正することにより、露光光の照度が目標値となるランプセットの照度の目標値を、精度良く決定又は補正することができる。
本実施例ではプロキシミティ露光装置を例にして説明したが、これに限らずレンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影する投影露光装置にも適用することができる。
本実施例に示した露光装置または露光方法を用いて、マスクのパターンを基板へ転写することにより、パターンの転写を均一に行なうことができ、露光に必要な露光時間を常に同じにすることができるので、高品質な基板を一定のタクトタイムで製造することができる。
本実施例によれば、ランプセットを構成する各ランプへの供給電力を同じで一定にすることにより各ランプ負荷のばらつきが低減され、ランプセットの寿命を延ばすことができ、メンテナスンス回数が低減され、生産性を高めることが可能な露光装置およびそれを用いた露光方法を提供することができる。
第2の実施例について図3を用いて説明する。なお、実施例1に記載され本実施例に未記載の事項は実施例1と同様である。
図3は本実施例に係る液晶ディスプレイ装置のTFT基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。先ず、薄膜形成工程(S301)において、スパッタ法により、ガラス基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。スパッタ法に代えてプラズマ化学気相成長(CVD)法等を用いることもできる。
次に、レジスト塗布工程(S302)において、ロール塗布法等により感光樹脂材料(フォトレジスト)を塗布して、薄膜形成工程(S301)で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。
次に、露光工程(S303)において、実施例1で用いたプロキシミティ露光装置及び露光方法を用いて、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。プロキシミティ露光装置に代えて、投影露光装置を用いることもできる。次に、現像工程(S304)において、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。
次に、エッチング工程(S305)において、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程(S301)で形成した薄膜のうち、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。次に、剥離工程(S306)において、エッチング工程(S305)でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、ガラス基板上にTFTアレイが形成される。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果が得られる。また、液晶ディスプレイ装置のTFT基板の生産性を向上することができる。
第3の実施例について図4を用いて説明する。なお、実施例1や2に記載され本実施例に未記載の事項はそれらと同様である。
図4は本実施例に係る液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。先ず、ブラックマトリクス形成工程(S401)において、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、ガラス基板上にブラックマトリクスを形成する。
次に、着色パターン形成工程(S402)において、染色法によりガラス基板上に着色パターンを形成する。なお、染色法に代えて、顔料分散法、印刷法、電着法等を用いることもできる。この工程を、R(赤)、G(緑)、B(青)の着色パターンについて繰り返す。パターン形成において、実施例1で用いたプロキシミティ露光装置及び露光方法により、マスクのパターンをフォトレジスト膜に転写する。なお、プロキシミティ露光装置に代えて、投影露光装置を用いることもできる。
次に、保護膜形成工程(S403)において、着色パターンの上に保護膜を形成する。次に、透明電極形成工程(S404)において、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄/乾燥工程が実施される。
上記ブラックマトリクス形成工程と着色パターン形成工程の露光処理の少なくとも1つにおいて、実施例1で用いたプロキシミティ露光装置及び露光方法を適用することができる。なお、プロキシミティ露光装置に代えて、投影露光装置を用いることもできる。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果が得られる。また、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の生産性を向上することができる。
101…基板、
102…マスク、
103…ベース、
104…Xガイド、
105…Xステージ、
106…Yガイド、
107…Yステージ、
108…θステージ、
109…Z−チルト機構、
110…チャック、
120…マスクホルダ、
130…露光光照射装置、
131、131−1、131−2…ランプ、
132、132−1、132−2…集光鏡、
133…第1平面鏡、
134…レンズ、
135…シャッター
136…コリメーターレンズ、
137…第2平面鏡、
138…シャッター駆動装置、
140…電源制御装置、
141,141−1、141−2…電源、
150…光源制御装置、
151…入力装置。

Claims (11)

  1. 複数のランプを含む光源と、複数の前記ランプへそれぞれ電力を供給する複数の電源と、複数の前記電源を制御する電源制御装置と、基板を載せるチャックと、を有する露光装置において、
    前記電源制御装置は、複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定となるように複数の前記電源を制御するものであることを特徴とする露光装置。
  2. 複数のランプを含む光源と、複数の前記ランプへそれぞれ電力を供給する複数の電源と、複数の前記電源を制御する電源制御装置と、前記電源制御装置を制御する光源制御装置と、基板を載せるチャックと、を有する露光装置において、
    前記電源制御装置は、前記光源制御装置から得た目標値に基づいて複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定となるように複数の前記電源を制御するものであることを特徴とする露光装置。
  3. 請求項2に記載の露光装置において、
    前記目標値は、入力装置を用いて前記光源制御装置に入力された露光光の照度の目標値から決定されたものであることを特徴とする露光装置。
  4. 請求項2又は3に記載の露光装置において、
    さらに前記光源から発生した露光光の照度を検出する照度センサーを備え、
    前記光源制御装置は前記照度センサーが検出した露光光の照度に基づいて前記目標値を補正することを特徴とする露光装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置において、
    複数の前記ランプへの供給電力が同じとは、±3%以内の電力の変動を含むことを特徴とする露光装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置において、
    前記光源から発生した露光光が通過するコリメーターレンズを更に有することを特徴とする露光装置。
  7. 複数のランプを含む光源を有する露光装置を用いた露光方法において、
    複数の前記ランプを含む光源から発生する露光光の照度の目標値を入力する工程と、
    前記露光光の照度の前記目標値から、複数の前記ランプを含む光源の照度の目標値を決定する工程と、
    複数の前記ランプを含む光源の照度の前記目標値に基づき、複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定になるようにしながら、電力量を調整する工程と、
    その後、複数の前記ランプへの供給電力が同じで一定になるように調整された前記光源から発生する露光光を用いて、基板を露光する工程と、を有することを特徴とする露光方法。
  8. ガラス基板上に薄膜を形成する工程と、
    前記薄膜の上に感光樹脂を塗布する工程と、
    前記感光樹脂が塗布された前記ガラス基板を、請求項7記載の露光方法を用いて露光する工程と、
    露光された前記ガラス基板を現像する工程と、
    現像された前記ガラス基板で前記薄膜が露出されている部分をエッチングする工程と、
    前記ガラス基板上の感光樹脂の膜を剥離する工程と、を有することを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
  9. 請求項8記載の表示用パネル基板の製造方法において、
    前記薄膜は、液晶駆動用の電極となる導電体膜であることを特徴とする表示用パネル基板の製造方法
  10. ガラス基板上に、ブラックマトリクスを形成するブラックマトリクス工程と、
    前記ブラックマトリクスが形成された前記ガラス基板上に、着色パターンを形成する着色パターン形成工程と、
    その後、前記着色パターンの上に保護膜を形成する工程と、
    前記保護膜の上に電極膜を形成する工程と、を有し、
    前記ブラックマトリクス形成工程および前記着色パターン形成工程の少なくとも1つの工程において、請求項7記載の露光方法を用いることを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
  11. 請求項10記載の表示用パネル基板の製造方法において、
    前記着色パターンは、赤色パターン、緑色パターン、青色パターンであることを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
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JPH11260705A (ja) * 1998-03-06 1999-09-24 Dainippon Kaken:Kk 露光装置
JP4532654B2 (ja) * 2000-03-14 2010-08-25 キヤノン株式会社 制御装置、制御方法及び露光装置
JP3507404B2 (ja) * 2000-04-24 2004-03-15 キヤノン株式会社 照明装置と照明方法、および該照明装置を備えた露光装置とこれらによるデバイスの製造方法
JP4937808B2 (ja) * 2007-03-26 2012-05-23 フェニックス電機株式会社 光源装置ならびにこれを用いた露光装置
JP4879085B2 (ja) * 2007-05-17 2012-02-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 露光装置
JP2009058924A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Attomakkusu:Kk 照明装置
JP2010034293A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Ushio Inc 露光用光照射装置

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