JP5269741B2 - 電子部品用パッケージ及び検出装置 - Google Patents
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Description
特許文献1に記載されている電子部品用パッケージを構成するパッケージ本体の概略を図10(a)(b)に示す。図10に示す基板状のパッケージ本体100は、複数のセラミック板を積層して形成されたパッケージであって、電子部品としてMEMS(Micro Electro Mechanical System)が搭載されている。
このパッケージ本体100が垂直実装される端面102は、図10(a)に示す様に、端面102と交差する第1側面104に形成されたリード端子106,106・・の各々から延出されたリード端子108が形成されている。
更に、図10(b)に示す様に、第1側面104に対して反対面となる第2側面110に形成されたリード端子112,112・・の各々からも、端面102にリード端子114が延出されている。
また、図10に示すパッケージ本体100のリード端子106,112が形成された側面と異なる側面には、端面102を実装基板の実装面に当接してパッケージ本体100を直角に実装する際に、パッケージ本体100の実装基板に対する固着強度を補強すべく、はんだ接続される金属層116,116が形成されている。
しかし、図10に示すパッケージ本体100は、複数のセラミック板を積層し焼成して形成されたパッケージであるため、幅狭の端面102を平坦面に形成することは困難である。このため、実装基板の実装面に端面102を当接したとき、パッケージ本体100と実装基板の実装面との角度が不確定である。
この様に、パッケージ本体100と実装基板の実装面との角度が不確定な加速度等の検知装置では、搭載されたMEMSによる検知精度が著しく低下し、検知装置として使用できないおそれがある。
従って、パッケージ本体100と実装基板の実装面との角度が一定角度で立設されているように特別な配慮を払う必要がある。
そこで、本発明の課題は、実装基板に実装したとき、実装基板の実装面との角度が不確定状態となるおそれのある従来の電子部品用パッケージの課題を解決し、実装基板の実装面に、実装面との角度を所定角度で確実に実装できる電子部品用パッケージ及び検知装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明者等は、前記課題を解決する手段として、第1側面およびこの反対面となる第2側面と前記第1および第2側面に交差する端面とを含む基板状のパッケージ本体に、電子部品が搭載された電子部品用パッケージであって、前記端面が実装基板側の平坦な実装面に当接して、前記パッケージ本体が前記実装面に対して直角に固着して実装されるように、前記端面が平坦な切断面に形成され、前記端面と前記第1側面との境界部には、第1切欠部が形成され、前記端面と前記第2側面との境界部には、第2切欠部が形成され、前記第1切欠部の内壁面には、前記第1側面との交差角が鈍角となる傾斜面が前記第1切欠部の側壁面の全てに形成され、前記第2切欠部の内壁面には、前記第2側面との交差角が鈍角となる傾斜面が前記第2切欠部の側壁面の全てに形成され、前記第1切欠部の傾斜面には、前記実装面に対する固着用の第1パッドが形成され、前記第2切欠部の傾斜面には、前記実装面に対する固着用の第2パッドが形成され、前記第1および第2パッドのうち、一方が前記電子部品と電気的に接続されている接続パッドであり、他方が前記電子部品と電気的に接続されていないダミーパッドである電子部品用パッケージを提供できる。
また、切欠部の内壁面に形成した傾斜面にパッドを形成することによって、パッドを容易に形成でき、電子部品の電極端子から延出された配線パターンとも容易に接続できる。
更に、パッケージ本体に、切断面と交差する第1側面との境界部に第1切欠部と、前記第1側面に対して反対面となる第2側面と切断面との境界部に第2切欠部とを形成し、前記第1切欠部と第2切欠部との一方に形成したパッドを電子部品と電気的に接続することによって、第1切欠部と第2切欠部との各々にはんだを充填したとき、各切欠部内に充填した溶融はんだの収縮に起因して発生する電子部品用パッケージの傾斜を防止できる。
かかる第1切欠部及び第2切欠部の各々の内壁面に形成した傾斜面にパッドを形成することによって、内壁面にパッドが形成された第1切欠部と同程度の溶融はんだとの濡れ性を呈する。このため、第1切欠部及び第2切欠部内に充填された溶融はんだの表面張力によるメニスカスも同程度のものが形成される。このパッドも、第2切欠部の傾斜面に形成することによって、容易に形成できる。
前記第2側面には、電子部品搭載用の凹部が形成され、前記凹部内には、前記電子部品が接合される接合パッドが形成され、前記接合パッドが、前記接続パッドと電気的に接続され、前記電子部品が、前記接合パッドと接合して該接合パッドを介して前記接続パッドと電気的に接続され、前記凹部内で搭載されている。
また、前記凹部内には、該凹部の底面から突出する突出部が形成され、前記接合パッドが、前記突出部の先端面に形成され、前記電子部品が、前記突出部の先端面で搭載されて、前記凹部の底面から離間している。
また、前記第1切欠部内から前記第1側面上に引き出されるように前記第1パッドを含む第1配線が形成され、前記第2切欠部内から前記第2側面上に引き出されるように前記第2パッドを含む第2配線が形成されている。
また、前記第2配線が、前記第2切欠部内から前記第2側面上に引き出されて、更に、前記凹部の内壁面に沿って形成されている。
また、前記パッケージ本体には、前記第1側面から前記第2側面にかけて貫通するヴィアが形成され、前記ヴィアが、前記接続パッドと電気的に接続されている。
また、前記第1パッドが、前記第1切欠部の内壁面のうち、前記端面側を除いた領域の全面に形成され、前記第2パッドが、前記第2切欠部の内壁面のうち、前記端面側を除いた領域の全面に形成されている。
また、前記第1側面上には、前記第1パッドを露出して第1ソルダーレジストが形成され、前記第2側面上には、前記第2パッドを露出して第2ソルダーレジストが形成されている。
パッケージ本体の端面を、実装基板側の平坦な実装面に直角に当接して実装することによって、電子部品用パッケージを実装基板側の実装面に確実に直角に実装でき、検出素子の検出精度の向上を図ることができる。
また、パッケージ本体の切欠部の内壁面に形成された傾斜面にパッドを形成することによって、切欠部の内壁面にパッドを容易に形成でき、検知素子の電極端子から延出された配線パターンとも容易に接続できる。
更に、パッケージ本体に、切断面と交差する第1側面との境界部に第1切欠部と、前記第1側面に対して反対面となる第2側面と切断面との境界部に第2切欠部とを形成すると共に、前記第1切欠部及び第2切欠部の一方に形成したパッドを検出素子と電気的に接続し、且つ前記切断面が実装基板側の実装面に当接して、前記実装面に対して装着したパッケージ本体を固着するように、前記第1切欠部及び第2切欠部内にはんだを充填することによって、各切欠部内に充填した溶融はんだの収縮に起因して発生するパッケージ本体の傾斜を防止できる。この第1切欠部及び第2切欠部の各々の内壁面に形成したパッドによって、第1切欠部及び第2切欠部の内壁面は溶融はんだに対して良好な濡れ性を呈する。このため、第1切欠部及び第2切欠部内に充填された溶融はんだの表面張力によって良好なメニスカスを形成できる。このパッドも、第1切欠部及び第2切欠部の各々に形成した傾斜面に形成することによって、容易に形成できる。
かかる本発明者等が提供した課題を解決する手段では、実装基板側に設けた実装面を、実装基板の一面側に配設した中継基板に形成することによって、実装基板の表面が凹凸面に形成されていても、パッケージ本体を搭載する中継基板の搭載面を平坦面に形成できる。この中継基板としては、シリコン基板又はセラミック基板によって形成することが好ましい。
更に、パッケージ本体の切断面と交差する第1側面との境界部に形成した切欠部の内壁面に、電子部品の電極端子と電気的に接続されたパッドが形成され、実装基板側の実装面と当接する切断面にパッドを形成することを要しない。
このため、電子部品用パッケージを形成するパッケージ本体の切断面を実装基板側の実装面に当接することによって、電子部品用パッケージを実施基板側の実装面に容易に所定角度で確実に装着できる。
また、実装基板側の実装面に所定角度で装着した電子部品用パッケージの切欠部内にはんだを充填することによって、実装基板側の実装面に装着された電子部品用パッケージを固着すると共に、実装基板側の実装面に形成したパッドとパッケージ本体に搭載した電子部品と電気的に接続されたパッドとを電気的に接続できる。
その結果、実装基板側の実装面に電子部品用パッケージを実装する際に、電子部品用パッケージを実装基板側の実装面に対して容易に所定角度で確実に装着でき、切欠部に充填するはんだによって電子部品用パッケージと実装基板とを電気的に接続し且つ固着できる。
かかるセンサ用パッケージPは、実装基板12の一面側に中継基板14を介して搭載されている。この中継基板14は、一面側がセンサ用パッケージPの実装面14aに形成されていると共に、他面側が実装基板12と接続される接続面に形成されている。かかる中継基板14の実装面14aは、平坦な水平面に形成されている。
この様な、中継基板14の実装面14aには、センサ用パッケージPを形成する基板状のパッケージ本体10の端面10cが当接し、センサ用パッケージPが中継基板14の実装面14aに対して直角に実装(垂直実装)されている。
かかるパッケージ本体10の端面10cは、平坦な切断面に形成されており、センサ用パッケージPは中継基板14にはんだ16,16によって固着されている。
この中継基板14は、図2に示す様に、平板状のシリコン基板18の一面側(実装面14a)に形成されたパッド20,20が、シリコン基板18の一面側に形成された配線パターン22,22及びシリコン基板18を貫通するヴィア24を経由してシリコン基板18の他面側(接続面)に形成されたパッド26,26に電気的に接続されている。これらの配線パターン22,22及びパッド20,20が、パッケージ本体10との接続に必要な個所を除いてソルダーレジスト23によって覆われている。
かかるシリコン基板18の他面側に形成されたパッド26,26は、図1に示す様に、実装基板12の表面に形成されたパッド28,28にはんだ30,30によって接続されている。
この様に、実装基板12の一面側に中継基板14を配設することによって、実装基板12の表面が凹凸面に形成されていても、パッケージ本体10を搭載する中継基板14の実装面14aを平坦面に形成できる。
尚、シリコン基板18には、シリコン基板18の一面側に研磨を施して平坦面とした後に、パッド20や配線パターン22を形成することが好ましい。
かかる端面10cは、中継基板14の実装面14aに当接する当接面であって、端面10cと直交する第1側面10aとの境界部には、図3に示す様に、第1切欠部32a,32a,32aが形成されている。かかる第1切欠部32aは、第1側面10aと端面10cとに開口され、第1切欠部32aの側壁面は第1側面10aとの交差角が鈍角となる傾斜面32c,32c,32cに形成されている。
更に、図3に示す様に、第1側面10aに対して反対側面には、端面10cと直交する第2側面10bが形成されている。この第2側面10bと端面10cとの境界部にも、第2切欠部32b,32b,32bが形成されている。この第2切欠部32bは、第2側面10bと端面10cとに開口され、第2切欠部32bの側壁面は第2側面10bとの交差角が鈍角となる傾斜面32c,32c,32cに形成されている。
このため、パッケージ本体10の端面10cの外周は、図3に示す様に、第1切欠部32a,32a,32a及び第2切欠部32b,32b,32bによって、凹凸形状となっているが、端面10cは平坦面である。
尚、図3においては、パッケージ本体10の形状を説明するため、配線パターン等については図示を省略した。
センサ用パッケージPを形成するパッケージ本体10のシリコン基板34の図3に示す第2側面10bには、図4に示す様に、搭載用凹部36が形成されている。この搭載用凹部36の底面から突出する突出部39の先端面は、MEMS等の検知素子38が搭載される搭載面に形成されている。
かかるシリコン基板34の第1側面10a及び第2側面10bの全表面には、SiO2から成る絶縁層34aによって被覆されている。この「全表面」には、搭載用凹部36の内壁面、突出部39の表面、第1切欠部32a,32a,32a及び第2切欠部32b,32b,32bの内壁面、及び後述するヴィア40を形成するヴィア穴41の内壁面を含む。
かかるパッド44は、端面10cとの交差縁近傍を除く第1切欠部32aの内壁面の全面に形成することが好ましいが、少なくとも第1切欠部32aの傾斜面32cに形成されていればよい。特に、第1切欠部32aの端面10cに開口する開口部に対向する傾斜面32cにパッド44が形成されていることが好ましい。このパッド44は、第1側面10a上に延出されていてもよい。
パッケージ本体10の第1側面10aに形成された配線パターン42・・は、パッド44を除いてソルダーレジスト50によって被覆されている。このパッド44も、その端面10cとの交差縁近傍の部分は、ソルダーレジスト50によって被覆されている。
シリコン基板34の搭載用凹部36内に搭載された検知素子38は、搭載用凹部36の開口部を覆う蓋体48によって封止されている。この蓋体48は、シリコン基板34に接着剤48aによって貼着されている。
また、パッケージ本体10に形成された第2切欠部32b,32b,32bの各内壁面にも、図4に示す様に、銅等の金属から成るダミーパッド46が形成されている。かかるダミーパッド46は、端面10cとの交差縁近傍を除く第2切欠部32bの内壁面の全面に形成することが好ましいが、少なくとも第2切欠部32bの傾斜面32cに形成されていればよい。特に、第2切欠部32bの端面10cに開口する開口部に対向する傾斜面32cにダミーパッド46が形成されていることが好ましい。このダミーパッド46は、第2側面10b上に延出されていてもよい。
パッケージ本体10の第2側面10bに形成されたダミーパッド46のうち、第2側面10bに形成された部分は、ソルダーレジスト50によって被覆され、ダミーパッド46の端面10cとの交差縁近傍の部分も、ソルダーレジスト50によって被覆されている。
尚、搭載用凹部36内には、MEMS等の検知素子38と共に、半導体素子やキャパシタ等の受動部品を同時に搭載してもよい。
先ず、図5(a)に示す様に、板状体としての平板状のシリコン板52の両面側にケミカルエッチングを施して、シリコン板52の一面側に、検知素子38を搭載する複数の搭載用凹部36,36を所定間隔で形成し、且つシリコン基板52の他面側で搭載用凹部36,36の中間部に相当する部分に第1切欠部用凹部31aを形成すると共に、第1切欠部用凹部31aに対応して搭載用凹部36,36の中間部に第2切欠凹部31bを形成する。搭載用凹部36,第1切欠部用凹部31a及び第2切欠用凹部31bの形状は、シリコン板52の一面側又は他面側に開口される開口部が底面よりも幅広となる逆台形状である。
尚、このケミカルエッチングは、シリコン板52の両面側の所定箇所がエッチングされるように、シリコン基板52の両面側にエッチング用レジストによるマスクを被着して施す。
このドライエッチングの際に、ヴィア穴41,41を形成した部分を除く搭載用凹部36の底面を掘り込み、ヴィア穴41,41を形成した部分を搭載用凹部36の底面から突出した突出部39に形成する。
この突出部39に、後述する様に、検知素子38を搭載することによって、検知素子38を搭載用凹部36の底面から離間状態にでき、検知素子38による検出精度を向上できる。
かかる搭載用凹部36,36及びヴィア穴41,41を形成したシリコン板52に熱酸化処理を施して、図5(c)に示す様に、ヴィア穴41,41の内壁面を含むシリコン板52の全表面にSiO2から成る絶縁層34aを形成する。
尚、ヴィア穴41,41の内壁面を含むシリコン板52の全表面に、CVDやスパッタによってSiNやSiO2から成る膜を形成して絶縁層34aとしてもよく、エポキシやポリイミド等の絶縁樹脂の塗布等の方法によって絶縁層34aを形成してもよい。
かかるパッド44及びダミーパッド46には、はんだ16との濡れ性向上のために、ニッケルめっき層から成る下地めっき層が形成され、更にその上に金めっき層が形成されている。
また、ヴィア40,40の突出部39の上端面には、搭載される検知素子38の電極端子と接合されるパッド40a,40aが形成されている。パッド40a,40a上には、検知素子38の電極端子との接合性を向上すべく、ニッケルめっき層から成る下地めっき層が形成され、更にその上に金めっき層が形成されている。
かかるヴィア40,40、パッド40a,40a、配線パターン42、パッド44及びダミーパッド46は、銅めっきによって形成できる。例えば、ヴィア穴41,41の内壁面を含むシリコン板52の全表面に、無電解銅めっき或いはスパッタ等によって薄膜銅層を形成した後、感光性レジストによってパターニングを施し、次いで、薄膜銅層を給電層とする電解銅めっきを施して、ヴィア穴41,41内に銅を充填しつつ、パッド40a,40a、配線パターン42、パッド44及びダミーパッド46としての銅層を形成できる。その後、感光性レジストを剥離して露出した薄膜銅層をエッチングして除去することによって、ヴィア40,40、パッド40a,40a、配線パターン42、パッド44及びダミーパッド46としての銅層の間の絶縁を図ることができる。
この様にして形成したヴィア40,40の搭載用凹部36側の端部には、搭載される検知素子38の電極端子と接合されるパッド40a,40aが形成されている。
更に、パッド40a,40a、パッド44及びダミーパッド46には、検知素子38の電極端子との接合性やはんだ16との濡れ性の向上を図るべく、ニッケルめっき層から成る下地めっき層を形成し、更にその上に金めっき層を形成する。
その後、シリコン板52の他面側に形成した配線パターン42、第1切欠部用凹部31a及び第2切欠用凹部31bの各底面の中央部を、ソルダーレジスト50によって被覆する。
検知素子38が搭載された搭載用凹部36,36の各開口部には、図5(f)に示す様に、蓋体48が被着されて検知素子38は封止される。
その後、図5(f)の一点鎖線で示す位置でシリコン板52をダイシングブレードで切断してセンサ用パッケージP,Pを得る。この際に、第1切欠部用凹部31a及び第2切欠部用凹部31bの各底面の中央部に形成したソルダレジスト50の中央でシリコン板52を切断する。
この様に、シリコン板52を第1切欠部用凹部31a及び第2切欠部用凹部31bの各底面の中央部で切断して形成した切断面は平坦面であって、この切断面を端面10cとする図4に示すセンサ用パッケージPを得ることができる。
この蓋体48としては、シリコン板やガラス板を用いることができる。かかるシリコン板やガラス板を蓋体48として用いる場合、蓋体48とシリコン基板34とを、陽極接合によって接合することができる。かかる陽極接合では、接着剤を不要にでき、搭載用凹部36を高度の気密状態とすることができる。この様な高度な気密状態は、検知素子38の検知精度を向上する上で好ましい。
尚、図5では、搭載用凹部36,36の各々に搭載した検知素子38を封止した後に切断していたが、図5(d)の工程でヴィア40,40、パッド40a,40a、配線パターン42、パッド44及びダミーパッド46を形成した後、シリコン板52を切断して得た各個片のパッケージ本体10の搭載用凹部36に検知素子38を搭載し、次いで搭載用凹部36を蓋体48によって封止してセンサー用パッケージPを得てもよい。
かかる中継基板14のパッド26,26は、実装基板12に形成されたパッド28,28にはんだ30によって接合されている。このため、実装基板12のパッド28,28の形成面が凹凸面であって、パッド28,28の表面高さに差異が存在していても、かかる差異は、はんだ30によって吸収でき、中継基板14の実装面14aを水平面となるように調整できる。
この中継基板14の実装面14aに形成されたパッド20,20上には、はんだ16,16が載置されている。
かかるはんだ16は、センサ用パッケージPの切断面10cが、中継基板14の実装面14aに当接したとき、溶融されて、図7に示す様に、パッケージ本体10の第1切欠部32aの内壁面に形成されたパッド44と接触し、その表面張力によって第1切欠部32a内に充填されてメニスカスを形成する。この様にして第1切欠部32a内に充填されたはんだ16は、中継基板14のパッド20とセンサ用パッケージPのパッド44とを電気的に接続すると共に、センサ用パッケージPを中継基板14の実装面14aに対して直角に固着する。
また、図7に示す様に、センサ用パッケージPの切断面10cが、中継基板14の実装面14aに当接したとき、溶融されたはんだ16が、パッケージ本体10の第2切欠部32bの内壁面に形成されたダミーパッド46と接触し、その表面張力によって第2切欠部32b内に充填されてメニスカスを形成する。この様にして第2切欠部32b内に充填されたはんだ16は、中継基板14の実装面に対してセンサ用パッケージPを直角に固着する(垂直実装)。
かかる第1切欠部32a及び第2切欠部32bの内壁面である傾斜面32cに、パッド44やダミーパッド46を形成しているため、センサ用パッケージPを中継基板14に実装する際に、第1切欠部32a及び第2切欠部32b内にはんだが充填されたとき、良好なメニスカスが形成され、センサ用パッケージPを中継基板14の実装面14aに対して正確に直角に実装できる。
このパッド44やダミーパッド46によってはんだ16との濡れ性を向上でき、第1切欠部32a及び第2切欠部32b内からはんだ16が流出し、隣接するパッド44とのショートを惹起することを防止できる。
更に、第1切欠部32a及び第2切欠部32b内に充填された溶融はんだ16が凝固するとき、その収縮力を互いに打ち消してセンサ用パッケージPの傾斜を防止できる。
また、複数のセンサ用パッケージP,P・・を装着できる中継基板14を実装基板12上に配設することによって、実装基板12上に高密度にセンサ用パッケージP,P・・を装着した検知装置を提供できる。
図1〜図7に示すセンサ用パッケージPでは、パッケージ本体10の第1切欠部32a内に検知素子38と電気的に接続されたパッド44を形成し、第2切欠部32b内にダミーパッド46を形成していたが、図8に示す様に、第2切欠部32b内に形成したパッド44とパッケージ本体10の搭載用凹部36の底面に搭載された検出素子38の電極端子とを、搭載用凹部36の内壁面に沿って第2側面10b上に引き出されるように形成した配線パターン42によって電気的に接続してもよい。
この様に、搭載用凹部36の内壁面に沿って形成した配線パターン42に検出素子38を搭載することによって、ヴィア40,40の形成を不要にでき、センサ用パッケージPの構造を簡素化できる。
図8に示すセンサ用パッケージPのパッケージ本体10の第1切欠部32a内には、ダミーパッド46が形成されている。
尚、図1に示すセンサ用パッケージPと図8に示すセンサ用パッケージPとを組み合わせて、パッケージ本体10の第1切欠部32a及び第2切欠部32bの両方に、検出素子38の電極端子と電気的に接続されたパッド44を形成してもよい。
また、パッケージ本体10の搭載用凹部36の底面に、ヴィア40,40から配線パターンを引き出して、この配線パターンの端部に形成したパッドに検知素子38を搭載してもよい。
更に、実装基板12上に中継基板14を配設していたが、実装基板12の実装面が水平面である場合には、センサ用パッケージPの切断面10cを実装基板12の実装面に直接当接して実装してもよい。この場合、センサ用パッケージPのパッド44及びダミーパッド46と、実装基板12のパッド28とがはんだによって接続される。
また、パッケージ本体10には、シリコン基板34を用いているが、ガラス基板又は樹脂基板を用いることができる。この場合には、絶縁層34aの形成は不要である。
更に、中継基板14にも、シリコン基板18を用いているが、セラミック基板やガラス基板を用いることができる。この場合にも、絶縁層の形成は不要である。
図9に示す検知装置は、垂直状態に載置された実装基板12の一面側に中継基板14が設けられている。この中継基板14に形成された平坦な垂直面である実装面14aに、センサ用パッケージPの端面10cが当接している。このため、センサ用パッケージPは、中継基板14の実装面14aに対して直角に実装(水平実装)されているものである。
図9に示すセンサ用パッケージPは、蓋体48が上方となるように中継基板14に実装されているが、センサ用パッケージPを蓋体48が下方となるように中継基盤14に実装してもよい。
また、検知素子38に代えて、半導体素子をパッケージ本体10に搭載してもよい。この様に、半導体素子がパッケージ本体10に搭載された半導体装置用パッケージは、パッケージ本体10の端面10cが実装基板12の一面側に設けた中継基板14の実装面14aに当接して実装される。従って、かかる半導体装置用パッケージでは、パッケージ本体10の一面側の全面を実装面に当接して実装される従来の半導体装置用パッケージに比較して、その実装面積を小面積化でき、実装面積当たりのパッケージ本体の実装密度を向上できる。
更に、はんだ16に代えて、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂に銀や金等の金属フィラーを含有させた導電性ペーストを用いてセンサ用パッケージPを実装してもよい。
10 パッケージ本体
10c 端面
12 実装基板
14 中継基板
14a 実装面
16,30 はんだ
20,22,26,28,44,56 パッド
18,34 シリコン基板
22,42 配線パターン
23,50 ソルダーレジスト
24,40 ヴィア
31a 第1切欠部用凹部
31b 第2切欠部用凹部
32a 第1切欠部
32b 第2切欠部
34a 絶縁層
36 搭載用凹部
38 検知素子
39 突出部
41 ヴィア穴
46 ダミーパッド
48 蓋体
52 シリコン板
P センサ用パッケージ
Claims (11)
- 第1側面およびこの反対面となる第2側面と前記第1および第2側面に交差する端面とを含む基板状のパッケージ本体に、電子部品が搭載された電子部品用パッケージであって、
前記端面が実装基板側の平坦な実装面に当接して、前記パッケージ本体が前記実装面に対して直角に固着して実装されるように、前記端面が平坦な切断面に形成され、
前記端面と前記第1側面との境界部には、第1切欠部が形成され、
前記端面と前記第2側面との境界部には、第2切欠部が形成され、
前記第1切欠部の内壁面には、前記第1側面との交差角が鈍角となる傾斜面が前記第1切欠部の側壁面の全てに形成され、
前記第2切欠部の内壁面には、前記第2側面との交差角が鈍角となる傾斜面が前記第2切欠部の側壁面の全てに形成され、
前記第1切欠部の傾斜面には、前記実装面に対する固着用の第1パッドが形成され、
前記第2切欠部の傾斜面には、前記実装面に対する固着用の第2パッドが形成され、
前記第1および第2パッドのうち、一方が前記電子部品と電気的に接続されている接続パッドであり、他方が前記電子部品と電気的に接続されていないダミーパッドであることを特徴とする電子部品用パッケージ。 - 前記第2側面には、電子部品搭載用の凹部が形成され、
前記凹部内には、前記電子部品が接合される接合パッドが形成され、
前記接合パッドが、前記接続パッドと電気的に接続され、
前記電子部品が、前記接合パッドと接合して該接合パッドを介して前記接続パッドと電気的に接続され、前記凹部内で搭載されている請求項1記載の電子部品用パッケージ。 - 前記凹部内には、該凹部の底面から突出する突出部が形成され、
前記接合パッドが、前記突出部の先端面に形成され、
前記電子部品が、前記突出部の先端面で搭載されて、前記凹部の底面から離間している請求項2記載の電子部品用パッケージ。 - 前記第1切欠部内から前記第1側面上に引き出されるように前記第1パッドを含む第1配線が形成され、
前記第2切欠部内から前記第2側面上に引き出されるように前記第2パッドを含む第2配線が形成されている請求項2または3記載の電子部品用パッケージ。 - 前記第2配線が、前記第2切欠部内から前記第2側面上に引き出されて、更に、前記凹部の内壁面に沿って形成されている請求項4記載の電子部品用パッケージ。
- 前記パッケージ本体には、前記第1側面から前記第2側面にかけて貫通するヴィアが形成され、
前記ヴィアが、前記接続パッドと電気的に接続されている請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。 - 前記第1パッドが、前記第1切欠部の内壁面のうち、前記端面側を除いた領域の全面に形成され、
前記第2パッドが、前記第2切欠部の内壁面のうち、前記端面側を除いた領域の全面に形成されている請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。 - 前記第1側面上には、前記第1パッドを露出して第1ソルダーレジストが形成され、
前記第2側面上には、前記第2パッドを露出して第2ソルダーレジストが形成されている請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージ。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の電子部品用パッケージが、前記実装面に実装されている検出装置において、
前記電子部品が、検出素子であり、
前記実装面には、前記パッケージ本体に対する固着用の第3および第4パッドが形成され、
前記第1切欠部に充填された第1はんだによって前記第1パッドと前記第3パッドとが電気的に接続され、かつ、前記第2切欠部に充填された第2はんだによって前記第2パッドと前記第4パッドとが電気的に接続されて、前記端面が前記実装面に当接して、前記実装面に前記パッケージ本体が固着されている検出装置。 - 前記実装面が、実装基板の一面側に配設された中継基板に形成されている請求項9記載の検出装置。
- 前記中継基板が、シリコン基板又はセラミック基板によって形成されている請求項10記載の検出装置。
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